JPH04356706A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH04356706A JPH04356706A JP346891A JP346891A JPH04356706A JP H04356706 A JPH04356706 A JP H04356706A JP 346891 A JP346891 A JP 346891A JP 346891 A JP346891 A JP 346891A JP H04356706 A JPH04356706 A JP H04356706A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/37—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices using Hall or Hall-related effect, e.g. planar-Hall effect or pseudo-Hall effect
- G11B5/372—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices using Hall or Hall-related effect, e.g. planar-Hall effect or pseudo-Hall effect in magnetic thin films
- G11B5/374—Integrated structures
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク装置やＰ
ＣＭレコーダなどに用いられて、バルクによる磁気ヘッ
ドでは実現できなかった大幅な記録密度の上昇を可能に
する薄膜磁気ヘッドに関するものである。
ＣＭレコーダなどに用いられて、バルクによる磁気ヘッ
ドでは実現できなかった大幅な記録密度の上昇を可能に
する薄膜磁気ヘッドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドは半導体製造プロセスに
使用される薄膜技術を利用して製造される磁気ヘッドで
、半導体プロセスレベルのパターン精度で製造されるの
で、記録密度を極めて高くできる特徴をもっている。
使用される薄膜技術を利用して製造される磁気ヘッドで
、半導体プロセスレベルのパターン精度で製造されるの
で、記録密度を極めて高くできる特徴をもっている。
【０００３】そのような薄膜磁気ヘッドの一従来例を図
９に示す。これは、薄膜形成技術の応用により製作され
たもので、先端部が磁気ギャップ２６を形成し、その反
対側後部でバックギャップ部２８を形成するように下部
ヨーク１２と上部ヨーク１０とでリング状の磁気回路を
形成し、その内側に絶縁材２２で被包されたコイル導体
２４を配した構成のものである。
９に示す。これは、薄膜形成技術の応用により製作され
たもので、先端部が磁気ギャップ２６を形成し、その反
対側後部でバックギャップ部２８を形成するように下部
ヨーク１２と上部ヨーク１０とでリング状の磁気回路を
形成し、その内側に絶縁材２２で被包されたコイル導体
２４を配した構成のものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記一般の磁気ヘッド
においては記録再生を兼用して用い、再生出力を増大さ
せるためにはコイルのターン数を増やさなければならな
いが、ターン数を増やすとヨークが大きくなり、コア磁
路長が長くなり、効率が低下してしまうものであった。 また、コイルの多層化はプロセスの複雑化を招き、さら
にターン数の増加はインダクタンスＬを増大させ、高周
波特性の悪化、低電圧ドライブの困難化を招くものであ
った。
においては記録再生を兼用して用い、再生出力を増大さ
せるためにはコイルのターン数を増やさなければならな
いが、ターン数を増やすとヨークが大きくなり、コア磁
路長が長くなり、効率が低下してしまうものであった。 また、コイルの多層化はプロセスの複雑化を招き、さら
にターン数の増加はインダクタンスＬを増大させ、高周
波特性の悪化、低電圧ドライブの困難化を招くものであ
った。
【０００５】本発明は前記課題を解決するためになされ
たもので、磁気コア内に磁束バイパス部とその磁束バイ
パス部と下部ヨークの間にホール素子を設けたものであ
る。
たもので、磁気コア内に磁束バイパス部とその磁束バイ
パス部と下部ヨークの間にホール素子を設けたものであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の薄膜磁気
ヘッドは、下部ヨークと、絶縁材で被包されたコイル導
体と、上部ヨークが積層されて、下部ヨークと上部ヨー
クの先端部が磁気ギャップを形成してなる薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、前記絶縁材中の前記コイル導体よりも磁気
ギャップに近い部位に前記下部ヨークと上部ヨークを連
接する磁束バイパス部が形成され、磁束バイパス部と下
部ヨークの間にホール素子が設けられていることを特徴
とするものである。
ヘッドは、下部ヨークと、絶縁材で被包されたコイル導
体と、上部ヨークが積層されて、下部ヨークと上部ヨー
クの先端部が磁気ギャップを形成してなる薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、前記絶縁材中の前記コイル導体よりも磁気
ギャップに近い部位に前記下部ヨークと上部ヨークを連
接する磁束バイパス部が形成され、磁束バイパス部と下
部ヨークの間にホール素子が設けられていることを特徴
とするものである。
【０００７】請求項２記載の薄膜磁気ヘッドは、下部ヨ
ークと、絶縁材で被包されたコイル導体と、上部ヨーク
が積層されて、下部ヨークと上部ヨークの先端部が磁気
ギャップを形成し、磁気ギャップの反対側では前記下部
ヨークと上部ヨークを接続してバックギャップ部を形成
してなる薄膜磁気ヘッドにおいて、前記バックギャップ
部の下部ヨークと上部ヨークの間にホール素子が設けら
れていることを特徴とするものである。
ークと、絶縁材で被包されたコイル導体と、上部ヨーク
が積層されて、下部ヨークと上部ヨークの先端部が磁気
ギャップを形成し、磁気ギャップの反対側では前記下部
ヨークと上部ヨークを接続してバックギャップ部を形成
してなる薄膜磁気ヘッドにおいて、前記バックギャップ
部の下部ヨークと上部ヨークの間にホール素子が設けら
れていることを特徴とするものである。
【０００８】請求項３記載の薄膜磁気ヘッドは、請求項
１または２記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、ホール素子
がインジウム・アンチモンやインジウム・スズ等の半導
体またはＮｉＦｅ等の強磁性体からなることを特徴とす
るものである。
１または２記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、ホール素子
がインジウム・アンチモンやインジウム・スズ等の半導
体またはＮｉＦｅ等の強磁性体からなることを特徴とす
るものである。
【０００９】
【作用】ホール素子はＭＲ素子（磁気抵抗素子）同様、
磁界の強弱を電気抵抗の変化として取り出すように構成
された電子部品で、再生時に大きな出力を得ることがで
きる。しかしながら、ＭＲ素子はその平面に対して平行
に磁束が通過するために磁路の効率化を妨げるものであ
る。それに比べてホール素子においては、磁束は板状に
構成されたホール素子のその平面に対して垂直に通過し
て作用する為に、薄膜磁気ヘッドの膜厚を薄くしたまま
感度を上げることができる。
磁界の強弱を電気抵抗の変化として取り出すように構成
された電子部品で、再生時に大きな出力を得ることがで
きる。しかしながら、ＭＲ素子はその平面に対して平行
に磁束が通過するために磁路の効率化を妨げるものであ
る。それに比べてホール素子においては、磁束は板状に
構成されたホール素子のその平面に対して垂直に通過し
て作用する為に、薄膜磁気ヘッドの膜厚を薄くしたまま
感度を上げることができる。
【００１０】ホール素子の材料は、インジウム・アンチ
モンやインジウム・スズ等の半導体または異常ホール効
果を有するＮｉＦｅ等の強磁性体からなることが望まし
い。尚、ここで異常ホール効果とは、強磁性体を用いた
場合に自発磁化のために、みかけ上非常に大きなホール
効果が現れることをいう。
モンやインジウム・スズ等の半導体または異常ホール効
果を有するＮｉＦｅ等の強磁性体からなることが望まし
い。尚、ここで異常ホール効果とは、強磁性体を用いた
場合に自発磁化のために、みかけ上非常に大きなホール
効果が現れることをいう。
【００１１】
（実施例１） 図１と図２に実施例１の薄膜磁気ヘッ
ドを示す。この薄膜磁気ヘッドは、下部ヨーク１２と上
部ヨーク１０がそれらの先端部で磁気ギャップ２６を形
成し、その反対側でバックギャップ部２８を形成すると
ともに、下部ヨーク１２と上部ヨーク１０の間の絶縁材
２２中には、バックギャップ部２８を中心に１ターンで
太い記録コイル２０が形成されている。そして、記録コ
イル２０と磁気ギャプ２６の間には磁束バイパス部１４
が設けられ、磁束バイパス部１４と下部ヨーク１２の間
にはホール素子３０が設けられて、この磁束バイパス部
１４とホール素子３０で下部ヨーク１２と上部ヨーク１
０を連接している。さらにホール素子３０には電極電圧
線３４と電極電流線３６が配設されている。
ドを示す。この薄膜磁気ヘッドは、下部ヨーク１２と上
部ヨーク１０がそれらの先端部で磁気ギャップ２６を形
成し、その反対側でバックギャップ部２８を形成すると
ともに、下部ヨーク１２と上部ヨーク１０の間の絶縁材
２２中には、バックギャップ部２８を中心に１ターンで
太い記録コイル２０が形成されている。そして、記録コ
イル２０と磁気ギャプ２６の間には磁束バイパス部１４
が設けられ、磁束バイパス部１４と下部ヨーク１２の間
にはホール素子３０が設けられて、この磁束バイパス部
１４とホール素子３０で下部ヨーク１２と上部ヨーク１
０を連接している。さらにホール素子３０には電極電圧
線３４と電極電流線３６が配設されている。
【００１２】下部ヨーク１２および上部ヨーク１０とし
ては、例えばパーマロイ等の強磁性材料が用いられ、そ
れらの透磁率の値はＣＧＳ単位系において１，０００〜
３，０００程度とされている。
ては、例えばパーマロイ等の強磁性材料が用いられ、そ
れらの透磁率の値はＣＧＳ単位系において１，０００〜
３，０００程度とされている。
【００１３】絶縁材２２としてはポリイミド、レジスト
、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等の材料が用いられている。
、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等の材料が用いられている。
【００１４】ところで記録時には磁束バイパス部１４は
磁気コアよりも先に充分飽和することが好ましい。図７
と図８を用いて磁束バイパス部１４を構成する磁性体の
飽和磁束密度の要件を説明する。尚、この図７および図
８においてはコイル等の記載は省略した。
磁気コアよりも先に充分飽和することが好ましい。図７
と図８を用いて磁束バイパス部１４を構成する磁性体の
飽和磁束密度の要件を説明する。尚、この図７および図
８においてはコイル等の記載は省略した。
【００１５】ここでは、上部ヨーク１０の厚さをｔｃ、
磁束バイパス部１４の長さをｔｂとし、磁束バイパス部
１４の形成されている位置の上部ヨーク１０の幅をＷｃ
、磁束バイパス部１４の幅をＷｂとし、磁気媒体１６の
厚みをｔｍ、磁気媒体１６の幅をｔｗとする。さらに磁
気コアの飽和磁束密度をＢｓ１、磁束バイパス部１４の
飽和磁束密度をＢｓ２、磁気媒体１６の残留磁束密度を
Ｂｒとする。さらにまた、Ｓｂ＝ｔｂ×Ｗｂ、Ｓｃ＝ｔ
ｃ×Ｗｃとする。
磁束バイパス部１４の長さをｔｂとし、磁束バイパス部
１４の形成されている位置の上部ヨーク１０の幅をＷｃ
、磁束バイパス部１４の幅をＷｂとし、磁気媒体１６の
厚みをｔｍ、磁気媒体１６の幅をｔｗとする。さらに磁
気コアの飽和磁束密度をＢｓ１、磁束バイパス部１４の
飽和磁束密度をＢｓ２、磁気媒体１６の残留磁束密度を
Ｂｒとする。さらにまた、Ｓｂ＝ｔｂ×Ｗｂ、Ｓｃ＝ｔ
ｃ×Ｗｃとする。
【００１６】磁気バイパス部１４を磁気コアよりも先に
飽和させるためには、Ｂｓ２＜（Ｓｃ／Ｓｂ）×Ｂｓ１
であることが必要である。この式を変形すると、Ｂ
ｓ２＜｛（ｔｃ・Ｗｃ）／（ｔｂ・Ｗｂ）｝×Ｂｓ１
となる。無論、Ｓｂ＝Ｓｃならば、Ｂｓ２＜Ｂｓ１
であればよい。
飽和させるためには、Ｂｓ２＜（Ｓｃ／Ｓｂ）×Ｂｓ１
であることが必要である。この式を変形すると、Ｂ
ｓ２＜｛（ｔｃ・Ｗｃ）／（ｔｂ・Ｗｂ）｝×Ｂｓ１
となる。無論、Ｓｂ＝Ｓｃならば、Ｂｓ２＜Ｂｓ１
であればよい。
【００１７】一方磁束バイパス部１４の飽和磁束密度Ｂ
ｓ２の下限は、再生時に飽和しないことが好ましいこと
から限定されうる。磁気媒体１６の磁束φｍは、φｍ＝
Ｂｒ・ｔｗ・ｔｍ である。これが全て磁束バイパス
部１４に流入したとすると、磁束バイパス部１４中の磁
束密度Ｂｂは、Ｂｂ＝φｍ／（Ｗｂ・ｔｂ）＝（Ｂｒ・
ｔｗ・ｔｍ）／（Ｗｂ・ｔｂ） となるので、磁束バ
イパス部１４の飽和磁束密度Ｂｓ２は、Ｂｓ２＞Ｂｂ＝
（Ｂｒ・ｔｗ・ｔｍ）／（Ｗｂ・ｔｂ）となる。
ｓ２の下限は、再生時に飽和しないことが好ましいこと
から限定されうる。磁気媒体１６の磁束φｍは、φｍ＝
Ｂｒ・ｔｗ・ｔｍ である。これが全て磁束バイパス
部１４に流入したとすると、磁束バイパス部１４中の磁
束密度Ｂｂは、Ｂｂ＝φｍ／（Ｗｂ・ｔｂ）＝（Ｂｒ・
ｔｗ・ｔｍ）／（Ｗｂ・ｔｂ） となるので、磁束バ
イパス部１４の飽和磁束密度Ｂｓ２は、Ｂｓ２＞Ｂｂ＝
（Ｂｒ・ｔｗ・ｔｍ）／（Ｗｂ・ｔｂ）となる。
【００１８】従って、磁束バイパス部１４の飽和磁束密
度Ｂｓ２の範囲は次式で示される範囲内であることが好
ましい。 （Ｂｒ・ｔｗ・ｔｍ）／（Ｗｂ・ｔｂ）＜Ｂｓ２＜
（ｔｃ・Ｗｃ・Ｂｓ）／（ｔｂ・Ｗｂ） ・・・■こ
こでは磁束の漏れ等は考慮していないので磁束密度は全
て大きく見積もられている。従って、実際上のＢｓ２の
範囲は上記■式の範囲よりも低くなる。磁束の漏れ係数
をＫ：（０〜１）とすると、上記■式の範囲にこの漏れ
係数Ｋをかける必要がある。
度Ｂｓ２の範囲は次式で示される範囲内であることが好
ましい。 （Ｂｒ・ｔｗ・ｔｍ）／（Ｗｂ・ｔｂ）＜Ｂｓ２＜
（ｔｃ・Ｗｃ・Ｂｓ）／（ｔｂ・Ｗｂ） ・・・■こ
こでは磁束の漏れ等は考慮していないので磁束密度は全
て大きく見積もられている。従って、実際上のＢｓ２の
範囲は上記■式の範囲よりも低くなる。磁束の漏れ係数
をＫ：（０〜１）とすると、上記■式の範囲にこの漏れ
係数Ｋをかける必要がある。
【００１９】またホール素子３０はインジウム・アンチ
モンやインジウム・スズ等の半導体または異常ホール効
果を有するＮｉＦｅ等の強磁性体からなることが望まし
い。
モンやインジウム・スズ等の半導体または異常ホール効
果を有するＮｉＦｅ等の強磁性体からなることが望まし
い。
【００２０】本実施例の薄膜磁気ヘッドにおいては、記
録時には図３に示すように磁束Ｍ１を発生し、再生時に
は図４に示すような磁束Ｍ２の発生とともに、電極電流
線３６に流す電流と磁界の強弱の変化に応じた電圧によ
る電流がホール素子３０から電極電圧線３４に流れる。 このことにより、再生時には磁束がホール素子３０に垂
直に通過する為に薄膜磁気ヘッドの膜厚を薄くして感度
を向上し、さらに磁路の高効率化を招くことができる。 また記録時には記録コイル２０はＡＴ（電流（Ａ）とタ
ーン数（Ｔ）の積）をかせぐことができればターン数を
１ターンまで減らす事ができ、インダクタンスＬを低下
させて高周波数に対応し得るとともに低電圧駆動が可能
となる。
録時には図３に示すように磁束Ｍ１を発生し、再生時に
は図４に示すような磁束Ｍ２の発生とともに、電極電流
線３６に流す電流と磁界の強弱の変化に応じた電圧によ
る電流がホール素子３０から電極電圧線３４に流れる。 このことにより、再生時には磁束がホール素子３０に垂
直に通過する為に薄膜磁気ヘッドの膜厚を薄くして感度
を向上し、さらに磁路の高効率化を招くことができる。 また記録時には記録コイル２０はＡＴ（電流（Ａ）とタ
ーン数（Ｔ）の積）をかせぐことができればターン数を
１ターンまで減らす事ができ、インダクタンスＬを低下
させて高周波数に対応し得るとともに低電圧駆動が可能
となる。
【００２１】（実施例２） 実施例２の薄膜磁気ヘッ
ドを図５に示す。この薄膜磁気ヘッドの特徴は実施例１
の薄膜磁気ヘッドに比べて磁束バイパス部１４及びホー
ル素子３０をより磁気ギャップ２６に近付けたことにあ
る。 特に上部ヨーク１０の磁気ギャップ２６近傍を下部ヨー
ク１２に近付けて薄層部３８とし、この上部ヨーク１０
の薄層部３８とその下方の下部ヨーク１２を連接するよ
うに磁束バイパス部１４及びホール素子３０を形成した
ものである。
ドを図５に示す。この薄膜磁気ヘッドの特徴は実施例１
の薄膜磁気ヘッドに比べて磁束バイパス部１４及びホー
ル素子３０をより磁気ギャップ２６に近付けたことにあ
る。 特に上部ヨーク１０の磁気ギャップ２６近傍を下部ヨー
ク１２に近付けて薄層部３８とし、この上部ヨーク１０
の薄層部３８とその下方の下部ヨーク１２を連接するよ
うに磁束バイパス部１４及びホール素子３０を形成した
ものである。
【００２２】この薄膜磁気ヘッドのように磁束バイパス
部１４及びホール素子３０を磁気ギャップ２６に近付け
ることで、磁気抵抗が小さくなり効率を上げて感度をよ
り高めることができる。
部１４及びホール素子３０を磁気ギャップ２６に近付け
ることで、磁気抵抗が小さくなり効率を上げて感度をよ
り高めることができる。
【００２３】（実施例３） 実施例３の薄膜磁気ヘッ
ドを図６に示す。この薄膜磁気ヘッドの特徴はホール素
子３０をバックギャップ部２８に設けたことにある。即
ち、先端部が磁気ギャップ２６を形成し、その反対側後
部でバックギャップ部２８を形成するように下部ヨーク
１２と上部ヨーク１０とでリング状の磁気回路を形成し
、その内側に絶縁材２２で被包されたコイル導体２４を
配した構成の薄膜磁気ヘッドにおいて、バックギャップ
部２８における上部ヨーク１０と下部ヨーク１２の間に
ホール素子３０を設けたものである。そして、ホール素
子３０には電極電圧線３４および電極電流線を配設した
。
ドを図６に示す。この薄膜磁気ヘッドの特徴はホール素
子３０をバックギャップ部２８に設けたことにある。即
ち、先端部が磁気ギャップ２６を形成し、その反対側後
部でバックギャップ部２８を形成するように下部ヨーク
１２と上部ヨーク１０とでリング状の磁気回路を形成し
、その内側に絶縁材２２で被包されたコイル導体２４を
配した構成の薄膜磁気ヘッドにおいて、バックギャップ
部２８における上部ヨーク１０と下部ヨーク１２の間に
ホール素子３０を設けたものである。そして、ホール素
子３０には電極電圧線３４および電極電流線を配設した
。
【００２４】この薄膜磁気ヘッドにおいては、再生時に
ホール素子の平面に対して磁束を垂直に通過させて磁界
に対して感度の高い電流をホール素子３０から電極電圧
線３４へ流すことができ、薄膜磁気ヘッドの膜厚を薄く
したまま感度を上げることが可能であり、磁路に高効率
をもたらすことができる。
ホール素子の平面に対して磁束を垂直に通過させて磁界
に対して感度の高い電流をホール素子３０から電極電圧
線３４へ流すことができ、薄膜磁気ヘッドの膜厚を薄く
したまま感度を上げることが可能であり、磁路に高効率
をもたらすことができる。
【００２５】
【発明の効果】本発明の薄膜磁気ヘッドにおいては、磁
気コア内にホール素子を形成したものであるので、ター
ン数を増加させて膜厚を厚くすることなく、再生時の感
度を向上させて磁路を高効率化させるものである。さら
にターン数の減少はインダクタンスＬを低下させて高周
波数に対応し、低電圧駆動が可能になるものである。特
に磁束バイパス部およびホール素子を磁気ギャップに近
接させることでより感度を高めることができるものであ
る。
気コア内にホール素子を形成したものであるので、ター
ン数を増加させて膜厚を厚くすることなく、再生時の感
度を向上させて磁路を高効率化させるものである。さら
にターン数の減少はインダクタンスＬを低下させて高周
波数に対応し、低電圧駆動が可能になるものである。特
に磁束バイパス部およびホール素子を磁気ギャップに近
接させることでより感度を高めることができるものであ
る。
【００２６】またホール素子をバックギャップ部に設け
たものにおいては、膜厚を薄くしたまま非常に高効率な
薄膜磁気ヘッドとすることができる。
たものにおいては、膜厚を薄くしたまま非常に高効率な
薄膜磁気ヘッドとすることができる。
【図１】実施例１の薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図２】実施例１の薄膜磁気ヘッドの平面図である。
【図３】実施例１の薄膜磁気ヘッドの記録時の磁束分布
を示す薄膜磁気ヘッドの断面図である。
を示す薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図４】実施例１の薄膜磁気ヘッドの再生時の磁束分布
を示す薄膜磁気ヘッドの断面図である。
を示す薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図５】実施例２の薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図６】実施例３の薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図７】磁束バイパス部の飽和磁束密度の範囲を説明す
るための薄膜磁気ヘッドの断面図である。
るための薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図８】磁束バイパス部の飽和磁束密度の範囲を説明す
るための薄膜磁気ヘッドの平面図である。
るための薄膜磁気ヘッドの平面図である。
【図９】従来例の薄膜磁気ヘッドの断面図である。
１０ 上部ヨーク
１２ 下部ヨーク
１４ 磁束バイパス部
２０ 記録コイル
２２ 絶縁材
２４ コイル導体
２６ 磁気ギャップ
２８ バックギャップ部
３０ ホール素子
Claims (3)
- 【請求項１】 下部ヨークと、絶縁材で被包されたコ
イル導体と、上部ヨークが積層されて、下部ヨークと上
部ヨークの先端部が磁気ギャップを形成してなる薄膜磁
気ヘッドにおいて、前記絶縁材中の前記コイル導体より
も磁気ギャップに近い部位に前記下部ヨークと上部ヨー
クを連接する磁束バイパス部が形成され、磁束バイパス
部と下部ヨークの間にホール素子が設けられていること
を特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 下部ヨークと、絶縁材で被包されたコ
イル導体と、上部ヨークが積層されて、下部ヨークと上
部ヨークの先端部が磁気ギャップを形成し、磁気ギャッ
プの反対側では前記下部ヨークと上部ヨークを接続して
バックギャップ部を形成してなる薄膜磁気ヘッドにおい
て、前記バックギャップ部の下部ヨークと上部ヨークの
間にホール素子が設けられていることを特徴とする薄膜
磁気ヘッド。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、ホール素子がインジウム・アンチモンやイ
ンジウム・スズ等の半導体またはＮｉＦｅ等の強磁性体
からなることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP346891A JPH04356706A (ja) | 1991-01-16 | 1991-01-16 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP346891A JPH04356706A (ja) | 1991-01-16 | 1991-01-16 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04356706A true JPH04356706A (ja) | 1992-12-10 |
Family
ID=11558163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP346891A Withdrawn JPH04356706A (ja) | 1991-01-16 | 1991-01-16 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04356706A (ja) |
-
1991
- 1991-01-16 JP JP346891A patent/JPH04356706A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |