JPH04359436A - 樹脂封止形半導体装置成形用モールド金型 - Google Patents
樹脂封止形半導体装置成形用モールド金型Info
- Publication number
- JPH04359436A JPH04359436A JP13403391A JP13403391A JPH04359436A JP H04359436 A JPH04359436 A JP H04359436A JP 13403391 A JP13403391 A JP 13403391A JP 13403391 A JP13403391 A JP 13403391A JP H04359436 A JPH04359436 A JP H04359436A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- resin
- runner
- cavity
- gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体ペレットを封止
する樹脂封止形半導体装置成形用モールド金型に関する
。
する樹脂封止形半導体装置成形用モールド金型に関する
。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の樹脂封止形半導体装置成形
用モールド金型（以下モールド金型と略す）の概略を示
す平面図、図４は図３のＩＶ−ＩＶ線での断面図である
。これらの図において上型１にランナー３とキャビティ
４を結ぶゲート５を設ける。ゲート５はゲート幅６，ゲ
ート深さ７，入射角α，サブランナーの深さ９ａで構成
される。このゲート５を通して各キャビティに樹脂は入
る。 半導体ペレットが組み立てられたリードフレーム１０を
下型２に載置し、上型と下型を合わせて締め着けた後に
樹脂を注入点１１から矢印の方向に供給して該半導体ペ
レットを封止するようになっている。
用モールド金型（以下モールド金型と略す）の概略を示
す平面図、図４は図３のＩＶ−ＩＶ線での断面図である
。これらの図において上型１にランナー３とキャビティ
４を結ぶゲート５を設ける。ゲート５はゲート幅６，ゲ
ート深さ７，入射角α，サブランナーの深さ９ａで構成
される。このゲート５を通して各キャビティに樹脂は入
る。 半導体ペレットが組み立てられたリードフレーム１０を
下型２に載置し、上型と下型を合わせて締め着けた後に
樹脂を注入点１１から矢印の方向に供給して該半導体ペ
レットを封止するようになっている。
【０００３】ランナー３からの樹脂はゲート５を通りキ
ャビティ４に注入されるものであるがゲート幅６，ゲー
ト深さ７，入射角α，サブランナーの深さ９ａが全キャ
ビティで同一の寸法であったため、注入点１１に遠い程
、近い所に比べキャビティ４への注入時間がかかり、ま
たモールド金型は熱硬化性樹脂を用いるため、流入速度
にも変化がでていた。
ャビティ４に注入されるものであるがゲート幅６，ゲー
ト深さ７，入射角α，サブランナーの深さ９ａが全キャ
ビティで同一の寸法であったため、注入点１１に遠い程
、近い所に比べキャビティ４への注入時間がかかり、ま
たモールド金型は熱硬化性樹脂を用いるため、流入速度
にも変化がでていた。
【０００４】これに鑑み全キャビティが同時に充填され
るようにゲート幅６，ゲート深さ７，入射角αを変化さ
せたもの、更に、他の従来の技術として図５に示す如く
サブランナー９のランナー３に対する角度θを順次変化
させたもの（実開昭６１−１９６００９号参照）、ある
いは図６に示す如くサブランナーの長さを注入点１１か
ら遠くなるにつれて短くしたもの（実開昭６３−１５７
９３２号参照）があるが、ゲートブレーク性（製品の離
型性）の問題、及びモールド金型の製作が困難であった
。
るようにゲート幅６，ゲート深さ７，入射角αを変化さ
せたもの、更に、他の従来の技術として図５に示す如く
サブランナー９のランナー３に対する角度θを順次変化
させたもの（実開昭６１−１９６００９号参照）、ある
いは図６に示す如くサブランナーの長さを注入点１１か
ら遠くなるにつれて短くしたもの（実開昭６３−１５７
９３２号参照）があるが、ゲートブレーク性（製品の離
型性）の問題、及びモールド金型の製作が困難であった
。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】特に図３および図４に
示す従来のモールド金型ではゲートブレーク性は良いが
、早く充填が終了したキャビティでは樹脂が滞留するの
でモールド金型全体の充填が終了し最終的に注入圧力が
かかる前にゲート部が固化し、キャビティ内に圧力が伝
播せず、キャビティ内に残留した気泡をつぶすことがで
きない（ボイド不良）、及び下流側に位置するキャビテ
ィでは同時刻に充填されているキャビティ数が次第に減
少していくので、キャビティ内を流れる樹脂の流速が大
きくなる。加えて硬化反応の進行で樹脂の粘度が上昇し
ているので金線が大きな抗力を受けて変形する（金線変
形不良）。
示す従来のモールド金型ではゲートブレーク性は良いが
、早く充填が終了したキャビティでは樹脂が滞留するの
でモールド金型全体の充填が終了し最終的に注入圧力が
かかる前にゲート部が固化し、キャビティ内に圧力が伝
播せず、キャビティ内に残留した気泡をつぶすことがで
きない（ボイド不良）、及び下流側に位置するキャビテ
ィでは同時刻に充填されているキャビティ数が次第に減
少していくので、キャビティ内を流れる樹脂の流速が大
きくなる。加えて硬化反応の進行で樹脂の粘度が上昇し
ているので金線が大きな抗力を受けて変形する（金線変
形不良）。
【０００６】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、製作が容易でしかもボイド不良
、金線変形不良を発生させないモールド金型を得ること
を目的とする。
ためになされたもので、製作が容易でしかもボイド不良
、金線変形不良を発生させないモールド金型を得ること
を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係るモールド
金型は各キャビティ毎にサブランナーの深さを樹脂の注
入点から遠くなるに従って深くすることにより全キャビ
ティを同時充填させ、キャビティ内への注入時間，注入
速度を一定にしたものである。
金型は各キャビティ毎にサブランナーの深さを樹脂の注
入点から遠くなるに従って深くすることにより全キャビ
ティを同時充填させ、キャビティ内への注入時間，注入
速度を一定にしたものである。
【０００８】
【作用】この発明におけるモールド金型は、全キャビテ
ィが同時充填されることによりキャビティ内への注入時
間，注入速度が一定になり、ボイド不良，金線変形不良
を発生させないものである。またゲート幅，ゲート深さ
，入射角を変化させないので容易に加工ができ、ゲート
ブレーク性も最良にできる。
ィが同時充填されることによりキャビティ内への注入時
間，注入速度が一定になり、ボイド不良，金線変形不良
を発生させないものである。またゲート幅，ゲート深さ
，入射角を変化させないので容易に加工ができ、ゲート
ブレーク性も最良にできる。
【０００９】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１はゲート部を示す平面図、図２は図１のＩＩ
−ＩＩ線での断面図である。上型１にランナー３とキャ
ビティ４を結ぶゲート幅６，ゲート深さ７，入射角α，
サブランナー９で構成されるゲート５を設け、各キャビ
ティ毎にサブランナーの深さ９ａを樹脂の注入点から遠
くなるに従って９ａ′の如く深くする。
する。図１はゲート部を示す平面図、図２は図１のＩＩ
−ＩＩ線での断面図である。上型１にランナー３とキャ
ビティ４を結ぶゲート幅６，ゲート深さ７，入射角α，
サブランナー９で構成されるゲート５を設け、各キャビ
ティ毎にサブランナーの深さ９ａを樹脂の注入点から遠
くなるに従って９ａ′の如く深くする。
【００１０】ランナー３からの樹脂は、ゲート５を通り
、キャビティ４に注入されるものであるが、サブランナ
ーの深さ９ａを各キャビティ毎に樹脂の注入点から遠く
なるに従って深くするため、注入点１１からの距離にか
かわらず、キャビティ４への注入時間及び注入速度を一
定にすることができ、全キャビティが同時に充填される
。
、キャビティ４に注入されるものであるが、サブランナ
ーの深さ９ａを各キャビティ毎に樹脂の注入点から遠く
なるに従って深くするため、注入点１１からの距離にか
かわらず、キャビティ４への注入時間及び注入速度を一
定にすることができ、全キャビティが同時に充填される
。
【００１１】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば全キャ
ビティに同時に充填するため注入圧力が全キャビティに
均一にかかり、キャビティ内に残留する気泡をつぶすこ
とができる。及び全キャビティに同時に充填するため、
キャビティ内を流れる樹脂の流速が一定に保たれ、硬化
反応の進行で樹脂の粘度が上昇しても金線に大きな抗力
を受けることはなくなる。またゲート幅６，入射角αは
変更しないのでゲートブレーク性を最良に設定でき量産
性が良い。
ビティに同時に充填するため注入圧力が全キャビティに
均一にかかり、キャビティ内に残留する気泡をつぶすこ
とができる。及び全キャビティに同時に充填するため、
キャビティ内を流れる樹脂の流速が一定に保たれ、硬化
反応の進行で樹脂の粘度が上昇しても金線に大きな抗力
を受けることはなくなる。またゲート幅６，入射角αは
変更しないのでゲートブレーク性を最良に設定でき量産
性が良い。
【図１】本発明の樹脂封止形半導体装置成形用モールド
金型の一実施例の概略を示す平面図。
金型の一実施例の概略を示す平面図。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図。
【図３】従来の樹脂封止形半導体装置成形用モールド金
型の概略を示す平面図。
型の概略を示す平面図。
【図４】図３のＩＶ−ＩＶ線に沿った断面図。
【図５】従来の別の樹脂封止形半導体装置成形用モール
ド金型の概略を示す平面図。
ド金型の概略を示す平面図。
【図６】従来の更に別の樹脂封止形半導体装置成形用モ
ールド金型の概略を示す平面図。
ールド金型の概略を示す平面図。
１ 上型
２ 下型
３ ランナー
４ キャビティ
５ ゲート
６ ゲート幅
７ ゲート深さ
９ サブランナー
９ａ サブランナーの深さ
１０ リードフレーム
１１ 注入点
Claims (1)
- 【請求項１】 上型及び下型から成り、該下型に半導
体ペレットが組みたてられたリードフレームを載置し、
該上型及び下型を合わせて締め着けた後に樹脂を注入し
て該半導体ペレットを封止する半導体装置の樹脂封止用
モールド金型において、各キャビティに樹脂を送りこむ
経路のランナーとゲートの間にサブランナー部を設け、
樹脂の注入点から遠くなるに従って該サブランナーの深
さを深くすることにより、各キャビティへの樹脂の同時
充填ができ、金線変形不良、ボイド不良をなくしたこと
を特徴とする樹脂封止形半導体装置成形用モールド金型
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13403391A JPH04359436A (ja) | 1991-06-05 | 1991-06-05 | 樹脂封止形半導体装置成形用モールド金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13403391A JPH04359436A (ja) | 1991-06-05 | 1991-06-05 | 樹脂封止形半導体装置成形用モールド金型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04359436A true JPH04359436A (ja) | 1992-12-11 |
Family
ID=15118804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13403391A Pending JPH04359436A (ja) | 1991-06-05 | 1991-06-05 | 樹脂封止形半導体装置成形用モールド金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04359436A (ja) |
-
1991
- 1991-06-05 JP JP13403391A patent/JPH04359436A/ja active Pending
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