JPH0653142A - 半導体薄膜気相成長装置 - Google Patents
半導体薄膜気相成長装置Info
- Publication number
- JPH0653142A JPH0653142A JP22192092A JP22192092A JPH0653142A JP H0653142 A JPH0653142 A JP H0653142A JP 22192092 A JP22192092 A JP 22192092A JP 22192092 A JP22192092 A JP 22192092A JP H0653142 A JPH0653142 A JP H0653142A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- susceptor
- wafer
- semiconductor thin
- vapor phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 バレル型半導体薄膜気相成長装置において、
ウエハに成長する薄膜の膜厚を均一化する。 【構成】 円筒状リアクタ（３）内に、側面に半導体薄
膜を気相成長させるウエハを装着した角錐台型サセプタ
（１）を設けて、該サセプタを縦軸の回りに回転し、且
つ各ウエハを、装着した側面内でそれぞれ自転させ、さ
らにリアクタの上端部より下端部に向って原料ガスを流
す自公転型の薄膜気相成長装置において、サセプタ
（１）のウエハ（２）装着位置から下部をガス流路断面
積が増加するように該サセプタ側面に面取（４）を加え
る。
ウエハに成長する薄膜の膜厚を均一化する。 【構成】 円筒状リアクタ（３）内に、側面に半導体薄
膜を気相成長させるウエハを装着した角錐台型サセプタ
（１）を設けて、該サセプタを縦軸の回りに回転し、且
つ各ウエハを、装着した側面内でそれぞれ自転させ、さ
らにリアクタの上端部より下端部に向って原料ガスを流
す自公転型の薄膜気相成長装置において、サセプタ
（１）のウエハ（２）装着位置から下部をガス流路断面
積が増加するように該サセプタ側面に面取（４）を加え
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体薄膜気相成長装置
に関するもので、成長する薄膜の膜厚を均一化したもの
である。
に関するもので、成長する薄膜の膜厚を均一化したもの
である。
【０００２】
【従来の技術】円筒状リアクタ内にウエハ装着用の角錐
台型サセプタを設けて、半導体薄膜を気相成長させる装
置（バレル型気相成長装置）において、最近図５に示す
ようにサセプタ（１）全体が回転するとともにウエハ
（２）の乗ったトレーも回転する自公転機構が用いられ
ている。尚図において（３）はリアクタを示す。
台型サセプタを設けて、半導体薄膜を気相成長させる装
置（バレル型気相成長装置）において、最近図５に示す
ようにサセプタ（１）全体が回転するとともにウエハ
（２）の乗ったトレーも回転する自公転機構が用いられ
ている。尚図において（３）はリアクタを示す。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで円筒状リアク
タ内に角錐台型サセプタを設けた装置においては、サセ
プタの回転のみで薄膜を成長させると、膜厚分布は図６
（ａ）に示すように縦方向は単調増加（減少）である
が、図６（ｂ）に示すように横方向はサセプタの角影響
を受け、極小値をもったＵ字に近い形となる。これにウ
エハに自転を加えることにより上記縦方向の分布は打ち
消されるが、上記横方向のＵ字は残ってしまい、ウエハ
全体として中央がへこんだ膜厚分布となり、膜厚の均一
性が良好ではなかった。
タ内に角錐台型サセプタを設けた装置においては、サセ
プタの回転のみで薄膜を成長させると、膜厚分布は図６
（ａ）に示すように縦方向は単調増加（減少）である
が、図６（ｂ）に示すように横方向はサセプタの角影響
を受け、極小値をもったＵ字に近い形となる。これにウ
エハに自転を加えることにより上記縦方向の分布は打ち
消されるが、上記横方向のＵ字は残ってしまい、ウエハ
全体として中央がへこんだ膜厚分布となり、膜厚の均一
性が良好ではなかった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明はこれに鑑み種々
検討の結果、成長する膜厚を均一化することができる半
導体薄膜気相成長装置を開発したものである。即ち本発
明は、円筒状リアクタ内に、側面に半導体薄膜を気相成
長させるウエハを装着した角錐台型サセプタを設けて、
該サセプタを縦軸の回りに回転し、且つ各ウエハを装着
した側面内でそれぞれ自転させ、さらにリアクタ内の上
端部より下端部に向って原料ガスを流す自公転型の薄膜
気相成長装置において、サセプタのウエハ装着位置から
下部を、ガス流路断面積が増加するように該サセプタ側
面に面取を加えたことを特徴とするものである。
検討の結果、成長する膜厚を均一化することができる半
導体薄膜気相成長装置を開発したものである。即ち本発
明は、円筒状リアクタ内に、側面に半導体薄膜を気相成
長させるウエハを装着した角錐台型サセプタを設けて、
該サセプタを縦軸の回りに回転し、且つ各ウエハを装着
した側面内でそれぞれ自転させ、さらにリアクタ内の上
端部より下端部に向って原料ガスを流す自公転型の薄膜
気相成長装置において、サセプタのウエハ装着位置から
下部を、ガス流路断面積が増加するように該サセプタ側
面に面取を加えたことを特徴とするものである。
【０００５】
【作用】図６に示す従来の角錐台型サセプタ（１）のウ
エハ（２）装着位置から下端部にかけて、図１に示すよ
うに該サセプタの角部を取り除いて逆円錐状曲面（４）
となるように次第に深く面取りを入れ、下方に向けて小
さくなってゆく形状とすることにより、サセプタの上部
位置と下部位置とでリアクタ内壁面とサセプタ側面とで
形成されるガス流路断面積が図２に示すようにウエハ中
央部に対して上下が共に大きいほぼ対称の湾曲形状とな
る。したがってガスの流速は図３に示すように流路断面
積の小さい場所で極大な対称形となり、成長速度を決め
るよどみ層の厚さも上下対称となり、その結果サセプタ
の回転（公転）のみでは膜厚は図４に示すように上下方
向に見ると中央で厚い対称な形状となる。そしてこれに
ウエハの自転を加えると、成長膜厚の分布は図４の上下
方向での凸形状と図７（ｂ）に示すような凹形状が打ち
消しあい、より均一な膜厚をもつ薄膜とすることができ
る。
エハ（２）装着位置から下端部にかけて、図１に示すよ
うに該サセプタの角部を取り除いて逆円錐状曲面（４）
となるように次第に深く面取りを入れ、下方に向けて小
さくなってゆく形状とすることにより、サセプタの上部
位置と下部位置とでリアクタ内壁面とサセプタ側面とで
形成されるガス流路断面積が図２に示すようにウエハ中
央部に対して上下が共に大きいほぼ対称の湾曲形状とな
る。したがってガスの流速は図３に示すように流路断面
積の小さい場所で極大な対称形となり、成長速度を決め
るよどみ層の厚さも上下対称となり、その結果サセプタ
の回転（公転）のみでは膜厚は図４に示すように上下方
向に見ると中央で厚い対称な形状となる。そしてこれに
ウエハの自転を加えると、成長膜厚の分布は図４の上下
方向での凸形状と図７（ｂ）に示すような凹形状が打ち
消しあい、より均一な膜厚をもつ薄膜とすることができ
る。
【０００６】
【実施例】以下本発明を実施例について説明する。円筒
状リアクタ内にウエハ装着用の角錐台型サセプタを設け
て半導体薄膜を気相成長させる装置において、サセプタ
に図１に示すようにサセプタ（１）のウエハ（２）装着
位置から下部の側面を逆円錐状曲面（４）となるよう
に、即ち、ウエハ装着位置から下方へ向うほどガス流路
断面積を増加するように面取を加えた。
状リアクタ内にウエハ装着用の角錐台型サセプタを設け
て半導体薄膜を気相成長させる装置において、サセプタ
に図１に示すようにサセプタ（１）のウエハ（２）装着
位置から下部の側面を逆円錐状曲面（４）となるよう
に、即ち、ウエハ装着位置から下方へ向うほどガス流路
断面積を増加するように面取を加えた。
【０００７】このようにしてサセプタにウエハを取付
け、ウエハ（２）を自転させながらサセプタ（１）を公
転させてリアクタ（３）内に原料ガスを導入し、ウエハ
上に半導体薄膜を気相成長させた。半導体薄膜を気相成
長させたウエハを取り外し、これについて膜厚分布を調
べた。その結果上下方向、左右方向ともに均一な膜厚を
もつ薄膜を得ることができた。
け、ウエハ（２）を自転させながらサセプタ（１）を公
転させてリアクタ（３）内に原料ガスを導入し、ウエハ
上に半導体薄膜を気相成長させた。半導体薄膜を気相成
長させたウエハを取り外し、これについて膜厚分布を調
べた。その結果上下方向、左右方向ともに均一な膜厚を
もつ薄膜を得ることができた。
【０００８】
【発明の効果】このように本発明によれば、バレル型の
半導体薄膜気相成長装置においてより均一な膜厚の薄膜
を得ることができるもので、工業上顕著な効果を奏す
る。
半導体薄膜気相成長装置においてより均一な膜厚の薄膜
を得ることができるもので、工業上顕著な効果を奏す
る。
【図１】本発明装置の一例を示す説明図である。
【図２】本発明装置のリアクタ内の上下方向のガス流路
断面積を示す説明図である。
断面積を示す説明図である。
【図３】本発明装置のリアクタ内の上下方向のガス流速
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図４】本発明装置によりウエハを回転（自転）させな
い場合の成長する薄膜の上下方向の膜厚分布を示す説明
図である。
い場合の成長する薄膜の上下方向の膜厚分布を示す説明
図である。
【図５】従来のバレル型半導体薄膜気相成長装置の一例
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図６】従来装置でウエハを回転（自転）させないとき
にウエハ上に成長する薄膜の膜厚分布を示すもので、
（ａ）は上下方向の説明図、（ｂ）は左右方向の説明図
である。
にウエハ上に成長する薄膜の膜厚分布を示すもので、
（ａ）は上下方向の説明図、（ｂ）は左右方向の説明図
である。
１ サセプタ ２ ウエハ ３ リアクタ ４ 逆円錐状曲面（面取り）
Claims (1)
- 【請求項１】 円筒状リアクタ内に、側面に半導体薄膜
を気相成長させるウエハを装着した角錐台型サセプタを
設けて、該サセプタを縦軸の回りに回転し、且つ各ウエ
ハを、装着した側面内でそれぞれ自転させ、さらにリア
クタ内の上端部より下端部に向って原料ガスを流す自公
転型の薄膜気相成長装置において、サセプタのウエハ装
着位置から下部をガス流路断面積が増加するように該サ
セプタ側面に面取を加えたことを特徴とする半導体薄膜
気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22192092A JPH0653142A (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 半導体薄膜気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22192092A JPH0653142A (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 半導体薄膜気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0653142A true JPH0653142A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=16774233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22192092A Pending JPH0653142A (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 半導体薄膜気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0653142A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5558721A (en) * | 1993-11-15 | 1996-09-24 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Vapor phase growth system and a gas-drive motor |
| US8951347B2 (en) * | 2008-11-14 | 2015-02-10 | Tokyo Electron Limited | Film deposition apparatus |
-
1992
- 1992-07-29 JP JP22192092A patent/JPH0653142A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5558721A (en) * | 1993-11-15 | 1996-09-24 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Vapor phase growth system and a gas-drive motor |
| US8951347B2 (en) * | 2008-11-14 | 2015-02-10 | Tokyo Electron Limited | Film deposition apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US12610792B2 (en) | Chamfered silicon carbide substrate and method of chamfering | |
| TWI711114B (zh) | 晶座、磊晶成長裝置、磊晶矽晶圓的製造方法以及磊晶矽晶圓 | |
| CN213538160U (zh) | 在晶圆的正面上沉积外延层的装置 | |
| JPH06112127A (ja) | シリンダー型エピタキシャル層成長装置 | |
| JPH0653142A (ja) | 半導体薄膜気相成長装置 | |
| JP7628868B2 (ja) | サセプタ | |
| JPS6090894A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH06349748A (ja) | 半導体気相成長装置 | |
| JPH0232781B2 (ja) | ||
| JPS6252200A (ja) | 気相エピタキシヤル成長装置 | |
| JPS6316617A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH06291066A (ja) | 半導体気相成長装置 | |
| JPH04357825A (ja) | 有機金属気相成長装置 | |
| JPH0653150A (ja) | 半導体薄膜気相成長方法 | |
| JP2002261023A (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JPH0544178B2 (ja) | ||
| JP2530579Y2 (ja) | 気相成長用反応管 | |
| JPS60115219A (ja) | 薄膜形成装置用蒸発源セル | |
| JPS61271817A (ja) | 分子線エピタキシ−装置 | |
| Hergt et al. | Experimental evidence for a step growth mechanism of garnet LPE films | |
| JPH04127643U (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH0385724A (ja) | 半導体気相成長方法およびその装置 | |
| JP2804959B2 (ja) | Ш−ｖ族化合物半導体のエピタキシャル成長方法 | |
| JPS626681Y2 (ja) | ||
| JP2775837B2 (ja) | 化学気相成長装置 |