JPH04353640A - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPH04353640A JPH04353640A JP12727891A JP12727891A JPH04353640A JP H04353640 A JPH04353640 A JP H04353640A JP 12727891 A JP12727891 A JP 12727891A JP 12727891 A JP12727891 A JP 12727891A JP H04353640 A JPH04353640 A JP H04353640A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光磁気記録媒体の製造方
法に係り、特に記録層を２層構造に積層形成したオーバ
ーライトが可能な光磁気記録媒体の製造方法に関する。
法に係り、特に記録層を２層構造に積層形成したオーバ
ーライトが可能な光磁気記録媒体の製造方法に関する。
【０００２】光磁気ディスク装置のオーバーライト方法
の内の一つとして、レーザ光の光強度変調を利用したオ
ーバーライト方法がある。
の内の一つとして、レーザ光の光強度変調を利用したオ
ーバーライト方法がある。
【０００３】
【従来の技術】このようなオーバーライト方法に用いる
光磁気記録媒体は、基板上に希土類−遷移金属非晶質合
金より成り、第１記録層、および第２記録層の二層構造
に積層した構成を採っており、第１記録層は第２記録層
よりも室温で保磁力が大きく、キュリー温度が低い材料
を用いている。
光磁気記録媒体は、基板上に希土類−遷移金属非晶質合
金より成り、第１記録層、および第２記録層の二層構造
に積層した構成を採っており、第１記録層は第２記録層
よりも室温で保磁力が大きく、キュリー温度が低い材料
を用いている。
【０００４】そしてこのオーバーライトは、第１記録層
と第２記録層との間に働く交換結合力を利用し、第２記
録層に記録されたビットが第１記録層に転写されて行わ
れるとされている。
と第２記録層との間に働く交換結合力を利用し、第２記
録層に記録されたビットが第１記録層に転写されて行わ
れるとされている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、オーバーラ
イトを実施する度毎に、再現性の良いオーバーライト特
性が得られるような光磁気記録媒体を形成するには、第
１記録層と第２記録層の間に働く交換結合力を制御する
ことが重要となる。この交換結合力は第１記録層と第２
記録層の界面状態に非常に敏感で、この第１記録層と第
２記録層をスパッタ法で形成する際に於いて、第１記録
層を成膜した後、第２記録層を成膜する間のスパッタ容
器内に残留しているガスや、或いはスパッタ容器内の真
空度に大きく依存するため、再現性良く成膜することが
困難である。
イトを実施する度毎に、再現性の良いオーバーライト特
性が得られるような光磁気記録媒体を形成するには、第
１記録層と第２記録層の間に働く交換結合力を制御する
ことが重要となる。この交換結合力は第１記録層と第２
記録層の界面状態に非常に敏感で、この第１記録層と第
２記録層をスパッタ法で形成する際に於いて、第１記録
層を成膜した後、第２記録層を成膜する間のスパッタ容
器内に残留しているガスや、或いはスパッタ容器内の真
空度に大きく依存するため、再現性良く成膜することが
困難である。
【０００６】従来、このような二層膜を形成した光磁気
記録媒体として特開平１−２１７７４４号に於いて、膜
面に対して垂直な方向に磁化容易軸を有する記録層と、
同じく膜面に対して垂直な方向に磁化容易軸を有する光
磁気記録媒体で、上記記録層とバイアス層との間に膜面
内に磁化容易軸を有する磁気遮蔽層を設けた構成が開示
されている。然し、この光磁気記録媒体の具体的な製造
方法に付いては言及されていない。
記録媒体として特開平１−２１７７４４号に於いて、膜
面に対して垂直な方向に磁化容易軸を有する記録層と、
同じく膜面に対して垂直な方向に磁化容易軸を有する光
磁気記録媒体で、上記記録層とバイアス層との間に膜面
内に磁化容易軸を有する磁気遮蔽層を設けた構成が開示
されている。然し、この光磁気記録媒体の具体的な製造
方法に付いては言及されていない。
【０００７】またその他に、特開昭６３−１１７３５４
号に於いて、基板上に希土類と遷移金属合金より成る
第１磁性層と第２磁性層とが積層され、かつ両者の磁性
層が交換結合された光磁気記録媒体に於いて、該両磁性
層間の磁壁エネルギーを調整する調整層を設けた光磁気
記録媒体が開示されているが、この調整層の材料は本願
発明と異なり、本願のように直流バイアススパッタ法に
よる高周波マグネトロンスパッタ法で、該直流バイアス
電圧を変えて成膜する方法を採っていない。
号に於いて、基板上に希土類と遷移金属合金より成る
第１磁性層と第２磁性層とが積層され、かつ両者の磁性
層が交換結合された光磁気記録媒体に於いて、該両磁性
層間の磁壁エネルギーを調整する調整層を設けた光磁気
記録媒体が開示されているが、この調整層の材料は本願
発明と異なり、本願のように直流バイアススパッタ法に
よる高周波マグネトロンスパッタ法で、該直流バイアス
電圧を変えて成膜する方法を採っていない。
【０００８】本発明は上記した事項に鑑みてなされたも
ので、簡単な製造方法で、界面状態の安定したオーバー
ライト可能な二層構造の磁性膜を有する光磁気記録媒体
の製造方法の提供を目的とする。
ので、簡単な製造方法で、界面状態の安定したオーバー
ライト可能な二層構造の磁性膜を有する光磁気記録媒体
の製造方法の提供を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の光磁気記録媒体
の製造方法は、基板上に下地保護膜を形成し、該下地保
護膜上に希土類−遷移金属非晶質合金より成る第１記録
層、および第２記録層を直流バイアス高周波マグネトロ
ンスパッタ法で形成すると共に、該第１記録層と第２記
録層の間に希土類−遷移金属非晶質合金より成り、前記
第１ 記録層、或いは第２記録層の成膜時と異なる直流
印加電圧を用いた直流バイアス高周波マグネトロンスパ
ッタ法で希土類−遷移金属非晶質合金を成膜して結合力
制御層を形成することを特徴とする。
の製造方法は、基板上に下地保護膜を形成し、該下地保
護膜上に希土類−遷移金属非晶質合金より成る第１記録
層、および第２記録層を直流バイアス高周波マグネトロ
ンスパッタ法で形成すると共に、該第１記録層と第２記
録層の間に希土類−遷移金属非晶質合金より成り、前記
第１ 記録層、或いは第２記録層の成膜時と異なる直流
印加電圧を用いた直流バイアス高周波マグネトロンスパ
ッタ法で希土類−遷移金属非晶質合金を成膜して結合力
制御層を形成することを特徴とする。
【００１０】
【作用】直流バイアス高周波マグネトロンスパッタ法で
希土類−遷移金属非晶質合金より成る第１記録層、およ
び第２記録層を形成する際に、その境界面に前記第１、
および第２記録層に印加したバイアス電圧と異なる値の
正の直流バイアス電圧を印加して、上記第１記録層と第
２記録層の交換結合力を制御する結合力制御層を成膜す
ると、この希土類−遷移金属非晶質合金の組成が、遷移
金属リッチ（ＴＭ リッチ） の方向へ移動し、この移
動に伴って第１記録層と第２記録層の界面に、面内に磁
化容易軸方向を有する面内磁化膜が形成され、これによ
って結合力制御層の交換結合力が所定の値に安定して制
御でき、オーバーライト特性が安定して得られるように
成る。
希土類−遷移金属非晶質合金より成る第１記録層、およ
び第２記録層を形成する際に、その境界面に前記第１、
および第２記録層に印加したバイアス電圧と異なる値の
正の直流バイアス電圧を印加して、上記第１記録層と第
２記録層の交換結合力を制御する結合力制御層を成膜す
ると、この希土類−遷移金属非晶質合金の組成が、遷移
金属リッチ（ＴＭ リッチ） の方向へ移動し、この移
動に伴って第１記録層と第２記録層の界面に、面内に磁
化容易軸方向を有する面内磁化膜が形成され、これによ
って結合力制御層の交換結合力が所定の値に安定して制
御でき、オーバーライト特性が安定して得られるように
成る。
【００１１】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例につき詳
細に説明する。図１（ａ）は本発明の第１実施例で成膜
した光磁気記録媒体の断面図、図２ は本発明の方法に
用いる装置の説明図である。
細に説明する。図１（ａ）は本発明の第１実施例で成膜
した光磁気記録媒体の断面図、図２ は本発明の方法に
用いる装置の説明図である。
【００１２】図１（ａ）と図２ に示すように、本発明
の方法はガラスより成る透明な基板１上に、アルゴン（
Ａｒ）ガスより成るスパッタガスのガス圧力を０．５Ｐ
ａ のガス圧力とし、テルビウム− 二酸化シリコン（
Ｔｂ−ＳｉＯ２） より成る保護層形成用ターゲット１
１を用い、高周波電源１５を用いた高周波マグネトロン
スパッタ法により下地保護層２を１００ｎｍ の厚さに
形成する。
の方法はガラスより成る透明な基板１上に、アルゴン（
Ａｒ）ガスより成るスパッタガスのガス圧力を０．５Ｐ
ａ のガス圧力とし、テルビウム− 二酸化シリコン（
Ｔｂ−ＳｉＯ２） より成る保護層形成用ターゲット１
１を用い、高周波電源１５を用いた高周波マグネトロン
スパッタ法により下地保護層２を１００ｎｍ の厚さに
形成する。
【００１３】次いで該基板上にスパッタガスのガス圧力
を０．５Ｐａ のガス圧力とし、テルビウム− 鉄（Ｔ
ｂ−Ｆｅ） より成る第１記録層形成用ターゲット１２
を用い、直流バイアス電源１４、高周波電源１５を用い
て、直流バイアス電圧を−５０Ｖ とした高周波マグネ
トロンスパッタ法によりＴｂ−Ｆｅ より成る第１記録
層３を５０ｎｍの厚さに形成する。
を０．５Ｐａ のガス圧力とし、テルビウム− 鉄（Ｔ
ｂ−Ｆｅ） より成る第１記録層形成用ターゲット１２
を用い、直流バイアス電源１４、高周波電源１５を用い
て、直流バイアス電圧を−５０Ｖ とした高周波マグネ
トロンスパッタ法によりＴｂ−Ｆｅ より成る第１記録
層３を５０ｎｍの厚さに形成する。
【００１４】次いで該基板上にスパッタガスのガス圧力
を０．５Ｐａ のガス圧力とし、前記したテルビウム−
鉄（Ｔｂ−Ｆｅ） より成る第１記録層形成用ターゲ
ット１２を用い、直流バイアス電源１４、高周波電源１
５を用いて、直流バイアス電圧を＋１００Ｖとした高周
波マグネトロンスパッタ法によりＴｂ−Ｆｅ より成る
結合力制御層４−１ を１０ｎｍの厚さで薄く形成する
。
を０．５Ｐａ のガス圧力とし、前記したテルビウム−
鉄（Ｔｂ−Ｆｅ） より成る第１記録層形成用ターゲ
ット１２を用い、直流バイアス電源１４、高周波電源１
５を用いて、直流バイアス電圧を＋１００Ｖとした高周
波マグネトロンスパッタ法によりＴｂ−Ｆｅ より成る
結合力制御層４−１ を１０ｎｍの厚さで薄く形成する
。
【００１５】次いで該基板上にスパッタガスのガス圧力
を０．５Ｐａ のガス圧力とし、テルビウム− 鉄−
コバルト（Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ）より成る第２記録層形成
用ターゲット１３を用い、直流バイアス電源１４、高周
波電源１５を用いて、直流バイアス電圧を−５０Ｖ と
した高周波マグネトロンスパッタ法によりＴｂ−Ｆｅ−
Ｃｏより成る第２記録層５を１００ｎｍ の厚さに形成
する。
を０．５Ｐａ のガス圧力とし、テルビウム− 鉄−
コバルト（Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ）より成る第２記録層形成
用ターゲット１３を用い、直流バイアス電源１４、高周
波電源１５を用いて、直流バイアス電圧を−５０Ｖ と
した高周波マグネトロンスパッタ法によりＴｂ−Ｆｅ−
Ｃｏより成る第２記録層５を１００ｎｍ の厚さに形成
する。
【００１６】次いで該基板上にスパッタガスのガス圧力
を０．５Ｐａ のガス圧力とし、テルビウム− 二酸化
シリコン（Ｔｂ−ＳｉＯ２） より成る保護層形成用タ
ーゲット１１を用い、高周波電源１５を用いた高周波マ
グネトロンスパッタ法により、上地保護層６を１００ｎ
ｍの厚さに形成する。
を０．５Ｐａ のガス圧力とし、テルビウム− 二酸化
シリコン（Ｔｂ−ＳｉＯ２） より成る保護層形成用タ
ーゲット１１を用い、高周波電源１５を用いた高周波マ
グネトロンスパッタ法により、上地保護層６を１００ｎ
ｍの厚さに形成する。
【００１７】上記した結合力制御層４−１ は、第１記
録層３の成膜時に、印加する直流バイアス電圧を、第１
記録層３の成膜時と変えるのみで、上記第１記録層３の
成膜時に用いたターゲットを、そのまま利用できるため
に、ターゲットの種類を増加する必要が無く、また工程
もマグネトロンスパッタをする際の基板側に印加する直
流バイアス電圧を変化するのみで簡単な方法で成膜でき
る。
録層３の成膜時に、印加する直流バイアス電圧を、第１
記録層３の成膜時と変えるのみで、上記第１記録層３の
成膜時に用いたターゲットを、そのまま利用できるため
に、ターゲットの種類を増加する必要が無く、また工程
もマグネトロンスパッタをする際の基板側に印加する直
流バイアス電圧を変化するのみで簡単な方法で成膜でき
る。
【００１８】上記した第１実施例に於ける製造方法に付
いて表１にまとめて示す。
いて表１にまとめて示す。
【００１９】
【表１】
【００２０】このような第１ 実施例の光磁気記録媒体
を１０回成膜し、そのオーバーライトのＣ／Ｎ の値を
測定したところ、５５ｄＢの値が安定してばらつくこと
なく得られた。因みに従来の方法で直流バイアス電圧を
変化させずに、第１記録層と第２記録層を連続して成膜
し、結合力制御層を成膜しない方法では、オーバーライ
トのＣ／Ｎ の値が、成膜の都度４０〜５５ｄＢの範囲
にばらついた製品しか得られなかった。
を１０回成膜し、そのオーバーライトのＣ／Ｎ の値を
測定したところ、５５ｄＢの値が安定してばらつくこと
なく得られた。因みに従来の方法で直流バイアス電圧を
変化させずに、第１記録層と第２記録層を連続して成膜
し、結合力制御層を成膜しない方法では、オーバーライ
トのＣ／Ｎ の値が、成膜の都度４０〜５５ｄＢの範囲
にばらついた製品しか得られなかった。
【００２１】図１（ｂ）は本発明の第２実施例で成膜し
た光磁気記録媒体の断面図、図２は本発明の方法に用い
る装置の模式図である。図１（ｂ）と図２に示すように
、本発明の第２実施例の方法は、ガラスより成る透明基
板１上に、アルゴン（Ａｒ）ガスより成るスパッタガス
のガス圧力を０．５Ｐａ のガス圧力として、テルビウ
ム− 二酸化シリコン（Ｔｂ−ＳｉＯ２） より成る保
護層形成用ターゲット１１を用い、直流バイアス電源１
４を用いずに高周波マグネトロンスパッタ法を用いて下
地保護層２を１００ｎｍ の厚さに形成する。
た光磁気記録媒体の断面図、図２は本発明の方法に用い
る装置の模式図である。図１（ｂ）と図２に示すように
、本発明の第２実施例の方法は、ガラスより成る透明基
板１上に、アルゴン（Ａｒ）ガスより成るスパッタガス
のガス圧力を０．５Ｐａ のガス圧力として、テルビウ
ム− 二酸化シリコン（Ｔｂ−ＳｉＯ２） より成る保
護層形成用ターゲット１１を用い、直流バイアス電源１
４を用いずに高周波マグネトロンスパッタ法を用いて下
地保護層２を１００ｎｍ の厚さに形成する。
【００２２】次いで該基板上にスパッタガスのガス圧力
を０．５Ｐａ のガス圧力とし、テルビウム− 鉄（Ｔ
ｂ−Ｆｅ） より成る第１記録層形成用ターゲット１２
を用い、直流バイアス電源１４、高周波電源１５を用い
、直流バイアス電圧を−５０Ｖ とし、高周波マグネト
ロンスパッタ法により、Ｔｂ−Ｆｅ より成る第１記録
層３を５０ｎｍの厚さに形成する。
を０．５Ｐａ のガス圧力とし、テルビウム− 鉄（Ｔ
ｂ−Ｆｅ） より成る第１記録層形成用ターゲット１２
を用い、直流バイアス電源１４、高周波電源１５を用い
、直流バイアス電圧を−５０Ｖ とし、高周波マグネト
ロンスパッタ法により、Ｔｂ−Ｆｅ より成る第１記録
層３を５０ｎｍの厚さに形成する。
【００２３】次いで該基板上にスパッタガスのガス圧力
を０．５Ｐａ のガス圧力とし、テルビウム− 鉄−
コバルト（Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ）より成る第２記録層形成
用ターゲット１３を用い、直流バイアス電源１４、高周
波電源１５を用い、直流バイアス電圧を＋１５０Ｖとし
、高周波マグネトロンスパッタ法により、Ｔｂ−Ｆｅ−
Ｃｏより成る結合力制御層４−２ を１０ｎｍの厚さに
薄く成膜する。
を０．５Ｐａ のガス圧力とし、テルビウム− 鉄−
コバルト（Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ）より成る第２記録層形成
用ターゲット１３を用い、直流バイアス電源１４、高周
波電源１５を用い、直流バイアス電圧を＋１５０Ｖとし
、高周波マグネトロンスパッタ法により、Ｔｂ−Ｆｅ−
Ｃｏより成る結合力制御層４−２ を１０ｎｍの厚さに
薄く成膜する。
【００２４】次いで該基板上にスパッタガスのガス圧力
を０．５Ｐａ のガス圧力とし、前記したテルビウム−
鉄− コバルト（Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ）より成る第２記
録層形成用ターゲット１３をそのまま用い、直流バイア
ス電源１４、高周波電源１５を用い、直流バイアス電圧
を−５０Ｖ とし、高周波マグネトロンスパッタ法によ
りテルビウム− 鉄− コバルト（Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ）
より成る第２ 記録層５ を１００ｎｍ の厚さに成膜
する。
を０．５Ｐａ のガス圧力とし、前記したテルビウム−
鉄− コバルト（Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ）より成る第２記
録層形成用ターゲット１３をそのまま用い、直流バイア
ス電源１４、高周波電源１５を用い、直流バイアス電圧
を−５０Ｖ とし、高周波マグネトロンスパッタ法によ
りテルビウム− 鉄− コバルト（Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ）
より成る第２ 記録層５ を１００ｎｍ の厚さに成膜
する。
【００２５】次いで該基板上にスパッタガスのガス圧力
を０．５Ｐａ のガス圧力とし、テルビウム− 二酸化
シリコン（Ｔｂ−ＳｉＯ２）より成る保護層形成用ター
ゲット１１を用い、直流バイアス電源１４を用いずに、
高周波電源１５のみを用いた高周波マグネトロンスパッ
タ法を用いて上地保護層６ を１００ｎｍ の厚さに形
成する。
を０．５Ｐａ のガス圧力とし、テルビウム− 二酸化
シリコン（Ｔｂ−ＳｉＯ２）より成る保護層形成用ター
ゲット１１を用い、直流バイアス電源１４を用いずに、
高周波電源１５のみを用いた高周波マグネトロンスパッ
タ法を用いて上地保護層６ を１００ｎｍ の厚さに形
成する。
【００２６】上記した結合力制御層４−２ は、第２
記録層５の成膜時に、直流バイアス電圧を、第２ 記録
層５ の成膜時と変えるのみで、上記第２ 記録層５
の成膜時に用いる予定のターゲットを、そのまま利用で
きるために、ターゲットの種類も多くする必要が無く、
また工程も簡単である。
記録層５の成膜時に、直流バイアス電圧を、第２ 記録
層５ の成膜時と変えるのみで、上記第２ 記録層５
の成膜時に用いる予定のターゲットを、そのまま利用で
きるために、ターゲットの種類も多くする必要が無く、
また工程も簡単である。
【００２７】上記した第２実施例に於ける製造方法に付
いて表２にまとめて示す。
いて表２にまとめて示す。
【００２８】
【表２】
【００２９】このようにして形成した第２ 実施例の光
磁気記録媒体を１０回成膜し、そのオーバーライトのＣ
／Ｎ の値を測定したところ、５５ｄＢの値がばらつく
ことなく安定して得られた。
磁気記録媒体を１０回成膜し、そのオーバーライトのＣ
／Ｎ の値を測定したところ、５５ｄＢの値がばらつく
ことなく安定して得られた。
【００３０】因みに従来の方法で直流バイアス電圧を変
化させずに、第１ 記録層と第２ 記録層を連続して成
膜し、結合力制御層を成膜しない方法では、オーバーラ
イトのＣ／Ｎ の値が、成膜の都度４０〜５５ｄＢの範
囲にばらついている。
化させずに、第１ 記録層と第２ 記録層を連続して成
膜し、結合力制御層を成膜しない方法では、オーバーラ
イトのＣ／Ｎ の値が、成膜の都度４０〜５５ｄＢの範
囲にばらついている。
【００３１】なお、本発明の実施例の変形例として、第
１ 記録層と第２記録層は直流バイアス電圧を印加しな
いで成膜し、結合力制御層を成膜する時のみ、直流バイ
アス電圧を印加するようにしても良い。
１ 記録層と第２記録層は直流バイアス電圧を印加しな
いで成膜し、結合力制御層を成膜する時のみ、直流バイ
アス電圧を印加するようにしても良い。
【００３２】また第１ 記録層と第２ 記録層の界面の
交換結合力の大きさは、結合力制御層の膜厚、印加する
直流バイアス電圧の大きさを変えることで任意の値に変
化することができるので、上記形成された光磁気記録媒
体のオーバーライトのＣ／Ｎ の値によって、適宜変化
させるようにすると良い。
交換結合力の大きさは、結合力制御層の膜厚、印加する
直流バイアス電圧の大きさを変えることで任意の値に変
化することができるので、上記形成された光磁気記録媒
体のオーバーライトのＣ／Ｎ の値によって、適宜変化
させるようにすると良い。
【００３３】
【発明の効果】以上述べたように本発明の方法によれば
、直流バイアス印加に依る高周波スパッタ法を用いて記
録層を成膜する際に、直流バイアス電圧の大きさを変化
させることで、二層膜の記録層の界面の交換結合力の制
御が容易となり、１．０ μｍ のピット長で、５０ｄ
Ｂ以上のＣ／Ｎ の値を再現性良く得ることが出来る。
、直流バイアス印加に依る高周波スパッタ法を用いて記
録層を成膜する際に、直流バイアス電圧の大きさを変化
させることで、二層膜の記録層の界面の交換結合力の制
御が容易となり、１．０ μｍ のピット長で、５０ｄ
Ｂ以上のＣ／Ｎ の値を再現性良く得ることが出来る。
【図１】 本発明の方法による光磁気記録媒体の断面
図である。
図である。
【図２】 本発明の方法に用いる装置の説明図である
。
。
１ 基板
２ 下地保護層
３ 第１記録層
４−１，４−２ 結合力制御層
５ 第２記録層
６ 上地保護層
１１ 保護層形成用ターゲット
１２ 第１記録層形成用ターゲット
１３ 第２記録層形成用ターゲット
１４ 直流バイアス電源
１５ 高周波電源
Claims (1)
- 【請求項１】 基板（１） 上に下地保護層（２）
を形成し、該下地保護層（２） 上に希土類−遷移金属
非晶質合金より成る第１記録層（３） 、および第２記
録層（５）を直流バイアス高周波マグネトロンスパッタ
法で形成すると共に、該第１記録層（３） と第２記録
層（５） の界面に、希土類−遷移金属非晶質合金より
成り、前記第１記録層（３） 、或いは第２記録層（５
） の成膜時と異なる直流印加電圧を用いた直流バイア
ス高周波マグネトロンスパッタ法で、希土類−遷移金属
非晶質合金膜を成膜し、前期第１記録層（３） と第２
記録層（５） の間の交換結合力を制御する結合力制御
層（４） を形成することを特徴とする光磁気記録媒体
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12727891A JPH04353640A (ja) | 1991-05-30 | 1991-05-30 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12727891A JPH04353640A (ja) | 1991-05-30 | 1991-05-30 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04353640A true JPH04353640A (ja) | 1992-12-08 |
Family
ID=14956024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12727891A Withdrawn JPH04353640A (ja) | 1991-05-30 | 1991-05-30 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04353640A (ja) |
-
1991
- 1991-05-30 JP JP12727891A patent/JPH04353640A/ja not_active Withdrawn
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