JPH0435649Y2 - - Google Patents

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JPH0435649Y2
JPH0435649Y2 JP1983168165U JP16816583U JPH0435649Y2 JP H0435649 Y2 JPH0435649 Y2 JP H0435649Y2 JP 1983168165 U JP1983168165 U JP 1983168165U JP 16816583 U JP16816583 U JP 16816583U JP H0435649 Y2 JPH0435649 Y2 JP H0435649Y2
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JP
Japan
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valve
electrostrictive element
valve seat
port
valve body
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JP1983168165U
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JPS6075775U (ja
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、電歪素子に設けられた弁体で直接弁
座の開閉を行なう電子弁に関し、特に電歪素子を
両端支持構造で弁本体に支持した電子弁に関す
る。
従来から、空気圧回路に用いられている方向制
御弁では、電磁石により弁の切換えを行なう電磁
弁が多用されていた。この電磁弁を高速で作動さ
せようとすると、電磁石が大きくなつてしまい、
電磁石が電磁弁の小形化かつ高速作動の妨げとな
つていた。また、電磁弁では制御する側の電源等
の負担が多いので消費電力が大きいとともに、そ
れに伴う発熱により弁体、シール等を形成する弾
性材料を劣化させる原因となつていた。さらに、
電磁石を高速作動させると騒音を発生するという
問題もあつた。
実開昭57−93680号「ポペツト形流路開閉弁」
では、ノズルフラツパ機構の背圧を流路開閉用ポ
ペツト弁のパイロツト圧に使用する弁において、
フラツパ作動を電歪素子により行なう弁構造を開
示している。しかし、この構造ではブリード機構
を使用したパイロツト開閉弁であり空気使用量に
多大の無駄を生じていた。
本考案の目的は方向制御弁を電歪素子で作動さ
せることにより消費電力を少なくするとともに、
電歪素子の支持構造および電歪素子自体の構造に
改良を加え直接弁を開閉することにより小形でか
つ高速作動のできる電子弁を提供することにあ
る。
前記目的を達成するために本考案による電子弁
は、本体に第1,第2および第3のポートと前記
本体内の空気空間に第1および第2の弁座を有し
前記第1のポートが前記第1の弁座に前記第2の
ポートが前記空気空間に前記第3のポートが前記
第2の弁座にそれぞれ接続され、前記第1および
第2の弁座をバイモルフ構造の電歪素子を駆動し
て開閉して流体の方向を切換える電子弁であつ
て、前記第1および第2の弁座を前記空気空間に
対面して設け、前記バイモルフ構造の電歪素子の
中腹部両側に、前記第1および第2の弁座に対応
づけて前記電歪素子の材質とは異なる材質の第1
および第2の弁体を設け、前記電歪素子の前記第
1の弁体が前記第1の弁座を閉じ前記第2の弁体
が前記第2の弁座を開いている位置を保つように
前記素子の両端の両面にそれぞれ円柱状の部材を
介して挟み付けて支持するとともに前記電歪素子
に電圧を供給する手段を設け、前記電歪素子を通
電することにより前記第1の弁体が前記第1の弁
座を開くとともに前記第2の弁体が前記第2の弁
座を閉じるように構成されている。
前記構成によれば本考案の目的は完全に達成で
きる。
以下、図面等を参照して本考案をさらに詳しく
説明する。
第1図は本考案による電子弁の実施例を示す断
面図、第2図は本考案による電子弁に用いられて
いる電歪素子の実施例を示した斜視図である。
弁本体は、本体1と本体2とから構成されてお
り、本体1と本体2とはシール9,9により気密
に結合することにより、空気空間100を形成し
ている。本体1にはインポートINが設けられて
おり、インポートINは流路101,102を介
して空気空間100に流通している。流路102
の空気空間100の出口には弁座11が設けられ
ている。一方本体2にはアウトポートOUTおよ
び排気ポートEXHが設けられており、アウトポ
ートOUTは流路103,104を介して空気空
間100に連通し、排気ポートEXHは流路10
5,106を介して空気空間100に連通してい
る。流路106の空気空間100の出口には弁座
21が設けられている。流路102,106の直
径は弁の容量、すなわち流路102,106を通
る空気の流量を決定する。この径を大きくするた
めには電歪素子3による圧接力を大きくしなけれ
ばならない。このため、後述するように電歪素子
3を2枚またはそれ以上重ね合わせて使用するよ
うにしている。
電歪素子3は、空気空間100に設けられてお
り、本体1,2に配設されたクツシヨンゴム51
および支持線52により、両端支持構造で支持さ
れている。支持線52は細長い円柱形の部材であ
つて、2つの円柱の母線で電歪素子3の端部を支
持している。このように、クツシヨンゴム51,
支持線52により支持するのは電歪素子3を撓み
やすくするためである。電歪素子3の中央部には
弁体4が設けられ、弁体4は弁座11に対向して
設けられた弁体41と、弁座21と対向して設け
られた弁体42とから構成されている。
第2図aに示すように、電歪素子3は2枚の圧
電磁器31,32と異種材料からなる金属板33
とを貼り合わせたバイモルフ構造を有する素子で
ある。圧電磁器31,32の表面には焼付により
銀電極が設けられている。圧電磁器31,32は
圧電係数の比較的大きなものが適しており、例え
ばチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)系の磁器が用
いられる。金属板33は電極として用いられてお
り、例えば黄銅が適している。第2図bは電歪素
子3を2枚重ね合わせた例が示されている。この
ようにすれば、電歪素子3の歪による力は2倍に
なる。3枚以上重ね合わせても同様のことが言え
る。また、電歪素子3の幅を広くすれば、それに
比例した圧接力を得ることができる。
電歪素子3はリード線61,62に接続されて
おり、圧電磁器31,32の表面側にはリード線
61が、金属板33側にはリード線62がそれぞ
れ半田付けされている。リード線61,62間に
は抵抗体7が接続されている。そして、電歪素子
3の右端とリード線61,62、抵抗体7との接
続部は高分子材料8により、一体的にモールドさ
れている。電歪素子3の高速作動に対して接触不
良や断線などの事故を防止してバルブの信頼性を
向上させるためである。抵抗体7が挿入されてい
るのは、非導通にしたときに電歪素子3に蓄積さ
れた電荷を放電して、電歪素子3を復帰しやすく
するためである。したがつて、適宜、抵抗値を選
択することにより切換速度を変えることができ
る。実際には、電歪素子3をクツシヨンゴム5
1、支持線52で支持したのち電歪素子3の固定
も兼ねて本体1と一体にモールドする。このため
電歪素子3の支持構造は右端で固定されるので、
単純支持梁にするため左端を回動自在かつ横方向
の拘束を解く構造にしている。
つぎに、本考案による電子弁の実施例の作動を
説明する。
リード線6に通電されていないときには、電歪
素子3は歪んでいないので、電歪素子3に設けら
れている弁体41が弁座11を閉じている。この
ため、インポートINから流路101,102を
介して供給される空気圧は遮断されている。
いま、リード線6に通電されたとすると、電歪
素子3は第1図下側に凸に歪むので、電歪素子3
に設けられている弁体41は弁座11を開き、弁
体42が弁座21を閉じる。このためインポート
INから流路101、102を介して供給されて
きた空気圧は、電気空間を100を通り、さらに
流路104,103を介してアウトポートOUT
に流れる。
リード線6への通電が停止されると、電歪素子
3は自らの剛性により元の状態に復帰して、弁体
41が弁座11を閉じ、弁体42が弁座21を開
く。このため、アウトポートOUTからの空気圧
は流路103,104、空気空間100、流路1
06、105を介して排気ポートEXHから排気
される。
本実施例では方向制御弁を例に説明したが、排
気ポートEXHを封止して、電歪素子3に印加す
る電圧を制御することによりインポートINから
アウトポートOUTに流れる空気圧の流量を調整
する流量調整弁として使用することも可能であ
る。また、本実施例では常閉形の制御弁として説
明したが、第1図のインポートINと排気ポート
EXHを入れ替えて考えれば、常開形の制御弁と
して使用することができる。
以上詳しく説明したように本考案によれば、電
歪素子を用いているので、消費電力を少なくする
ことができるとともに、発熱が少なく弾性部材等
の劣化を防止できる。また、電歪素子は印加する
電圧により歪量を制御できるので、従来困難であ
つた流量の調整も可能となつた。さらに、電歪素
子を複数枚重ねて使用するとともに、両端支持構
造で支持しているので、直接弁体を作動する歪量
が確保できるようになつた。このため、動作の高
速化ができるとともに、構造が簡単になつたの
で、動作が確実となり、形状も小形化できる。具
体的には同程度の容量の電磁弁に比べて大きさが
1/2程度に縮小された。切換え速度は、抵抗体の
値により可変できるが、22KΩで500Hz程度に向
上できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案による電子弁の実施例を示す断
面図、第2図は本考案による電子弁に用いられて
いる電歪素子の実施例を示す斜視図である。 1,2……本体、11,12……弁座、3……
電歪素子、31,32……圧電磁器、33……金
属板、4,41,42……弁体、51……クツシ
ヨンゴム、52……支持線、6,61,62……
リード線、7……抵抗体,8……高分子材料、9
……シール材。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 本体に第1、第2および第3のポートと前記
    本体内の空気空間に第1および第2の弁座を有
    し前記第1のポートが前記第1の弁座に前記第
    2のポートが前記空気空間に前記第3のポート
    が前記第2の弁座にそれぞれ接続され、前記第
    1および第2の弁座をバイモルフ構造の電歪素
    子を駆動して開閉して流体の方向を切換える電
    子弁であつて、前記第1および第2の弁座を前
    記空気空間に対面して設け、前記バイモルフ構
    造の電歪素子の中腹部両側に、前記第1および
    第2の弁座に対応づけて前記電歪素子の材質と
    は異なる材質の第1および第2の弁体を設け、
    前記電歪素子の前記第1の弁体が前記第1の弁
    座を閉じ前記第2の弁体が前記第2の弁座を開
    いている位置を保つように前記素子の両端の両
    面にそれぞれ円柱状の部材を介して挟み付けて
    支持するとともに前記電歪素子に電圧を供給す
    る手段を設け、前記電歪素子を通電することに
    より前記第1の弁体が前記第1の弁座を開くと
    ともに前記第2の弁体が前記第2の弁座を閉じ
    るように構成した電子弁。 (2) 前記電圧を供給する手段は前記電歪素子に並
    列に抵抗を接続して電圧を供給するように構成
    した実用新案登録請求の範囲第1項記載の電子
    弁。
JP1983168165U 1983-10-28 1983-10-28 電子弁 Granted JPS6075775U (ja)

Priority Applications (1)

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JP1983168165U JPS6075775U (ja) 1983-10-28 1983-10-28 電子弁

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JP1983168165U JPS6075775U (ja) 1983-10-28 1983-10-28 電子弁

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JPS6075775U JPS6075775U (ja) 1985-05-27
JPH0435649Y2 true JPH0435649Y2 (ja) 1992-08-24

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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JPS63106475A (ja) * 1986-10-23 1988-05-11 Agency Of Ind Science & Technol 圧電素子を用いた流体制御弁
JPH0331891Y2 (ja) * 1987-03-06 1991-07-05
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