JPH04354121A - 急速加熱装置 - Google Patents
急速加熱装置Info
- Publication number
- JPH04354121A JPH04354121A JP12912191A JP12912191A JPH04354121A JP H04354121 A JPH04354121 A JP H04354121A JP 12912191 A JP12912191 A JP 12912191A JP 12912191 A JP12912191 A JP 12912191A JP H04354121 A JPH04354121 A JP H04354121A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- side wall
- wafer
- reflector
- silicon wafer
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば石英チャンバ内
にシリコンウエハを装填して該シリコンウエハを急速加
熱する、いわゆるＲＴＰ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａ
ｌ Ｐｒｏｃｅｓｓ）装置に関する。
にシリコンウエハを装填して該シリコンウエハを急速加
熱する、いわゆるＲＴＰ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａ
ｌ Ｐｒｏｃｅｓｓ）装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣやＬＳＩの製造工程において、例え
ばリン（Ｐ）、ボロン（Ｂ）等をイオン注入したシリコ
ンウエハやオーミック電極用の金属薄膜を付したシリコ
ンウエハを熱処理する方法の一つとして電気炉を用いる
方法がある。この電気炉を用いる方法では熱処理すべき
シリコンウエハを電気炉内に配置し、その後この電気炉
内を例えば２０〜３０分程度の時間をかけて８００℃〜
９００℃程度に昇温してその状態を暫くの間保持する操
作が行われる。この電気炉を用いると一度に多数枚のシ
リコンウエハの熱処理を行うことができるが、数分から
１０分単位程度の非常にゆっくりとした温度制御しかで
きないため、この熱処理の際に不純物の拡散が進むこと
となる。
ばリン（Ｐ）、ボロン（Ｂ）等をイオン注入したシリコ
ンウエハやオーミック電極用の金属薄膜を付したシリコ
ンウエハを熱処理する方法の一つとして電気炉を用いる
方法がある。この電気炉を用いる方法では熱処理すべき
シリコンウエハを電気炉内に配置し、その後この電気炉
内を例えば２０〜３０分程度の時間をかけて８００℃〜
９００℃程度に昇温してその状態を暫くの間保持する操
作が行われる。この電気炉を用いると一度に多数枚のシ
リコンウエハの熱処理を行うことができるが、数分から
１０分単位程度の非常にゆっくりとした温度制御しかで
きないため、この熱処理の際に不純物の拡散が進むこと
となる。
【０００３】またこの熱処理の他の方法として、いわゆ
るＲＴＰ装置を用いる方法がある。以下このＲＴＰ装置
について説明する。図２は、従来のＲＴＰ装置（急速加
熱装置）の一例の概略斜視図、図３は図２のＸ−Ｘ’に
沿って示す横断面図（Ａ）および該横断面図のＹ−Ｙ’
に沿って示す平面断面図（Ｂ）である。
るＲＴＰ装置を用いる方法がある。以下このＲＴＰ装置
について説明する。図２は、従来のＲＴＰ装置（急速加
熱装置）の一例の概略斜視図、図３は図２のＸ−Ｘ’に
沿って示す横断面図（Ａ）および該横断面図のＹ−Ｙ’
に沿って示す平面断面図（Ｂ）である。
【０００４】石英チャンバ１内にシリコンウエハ２が通
常１枚だけ装填され、石英チャンバ１の上下に備えられ
た多数のランプ３から発せられた光が石英チャンバ１を
透過してシリコンウエハ２に照射され、これによりシリ
コンウエハ２が熱せられる。このＲＴＰ装置を用いる方
法では、シリコンウエハを一枚ずつしか処理できないが
このシリコンウエハが例えば１０秒程度で８００℃〜９
００℃に加熱される等、秒単位の温度制御が可能となる
。
常１枚だけ装填され、石英チャンバ１の上下に備えられ
た多数のランプ３から発せられた光が石英チャンバ１を
透過してシリコンウエハ２に照射され、これによりシリ
コンウエハ２が熱せられる。このＲＴＰ装置を用いる方
法では、シリコンウエハを一枚ずつしか処理できないが
このシリコンウエハが例えば１０秒程度で８００℃〜９
００℃に加熱される等、秒単位の温度制御が可能となる
。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記ＲＴＰ装置（急速
加熱装置）を用いてシリコンウエハ等のウエハの熱処理
を行う場合、このウエハの中心部と周辺部との温度差が
大きく、中心部に比べ、周辺部の温度が低すぎるという
問題点がある。８００℃〜９００℃の上記熱処理の際は
ウエハの中央部と周辺部との許容温度差は例えば５℃程
度であるが、１０℃もしくはそれ以上の温度差が生じて
しまう場合がある。
加熱装置）を用いてシリコンウエハ等のウエハの熱処理
を行う場合、このウエハの中心部と周辺部との温度差が
大きく、中心部に比べ、周辺部の温度が低すぎるという
問題点がある。８００℃〜９００℃の上記熱処理の際は
ウエハの中央部と周辺部との許容温度差は例えば５℃程
度であるが、１０℃もしくはそれ以上の温度差が生じて
しまう場合がある。
【０００６】本発明は、上記問題点に鑑み、装填された
ウエハの中央部と周辺部との温度差を小さく押えること
のできる構造を備えた急速加熱装置を提供することを目
的とする。
ウエハの中央部と周辺部との温度差を小さく押えること
のできる構造を備えた急速加熱装置を提供することを目
的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の急速加熱装置は、内部ウエハが装填されるチ
ャンバと、該チャンバ外部の、該チャンバの上下に配設
された、該チャンバを透過して該チャンバに装填された
ウエハを熱する光を発する複数のランプとを備えた急速
加熱装置において、前記ランプから発せられた光を前記
チャンバに装填されたウエハの周辺部に向けて反射する
反射体が、前記チャンバの側壁に沿って備えられてなる
ことを特徴とするものである。
の本発明の急速加熱装置は、内部ウエハが装填されるチ
ャンバと、該チャンバ外部の、該チャンバの上下に配設
された、該チャンバを透過して該チャンバに装填された
ウエハを熱する光を発する複数のランプとを備えた急速
加熱装置において、前記ランプから発せられた光を前記
チャンバに装填されたウエハの周辺部に向けて反射する
反射体が、前記チャンバの側壁に沿って備えられてなる
ことを特徴とするものである。
【０００８】ここで上記反射体は、上記チャンバの側壁
の形状を工夫してその側壁に反射体をコーティングした
ものであってもよく、チャンバの側壁とは別に反射体を
備えたものであってもよい。
の形状を工夫してその側壁に反射体をコーティングした
ものであってもよく、チャンバの側壁とは別に反射体を
備えたものであってもよい。
【０００９】
【作用】本発明は、チャンバの上下に配設されたランプ
から発せられた光の一部は、チャンバ内に配置されたウ
エハを照射せずにそのウエハの周辺を照射し、またはウ
エハからその周辺に向けて反射されてしまっていること
に着目することにより成されたものである。
から発せられた光の一部は、チャンバ内に配置されたウ
エハを照射せずにそのウエハの周辺を照射し、またはウ
エハからその周辺に向けて反射されてしまっていること
に着目することにより成されたものである。
【００１０】本発明は、チャンバの側壁に沿って反射体
を備え、この反射体を照射した光をチャンバに装填した
ウエハの周辺部に向けて反射するように構成したため、
ウエハの中央部と周辺部との温度差を減少させることが
でき、より質の高い熱処理が行われる。
を備え、この反射体を照射した光をチャンバに装填した
ウエハの周辺部に向けて反射するように構成したため、
ウエハの中央部と周辺部との温度差を減少させることが
でき、より質の高い熱処理が行われる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。図
１は、本発明の一実施例に係る急速加熱装置の横断面図
（ａ）、および該横断面図のＺ−Ｚ’に沿って示す平面
断面図（ｂ）である。これらの図において前述した従来
例（図２、図３参照）における構成要素と対応する構成
要素には、図２、図３に付した番号と同一の番号を付し
、説明は省略する。
１は、本発明の一実施例に係る急速加熱装置の横断面図
（ａ）、および該横断面図のＺ−Ｚ’に沿って示す平面
断面図（ｂ）である。これらの図において前述した従来
例（図２、図３参照）における構成要素と対応する構成
要素には、図２、図３に付した番号と同一の番号を付し
、説明は省略する。
【００１２】この急速加熱装置を構成する石英チャンバ
１’は、図１（ｂ）に示すように、シリコンウエハ２の
平面形状とほぼ相似の平面形状を有し、またその側壁１
ａ’は、図１（ａ）に示すように、ランプ３から発せら
れこの側壁１ａ’を照射する光がこの側壁１ａで反射さ
れる場合に、この石英チャンバ１’内に装填されたシリ
コンウエハ２の周辺部に向けて反射されるようにその形
状が定められており、その側壁１ａ’の内側に沿って反
射体４が備えられている。尚、石英チャンバ１’はラン
プ３から発せられた光を透過するため、反射体４は、側
壁１ａ’の外側に備えられていてもよい。
１’は、図１（ｂ）に示すように、シリコンウエハ２の
平面形状とほぼ相似の平面形状を有し、またその側壁１
ａ’は、図１（ａ）に示すように、ランプ３から発せら
れこの側壁１ａ’を照射する光がこの側壁１ａで反射さ
れる場合に、この石英チャンバ１’内に装填されたシリ
コンウエハ２の周辺部に向けて反射されるようにその形
状が定められており、その側壁１ａ’の内側に沿って反
射体４が備えられている。尚、石英チャンバ１’はラン
プ３から発せられた光を透過するため、反射体４は、側
壁１ａ’の外側に備えられていてもよい。
【００１３】この反射体４を備えたことによりシリコン
ウエハ２の周辺部がより熱せられ、これによりシリコン
ウエハ２の中央部と周辺部との温度差が狭まり、より安
定的に熱処理が行われる。尚、上記実施例では石英チャ
ンバ１’の平面形状をシリコンウエハ２の平面形状とほ
ぼ相似な形状とし、またその横壁１ａ’の形状自体も工
夫されているが、石英チャンバは例えば図２、図３に示
すような直方体のままとし、その中に例えば図１に示す
ような形状の反射体を備えてもよい。
ウエハ２の周辺部がより熱せられ、これによりシリコン
ウエハ２の中央部と周辺部との温度差が狭まり、より安
定的に熱処理が行われる。尚、上記実施例では石英チャ
ンバ１’の平面形状をシリコンウエハ２の平面形状とほ
ぼ相似な形状とし、またその横壁１ａ’の形状自体も工
夫されているが、石英チャンバは例えば図２、図３に示
すような直方体のままとし、その中に例えば図１に示す
ような形状の反射体を備えてもよい。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明の急速加熱装
置は、ランプから発せられた光をチャンバに装填された
ウエハの周辺部に向けて反射する反射体が、チャンバの
側壁に沿って備えられているため、チャンバに装填され
たウエハの中央部と周辺部との温度差を狭めることがで
き、これにより安定した熱処理が行われる。
置は、ランプから発せられた光をチャンバに装填された
ウエハの周辺部に向けて反射する反射体が、チャンバの
側壁に沿って備えられているため、チャンバに装填され
たウエハの中央部と周辺部との温度差を狭めることがで
き、これにより安定した熱処理が行われる。
【図１】本発明の一実施例に係る急速加熱装置の横断面
図および該横断面図のＺ−Ｚ’に沿って示す平面断面図
である。
図および該横断面図のＺ−Ｚ’に沿って示す平面断面図
である。
【図２】従来の急速加熱装置の一例の概略斜視図である
。
。
【図３】図２のＸ−Ｘ’に沿って示す横断面図および該
横断面図のＹ−Ｙ’に沿って示す平面断面図である。
横断面図のＹ−Ｙ’に沿って示す平面断面図である。
１，１’ 石英チャンバ
２ シリコンウエハ
２ シリコンウエハ
Claims (1)
- 【請求項１】 内部ウエハが装填されるチャンバと、
該チャンバ外部の、該チャンバの上下に配設された、該
チャンバを透過して該チャンバに装填されたウエハを熱
する光を発する複数のランプとを備えた急速加熱装置に
おいて、前記ランプから発せられた光を前記チャンバに
装填されたウエハの周辺部に向けて反射する反射体が、
前記チャンバの側壁に沿って備えられてなることを特徴
とする急速加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12912191A JPH04354121A (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | 急速加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12912191A JPH04354121A (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | 急速加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04354121A true JPH04354121A (ja) | 1992-12-08 |
Family
ID=15001599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12912191A Withdrawn JPH04354121A (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | 急速加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04354121A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009509332A (ja) * | 2005-09-17 | 2009-03-05 | マットソン テクノロジー インコーポレイテッド | 向上した急速熱処理装置及び方法 |
| US20090139977A1 (en) * | 2007-12-03 | 2009-06-04 | Manfred Falter | Apparatus For Thermally Treating Semiconductor Substrates |
-
1991
- 1991-05-31 JP JP12912191A patent/JPH04354121A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009509332A (ja) * | 2005-09-17 | 2009-03-05 | マットソン テクノロジー インコーポレイテッド | 向上した急速熱処理装置及び方法 |
| US20090139977A1 (en) * | 2007-12-03 | 2009-06-04 | Manfred Falter | Apparatus For Thermally Treating Semiconductor Substrates |
| US8450652B2 (en) * | 2007-12-03 | 2013-05-28 | Mattson Thermal Products Gmbh | Apparatus for thermally treating semiconductor substrates |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980806 |