JPH0436113Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0436113Y2 JPH0436113Y2 JP1986085604U JP8560486U JPH0436113Y2 JP H0436113 Y2 JPH0436113 Y2 JP H0436113Y2 JP 1986085604 U JP1986085604 U JP 1986085604U JP 8560486 U JP8560486 U JP 8560486U JP H0436113 Y2 JPH0436113 Y2 JP H0436113Y2
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- JP
- Japan
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- film
- electrode
- bonding
- layer
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/59—Bond pads specially adapted therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/921—Structures or relative sizes of bond pads
- H10W72/923—Bond pads having multiple stacked layers
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本考案はワイヤをボンデイングするための電極
構造に関する。
構造に関する。
(ロ) 従来の技術
半導体素子の電極、配線基板の導電路上等にワ
イヤボンデイングを行なう場合、上記電極及び導
電路表面が酸化しているとそのボンダビリテイが
極端に悪化する。
イヤボンデイングを行なう場合、上記電極及び導
電路表面が酸化しているとそのボンダビリテイが
極端に悪化する。
そこで、例えばSolid−State
Electronics.1975.Vol.18.PP.541−550に開示され
ている如く上記電極表面には非酸化性金属である
Au(金)層を積層してなる構成が広く採用され、
また配線基板のワイヤボンデイング部にも表面に
Au層を積層してなる構成が広く採用されている
(特公昭60−37640号公報)。更に、上記Au層を積
層する方法の他にワイヤーボンデイング直前に電
極及び導電路表面をエツチング等により洗浄する
方法も考えられている。
Electronics.1975.Vol.18.PP.541−550に開示され
ている如く上記電極表面には非酸化性金属である
Au(金)層を積層してなる構成が広く採用され、
また配線基板のワイヤボンデイング部にも表面に
Au層を積層してなる構成が広く採用されている
(特公昭60−37640号公報)。更に、上記Au層を積
層する方法の他にワイヤーボンデイング直前に電
極及び導電路表面をエツチング等により洗浄する
方法も考えられている。
(ハ) 考案が解決しようとする問題点
然るに、上記Au層を積層する方法では、斯る
Au層が薄いと下地となる酸化性金属がAu層表面
に浮き出し酸化膜を形成するため、上記Au層を
厚く形成する必要がありコスト高となつていた。
Au層が薄いと下地となる酸化性金属がAu層表面
に浮き出し酸化膜を形成するため、上記Au層を
厚く形成する必要がありコスト高となつていた。
また、上記洗浄方法を採用すると工程が非常に
繁雑となるという問題があつた。
繁雑となるという問題があつた。
(ニ) 問題点を解決するための手段
本考案は斯る問題に鑑みてなされたもので、そ
の構成的特徴はボンデイングが行われる電極表面
上にラングミユア(Langmuir)膜を積層したこ
とにある。尚、斯るラングミユア膜はラングミユ
ア−プロジエクト(Langmuir−Blodgett膜とも
呼ばれるため、以下LB膜と称す。
の構成的特徴はボンデイングが行われる電極表面
上にラングミユア(Langmuir)膜を積層したこ
とにある。尚、斯るラングミユア膜はラングミユ
ア−プロジエクト(Langmuir−Blodgett膜とも
呼ばれるため、以下LB膜と称す。
(ホ) 作用
上記LB膜は水面上に広がつた親水基と疏水基
とを合わせもつ海面活性物質からなる単分子膜を
移し取ることにより形成されるものであり、従つ
て均一な薄膜(数+Å)でかつ緻密性の高い膜と
なる。ゆえに、上記電極表面に形成すると、電極
表面に対する保護膜として作用する。
とを合わせもつ海面活性物質からなる単分子膜を
移し取ることにより形成されるものであり、従つ
て均一な薄膜(数+Å)でかつ緻密性の高い膜と
なる。ゆえに、上記電極表面に形成すると、電極
表面に対する保護膜として作用する。
(ヘ) 実施例
第1図は本考案の実施例を示し、1は半導体基
板、2は該基板上に形成された電極であり、該電
極は80Å厚のCr(クロム)層、300Å厚のSn(錫)
層及び2500Å厚のAu(金)層を順次積層後400℃、
5分間の条件で熱処理を行なつたものである。3
は上記電極2表面に積層されたLB膜であり、該
LB膜は例えばアラキン酸(CH3CH218COOH)
の単分子膜(膜厚約20〜30Å)からなる。
板、2は該基板上に形成された電極であり、該電
極は80Å厚のCr(クロム)層、300Å厚のSn(錫)
層及び2500Å厚のAu(金)層を順次積層後400℃、
5分間の条件で熱処理を行なつたものである。3
は上記電極2表面に積層されたLB膜であり、該
LB膜は例えばアラキン酸(CH3CH218COOH)
の単分子膜(膜厚約20〜30Å)からなる。
斯る構成において、超音波ボンデイング法によ
り電極2表面にワイヤ4をボンデイングすると、
上記LB膜3が20〜30Åと薄いため上記超音波の
衝撃により斯るLB膜3が部分的に破壊され第2
図に示す如くワイヤ4は電極2に直接ボンデイン
グされる。
り電極2表面にワイヤ4をボンデイングすると、
上記LB膜3が20〜30Åと薄いため上記超音波の
衝撃により斯るLB膜3が部分的に破壊され第2
図に示す如くワイヤ4は電極2に直接ボンデイン
グされる。
第3図は本実施例の如くLB膜3が表面に積層
された電極と上記LB膜3が積層されていない電
極とにおける夫々のボンダビイリテイの経時変化
を調べた結果を示す。
された電極と上記LB膜3が積層されていない電
極とにおける夫々のボンダビイリテイの経時変化
を調べた結果を示す。
具体的には、まずLB膜を有する電極と有しな
い電極とを夫々準備し、この各電極を湿度60%以
上の室温(20℃)中に長時間保管した後、ワイヤ
ボンデイングを行なつた際の良品率を調べたもの
である。尚、第3図中、実線AはLB膜を有する
電極の良品率を示し、破線BはLB膜を有さない
電極の良品率を示す。
い電極とを夫々準備し、この各電極を湿度60%以
上の室温(20℃)中に長時間保管した後、ワイヤ
ボンデイングを行なつた際の良品率を調べたもの
である。尚、第3図中、実線AはLB膜を有する
電極の良品率を示し、破線BはLB膜を有さない
電極の良品率を示す。
第3図より明らかな如く、LB膜を有する電極
では30日以上経過しても良品率は100%を保てる
が、LB膜を有さない電極では10日経過すると良
品率は50%以下となる。これはLB膜が存在する
ときには、斯る膜の存在により電極表面に酸化膜
が発生することを防止できるためであると考えら
れる。
では30日以上経過しても良品率は100%を保てる
が、LB膜を有さない電極では10日経過すると良
品率は50%以下となる。これはLB膜が存在する
ときには、斯る膜の存在により電極表面に酸化膜
が発生することを防止できるためであると考えら
れる。
(ト) 考案の効果
本考案の構成ではIB膜を電極表面上に形成す
るだけでボンダビリテイの低下原因である酸化膜
の発生を防止できるので、従来に比べて上記酸化
膜防止のコストが低減できる。また、本考案構成
ではLB膜上より直接ボンデイングが行なえるた
めボンデイング工程も繁雑とならない。
るだけでボンダビリテイの低下原因である酸化膜
の発生を防止できるので、従来に比べて上記酸化
膜防止のコストが低減できる。また、本考案構成
ではLB膜上より直接ボンデイングが行なえるた
めボンデイング工程も繁雑とならない。
第1図及び第2図は本考案の実施例を示す断面
図、第3図はボンダビイリテイの経時変化を示す
特性図である。 2……電極、3……LB膜。
図、第3図はボンダビイリテイの経時変化を示す
特性図である。 2……電極、3……LB膜。
Claims (1)
- ボンデイングが行わされる電極、該電極表面上
に積層されたラングミユア膜からなることを特徴
とする電極構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986085604U JPH0436113Y2 (ja) | 1986-06-05 | 1986-06-05 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986085604U JPH0436113Y2 (ja) | 1986-06-05 | 1986-06-05 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62196338U JPS62196338U (ja) | 1987-12-14 |
| JPH0436113Y2 true JPH0436113Y2 (ja) | 1992-08-26 |
Family
ID=30941163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986085604U Expired JPH0436113Y2 (ja) | 1986-06-05 | 1986-06-05 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0436113Y2 (ja) |
-
1986
- 1986-06-05 JP JP1986085604U patent/JPH0436113Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62196338U (ja) | 1987-12-14 |
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