JPH04360519A - 結晶成長装置のメンテナンス方法 - Google Patents
結晶成長装置のメンテナンス方法Info
- Publication number
- JPH04360519A JPH04360519A JP13609691A JP13609691A JPH04360519A JP H04360519 A JPH04360519 A JP H04360519A JP 13609691 A JP13609691 A JP 13609691A JP 13609691 A JP13609691 A JP 13609691A JP H04360519 A JPH04360519 A JP H04360519A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- growth chamber
- growth
- chamber
- crystal growth
- cooling water
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- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、有機金属熱分解法に使
用する結晶成長装置のメンテナンス方法に関するもので
ある。
用する結晶成長装置のメンテナンス方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来の有機金属熱分解（以下、Ｍ
ＯＣＶＤと略す）法に用いられる結晶成長装置を示す図
であり、この図において、１は成長用チャンバで、冷却
水導入口２および冷却水出口３を有し、水冷できるよう
に２重管構造となっている。４はこの成長用チャンバ１
内に成長用原料ガスを導入するためのガス導入口、５は
前記成長用チャンバ１を気密するためのフランジであり
、使用後のガスを排出するためのガス排気口６が備えら
れている。７はエピタキシャル成長用のＩｎＰ基板、８
はこのＩｎＰ基板７を保持，加熱するためのカーボンサ
セプタ、９はこのカーボンサセプタ８を誘導加熱するた
めの高周波コイル、１０は前記成長用チャンバ１の内壁
面に付着した反応生成物、１１は前記成長用チャンバ１
内を封止するためのバルブである。
ＯＣＶＤと略す）法に用いられる結晶成長装置を示す図
であり、この図において、１は成長用チャンバで、冷却
水導入口２および冷却水出口３を有し、水冷できるよう
に２重管構造となっている。４はこの成長用チャンバ１
内に成長用原料ガスを導入するためのガス導入口、５は
前記成長用チャンバ１を気密するためのフランジであり
、使用後のガスを排出するためのガス排気口６が備えら
れている。７はエピタキシャル成長用のＩｎＰ基板、８
はこのＩｎＰ基板７を保持，加熱するためのカーボンサ
セプタ、９はこのカーボンサセプタ８を誘導加熱するた
めの高周波コイル、１０は前記成長用チャンバ１の内壁
面に付着した反応生成物、１１は前記成長用チャンバ１
内を封止するためのバルブである。
【０００３】次に、動作について説明する。なお、ここ
ではＩｎＰ基板７上にＩｎＰエピタキシャル層を成長す
る場合について説明する。ＩｎＰ基板７は、高周波コイ
ル９により誘導加熱されたカーボンサセプタ８上に設置
され約６００℃に加熱される。また、成長チャンバ１内
はガス排気口６を介して真空ポンプ（図示せず）に接続
され、約１５０ｔｏｒｒに減圧されている。また、成長
用チャンバ１の壁面は冷却水導入口２より導入される冷
却水により冷却されている。この状態で、ガス導入口４
より水素ガスをキャリアとして、トリメチルインジウム
（以下、ＴＭＩｎと称す）およびホスフィン（以下、Ｐ
Ｈ３ と称す）を成長用チャンバ１内に導入すると、Ｉ
ｎＰ基板７上でＴＭＩｎおよびＰＨ３が熱分解してＩｎ
Ｐエピタキシャル層がＩｎＰ基板７上にエピタキシャル
成長する。
ではＩｎＰ基板７上にＩｎＰエピタキシャル層を成長す
る場合について説明する。ＩｎＰ基板７は、高周波コイ
ル９により誘導加熱されたカーボンサセプタ８上に設置
され約６００℃に加熱される。また、成長チャンバ１内
はガス排気口６を介して真空ポンプ（図示せず）に接続
され、約１５０ｔｏｒｒに減圧されている。また、成長
用チャンバ１の壁面は冷却水導入口２より導入される冷
却水により冷却されている。この状態で、ガス導入口４
より水素ガスをキャリアとして、トリメチルインジウム
（以下、ＴＭＩｎと称す）およびホスフィン（以下、Ｐ
Ｈ３ と称す）を成長用チャンバ１内に導入すると、Ｉ
ｎＰ基板７上でＴＭＩｎおよびＰＨ３が熱分解してＩｎ
Ｐエピタキシャル層がＩｎＰ基板７上にエピタキシャル
成長する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のＭＯＣＶＤ成長
方法は以上のように行われるが、成長用チャンバ１内で
熱分解されるＴＭＩｎおよびＰＨ３ はすべてエピタキ
シャル成長に使用されるのではなく、大部分は、反応生
成物１０として、成長用チャンバ１の内壁等に付着する
。 この反応生成物１０が大量に付着すると、内壁からのは
がれを生じ、ＩｎＰ基板７上にはがれた小片が付着し結
晶欠陥が生じるため、頻繁に成長用チャンバ１を洗浄す
る必要があった。また、反応生成物１０は大部分がリン
で構成されるため、洗浄のために成長用チャンバ１をフ
ランジ５より取りはずし、大気にさらすと発火するとい
う安全上の問題点もあった。
方法は以上のように行われるが、成長用チャンバ１内で
熱分解されるＴＭＩｎおよびＰＨ３ はすべてエピタキ
シャル成長に使用されるのではなく、大部分は、反応生
成物１０として、成長用チャンバ１の内壁等に付着する
。 この反応生成物１０が大量に付着すると、内壁からのは
がれを生じ、ＩｎＰ基板７上にはがれた小片が付着し結
晶欠陥が生じるため、頻繁に成長用チャンバ１を洗浄す
る必要があった。また、反応生成物１０は大部分がリン
で構成されるため、洗浄のために成長用チャンバ１をフ
ランジ５より取りはずし、大気にさらすと発火するとい
う安全上の問題点もあった。
【０００５】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、成長用チャンバを取り外すこと
なく、反応生成物を除去できる結晶成長装置のメンテナ
ンス方法を得ることを目的とする。
ためになされたもので、成長用チャンバを取り外すこと
なく、反応生成物を除去できる結晶成長装置のメンテナ
ンス方法を得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る結晶成長装
置のメンテナンス方法は、成長用チャンバ内を大気圧よ
り減圧状態とし、かつ冷却水に変えて、加熱された液体
を流して反応生成物を気化して除去するものである。
置のメンテナンス方法は、成長用チャンバ内を大気圧よ
り減圧状態とし、かつ冷却水に変えて、加熱された液体
を流して反応生成物を気化して除去するものである。
【０００７】
【作用】本発明においては、減圧された成長用チャンバ
の壁面に冷却水に変えて加熱された液体を流すことによ
り、成長用チャンバの壁面に付着した反応生成物は気化
され除去される。
の壁面に冷却水に変えて加熱された液体を流すことによ
り、成長用チャンバの壁面に付着した反応生成物は気化
され除去される。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１について説明
する。なお、図１における各部の構成は、図２の従来例
と同じであるので、以下では本実施例の動作をＩｎＰ基
板７上にＩｎＰエピタキシャル層を成長する場合につい
て説明する。
する。なお、図１における各部の構成は、図２の従来例
と同じであるので、以下では本実施例の動作をＩｎＰ基
板７上にＩｎＰエピタキシャル層を成長する場合につい
て説明する。
【０００９】ＩｎＰ基板７は高周波コイル９により誘導
加熱されたカーボンサセプタ８上に設置され約６００℃
に加熱される。また、成長用チャンバ１内はガス排気口
６を介して真空ポンプ（図示せず）に接続され、約１５
０ｔｏｒｒに減圧される。また、成長用チャンバ１は、
その外周面に冷却水導入口２より冷却水を導入すること
により冷却される。この状態でバルブ１１およびガス導
入口４より水素ガスをキャリアガスとしてＴＭＩｎおよ
びＰＨ３ を成長用チャンバ１内に導入すると、ＩｎＰ
基板７上でＴＭＩｎおよびＰＨ３ が熱分解して、Ｉｎ
Ｐエピタキシャル層がＩｎＰ基板７上にエピタキシャル
成長する。成長用チャンバ１内で熱分解されるＴＭＩｎ
およびＰＨ３ は全てエピタキシャル成長に使用される
のではなく、大部分は反応生成物１０として、成長用チ
ャンバ１の内壁等に図２に示した従来例と同様に付着す
る。
加熱されたカーボンサセプタ８上に設置され約６００℃
に加熱される。また、成長用チャンバ１内はガス排気口
６を介して真空ポンプ（図示せず）に接続され、約１５
０ｔｏｒｒに減圧される。また、成長用チャンバ１は、
その外周面に冷却水導入口２より冷却水を導入すること
により冷却される。この状態でバルブ１１およびガス導
入口４より水素ガスをキャリアガスとしてＴＭＩｎおよ
びＰＨ３ を成長用チャンバ１内に導入すると、ＩｎＰ
基板７上でＴＭＩｎおよびＰＨ３ が熱分解して、Ｉｎ
Ｐエピタキシャル層がＩｎＰ基板７上にエピタキシャル
成長する。成長用チャンバ１内で熱分解されるＴＭＩｎ
およびＰＨ３ は全てエピタキシャル成長に使用される
のではなく、大部分は反応生成物１０として、成長用チ
ャンバ１の内壁等に図２に示した従来例と同様に付着す
る。
【００１０】ある程度、反応生成物１０が付着してくる
と、前述の如くエピタキシャル層の欠陥の要因となるの
で、これを除去することが必要となる。次に、除去方法
について説明する。
と、前述の如くエピタキシャル層の欠陥の要因となるの
で、これを除去することが必要となる。次に、除去方法
について説明する。
【００１１】まず、バルブ１１を閉じ、真空ポンプに接
続されたガス排気口６を通して成長用チャンバ１内を減
圧する。望ましくは１ｔｏｒｒ以下の真空度となるよう
に減圧する。次いで、冷却水導入口２より望ましくは２
００℃以上に加熱された液体、例えば油を導入して、成
長用チャンバ１の内壁を加熱すると、内壁に付着した反
応生成物１０は気化して、ガス排気口６を通して装置外
に排出される。その結果、図１に示すように、反応生成
物１０はほぼ完全に除去される。ここで、使用する油の
温度は高ければ高いほど良いことはいうまでもない。必
要であるならば、加圧しても良い。
続されたガス排気口６を通して成長用チャンバ１内を減
圧する。望ましくは１ｔｏｒｒ以下の真空度となるよう
に減圧する。次いで、冷却水導入口２より望ましくは２
００℃以上に加熱された液体、例えば油を導入して、成
長用チャンバ１の内壁を加熱すると、内壁に付着した反
応生成物１０は気化して、ガス排気口６を通して装置外
に排出される。その結果、図１に示すように、反応生成
物１０はほぼ完全に除去される。ここで、使用する油の
温度は高ければ高いほど良いことはいうまでもない。必
要であるならば、加圧しても良い。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
成長用チャンバ内を大気圧より減圧状態とし、冷却水導
入口から加熱された液体を流すようにしたので、成長用
チャンバを取り外すことなく、成長用チャンバの内壁に
付着した反応生成物を除去できる効果がある。
成長用チャンバ内を大気圧より減圧状態とし、冷却水導
入口から加熱された液体を流すようにしたので、成長用
チャンバを取り外すことなく、成長用チャンバの内壁に
付着した反応生成物を除去できる効果がある。
【図１】本発明の一実施例に用いられるＭＯＣＶＤ装置
を示す構成図である。
を示す構成図である。
【図２】従来のＭＯＣＶＤ装置を示す構成図である。
１ 成長用チャンバ
２ 冷却水導入口
４ ガス導入口
５ フランジ
７ ＩｎＰ基板
１０ 反応生成物
Claims (1)
- 【請求項１】成長用チャンバの外周面に冷却水を導入す
る冷却水導入口を備えた結晶成長装置において、前記成
長用チャンバ内を大気圧より減圧状態とするとともに、
前記冷却水導入口より加熱された液体を導入することに
より、結晶成長工程で前記成長用チャンバの内壁面に付
着した反応生成物を気化して除去することを特徴とする
結晶成長装置のメンテナンス方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13609691A JPH04360519A (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 結晶成長装置のメンテナンス方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13609691A JPH04360519A (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 結晶成長装置のメンテナンス方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04360519A true JPH04360519A (ja) | 1992-12-14 |
Family
ID=15167172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13609691A Pending JPH04360519A (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 結晶成長装置のメンテナンス方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04360519A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000012463A (ja) * | 1998-06-17 | 2000-01-14 | Mitsubishi Electric Corp | 成膜装置 |
-
1991
- 1991-06-07 JP JP13609691A patent/JPH04360519A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000012463A (ja) * | 1998-06-17 | 2000-01-14 | Mitsubishi Electric Corp | 成膜装置 |
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