JPH04356708A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH04356708A JPH04356708A JP346991A JP346991A JPH04356708A JP H04356708 A JPH04356708 A JP H04356708A JP 346991 A JP346991 A JP 346991A JP 346991 A JP346991 A JP 346991A JP H04356708 A JPH04356708 A JP H04356708A
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- magnetic flux
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
-
- G—PHYSICS
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
-
- G—PHYSICS
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/245—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features comprising means for controlling the reluctance of the magnetic circuit in a head with single gap, for co-operation with one track
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク装置やＰ
ＣＭレコーダなどに用いられて、バルクによる磁気ヘッ
ドでは実現できなかった大幅な記録密度の上昇を可能に
する薄膜磁気ヘッドに関するものである。
ＣＭレコーダなどに用いられて、バルクによる磁気ヘッ
ドでは実現できなかった大幅な記録密度の上昇を可能に
する薄膜磁気ヘッドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドは半導体製造プロセスに
使用される薄膜技術を利用して製造される磁気ヘッドで
、半導体プロセスレベルのパターン精度で製造されるの
で、記録密度を極めて高くできる特徴をもっている。
使用される薄膜技術を利用して製造される磁気ヘッドで
、半導体プロセスレベルのパターン精度で製造されるの
で、記録密度を極めて高くできる特徴をもっている。
【０００３】そのような薄膜磁気ヘッドの一従来例を図
６に示す。これは、薄膜形成技術の応用により製作され
たもので、先端部が磁気ギャップ２６を形成するように
下部ヨーク１２と上部ヨーク１０とでリング状の磁気回
路を形成し、その内側に絶縁材２２で被包されたコイル
導体２４を配した構成のものである。
６に示す。これは、薄膜形成技術の応用により製作され
たもので、先端部が磁気ギャップ２６を形成するように
下部ヨーク１２と上部ヨーク１０とでリング状の磁気回
路を形成し、その内側に絶縁材２２で被包されたコイル
導体２４を配した構成のものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記一般の磁気ヘッド
においては記録再生を兼用して用い、再生出力を増大さ
せるためにはコイルのターン数を増やさなければならな
いが、ターン数を増やすとヨークが大きくなり、コア磁
路長が長くなり、効率が低下してしまうものであった。 また、コイルの多層化はプロセスの複雑化を招き、さら
にターン数の増加はインダクタンスＬを増大させ、高周
波特性の悪化、低電圧ドライブの困難化を招くものであ
った。
においては記録再生を兼用して用い、再生出力を増大さ
せるためにはコイルのターン数を増やさなければならな
いが、ターン数を増やすとヨークが大きくなり、コア磁
路長が長くなり、効率が低下してしまうものであった。 また、コイルの多層化はプロセスの複雑化を招き、さら
にターン数の増加はインダクタンスＬを増大させ、高周
波特性の悪化、低電圧ドライブの困難化を招くものであ
った。
【０００５】本発明は前記課題を解決するためになされ
たもので、磁気コアよりも飽和磁束密度の小さい磁性体
で磁束バイパス部を形成し、さらに磁束バイパス部の周
囲に再生コイルを形成することにより、再生効率を高め
た薄膜磁気ヘッドを提供するものである。
たもので、磁気コアよりも飽和磁束密度の小さい磁性体
で磁束バイパス部を形成し、さらに磁束バイパス部の周
囲に再生コイルを形成することにより、再生効率を高め
た薄膜磁気ヘッドを提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の薄膜磁気
ヘッドは、下部ヨークと、絶縁材で被包されたコイル導
体と、上部ヨークが積層されて、下部ヨークと上部ヨー
クの先端部が磁気ギャップを形成してなる薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、前記絶縁材中の前記コイル導体よりも磁気
ギャップに近い部位に前記下部ヨークと上部ヨークを連
接する磁束バイパス部が形成され、磁束バイパス部が上
部ヨークよりも飽和磁束密度の低い磁性体からなること
を特徴とするものである。
ヘッドは、下部ヨークと、絶縁材で被包されたコイル導
体と、上部ヨークが積層されて、下部ヨークと上部ヨー
クの先端部が磁気ギャップを形成してなる薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、前記絶縁材中の前記コイル導体よりも磁気
ギャップに近い部位に前記下部ヨークと上部ヨークを連
接する磁束バイパス部が形成され、磁束バイパス部が上
部ヨークよりも飽和磁束密度の低い磁性体からなること
を特徴とするものである。
【０００７】請求項２記載の薄膜磁気ヘッドは、請求項
１記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、磁束バイパス部の周
囲に再生コイルを形成したことを特徴とするものである
。
１記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、磁束バイパス部の周
囲に再生コイルを形成したことを特徴とするものである
。
【０００８】
【作用】本発明の薄膜磁気ヘッドにおいては、磁束バイ
パス部を設け、その磁束バイパス部の周囲に再生コイル
を形成したことで、記録時には記録に適した１ターンで
太い記録専用コイルを使用し、再生時には再生に適した
細くてターン数の多い再生コイルを使用することができ
るので、磁気コア全体を大きくすることなしに記録およ
び再生効率を高めることができる。即ち、記録時には図
４に示すように、バックギャップ部２８、下部ヨーク１
２、磁気ギャップ２６、上部ヨーク１０、そして再びバ
ックギャップ部２８を経る磁気回路に磁束Ｍ１が発生す
る。そして再生時には、磁束バイパス部１４、下部ヨー
ク１２、磁気ギャップ２６、上部ヨーク１０、再び磁束
バイパス部１４を経る磁気回路に磁束Ｍ２が発生する。 このような磁束を発生させることにより、再生時には磁
路長が短く、磁束損失の少ないギャップ近傍の磁束を拾
うことができ、記録用のコイルのターン数を増加させる
ことなく再生出力を上げることができる。
パス部を設け、その磁束バイパス部の周囲に再生コイル
を形成したことで、記録時には記録に適した１ターンで
太い記録専用コイルを使用し、再生時には再生に適した
細くてターン数の多い再生コイルを使用することができ
るので、磁気コア全体を大きくすることなしに記録およ
び再生効率を高めることができる。即ち、記録時には図
４に示すように、バックギャップ部２８、下部ヨーク１
２、磁気ギャップ２６、上部ヨーク１０、そして再びバ
ックギャップ部２８を経る磁気回路に磁束Ｍ１が発生す
る。そして再生時には、磁束バイパス部１４、下部ヨー
ク１２、磁気ギャップ２６、上部ヨーク１０、再び磁束
バイパス部１４を経る磁気回路に磁束Ｍ２が発生する。 このような磁束を発生させることにより、再生時には磁
路長が短く、磁束損失の少ないギャップ近傍の磁束を拾
うことができ、記録用のコイルのターン数を増加させる
ことなく再生出力を上げることができる。
【０００９】その際、記録時に磁束バイパス部が磁気コ
アよりも先に充分飽和することが重要である。図２と図
３に本発明の薄膜磁気ヘッドの概略構成図を示す。図中
、上部ヨーク１０と下部ヨーク１２の先端には磁気ギャ
ップ２６が形成されて磁気媒体１６に対向している。 そして上部ヨーク１０と下部ヨーク１２の間の絶縁材２
２中には磁束バイパス部１４が形成されている。尚、絶
縁材２２中には図１に示す如く再生コイル１８や記録コ
イル２０が形成されるが、図２には省略した。
アよりも先に充分飽和することが重要である。図２と図
３に本発明の薄膜磁気ヘッドの概略構成図を示す。図中
、上部ヨーク１０と下部ヨーク１２の先端には磁気ギャ
ップ２６が形成されて磁気媒体１６に対向している。 そして上部ヨーク１０と下部ヨーク１２の間の絶縁材２
２中には磁束バイパス部１４が形成されている。尚、絶
縁材２２中には図１に示す如く再生コイル１８や記録コ
イル２０が形成されるが、図２には省略した。
【００１０】ここで、上部ヨーク１０の厚さをｔｃ、磁
束バイパス部１４の長さをｔｂとし、磁束バイパス部１
４の形成されている位置の上部ヨーク１０の幅をＷｃ、
磁束バイパス部１４の幅をＷｂとし、磁気媒体１６の厚
みをｔｍ、磁気媒体１６の幅をｔｗとする。さらに磁気
コアの飽和磁束密度をＢｓ１、磁束バイパス部１４の飽
和磁束密度をＢｓ２、磁気媒体１６の残留磁束密度をＢ
ｒとする。 さらにまた、Ｓｂ＝ｔｂ×Ｗｂ、Ｓｃ＝ｔｃ×Ｗｃとす
る。
束バイパス部１４の長さをｔｂとし、磁束バイパス部１
４の形成されている位置の上部ヨーク１０の幅をＷｃ、
磁束バイパス部１４の幅をＷｂとし、磁気媒体１６の厚
みをｔｍ、磁気媒体１６の幅をｔｗとする。さらに磁気
コアの飽和磁束密度をＢｓ１、磁束バイパス部１４の飽
和磁束密度をＢｓ２、磁気媒体１６の残留磁束密度をＢ
ｒとする。 さらにまた、Ｓｂ＝ｔｂ×Ｗｂ、Ｓｃ＝ｔｃ×Ｗｃとす
る。
【００１１】磁気バイパス部１４を磁気コアよりも先に
飽和させるためには、Ｂｓ２＜（Ｓｃ／Ｓｂ）×Ｂｓ１
であることが必要である。
飽和させるためには、Ｂｓ２＜（Ｓｃ／Ｓｂ）×Ｂｓ１
であることが必要である。
【００１２】上式を変形すると、Ｂｓ２＜｛（ｔｃ・Ｗ
ｃ）／（ｔｂ・Ｗｂ）｝×Ｂｓ１ となる。無論、Ｓ
ｂ＝Ｓｃならば、Ｂｓ２＜Ｂｓ１ であればよい。
ｃ）／（ｔｂ・Ｗｂ）｝×Ｂｓ１ となる。無論、Ｓ
ｂ＝Ｓｃならば、Ｂｓ２＜Ｂｓ１ であればよい。
【００１３】一方磁束バイパス部１４の飽和磁束密度Ｂ
ｓ２の下限は、再生時に飽和しないことで限定される。 磁気媒体１６の磁束φｍは、φｍ＝Ｂｒ・ｔｗ・ｔｍ
である。これが全て磁束バイパス部１４に流入したと
すると、磁束バイパス部１４中の磁束密度Ｂｂは、Ｂｂ
＝φｍ／（Ｗｂ・ｔｂ）＝（Ｂｒ・ｔｗ・ｔｍ）／（Ｗ
ｂ・ｔｂ） となるので、磁束バイパス部１４の飽和
磁束密度Ｂｓ２は、Ｂｓ２＞Ｂｂ＝（Ｂｒ・ｔｗ・ｔｍ
）／（Ｗｂ・ｔｂ） となる。
ｓ２の下限は、再生時に飽和しないことで限定される。 磁気媒体１６の磁束φｍは、φｍ＝Ｂｒ・ｔｗ・ｔｍ
である。これが全て磁束バイパス部１４に流入したと
すると、磁束バイパス部１４中の磁束密度Ｂｂは、Ｂｂ
＝φｍ／（Ｗｂ・ｔｂ）＝（Ｂｒ・ｔｗ・ｔｍ）／（Ｗ
ｂ・ｔｂ） となるので、磁束バイパス部１４の飽和
磁束密度Ｂｓ２は、Ｂｓ２＞Ｂｂ＝（Ｂｒ・ｔｗ・ｔｍ
）／（Ｗｂ・ｔｂ） となる。
【００１４】従って、磁束バイパス部１４の飽和磁束密
度Ｂｓ２の範囲は次式で示される範囲内である必要があ
る。（Ｂｒ・ｔｗ・ｔｍ）／（Ｗｂ・ｔｂ）＜Ｂｓ２＜
（ｔｃ・Ｗｃ・Ｂｓ）／（ｔｂ・Ｗｂ） ・・・■
度Ｂｓ２の範囲は次式で示される範囲内である必要があ
る。（Ｂｒ・ｔｗ・ｔｍ）／（Ｗｂ・ｔｂ）＜Ｂｓ２＜
（ｔｃ・Ｗｃ・Ｂｓ）／（ｔｂ・Ｗｂ） ・・・■
【００１５】ここでは磁束の漏れ等は考慮していないの
で磁束密度は全て大きく見積もられている。従って、実
際上のＢｓ２の範囲は上記■式の範囲よりも低くなる。 磁束の漏れ係数をＫ：（０〜１）とすると、上記■式の
範囲にこの漏れ係数Ｋをかける必要がある。
で磁束密度は全て大きく見積もられている。従って、実
際上のＢｓ２の範囲は上記■式の範囲よりも低くなる。 磁束の漏れ係数をＫ：（０〜１）とすると、上記■式の
範囲にこの漏れ係数Ｋをかける必要がある。
【００１６】
【実施例】図１に本実施例の薄膜磁気ヘッドの概略断面
図を示す。先端部が磁気ギャップ２６を形成するように
下部ヨーク１２と上部ヨーク１０とでリング状の磁気回
路を形成している。そして磁性材２２で被包された記録
コイル２０よりも磁気ギャップ２６に近い部位に磁束バ
イパス部１４が下部ヨーク１２と上部ヨーク１０を連接
するように形成されている。さらに磁束バイパス部１４
の周囲には再生コイル１８が形成されている。ここで再
生コイル１８は多層からなる細いコイルであるが、記録
コイル２０はそれよりも太いことが好ましい。
図を示す。先端部が磁気ギャップ２６を形成するように
下部ヨーク１２と上部ヨーク１０とでリング状の磁気回
路を形成している。そして磁性材２２で被包された記録
コイル２０よりも磁気ギャップ２６に近い部位に磁束バ
イパス部１４が下部ヨーク１２と上部ヨーク１０を連接
するように形成されている。さらに磁束バイパス部１４
の周囲には再生コイル１８が形成されている。ここで再
生コイル１８は多層からなる細いコイルであるが、記録
コイル２０はそれよりも太いことが好ましい。
【００１７】下部ヨーク１２および上部ヨーク１０とし
ては、たとえばパーマロイ等の強磁性材料が用いられ、
それらの透磁率の値はＣＧＳ単位系において１，０００
〜３，０００程度とされている。
ては、たとえばパーマロイ等の強磁性材料が用いられ、
それらの透磁率の値はＣＧＳ単位系において１，０００
〜３，０００程度とされている。
【００１８】絶縁材２２としてはポリイミド、レジスト
、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等の材料が用いられている。
、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等の材料が用いられている。
【００１９】本発明においては磁束バイパス部１４を構
成する磁性体の飽和磁束密度Ｂｓ２は上記■式に示す範
囲内である必要がある。例えば以下の条件で構成される
薄膜磁気ヘッドの各数値を上記■式に当てはめてみる。
成する磁性体の飽和磁束密度Ｂｓ２は上記■式に示す範
囲内である必要がある。例えば以下の条件で構成される
薄膜磁気ヘッドの各数値を上記■式に当てはめてみる。
【００２０】Ｂｒ＝６０００（Ｇａｕｓｓ）、ｔｍ＝５
×１０−８（ｍ）、ｔｂ＝１×１０−５（ｍ）、ｔｗ＝
Ｗｂ、ｔｃ＝ｔｂ／３、Ｗｃ＝３・Ｗｂ、Ｂｓ＝１００
００（Ｇａｕｓｓ）、とすると、３０（Ｇａｕｓｓ）＜
Ｂｓ２＜１００００（Ｇａｕｓｓ） となる。
×１０−８（ｍ）、ｔｂ＝１×１０−５（ｍ）、ｔｗ＝
Ｗｂ、ｔｃ＝ｔｂ／３、Ｗｃ＝３・Ｗｂ、Ｂｓ＝１００
００（Ｇａｕｓｓ）、とすると、３０（Ｇａｕｓｓ）＜
Ｂｓ２＜１００００（Ｇａｕｓｓ） となる。
【００２１】本実施例の薄膜磁気ヘッドによれば、記録
時には記録に適した１ターンで太い記録コイル２０を使
用し、再生時には再生に適した細くてターン数の多い再
生コイル１８を使用するものであるので、磁気コア全体
を大きくすることなしに記録および再生効率を高めるこ
とのできるものである。
時には記録に適した１ターンで太い記録コイル２０を使
用し、再生時には再生に適した細くてターン数の多い再
生コイル１８を使用するものであるので、磁気コア全体
を大きくすることなしに記録および再生効率を高めるこ
とのできるものである。
【００２２】
【発明の効果】本発明の薄膜磁気ヘッドは、磁気コアよ
りも飽和磁束密度の小さい磁性体からなる磁束バイパス
部を設け、さらに再生専用のコイルを磁束バイパス部の
周囲に形成したものであるので、記録用のコイルのター
ン数を増加させて磁気コアを大きくすることなく、記録
専用コイルと再生コイルを使い分けることができ、記録
効率と再生効率を共に高めることができるものである。
りも飽和磁束密度の小さい磁性体からなる磁束バイパス
部を設け、さらに再生専用のコイルを磁束バイパス部の
周囲に形成したものであるので、記録用のコイルのター
ン数を増加させて磁気コアを大きくすることなく、記録
専用コイルと再生コイルを使い分けることができ、記録
効率と再生効率を共に高めることができるものである。
【図１】本実施例の薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図２】磁束バイパス部の飽和磁束密度の範囲を説明す
るための薄膜磁気ヘッドの断面図である。
るための薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図３】磁束バイパス部の飽和磁束密度の範囲を説明す
るための薄膜磁気ヘッドの平面図である。
るための薄膜磁気ヘッドの平面図である。
【図４】本発明の薄膜磁気ヘッドの記録時の磁束分布を
示す薄膜磁気ヘッドの断面図である。
示す薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図５】本発明の薄膜磁気ヘッドの再生時の磁束分布を
示す薄膜磁気ヘッドの断面図である。
示す薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図６】従来例の薄膜磁気ヘッドの断面図である。
１０ 上部ヨーク
１２ 下部ヨーク
１４ 磁束バイパス部
２２ 絶縁材
２４ コイル導体
２６ 磁気ギャップ
Claims (2)
- 【請求項１】 下部ヨークと、絶縁材で被包されたコ
イル導体と、上部ヨークが積層されて、下部ヨークと上
部ヨークの先端部が磁気ギャップを形成してなる薄膜磁
気ヘッドにおいて、前記絶縁材中の前記コイル導体より
も磁気ギャップに近い部位に前記下部ヨークと上部ヨー
クを連接する磁束バイパス部が形成され、磁束バイパス
部が上部ヨークよりも飽和磁束密度の低い磁性体からな
ることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 請求項１記載の薄膜磁気ヘッドにおい
て、磁束バイパス部の周囲に再生コイルを形成したこと
を特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP346991A JPH04356708A (ja) | 1991-01-16 | 1991-01-16 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP346991A JPH04356708A (ja) | 1991-01-16 | 1991-01-16 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04356708A true JPH04356708A (ja) | 1992-12-10 |
Family
ID=11558191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP346991A Withdrawn JPH04356708A (ja) | 1991-01-16 | 1991-01-16 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04356708A (ja) |
-
1991
- 1991-01-16 JP JP346991A patent/JPH04356708A/ja not_active Withdrawn
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