JPH01279560A - イオン処理装置 - Google Patents
イオン処理装置Info
- Publication number
- JPH01279560A JPH01279560A JP63107834A JP10783488A JPH01279560A JP H01279560 A JPH01279560 A JP H01279560A JP 63107834 A JP63107834 A JP 63107834A JP 10783488 A JP10783488 A JP 10783488A JP H01279560 A JPH01279560 A JP H01279560A
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- electrons
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- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 19
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 abstract description 11
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
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- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
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- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
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- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、例えばイオン注入装置のように、真空中で
ウェハにイオンビームを照射してそれにイオン注入等の
処理を施すイオン処理装置に関し、特にそのウェハの帯
電を防止する手段の改良に関する。
ウェハにイオンビームを照射してそれにイオン注入等の
処理を施すイオン処理装置に関し、特にそのウェハの帯
電を防止する手段の改良に関する。
第2図は、従来のイオン処理装置の一例を部分的に示す
図である。
図である。
この装置は、いわゆるメカニカルスキャン方式のもので
あり、基本的には、真空容器(図示省略)内で回転およ
び並進させられるディスク4の周縁部に装着された複数
枚のウェハ6にイオンビーム2を照射してそれにイオン
注入等の処理を施すよう構成されている。
あり、基本的には、真空容器(図示省略)内で回転およ
び並進させられるディスク4の周縁部に装着された複数
枚のウェハ6にイオンビーム2を照射してそれにイオン
注入等の処理を施すよう構成されている。
イオンビーム2の経路上には、ファラデー系を構成する
ものとして、イオンビーム2がディスク4等に当たった
際に放出される2次電子を受けてそれのアースへの逃げ
を防止するニュートラルカップ10および放出2次電子
の上流側への逃げを防止する負電位のサプレッサ電極8
がディスク4の手前側に、ディスク4が外に並進したと
きにそれの代わりにイオンビーム2を受けるキャッチプ
レート12がディスク4の後方側にそれぞれ設けられて
いる。
ものとして、イオンビーム2がディスク4等に当たった
際に放出される2次電子を受けてそれのアースへの逃げ
を防止するニュートラルカップ10および放出2次電子
の上流側への逃げを防止する負電位のサプレッサ電極8
がディスク4の手前側に、ディスク4が外に並進したと
きにそれの代わりにイオンビーム2を受けるキャッチプ
レート12がディスク4の後方側にそれぞれ設けられて
いる。
そしてディスク4、ニュートラルカップ10およびキャ
ッチプレート12は、互いに電気的に並列接続されて例
えばカレントインテグレータのような電流計測器26に
接続されており、それによってイオンビーム2のビーム
電流I、の計測を正確に行なえるようにしている。
ッチプレート12は、互いに電気的に並列接続されて例
えばカレントインテグレータのような電流計測器26に
接続されており、それによってイオンビーム2のビーム
電流I、の計測を正確に行なえるようにしている。
また、イオンビーム2の照射に伴ってウェハ6の表面が
、特に当該表面が絶縁物の場合、正に帯電して放電等の
不具合が発生するのを防止するために、ニュートラルカ
ップ10の側部に1次電子放出源を構成するフィラメン
ト14を設け、これから放出させた1次電子21をニュ
ートラルカップ10の対向面に当ててそこから2次電子
22を放出させ、即ちこの例ではニュートラルカップ1
0を2次電子放出源とし、そしてこの2次電子22をデ
ィスク4上のイオンビーム照射領域におけるウェハ6に
供給してその表面でのイオンビーム2による正電荷を中
和させるようにしている。16はフィラメント14の加
熱用のフィラメント電源、18は1次電子21の引出し
用の引出し電源である。
、特に当該表面が絶縁物の場合、正に帯電して放電等の
不具合が発生するのを防止するために、ニュートラルカ
ップ10の側部に1次電子放出源を構成するフィラメン
ト14を設け、これから放出させた1次電子21をニュ
ートラルカップ10の対向面に当ててそこから2次電子
22を放出させ、即ちこの例ではニュートラルカップ1
0を2次電子放出源とし、そしてこの2次電子22をデ
ィスク4上のイオンビーム照射領域におけるウェハ6に
供給してその表面でのイオンビーム2による正電荷を中
和させるようにしている。16はフィラメント14の加
熱用のフィラメント電源、18は1次電子21の引出し
用の引出し電源である。
その場合、図示のように、引出し電源18とニュートラ
ルカップ10間には1次電子21による1次電子電流I
1が、ニュートラルカップIOとディスク4間には2次
電子22による2次電子電流I2が、更にディスク4と
電流計測器26間に挿入した抵抗24にはビーム電流■
、と2次電子電流I2を合成したディスク電流I n(
−1、+ I z)がそれぞれ流れる。
ルカップ10間には1次電子21による1次電子電流I
1が、ニュートラルカップIOとディスク4間には2次
電子22による2次電子電流I2が、更にディスク4と
電流計測器26間に挿入した抵抗24にはビーム電流■
、と2次電子電流I2を合成したディスク電流I n(
−1、+ I z)がそれぞれ流れる。
更にこの例では、抵抗24の両端からそこを流れるディ
スク電流IDに対応する信号を制御装置28に取り込み
、この制御装置28によってフィラメント電源16を制
御してフィラメント14から放出する1次電子21の量
を制御し、それによってディスク電流■。が所定の設定
値A1になるようにしてウェハ6の帯電防止がより効果
的に行なえるようにしている。
スク電流IDに対応する信号を制御装置28に取り込み
、この制御装置28によってフィラメント電源16を制
御してフィラメント14から放出する1次電子21の量
を制御し、それによってディスク電流■。が所定の設定
値A1になるようにしてウェハ6の帯電防止がより効果
的に行なえるようにしている。
この設定値A、は、理論的には0で良いが、必ずしもそ
れに限られるものではなく、ユーザによっては0に近い
正または負の値が選ばれる場合もある。
れに限られるものではなく、ユーザによっては0に近い
正または負の値が選ばれる場合もある。
上記装置におけるディスク電流IDとフィラメントI4
に流すフィラメント電流11との関係は例えば第3図に
示すようなものであり、設定値A1は前述したように正
の場合もあれば負の場合もある。
に流すフィラメント電流11との関係は例えば第3図に
示すようなものであり、設定値A1は前述したように正
の場合もあれば負の場合もある。
所が、設定値A+が正の場合は、ディスク電流I、の値
(絶対値)が例えばそれよりも大きいとき(例えば点a
)は前記制御装置28はフィラメント電流I2を大きく
する方向にフィラメント電源16を制御する必要がある
のに対して、設定値A、が負の場合は、ディスク電流1
oの値(絶対値)がそれよりも大きいとき(例えば点b
)は制御装置28はフィラメント電流I、を小さくする
方向にフィラメント電源16を制御する必要がある。
(絶対値)が例えばそれよりも大きいとき(例えば点a
)は前記制御装置28はフィラメント電流I2を大きく
する方向にフィラメント電源16を制御する必要がある
のに対して、設定値A、が負の場合は、ディスク電流1
oの値(絶対値)がそれよりも大きいとき(例えば点b
)は制御装置28はフィラメント電流I、を小さくする
方向にフィラメント電源16を制御する必要がある。
即ち上記のような装置では、設定値A1の極正によって
フィラメント電流IFの制御方向が逆転することになる
ため、これを補正する回路等を制御装置28内に設ける
必要があり、そのため当該制御装置28が複雑になると
いう問題があった。
フィラメント電流IFの制御方向が逆転することになる
ため、これを補正する回路等を制御装置28内に設ける
必要があり、そのため当該制御装置28が複雑になると
いう問題があった。
そこでこの発明は、上記とは別の手段で1次電子放出源
にフィードバック制御をかけることによって、ディスク
上のウェハの帯電を効果的に防止することができると共
に、制御装置の面素化が図れるようにしたイオン処理装
置を提供することを目的とする。
にフィードバック制御をかけることによって、ディスク
上のウェハの帯電を効果的に防止することができると共
に、制御装置の面素化が図れるようにしたイオン処理装
置を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段]
この発明のイオン処理装置は、前記2次電子放出源とデ
ィスク間に流れる2次電子電流を計測する計測手段と、
それによって計測した2次電子電流が設定値になるよう
に、前記1次電子放出源を制御して放出1次電子量を制
御する制御装置とを設けたことを特徴とする。
ィスク間に流れる2次電子電流を計測する計測手段と、
それによって計測した2次電子電流が設定値になるよう
に、前記1次電子放出源を制御して放出1次電子量を制
御する制御装置とを設けたことを特徴とする。
〔作用〕
上記構成によれば、2次電子放出源とディスク間に流れ
る2次電子電流が設定値になるようにフィードバック制
御される。従ってこの設定値をディスクに入射されるイ
オンビームのビームtiに応じたものにすることにより
、ディスク上のウェハに供給する2次電子の量をそれに
照射するイオンビームの量に応じたものにすることがで
き、それによって当該ウェハの帯電を効果的に防止する
ことができる。しかもこの場合の2次電子電流やその設
定値の補正は変わらないので、制御装置内に従来例にお
けるような制御方向の逆転を補正する回路等を設ける必
要は無く、従って当該制御装置の簡素化を図ることがで
きる。
る2次電子電流が設定値になるようにフィードバック制
御される。従ってこの設定値をディスクに入射されるイ
オンビームのビームtiに応じたものにすることにより
、ディスク上のウェハに供給する2次電子の量をそれに
照射するイオンビームの量に応じたものにすることがで
き、それによって当該ウェハの帯電を効果的に防止する
ことができる。しかもこの場合の2次電子電流やその設
定値の補正は変わらないので、制御装置内に従来例にお
けるような制御方向の逆転を補正する回路等を設ける必
要は無く、従って当該制御装置の簡素化を図ることがで
きる。
第1図は、この発明の一実施例に係るイオン処理装置を
部分的に示す図である。第2図の例と同一または相当す
る部分には同一符号を付し、以下においては従来例との
相違点を主に説明する。
部分的に示す図である。第2図の例と同一または相当す
る部分には同一符号を付し、以下においては従来例との
相違点を主に説明する。
この実施例においては、前述したディスク4とキャッチ
プレート12を互いに電気的に並列に接続してそれらを
電流計測器26に接続すると共に、その接続部と2次電
子放出源としてのニュートラルカップ10間に、そこを
流れる2次電子電流Igを計測する計測手段としての抵
抗30を接続している。なお、引出し電源18の正側は
従来例と同様にニュートラルカップ10に接続している
。
プレート12を互いに電気的に並列に接続してそれらを
電流計測器26に接続すると共に、その接続部と2次電
子放出源としてのニュートラルカップ10間に、そこを
流れる2次電子電流Igを計測する計測手段としての抵
抗30を接続している。なお、引出し電源18の正側は
従来例と同様にニュートラルカップ10に接続している
。
上記のような構成にすると、引出し電源18とニュート
ラルカップ10間には従来例と同様に1次電子電流■、
が流れ、電流計測器26にはディスク4またはキャッチ
プレート12に入射されるイオンビーム2のビーム電流
Imが流れる。また抵抗30には、ニュートラルカップ
10から放出された2次電子22がディスク4またはキ
ャッチプレート12に入ることによって2次電子電流I
2が流れる。
ラルカップ10間には従来例と同様に1次電子電流■、
が流れ、電流計測器26にはディスク4またはキャッチ
プレート12に入射されるイオンビーム2のビーム電流
Imが流れる。また抵抗30には、ニュートラルカップ
10から放出された2次電子22がディスク4またはキ
ャッチプレート12に入ることによって2次電子電流I
2が流れる。
更にこの例では、抵抗30の両端からそこを流れる2次
電子電流I2に対応する信号を制御装置32に取り込み
、この制御装置32によってフィラメント電源16を制
御してフィラメント14から放出する1次電子21の量
を制御し、それによって前記2次電子電流■2が所定の
設定値Atになるように制御するようにしている。
電子電流I2に対応する信号を制御装置32に取り込み
、この制御装置32によってフィラメント電源16を制
御してフィラメント14から放出する1次電子21の量
を制御し、それによって前記2次電子電流■2が所定の
設定値Atになるように制御するようにしている。
上記構成によれば、2次電子電流I2が設定値Azにな
るようにフィードバック制御される。従ってこの設定値
A2を、ディスク4等に入射されるイオンビーム2のビ
ーム電流■、に応じたもの、例えば当該ビーム電流■8
と等しいかそれより幾らか大または小のものにすること
により、ディスク4上のウェハ6に供給する2次電子2
2の量をそれに照射するイオンビーム2の量に応じたも
のにすることができ、それによって当8亥ウェハ6の帯
電を効果的に防止することができる。
るようにフィードバック制御される。従ってこの設定値
A2を、ディスク4等に入射されるイオンビーム2のビ
ーム電流■、に応じたもの、例えば当該ビーム電流■8
と等しいかそれより幾らか大または小のものにすること
により、ディスク4上のウェハ6に供給する2次電子2
2の量をそれに照射するイオンビーム2の量に応じたも
のにすることができ、それによって当8亥ウェハ6の帯
電を効果的に防止することができる。
しかもこの場合の2次電子電流I2やその設定値A2の
補正は変わらないので、制御装置32内に前述した従来
例におけるようなフィラメント電流I、の制御方向の逆
転を補正する回路等を設ける必要は無く、従って当該制
御装置32の簡素化を図ることができる。
補正は変わらないので、制御装置32内に前述した従来
例におけるようなフィラメント電流I、の制御方向の逆
転を補正する回路等を設ける必要は無く、従って当該制
御装置32の簡素化を図ることができる。
更にこの実施例では、ディスク4とキャッチプレート1
2を互いに電気的に並列接続しているため、ディスク4
が並進しても抵抗30に流れる2次電子電流I2の変化
が殆ど無いため、上記のような制御が楽であり、従って
この点からも制御装置32を簡素化することができる。
2を互いに電気的に並列接続しているため、ディスク4
が並進しても抵抗30に流れる2次電子電流I2の変化
が殆ど無いため、上記のような制御が楽であり、従って
この点からも制御装置32を簡素化することができる。
以上のようにこの発明によれば、2次電子放出源とディ
スク間に流れる2次電子電流が設定値になるようにフィ
ードバック制御するようにしたので、ディスク上のウェ
ハの帯電を効果的に防止することができると共に、制御
装置の簡素化を図ることができる。
スク間に流れる2次電子電流が設定値になるようにフィ
ードバック制御するようにしたので、ディスク上のウェ
ハの帯電を効果的に防止することができると共に、制御
装置の簡素化を図ることができる。
第1図は、この発明の一実施例に係るイオン処理装置を
部分的に示す図である。第2図は、従来のイオン処理装
置の一例を部分的に示す図である。 第3図は、第2図の装置におけるディスク電流とフィラ
メント電流との関係の一例を示す図である。 2・・・イオンビーム、4・・・ディスク、6・・・ウ
ェハ、10・・・ニュートラルカップ、14・・・フィ
ラメント、16・・・ フィラメント電源、30・・・
抵抗、32・・・制御装置。 第1図 第2図 第6図
部分的に示す図である。第2図は、従来のイオン処理装
置の一例を部分的に示す図である。 第3図は、第2図の装置におけるディスク電流とフィラ
メント電流との関係の一例を示す図である。 2・・・イオンビーム、4・・・ディスク、6・・・ウ
ェハ、10・・・ニュートラルカップ、14・・・フィ
ラメント、16・・・ フィラメント電源、30・・・
抵抗、32・・・制御装置。 第1図 第2図 第6図
Claims (1)
- (1)真空容器内で回転および並進させられるディスク
に装着されたウェハにイオンビームを照射して当該ウェ
ハを処理する装置であって、1次電子を放出する1次電
子放出源と、この1次電子を受けて2次電子を放出する
2次電子放出源とを備え、この2次電子をイオンビーム
照射領域におけるウェハに供給するようにしたものにお
いて、前記2次電子放出源とディスク間に流れる2次電
子電流を計測する計測手段と、それによって計測した2
次電子電流が設定値になるように、前記1次電子放出源
を制御して放出1次電子量を制御する制御装置とを設け
たことを特徴とするイオン処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63107834A JPH01279560A (ja) | 1988-04-30 | 1988-04-30 | イオン処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63107834A JPH01279560A (ja) | 1988-04-30 | 1988-04-30 | イオン処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01279560A true JPH01279560A (ja) | 1989-11-09 |
Family
ID=14469223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63107834A Pending JPH01279560A (ja) | 1988-04-30 | 1988-04-30 | イオン処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01279560A (ja) |
-
1988
- 1988-04-30 JP JP63107834A patent/JPH01279560A/ja active Pending
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