JPH0528765Y2 - - Google Patents

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JPH0528765Y2
JPH0528765Y2 JP1987062445U JP6244587U JPH0528765Y2 JP H0528765 Y2 JPH0528765 Y2 JP H0528765Y2 JP 1987062445 U JP1987062445 U JP 1987062445U JP 6244587 U JP6244587 U JP 6244587U JP H0528765 Y2 JPH0528765 Y2 JP H0528765Y2
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Description

【考案の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本考案は、半導体装置の電極に関する。
［考案の概要］ 本考案では、Au線を接合した半導体装置電極
の主表面上にAlとCuとの層を重ね合わせて形成
して、接合における問題点を解決した。
［従来の技術］ 半導体装置の電極と、電極に接合する金属細線
とを有する半導体装置において、一般には、電極
にAl，Al−Si，Al−Si−Cu、金属細線にAu，
Al，Cuなどが使用されている。これらの内で、
量産品としては、電極にAl，Al−Si，Al−Si−
Cu、金属細線にAuを使用したものが殆どであ
る。Au線は電気伝導性、加工性、耐酸化・耐蝕
性に優れており、Al電極は、Siとオーミツクな
コンタクトが得られ、蒸着性、エツチング性が良
いなどの特徴がある。
［考案が解決しようとする問題点］ しかしながら、この場合、Au線とAl電極の接
合部において、AuとAlの相互拡散が進行する
と、第２図に示すように、種々の金属間化合物が
形成される。すなわち、第２図において、通常
は、Si層１，SiO2層２，Al層３からなる電極上
にAu線が接合されるが、この接合部に、Au4Al
４，Au5Al2５、ボイド６，Au2Al７等の金属間
化合物が形成される。これらAuとAlの金属間化
合物は、成分元素のAuやAlとは違つた結晶構造
をしており、格子定数も金属間化合物では50％〜
70％も大きくなつており、接合部にはかなり大き
なストレスがかかつているものと思われる。そし
て、金属間化合物は硬く、脆いので、上述したよ
うなストレスのある状態では、熱サイクルを受け
て、機械的なクラツクの発生によるボンデイング
強度の低下の問題が起きる。また、AuとAlの相
互拡散の速度が速いために、拡散速度の違いによ
るカーケンドール効果が生じ、それによるボイド
もボンデイング強度低下の原因となつている。
本考案の目的は、Au線とAl電極の接合部にお
ける問題点を解消し、ボンデイングの信頼性を向
上した半導体装置の電極を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］ このような目的を達成するために、本考案で
は、Alからなる層の上にCuからなる層を配置し
て主表面を形成したことにある特徴がある。
［作用］ 本考案では、Au線との接合部にCuからなる層
を配置したので、CuとAu，CuとAlの相互拡散の
速度は、従来のAuとAlの場合に比べて遅く、接
合後の熱的履歴を経ても拡散層の大きな成長がな
いため、ボンデイング部の信頼性が向上する。
［実施例］ 第１図は本考案による半導体装置の電極の一実
施例の構成を示すもので、Si層１，SiO2層２，
Al層３からなる従来の電極において、Al層３の
上にさらにCuまたはCuにＰを添加した層９を配
置して主表面を形成し、その層９の上にAu線８
をボンデイングしている。層９が純Cuの場合、
ボンデイングの雰囲気を不活性ガス又は還元性ガ
スで満たしてCuの酸化を防いでいる。
また、純CuにＰを添加した場合は、Cuが酸化
しても酸化膜がはがれやすくなつているので、ボ
ンデイングの際の衝撃で酸化膜がうまくはがれ
て、ボンデイング可能となる。ボンデイングの方
式として、従来と同じ方式を使用する。なお、
CuにＰを添加することにより、現存する装置で
対応できる。
［考案の効果］ 以上述べたように、本考案によれば、Au線と
Al電極の接合部での問題点が解消される。すな
わち、AuとAlに比べて、CuとAu，CuとAlの相
互拡散の速度は、約70分の１と遅く、接合後の熱
的履歴を経ても拡散層の大きな成長がないため
に、ボンデイング部の信頼性が向上する。
【図面の簡単な説明】
第１図は本考案による半導体装置の電極の一実
施例の構成図、第２図は従来の半導体装置の電極
の構成図である。 １……Si，２……SiO2，３……Al，８……
Au，９……Cu。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 主表面上にAu線を接合してなる半導体装置の
    電極において、Alからなる層の上にCuからなる
    層を配置して主表面を形成してなることを特徴と
    する半導体装置の電極。
JP1987062445U 1987-04-24 1987-04-24 Expired - Lifetime JPH0528765Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1987062445U JPH0528765Y2 (ja) 1987-04-24 1987-04-24

Applications Claiming Priority (1)

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JP1987062445U JPH0528765Y2 (ja) 1987-04-24 1987-04-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63170944U JPS63170944U (ja) 1988-11-07
JPH0528765Y2 true JPH0528765Y2 (ja) 1993-07-23

Family

ID=30896733

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1987062445U Expired - Lifetime JPH0528765Y2 (ja) 1987-04-24 1987-04-24

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JP (1) JPH0528765Y2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6969153B2 (en) 1998-06-08 2005-11-29 Silverbrook Research Pty Ltd Micro-electromechanical fluid ejection device having actuator mechanisms located about ejection ports

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6969153B2 (en) 1998-06-08 2005-11-29 Silverbrook Research Pty Ltd Micro-electromechanical fluid ejection device having actuator mechanisms located about ejection ports

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Publication number Publication date
JPS63170944U (ja) 1988-11-07

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