JPH04357657A - イオン処理装置 - Google Patents
イオン処理装置Info
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- JPH04357657A JPH04357657A JP3159642A JP15964291A JPH04357657A JP H04357657 A JPH04357657 A JP H04357657A JP 3159642 A JP3159642 A JP 3159642A JP 15964291 A JP15964291 A JP 15964291A JP H04357657 A JPH04357657 A JP H04357657A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えばイオン注入装
置のように、真空中でウェーハにイオンビームを照射し
てそれにイオン注入等の処理を施すイオン処理装置に関
し、特に、そのウェーハの帯電を防止する手段の改良に
関する。
置のように、真空中でウェーハにイオンビームを照射し
てそれにイオン注入等の処理を施すイオン処理装置に関
し、特に、そのウェーハの帯電を防止する手段の改良に
関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来のイオン処理装置の一例を
部分的に示す図である。
部分的に示す図である。
【０００３】この装置は、いわゆるメカニカルスキャン
方式のものであり、基本的には、真空容器（図示省略）
内で例えば矢印Ａのように回転および矢印Ｂのように並
進させられるウェーハディスク４の周縁部に装着された
複数枚のウェーハ６にイオンビーム２を照射してそれに
イオン注入等の処理を施すよう構成されている。８はウ
ェーハディスク４の回転用のモータであり、１０および
１２はウェーハディスク４の並進用のモータおよび回転
軸である。
方式のものであり、基本的には、真空容器（図示省略）
内で例えば矢印Ａのように回転および矢印Ｂのように並
進させられるウェーハディスク４の周縁部に装着された
複数枚のウェーハ６にイオンビーム２を照射してそれに
イオン注入等の処理を施すよう構成されている。８はウ
ェーハディスク４の回転用のモータであり、１０および
１２はウェーハディスク４の並進用のモータおよび回転
軸である。
【０００４】イオンビーム２の経路上であってウェーハ
ディスク４の上流側および下流側に、ファラデー系を構
成するものとして、イオンビーム２がウェーハディスク
４等に当たった際に放出される二次電子を受けてそれの
アースへの逃げを防止するニュートラルカップ１４、お
よび、ウェーハディスク４が外に並進したときにそれの
代わりにイオンビーム２を受けるキャッチプレート１６
がそれぞれ設けられている。
ディスク４の上流側および下流側に、ファラデー系を構
成するものとして、イオンビーム２がウェーハディスク
４等に当たった際に放出される二次電子を受けてそれの
アースへの逃げを防止するニュートラルカップ１４、お
よび、ウェーハディスク４が外に並進したときにそれの
代わりにイオンビーム２を受けるキャッチプレート１６
がそれぞれ設けられている。
【０００５】そして、ウェーハディスク４とキャッチプ
レート１６を並列接続してディスク電流測定抵抗２８を
介して、かつこれにニュートラルカップ１４を並列接続
して、例えばカレントインテグレータのようなビーム電
流計測器３８に接続しており、それによってイオンビー
ム２のビーム電流ＩＢ の計測を正確に行なえるように
している。
レート１６を並列接続してディスク電流測定抵抗２８を
介して、かつこれにニュートラルカップ１４を並列接続
して、例えばカレントインテグレータのようなビーム電
流計測器３８に接続しており、それによってイオンビー
ム２のビーム電流ＩＢ の計測を正確に行なえるように
している。
【０００６】また、イオンビーム２の照射に伴ってウェ
ーハ６の表面が、特に当該表面が絶縁物の場合、正に帯
電して放電等の不具合が発生するのを防止するために、
ニュートラルカップ１４の側部に一次電子放出源を構成
するフィラメント１８を設け、これから放出させた一次
電子２１をニュートラルカップ１４の対向面に当ててそ
こから二次電子２２を放出させ、即ちこの例ではニュー
トラルカップ１４を二次電子放出源とし、そしてこの二
次電子２２をウェーハディスク４上のイオンビーム照射
領域におけるウェーハ６に供給してその表面でのイオン
ビーム２による正電荷を中和させるようにしている。２
４はフィラメント１８の加熱用のフィラメント電源、２
６は一次電子２１の引出し用の引出し電源である。
ーハ６の表面が、特に当該表面が絶縁物の場合、正に帯
電して放電等の不具合が発生するのを防止するために、
ニュートラルカップ１４の側部に一次電子放出源を構成
するフィラメント１８を設け、これから放出させた一次
電子２１をニュートラルカップ１４の対向面に当ててそ
こから二次電子２２を放出させ、即ちこの例ではニュー
トラルカップ１４を二次電子放出源とし、そしてこの二
次電子２２をウェーハディスク４上のイオンビーム照射
領域におけるウェーハ６に供給してその表面でのイオン
ビーム２による正電荷を中和させるようにしている。２
４はフィラメント１８の加熱用のフィラメント電源、２
６は一次電子２１の引出し用の引出し電源である。
【０００７】ウェーハ６の処理の際は、ディスク電流測
定抵抗２８には、前記ビーム電流ＩＢ およびこれと逆
向きの二次電子２２による二次電子電流Ｉ２ を合成し
た、即ち次式で表されるディスク電流ＩＤ が流れる。 ＩＤ ＝ＩＢ −Ｉ２
・・・（１）これによってディスク電流測定抵抗２８
の両端にディスク電流ＩＤ に対応する電圧が発生し、
これが絶縁アンプ３０を介して差動増幅回路３２に入力
される。またディスク電流設定回路３４からも差動増幅
回路３２に設定値が入力される。差動増幅回路３２は両
入力の差を求めてそれを制御回路３６に与える。制御回
路３６はフィラメント電源２４を制御することによって
フィラメント電流の増減を行い、ディスク電流ＩＤ が
設定値になるように制御する。これによって、ウェーハ
ディスク４上のウェーハ６に供給する二次電子２２の量
を所望のものにすることができ、それによってウェーハ
６の帯電を抑制することができる。
定抵抗２８には、前記ビーム電流ＩＢ およびこれと逆
向きの二次電子２２による二次電子電流Ｉ２ を合成し
た、即ち次式で表されるディスク電流ＩＤ が流れる。 ＩＤ ＝ＩＢ −Ｉ２
・・・（１）これによってディスク電流測定抵抗２８
の両端にディスク電流ＩＤ に対応する電圧が発生し、
これが絶縁アンプ３０を介して差動増幅回路３２に入力
される。またディスク電流設定回路３４からも差動増幅
回路３２に設定値が入力される。差動増幅回路３２は両
入力の差を求めてそれを制御回路３６に与える。制御回
路３６はフィラメント電源２４を制御することによって
フィラメント電流の増減を行い、ディスク電流ＩＤ が
設定値になるように制御する。これによって、ウェーハ
ディスク４上のウェーハ６に供給する二次電子２２の量
を所望のものにすることができ、それによってウェーハ
６の帯電を抑制することができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記イオン
処理装置においては、ディスク電流ＩＤ が設定値によ
って固定されるので、またディスク電流測定抵抗２８に
流れるビーム電流ＩＢ はウェーハディスク４の位置に
よらず一定なので（例えばウェーハディスク４が外に並
進してもキャッチプレート１６にビーム電流ＩＢ が流
れる）、二次電子２２の量（即ち二次電子電流Ｉ２ ）
は一定に制御される。ところが、イオンビーム２の密度
にはその場所により濃淡があるので（一般的には中心部
が濃く外側が淡い）、例えばウェーハディスク４が並進
してウェーハ６にイオンビーム２が当たり始める位置で
は二次電子２２の供給過多となり、ウェーハ６がイオン
ビーム２の中心部に来たときには二次電子２２が不足す
る等、ウェーハ６に供給する二次電子２２の過不足が生
じ、ウェーハ６の帯電を確実に防止することができない
という問題がある。
処理装置においては、ディスク電流ＩＤ が設定値によ
って固定されるので、またディスク電流測定抵抗２８に
流れるビーム電流ＩＢ はウェーハディスク４の位置に
よらず一定なので（例えばウェーハディスク４が外に並
進してもキャッチプレート１６にビーム電流ＩＢ が流
れる）、二次電子２２の量（即ち二次電子電流Ｉ２ ）
は一定に制御される。ところが、イオンビーム２の密度
にはその場所により濃淡があるので（一般的には中心部
が濃く外側が淡い）、例えばウェーハディスク４が並進
してウェーハ６にイオンビーム２が当たり始める位置で
は二次電子２２の供給過多となり、ウェーハ６がイオン
ビーム２の中心部に来たときには二次電子２２が不足す
る等、ウェーハ６に供給する二次電子２２の過不足が生
じ、ウェーハ６の帯電を確実に防止することができない
という問題がある。
【０００９】そこでこの発明は、ウェーハにイオンビー
ムが当たる位置によって二次電子の量を変えることがで
きるようにし、それによってウェーハの帯電をより確実
に防止することができるようにしたイオン処理装置を提
供することを主たる目的とする。
ムが当たる位置によって二次電子の量を変えることがで
きるようにし、それによってウェーハの帯電をより確実
に防止することができるようにしたイオン処理装置を提
供することを主たる目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
、この発明のイオン処理装置は、前記ウェーハディスク
に流れるディスク電流を計測するディスク電流計測回路
と、前記ウェーハディスクの位置を検出してその位置に
応じたパルス信号を発生するディスク位置検出手段と、
ウェーハディスク上のウェーハへのイオンビームの当た
り始めと当たり終りの位置を検出して当たり始めの位置
でセット信号を発生し当たり終りの位置でリセット信号
を発生するセットリセット手段と、前記ディスク位置検
出手段からのパルス信号をカウントするカウンタ回路で
あって前記セットリセット手段からのセット信号によっ
てセットされリセット信号によってリセットされるもの
と、このカウンタ回路からの出力信号をアナログ信号に
変換するＤ／Ａ変換器と、このＤ／Ａ変換器からの出力
信号を用いて、ウェーハディスク上のウェーハへのイオ
ンビームの当たり始めと当たり終りの位置で大きな値と
なり両位置の間でそれよりも小さな値となる出力信号を
発生する演算回路と、この演算回路からの出力信号と前
記ディスク電流計測回路で計測したディスク電流との差
を求める差動増幅回路と、この差動増幅回路で求めた差
が無くなるように前記一次電子放出源を制御してそこか
ら放出する一次電子の量を制御する制御回路とを備える
ことを特徴とする。
、この発明のイオン処理装置は、前記ウェーハディスク
に流れるディスク電流を計測するディスク電流計測回路
と、前記ウェーハディスクの位置を検出してその位置に
応じたパルス信号を発生するディスク位置検出手段と、
ウェーハディスク上のウェーハへのイオンビームの当た
り始めと当たり終りの位置を検出して当たり始めの位置
でセット信号を発生し当たり終りの位置でリセット信号
を発生するセットリセット手段と、前記ディスク位置検
出手段からのパルス信号をカウントするカウンタ回路で
あって前記セットリセット手段からのセット信号によっ
てセットされリセット信号によってリセットされるもの
と、このカウンタ回路からの出力信号をアナログ信号に
変換するＤ／Ａ変換器と、このＤ／Ａ変換器からの出力
信号を用いて、ウェーハディスク上のウェーハへのイオ
ンビームの当たり始めと当たり終りの位置で大きな値と
なり両位置の間でそれよりも小さな値となる出力信号を
発生する演算回路と、この演算回路からの出力信号と前
記ディスク電流計測回路で計測したディスク電流との差
を求める差動増幅回路と、この差動増幅回路で求めた差
が無くなるように前記一次電子放出源を制御してそこか
ら放出する一次電子の量を制御する制御回路とを備える
ことを特徴とする。
【００１１】
【作用】上記構成によれば、ウェーハディスク上のウェ
ーハへのイオンビームの当たり始めの位置と当たり終り
の位置の間でカウンタ回路が動作し、その間で、差動増
幅回路に与えられるディスク電流の設定値が、イオンビ
ームの濃淡と逆の関係になるように変化させられる。そ
の結果、ウェーハにイオンビームの淡い所が当たってい
るときは二次電子の量が少なくなり、濃い所が当たって
いるときには二次電子の量が多くなるので、ウェーハの
帯電をより確実に防止することができる。
ーハへのイオンビームの当たり始めの位置と当たり終り
の位置の間でカウンタ回路が動作し、その間で、差動増
幅回路に与えられるディスク電流の設定値が、イオンビ
ームの濃淡と逆の関係になるように変化させられる。そ
の結果、ウェーハにイオンビームの淡い所が当たってい
るときは二次電子の量が少なくなり、濃い所が当たって
いるときには二次電子の量が多くなるので、ウェーハの
帯電をより確実に防止することができる。
【００１２】
【実施例】図１は、この発明の一実施例に係るイオン処
理装置を部分的に示す図である。図４の従来例と同一ま
たは相当する部分には同一符号を付し、以下においては
当該従来例との相違点を主に説明する。
理装置を部分的に示す図である。図４の従来例と同一ま
たは相当する部分には同一符号を付し、以下においては
当該従来例との相違点を主に説明する。
【００１３】この実施例においては、前述した従来のデ
ィスク電流設定回路３４を用いる代わりに、次のような
構成によって、差動増幅回路３２に対するディスク電流
ＩＤ の設定値をウェーハディスク４の並進位置によっ
て変えるようにしている。
ィスク電流設定回路３４を用いる代わりに、次のような
構成によって、差動増幅回路３２に対するディスク電流
ＩＤ の設定値をウェーハディスク４の並進位置によっ
て変えるようにしている。
【００１４】即ち、前述したウェーハディスク４の並進
用のモータ１０の回転軸１２の他端部に、図２にも示す
ようにこの例では二つのスリット４２を有する円板４０
を取り付け、そしてこのスリット４２を光センサ４４で
読み取ってそれからパルス信号Ｐを出力するようにして
、前述したディスク位置検出手段を構成している。この
例では、回転軸１２即ち円板４０が１回転するとウェー
ハディスク４が１ｃｍ並進する構造になっているので、
０．５ｃｍの並進につき１回の割合で光センサ４４から
パルス信号Ｐが出力される。
用のモータ１０の回転軸１２の他端部に、図２にも示す
ようにこの例では二つのスリット４２を有する円板４０
を取り付け、そしてこのスリット４２を光センサ４４で
読み取ってそれからパルス信号Ｐを出力するようにして
、前述したディスク位置検出手段を構成している。この
例では、回転軸１２即ち円板４０が１回転するとウェー
ハディスク４が１ｃｍ並進する構造になっているので、
０．５ｃｍの並進につき１回の割合で光センサ４４から
パルス信号Ｐが出力される。
【００１５】また、ウェーハディスク４と連動して並進
する部分に、例えばモータ８のケースにつながる部分等
に、遮蔽板５０を取り付け、かつこの遮蔽板５０をウェ
ーハディスク４上のウェーハ６へイオンビーム２が当た
り始める位置と当たり終わる位置とでそれぞれ検出する
二つの光センサ４６および４８を設け、かつ光センサ４
６で遮蔽板５０を検出したときにセット信号Ｓを出力し
、光センサ４８で遮蔽板５０を検出したときにリセット
信号Ｒを出力する、あるいはその逆方向にウェーハディ
スク４が並進するときはこれとは逆の関係でセット信号
Ｓおよびリセット信号Ｒを出力するセットリセット回路
５２を設けて、前述したセットリセット手段を構成して
いる。
する部分に、例えばモータ８のケースにつながる部分等
に、遮蔽板５０を取り付け、かつこの遮蔽板５０をウェ
ーハディスク４上のウェーハ６へイオンビーム２が当た
り始める位置と当たり終わる位置とでそれぞれ検出する
二つの光センサ４６および４８を設け、かつ光センサ４
６で遮蔽板５０を検出したときにセット信号Ｓを出力し
、光センサ４８で遮蔽板５０を検出したときにリセット
信号Ｒを出力する、あるいはその逆方向にウェーハディ
スク４が並進するときはこれとは逆の関係でセット信号
Ｓおよびリセット信号Ｒを出力するセットリセット回路
５２を設けて、前述したセットリセット手段を構成して
いる。
【００１６】上記光センサ４４からのパルス信号Ｐは、
カウンタ回路５４に入力されカウントされる。即ち、こ
こでウェーハディスク４の位置がある値（ディジタル値
）に変換される。但しこのカウンタ回路５４は、前述し
たセットリセット回路５２からのセット信号Ｓでセット
されリセット信号Ｒでリセットされる。即ち、ウェーハ
６へのイオンビーム２の当たり始めの位置と当たり終り
の位置の間でだけカウント動作する。
カウンタ回路５４に入力されカウントされる。即ち、こ
こでウェーハディスク４の位置がある値（ディジタル値
）に変換される。但しこのカウンタ回路５４は、前述し
たセットリセット回路５２からのセット信号Ｓでセット
されリセット信号Ｒでリセットされる。即ち、ウェーハ
６へのイオンビーム２の当たり始めの位置と当たり終り
の位置の間でだけカウント動作する。
【００１７】カウンタ回路５４からの出力信号はＤ／Ａ
変換器５６に入力され、そこでアナログ信号に変換され
、これが演算回路５８に入力される。
変換器５６に入力され、そこでアナログ信号に変換され
、これが演算回路５８に入力される。
【００１８】演算回路５８は、この例ではａ−ｂｓｉｎ
θという関数を発生する関数発生器を含んでおり、Ｄ／
Ａ変換器５６からのウェーハディスク４の位置を表すア
ナログ信号がこのθとして入力される。即ちこのθは、
ウェーハ６へのイオンビーム２の当たり始めの位置が０
°、当たり終りの位置が１８０°、両位置の中間が９０
°となる。ａ、ｂは定数である。従ってこの演算回路５
８からの出力信号Ｅは、例えば図３に示すような波形と
なる。即ち、ウェーハディスク４上のウェーハ６へのイ
オンビーム２の当たり始めと当たり終りの位置でａとな
り、それから両位置の中心に向かってｓｉｎカーブで減
少し、最小値はａ−ｂとなる。このａ、ａ−ｂの値は、
イオンビーム２による正電荷と二次電子２２による負電
荷を相殺させるためには理論的にはａ＝ＩＢ 、ａ−ｂ
＝０で良いが、実際上は種々の要因によって必ずしも理
論どおりに行かない場合もあり、上記値に近い値を選ぶ
方が良い場合もある。
θという関数を発生する関数発生器を含んでおり、Ｄ／
Ａ変換器５６からのウェーハディスク４の位置を表すア
ナログ信号がこのθとして入力される。即ちこのθは、
ウェーハ６へのイオンビーム２の当たり始めの位置が０
°、当たり終りの位置が１８０°、両位置の中間が９０
°となる。ａ、ｂは定数である。従ってこの演算回路５
８からの出力信号Ｅは、例えば図３に示すような波形と
なる。即ち、ウェーハディスク４上のウェーハ６へのイ
オンビーム２の当たり始めと当たり終りの位置でａとな
り、それから両位置の中心に向かってｓｉｎカーブで減
少し、最小値はａ−ｂとなる。このａ、ａ−ｂの値は、
イオンビーム２による正電荷と二次電子２２による負電
荷を相殺させるためには理論的にはａ＝ＩＢ 、ａ−ｂ
＝０で良いが、実際上は種々の要因によって必ずしも理
論どおりに行かない場合もあり、上記値に近い値を選ぶ
方が良い場合もある。
【００１９】そしてこの演算回路５８からの出力信号Ｅ
を前述した差動増幅回路３２の一方の入力部に入力して
、ディスク電流ＩＤ に対する設定値とするようにして
いる。この差動増幅回路３２および制御回路３６の動作
は従来例のものと同様である。
を前述した差動増幅回路３２の一方の入力部に入力して
、ディスク電流ＩＤ に対する設定値とするようにして
いる。この差動増幅回路３２および制御回路３６の動作
は従来例のものと同様である。
【００２０】上記構成によれば、ディスク電流ＩＢ を
制御する設定値（即ち演算回路５８から差動増幅回路３
２に与えられる出力信号Ｅの値）が、ウェーハディスク
４の並進位置即ちウェーハ６にイオンビーム２が当たる
位置によって図３に示すようにイオンビーム２の濃淡と
逆の関係になるように変化させられる。即ち、ウェーハ
６にイオンビーム２の淡い部分が当たっている位置では
ディスク電流ＩＤ の設定値が大になり、濃い部分が当
たっている位置ではこの設定値が小になる。
制御する設定値（即ち演算回路５８から差動増幅回路３
２に与えられる出力信号Ｅの値）が、ウェーハディスク
４の並進位置即ちウェーハ６にイオンビーム２が当たる
位置によって図３に示すようにイオンビーム２の濃淡と
逆の関係になるように変化させられる。即ち、ウェーハ
６にイオンビーム２の淡い部分が当たっている位置では
ディスク電流ＩＤ の設定値が大になり、濃い部分が当
たっている位置ではこの設定値が小になる。
【００２１】ところが、前述したようにディスク電流測
定抵抗２８に流れるビーム電流ＩＢ はウェーハディス
ク４の位置によらず一定であるから、前述した（１）式
からも分かるように、ウェーハ６にイオンビーム２の淡
い部分が当たっている位置ではディスク電流測定抵抗２
８に流れる二次電子電流Ｉ２が小さくなるように、即ち
二次電子２２が少なくなるように制御され、逆にウェー
ハ６にイオンビーム２の濃い部分が当たっている位置で
は二次電子電流Ｉ２ が大きくなるように、即ち二次電
子２２が多くなるように制御される。この制御は、具体
的には前述したように、差動増幅回路３２からの出力が
０になるように、制御回路３６によって、フィラメント
１８に流す電流を制御してフィラメント１８から放出す
る一次電子２１の量を制御することによって行われる。 この結果、ウェーハ６には二次電子２２が過不足なく供
給されるので、ウェーハ６の帯電をより確実に防止する
ことができる。
定抵抗２８に流れるビーム電流ＩＢ はウェーハディス
ク４の位置によらず一定であるから、前述した（１）式
からも分かるように、ウェーハ６にイオンビーム２の淡
い部分が当たっている位置ではディスク電流測定抵抗２
８に流れる二次電子電流Ｉ２が小さくなるように、即ち
二次電子２２が少なくなるように制御され、逆にウェー
ハ６にイオンビーム２の濃い部分が当たっている位置で
は二次電子電流Ｉ２ が大きくなるように、即ち二次電
子２２が多くなるように制御される。この制御は、具体
的には前述したように、差動増幅回路３２からの出力が
０になるように、制御回路３６によって、フィラメント
１８に流す電流を制御してフィラメント１８から放出す
る一次電子２１の量を制御することによって行われる。 この結果、ウェーハ６には二次電子２２が過不足なく供
給されるので、ウェーハ６の帯電をより確実に防止する
ことができる。
【００２２】なお、演算回路５８で用いる関数は、イオ
ンビーム２の密度分布に比較的近似しているという意味
で前述したａ−ｂｓｉｎθが好ましいが、これに限定さ
れるものではなく、要は、演算回路５８の出力信号Ｅが
、ウェーハ６へのイオンビーム２の当たり始めと当たり
終りの位置で大きな値となり両位置の間でそれよりも小
さな値となるような関数であれば良い。
ンビーム２の密度分布に比較的近似しているという意味
で前述したａ−ｂｓｉｎθが好ましいが、これに限定さ
れるものではなく、要は、演算回路５８の出力信号Ｅが
、ウェーハ６へのイオンビーム２の当たり始めと当たり
終りの位置で大きな値となり両位置の間でそれよりも小
さな値となるような関数であれば良い。
【００２３】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、ウェー
ハにイオンビームが当たる位置によって二次電子の量を
変えることができるので、即ちウェーハにイオンビーム
の淡い所が当たっているときは二次電子の量を少なくし
、濃い所が当たっているときには二次電子の量を多くす
ることができるので、ウェーハの帯電をより確実に防止
することができる。
ハにイオンビームが当たる位置によって二次電子の量を
変えることができるので、即ちウェーハにイオンビーム
の淡い所が当たっているときは二次電子の量を少なくし
、濃い所が当たっているときには二次電子の量を多くす
ることができるので、ウェーハの帯電をより確実に防止
することができる。
【図１】 この発明の一実施例に係るイオン処理装置
を部分的に示す図である。
を部分的に示す図である。
【図２】 図１中の円板および光センサの正面図であ
る。
る。
【図３】 図１中の演算回路からの出力信号の波形の
一例を示す図である。
一例を示す図である。
【図４】 従来のイオン処理装置の一例を部分的に示
す図である。
す図である。
２ イオンビーム
４ ウェーハディスク
６ ウェーハ
１８ フィラメント
２１ 一次電子
２２ 二次電子
２４ フィラメント電源
２８ ディスク電流測定抵抗
３２ 差動増幅回路
３６ 制御回路
４０ 円板
４４，４６，４８ 光センサ
５０ 遮蔽板
５２ セットリセット回路
５４ カウンタ回路
５６ Ｄ／Ａ変換器
５８ 演算回路
Claims (1)
- 【請求項１】 真空容器内で回転および並進させられ
るウェーハディスクに装着されたウェーハにイオンビー
ムを照射して当該ウェーハを処理する装置であって、一
次電子を放出する一次電子放出源と、この一次電子を受
けて二次電子を放出する二次電子放出源とを備え、この
二次電子をイオンビーム照射領域におけるウェーハに供
給するようにしたものにおいて、前記ウェーハディスク
に流れるディスク電流を計測するディスク電流計測回路
と、前記ウェーハディスクの位置を検出してその位置に
応じたパルス信号を発生するディスク位置検出手段と、
ウェーハディスク上のウェーハへのイオンビームの当た
り始めと当たり終りの位置を検出して当たり始めの位置
でセット信号を発生し当たり終りの位置でリセット信号
を発生するセットリセット手段と、前記ディスク位置検
出手段からのパルス信号をカウントするカウンタ回路で
あって前記セットリセット手段からのセット信号によっ
てセットされリセット信号によってリセットされるもの
と、このカウンタ回路からの出力信号をアナログ信号に
変換するＤ／Ａ変換器と、このＤ／Ａ変換器からの出力
信号を用いて、ウェーハディスク上のウェーハへのイオ
ンビームの当たり始めと当たり終りの位置で大きな値と
なり両位置の間でそれよりも小さな値となる出力信号を
発生する演算回路と、この演算回路からの出力信号と前
記ディスク電流計測回路で計測したディスク電流との差
を求める差動増幅回路と、この差動増幅回路で求めた差
が無くなるように前記一次電子放出源を制御してそこか
ら放出する一次電子の量を制御する制御回路とを備える
ことを特徴とするイオン処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3159642A JP3052436B2 (ja) | 1991-06-03 | 1991-06-03 | イオン処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3159642A JP3052436B2 (ja) | 1991-06-03 | 1991-06-03 | イオン処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04357657A true JPH04357657A (ja) | 1992-12-10 |
| JP3052436B2 JP3052436B2 (ja) | 2000-06-12 |
Family
ID=15698178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3159642A Expired - Fee Related JP3052436B2 (ja) | 1991-06-03 | 1991-06-03 | イオン処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3052436B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07326583A (ja) * | 1994-05-30 | 1995-12-12 | Tokyo Electron Ltd | 処理方法及び装置 |
| US20140242732A1 (en) * | 2013-02-26 | 2014-08-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ion implantation apparatus and method of determining state of ion implantation apparatus |
-
1991
- 1991-06-03 JP JP3159642A patent/JP3052436B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07326583A (ja) * | 1994-05-30 | 1995-12-12 | Tokyo Electron Ltd | 処理方法及び装置 |
| US20140242732A1 (en) * | 2013-02-26 | 2014-08-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ion implantation apparatus and method of determining state of ion implantation apparatus |
| US9269540B2 (en) | 2013-02-26 | 2016-02-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ion implantation apparatus and method of determining state of ion implantation apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3052436B2 (ja) | 2000-06-12 |
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