JPH04354384A - 発光ダイオードアレイ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は発光ダイオードアレイに
関し、特にＬＥＤプリンタ等に使用される、発光部が直
線状に多数配列された発光ダイオードアレイに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の発光ダイオードアレイの構造およ
び製造方法について図２を参照して説明する。ｎ型Ｇａ
Ａｓ基板１上にｎ型ＧａＡｓＰ層２をエピタキシャル成
長させ、該ｎ型ＧａＡｓＰ層２の表面に選択的にＺｎを
拡散して一定ピッチのｐ型ＧａＡｓＰ層３を形成する。 然る後、ウェハ表面にＳｉＯ２　層４およびｐ側電極（
図示なし）を形成し、ウェハ裏面にはｎ側電極５を形成
する。次に、ウェハをダイシングによりペレッタイズす
る。

【０００３】ところで、ＬＥＤプリンタに使用される印
字用の発光ダイオードアレイは、用紙の幅分の長さに渡
って例えば３２０ＤＰＩ（Ｄｏｔｓ　ｐｅｒ　ｉｎｃｈ
　；１インチ当たり３２０ドット）というような高い密
度で発光部を配列したものであり、しかもその全ての発
光部が均一に発光しなければならないので、このような
発光ダイオードアレイを１ペレットで作ることは極めて
困難である。

【０００４】そのため、通常は数十個程度の発光部を持
ったペレットを多数一列に並べて用紙の幅分の長さにし
ているが、その際、図２に示すように、隣どうしのペレ
ットの間でも発光部は等間隔で並ぶようになされる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の発光ダ
イオードアレイを複数個配置して長尺のアレイを構成す
る場合、例えば密度が３２０ＤＰＩであるものとすると
、発光部のピッチは約７９μｍであり、発光部の長さを
４４μｍとすると、発光部と発光部の間隔は３５μｍし
かなく、ペレットの片側当たりでは１７．５μｍとなる
。このように発光部端からペレット端までの距離が僅か
であるため、ダイシング位置は非常に高い精度が要求さ
れる。さらに、ダイシング時のチッピング（欠け）の大
きさの規格もきびしく定められており、そのため、ダイ
シング工程における不良率が高くなっている。

【０００６】また、ダイシングでは通常ブレードの先端
の方がダイシング溝の幅が小さくなるため、ペレットの
下部の方が上部より外側に出ている。しかも、ペレット
の裏面近くではブレードの先端近くになるため、バリが
発生することがある。これらのペレット側面の傾きや、
バリが大きくなると、ペレットを並べる際にペレット下
部がぶつかってしまい、発光部のピッチが合わせられな
くなってしまうため傾きやバリの大きいものも不良とな
る。

【０００７】上に述べたペレットの側面の傾きやバリに
よるペレット下部の出っ張りを防ぐ手段として、ブレー
ドが傾いたダイサーを使って、図３に示すように、ペレ
ット下部が内側に引っ込むようにダイシングする方法が
考えられている。しかし、ペレットを移したり、固定し
たりするとき治工具はペレットのこのダイシング面に当
たるため、この形状ではペレット表面の端が極めて欠け
易くなる。この欠けが発光部や電極に達した場合にはそ
のペレットが不良となり、また発光部に達しないまでも
発光部付近が欠けると、図３に示すように、隣のペレッ
トの側面から出た光が欠け部分で反射して上方に進むた
め、印字不良の原因となる。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の発光ダイオード
アレイは、ダイシング領域にあらかじめ溝を設け、かつ
ダイシング装置のブレードをウェハ面に垂直な面より傾
けてセットしてダイシングを行ってペレッタイズしたも
のである。よって本発明の発光ダイオードアレイにおい
ては、ペレットの発光部の列と直交する側の端面が発光
面から所定の深さまでの垂直な面と、前記所定の深さか
らペレット裏面に至る、ペレット長が短くなる向きに傾
斜したダイシング面とを備えている。

【０００９】

【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１の（ｄ）は、本発明の一実施例を示す
平面図であり、図１の（ｃ）はそのＡ−Ａ′線断面図で
ある。また、図１の（ａ）、（ｂ）はそのペレッタイズ
工程を説明するための断面図である。

【００１０】本実施例を作成するには、まず、図１の（
ａ）に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１上にエピタキシ
ャル成長、拡散工程を施して、ｎ型ＧａＡｓＰ層２、ｐ
型ＧａＡｓＰ層３を形成し、その後、基板表面にＳｉＯ
２　４およびｐ側電極［（ｄ）図において８にて示す］
を、また基板裏面にｎ側電極５を形成する。

【００１１】この発光ダイオードアレイが作り込まれた
ウェハのペレット間のダイシング領域に、硫酸、過酸化
水素、水の混合液により、深さ３０μｍの溝６を形成す
る。次に、図１の（ｂ）に示すように、ブレードが垂直
から５〜１０°傾いたダイサーを使ってダイシングを行
いペレットに分割する。このとき、ダイシング溝７のペ
レット側の縁は、前に形成した溝６の中で、溝の縁より
わずかに外側に位置するようになされる。よって、ペレ
ットには溝６の底面の形成されていた箇所が出っ張りと
なる段差部６′が形成される。

【００１２】上記のようにして作られた発光ダイオード
アレイペレットでは、ダイシング面が傾斜しているため
ペレット下部にバリがあってもペレット間のぶつかり問
題は発生せず、また傾けてダイシングしているにもかか
わらずペレット側面で一番外側に出っ張っている所はペ
レット表面付近ではなく、溝の底であった段差部６′で
あるため、治工具が当たっても大きな欠けは発生しにく
く、仮に欠けが発生しても悪影響は起こりにくい。

【００１３】次に、本発明の他の実施例について説明す
る。先の実施例と同様に発光ダイオードアレイが作り込
まれているウェハを用意し、そのダイシング領域にＲＩ
ＢＥ（反応性イオンビームエッチング）法により溝を形
成し、さらに先の実施例と同様にダイシングを行い、ペ
レットに分割する。

【００１４】本実施例では溝形成にＲＩＢＥ法を用いて
いるため、サイドエッチ量を小さくすることができ、溝
の縁の位置、形状を精度よく形成できるので、より高密
度の発光ダイオードアレイを作ることが可能となる。

【００１５】なお、発光ダイオード列と平行な方向のダ
イシングについては、従来通りであってもよく、また、
発光ダイオード列に直交する溝を形成する際に平行方向
にも予め溝を形成しておいてもよい。その場合に、ダイ
シングはブレードを傾けることなく、１回のダイシング
により隣接ペレット間を分離するようにすることができ
る。

【００１６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の発光ダイ
オードアレイにおいては、ペレット端面の出っ張り部分
が中間部に存在するようになされているので、本発明に
よれば、ペレットの取り扱い中に発光面に欠けが生じる
ことがなくなり、またペレットをマウントする際にペレ
ット同士がぶつかることがなくなる。よって本発明によ
ればペレットおよびペレットアレイの歩留りを改善する
ことができる。

【００１７】また、ＬＥＤプリンタにおいては今後より
一層の高ドット化が求められようとしているところ、本
発明はこの趨勢に対処してさらに高密度の発光部を持つ
発光ダイオードアレイの作成を可能ならしめるものであ
るので、産業上の効果は極めて大である。

【図面の簡単な説明】

【図１】　　本発明の一実施例を説明するための断面図
と平面図。

【図２】　　従来例の断面図。

【図３】　　従来例の断面図。

【符号の説明】

１…ｎ型ＧａＡｓ基板、　　　　２…ｎ型ＧａＡｓＰ層
、　　　　３…ｐ型ＧａＡｓＰ層、　　　　４…ＳｉＯ
２　層、　　　　５…ｎ側電極、　　　　６…溝、　　
　　６′…段差部、７…ダイシング溝、　　　　８…ｐ
側電極。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　１ペレットに複数の発光部が等間隔に
   並んでいる発光ダイオードアレイにおいて、ペレットの
   発光部の列と直交する側の端面が、発光面から所定の深
   さまでの垂直な面と、前記所定の深さからペレット裏面
   に至る、ペレット長が短くなる向きに傾斜したダイシン
   グ面とを備え、ペレット長の最大値が前記所定の深さ部
   分で得られることを特徴とする発光ダイオードアレイ。