JPH04357825A - 有機金属気相成長装置 - Google Patents
有機金属気相成長装置Info
- Publication number
- JPH04357825A JPH04357825A JP15974691A JP15974691A JPH04357825A JP H04357825 A JPH04357825 A JP H04357825A JP 15974691 A JP15974691 A JP 15974691A JP 15974691 A JP15974691 A JP 15974691A JP H04357825 A JPH04357825 A JP H04357825A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- holder
- wafer
- inner tube
- reactor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体等の結晶の気相成
長に用いる有機金属気相成長装置に関するもので、サセ
プタに装着した複数のウェハ上でのガスの流れをそれぞ
れ一定となるようにしたものである。
長に用いる有機金属気相成長装置に関するもので、サセ
プタに装着した複数のウェハ上でのガスの流れをそれぞ
れ一定となるようにしたものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体結晶等の気相成長には、従来図３
に示すように複数のウェハ（１） を装着した角錐台形
状のサセプタ（２） をホルダー（３） 上に一体に取
付け、これをリアクタ（４） 内の該リアクタの軸に沿
って立設した回転シャフト（６） の上端に設置した装
置が用いられている。 なお図において（５） は原料ガスとキャリアガスの導
入口を示す。このように多数枚のウェハ成長用のサセプ
タを有する気相成長装置においては、シャフトに対して
リアクタやサセプタホルダーは別々の部品からなり、こ
れらを組み立てる構造となっている。
に示すように複数のウェハ（１） を装着した角錐台形
状のサセプタ（２） をホルダー（３） 上に一体に取
付け、これをリアクタ（４） 内の該リアクタの軸に沿
って立設した回転シャフト（６） の上端に設置した装
置が用いられている。 なお図において（５） は原料ガスとキャリアガスの導
入口を示す。このように多数枚のウェハ成長用のサセプ
タを有する気相成長装置においては、シャフトに対して
リアクタやサセプタホルダーは別々の部品からなり、こ
れらを組み立てる構造となっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のように従来装置
は個々に別々の部品からなるため、組み立てる際にリア
クタの軸とサセプタホルダーの軸即ちサセプタの軸とが
傾くことが多かった。このように両者が傾くと角錐台サ
セプタとリアクタ内壁との間隔や両者の相対的な角度が
、サセプタのウェハを装着した各側面で異なってくる。 その結果サセプタとリアクタ内壁との間のガス流が装着
したウェハの位置によりそれぞれ違ってきてしまう。そ
のため図４に示すようにサセプタ（２） 上のウェハ（
１） 面の周囲に形成されるガスのよどみ層（７） の
厚さはそれぞれのウェハ（１） により差異を生じてし
まい、その差異はシャフト（６） を回転しても打ち消
すことができない。その結果ウェハの位置により成長結
晶に厚みの不均一が発生してしまい問題となっていた。
は個々に別々の部品からなるため、組み立てる際にリア
クタの軸とサセプタホルダーの軸即ちサセプタの軸とが
傾くことが多かった。このように両者が傾くと角錐台サ
セプタとリアクタ内壁との間隔や両者の相対的な角度が
、サセプタのウェハを装着した各側面で異なってくる。 その結果サセプタとリアクタ内壁との間のガス流が装着
したウェハの位置によりそれぞれ違ってきてしまう。そ
のため図４に示すようにサセプタ（２） 上のウェハ（
１） 面の周囲に形成されるガスのよどみ層（７） の
厚さはそれぞれのウェハ（１） により差異を生じてし
まい、その差異はシャフト（６） を回転しても打ち消
すことができない。その結果ウェハの位置により成長結
晶に厚みの不均一が発生してしまい問題となっていた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明はこれに鑑み種々
検討の結果、サセプタの各側面とリアクタ内壁との間隔
やそれらの相対的な角度が位置によって異なっても、各
ウェハ上でのガスの流れが均一となるような有機金属気
相成長装置を開発したものである。
検討の結果、サセプタの各側面とリアクタ内壁との間隔
やそれらの相対的な角度が位置によって異なっても、各
ウェハ上でのガスの流れが均一となるような有機金属気
相成長装置を開発したものである。
【０００５】即ち本発明は、上記の気相成長装置におい
て、サセプタホルダーに円筒形状のインナーチューブを
一体に設けたことを特徴とするものである。
て、サセプタホルダーに円筒形状のインナーチューブを
一体に設けたことを特徴とするものである。
【０００６】
【作用】このように円筒形状のインナーチューブの中央
にサセプタホルダーを、両者の軸を一致させて、一体に
設けることにより、サセプタ及びインナーチューブの相
対位置が固定されるので、サセプタ、サセプタホルダー
及びインナーチューブの製造精度の範囲内でウェハの傾
斜角度やウェハとインナーチューブとの間隔が各ウェハ
間で一定となる。その結果インナーチューブ内側でのガ
スの流れは各ウェハ上で等しくなり、形成されるガスの
よどみ層が各ウェハ上で等しく一定となるので、それぞ
れのウェハ上で均一な薄膜結晶を形成することができる
。
にサセプタホルダーを、両者の軸を一致させて、一体に
設けることにより、サセプタ及びインナーチューブの相
対位置が固定されるので、サセプタ、サセプタホルダー
及びインナーチューブの製造精度の範囲内でウェハの傾
斜角度やウェハとインナーチューブとの間隔が各ウェハ
間で一定となる。その結果インナーチューブ内側でのガ
スの流れは各ウェハ上で等しくなり、形成されるガスの
よどみ層が各ウェハ上で等しく一定となるので、それぞ
れのウェハ上で均一な薄膜結晶を形成することができる
。
【０００７】
【実施例】以下本発明を実施例について説明する。図１
に示すようにサセプタホルダー（３） の下方に延設し
た下軸から４方に支持腕（９） を一体に設け、さらに
これら支持腕（９） の先端に円筒形状のインナーチュ
ーブ（８） を固定した。そしてウェハ（１） を各側
面に装着した角錐台形状のサセプタ（２） を上記ホル
ダー（３） 上に固定し、その後リアクタ（４） 内の
回転シャフト（６） 上端に上記ホルダー（３）の下軸
を装着した。
に示すようにサセプタホルダー（３） の下方に延設し
た下軸から４方に支持腕（９） を一体に設け、さらに
これら支持腕（９） の先端に円筒形状のインナーチュ
ーブ（８） を固定した。そしてウェハ（１） を各側
面に装着した角錐台形状のサセプタ（２） を上記ホル
ダー（３） 上に固定し、その後リアクタ（４） 内の
回転シャフト（６） 上端に上記ホルダー（３）の下軸
を装着した。
【０００８】以上のように組み立てた装置によれば、た
とえ回転シャフト（６） とサセプタホルダー（３）
が傾いて取り付けられたとしても、インナーチューブ（
８） の内側でのガスの流れはその傾きに沿って平行に
流れ、しかもインナーチューブ（８） とサセプタ（２
） との相対位置は固定されているためインナーチュー
ブ（８） 内壁と各ウェハ（１） との角度及び両者の
間隔には変化がなく、従って各ウェハ（１） 上でのガ
スの流れは互いに等しくなる。
とえ回転シャフト（６） とサセプタホルダー（３）
が傾いて取り付けられたとしても、インナーチューブ（
８） の内側でのガスの流れはその傾きに沿って平行に
流れ、しかもインナーチューブ（８） とサセプタ（２
） との相対位置は固定されているためインナーチュー
ブ（８） 内壁と各ウェハ（１） との角度及び両者の
間隔には変化がなく、従って各ウェハ（１） 上でのガ
スの流れは互いに等しくなる。
【０００９】そこで図２に示すようにシャフト（６）
にサセプタホルダー（３） を傾けて取付け、ガス導入
口より原料ガスとキャリアガスを導入してウェハ（１）
上に半導体薄膜結晶を成長させた。その結果サセプタ
（２） 上の各ウェハ（１） にはそれぞれ均一な厚さ
の薄膜を成長させることができた。
にサセプタホルダー（３） を傾けて取付け、ガス導入
口より原料ガスとキャリアガスを導入してウェハ（１）
上に半導体薄膜結晶を成長させた。その結果サセプタ
（２） 上の各ウェハ（１） にはそれぞれ均一な厚さ
の薄膜を成長させることができた。
【００１０】
【発明の効果】このように本発明によれば、インナーチ
ューブ内側でのガスの流れがサセプタの各側面に装着し
た各ウェハ上で均一一定となり、従ってウェハ周囲に形
成されるよどみ層も一定となるので各ウェハに均一な厚
さの薄膜を作製することができ、さらに各ウェハ間でキ
ャリア密度の均一性を向上させることができる等工業上
顕著な効果を奏する。
ューブ内側でのガスの流れがサセプタの各側面に装着し
た各ウェハ上で均一一定となり、従ってウェハ周囲に形
成されるよどみ層も一定となるので各ウェハに均一な厚
さの薄膜を作製することができ、さらに各ウェハ間でキ
ャリア密度の均一性を向上させることができる等工業上
顕著な効果を奏する。
【図１】本発明装置の一実施例を示す説明図である。
【図２】本発明装置においてサセプタ及びインナーチュ
ーブの傾いた状態を示す説明図である。
ーブの傾いた状態を示す説明図である。
【図３】従来装置を示す説明図である。
【図４】従来装置においてサセプタの傾いた状態を示す
説明図である。
説明図である。
１ ウェハ
２ サセプタ
３ サセプタホルダー
４ リアクタ
５ ガス導入口
６ 回転シャフト
７ よどみ層
８ インナーチューブ
９ 支持腕
Claims (1)
- 【請求項１】 リアクタ内部にその軸方向に沿って回
転シャフトを設け、複数のウェハを各側面に装着した角
錐台形状のサセプタを一体に設けたサセプタホルダーを
上記回転シャフト上端に取付け、上記サセプタを加熱し
ながらリアクタ内に原料ガスを流入してウェハ上に結晶
を気相成長させる装置において、サセプタホルダーに円
筒形状のインナーチューブを一体に設けたことを特徴と
する有機金属気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15974691A JPH04357825A (ja) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | 有機金属気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15974691A JPH04357825A (ja) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | 有機金属気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04357825A true JPH04357825A (ja) | 1992-12-10 |
Family
ID=15700368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15974691A Pending JPH04357825A (ja) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | 有機金属気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04357825A (ja) |
-
1991
- 1991-06-04 JP JP15974691A patent/JPH04357825A/ja active Pending
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