JPH0436119Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0436119Y2 JPH0436119Y2 JP8569986U JP8569986U JPH0436119Y2 JP H0436119 Y2 JPH0436119 Y2 JP H0436119Y2 JP 8569986 U JP8569986 U JP 8569986U JP 8569986 U JP8569986 U JP 8569986U JP H0436119 Y2 JPH0436119 Y2 JP H0436119Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- container
- buffer layer
- lid
- pressure
- side wall
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 4
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
本考案は、、熱良導性基板と絶縁性の側壁およ
び蓋体とからなる容器の基板上に一つまたは複数
の半導体素子が固定され、容器内に素子を被覆す
るゲル状緩衝層および硬化樹脂層が充填され、素
子に接続される端子導体が緩衝層および樹脂層を
通つて蓋体から引出される、例えばパワートラン
ジスタモジユールのような半導体装置に関する。
び蓋体とからなる容器の基板上に一つまたは複数
の半導体素子が固定され、容器内に素子を被覆す
るゲル状緩衝層および硬化樹脂層が充填され、素
子に接続される端子導体が緩衝層および樹脂層を
通つて蓋体から引出される、例えばパワートラン
ジスタモジユールのような半導体装置に関する。
例えば上述のような構造を有するパワートラン
ジスタモジユールにおいて、誤動作や負荷短絡に
よりパワートランジスタに異常な過電流が流れた
とき、電流の大きさによつては端子導体とトラン
ジスタチツプの間に接続されるAl線が溶断し、
充填材料のガス化による異常圧力によつてモジユ
ールが破壊することがある。モジユールの構造に
よつて破壊部分は異なるが、側壁が破れたり蓋体
が持ち上げられたりする。その際破片が飛びちつ
たり、大きな音響を発したりして環境保全上問題
がある。あるいはモジユールに配線されている銅
バーなどの導体を折り曲げ、外部系統に被害を与
えることもある。
ジスタモジユールにおいて、誤動作や負荷短絡に
よりパワートランジスタに異常な過電流が流れた
とき、電流の大きさによつては端子導体とトラン
ジスタチツプの間に接続されるAl線が溶断し、
充填材料のガス化による異常圧力によつてモジユ
ールが破壊することがある。モジユールの構造に
よつて破壊部分は異なるが、側壁が破れたり蓋体
が持ち上げられたりする。その際破片が飛びちつ
たり、大きな音響を発したりして環境保全上問題
がある。あるいはモジユールに配線されている銅
バーなどの導体を折り曲げ、外部系統に被害を与
えることもある。
本考案は、異常電流が流れて内部接続導体の溶
断が起きても、容器外部に影響を及ぶことのな
い、最初に述べたような構造の半導体装置を提供
することを目的とする。
断が起きても、容器外部に影響を及ぶことのな
い、最初に述べたような構造の半導体装置を提供
することを目的とする。
本考案は、容器を貫通し緩衝層に達する、ゲル
状緩衝層に達し、容器の内圧が高くなつた時に容
器外に放圧する容器より機械的に弱い隔壁部を備
えた放圧部を側壁または蓋体に設けたことによ
り、容器の内圧が異常に大きくなつても隔壁が破
壊されて放圧通路から放圧が行われ他の部分の破
損に至らないようにして上述の目的を達成するも
のである。
状緩衝層に達し、容器の内圧が高くなつた時に容
器外に放圧する容器より機械的に弱い隔壁部を備
えた放圧部を側壁または蓋体に設けたことによ
り、容器の内圧が異常に大きくなつても隔壁が破
壊されて放圧通路から放圧が行われ他の部分の破
損に至らないようにして上述の目的を達成するも
のである。
以下、図を引用してパワートランジスタモジユ
ールにおける本考案の実施例について説明する。
各図において、容器は金属板１と樹脂製の側壁２
および蓋体３とからなり、トランジスタチツプ４
が基板上に固着されている。図示しないがトラン
ジスタチツプ４の電極と導線によつて接続される
端子導体の端部５が外部導体との接続のためのね
じ６により蓋体にねじ止めされている。容器内に
はチツプ４を保護するゲル状の緩衝層７とその上
に注入され硬化された樹脂層８が存在する。この
緩衝層７は樹脂層８に比べて熱膨張係数が大き
く、容器内部の温度上昇によつて生ずる内圧の上
昇に最も影響を与えている。第１図に示す実施例
では、蓋体３に放圧弁９が埋設、固定されてい
る。放圧弁９は管状で内部に、例えばAl板によ
り隔壁が設けられている。放圧弁９の先端はゲル
状緩衝層７に達しており、過電流等により内部導
線が溶断し、容器内の圧力が上昇したときは、ガ
スあるいはゲル材を介して隔壁に力が加わり、隔
壁が破れて容器外へ放圧される。従つて容器の他
の部分、蓋体３あるいは側壁にそれ以上力が加わ
ることなく、それらが破壊することがない。 第２図に示す実施例では、側壁２の内側に緩衝
層７が存在する高さに放圧弁９を貫通させてあ
る。第３図に示す実施例では、側壁２と同様に内
側に緩衝層７が存在する部分に両面から溝１０が
形成され、壁厚が薄くなつていて、内圧が高くな
つたときこの部分から放圧される。
ールにおける本考案の実施例について説明する。
各図において、容器は金属板１と樹脂製の側壁２
および蓋体３とからなり、トランジスタチツプ４
が基板上に固着されている。図示しないがトラン
ジスタチツプ４の電極と導線によつて接続される
端子導体の端部５が外部導体との接続のためのね
じ６により蓋体にねじ止めされている。容器内に
はチツプ４を保護するゲル状の緩衝層７とその上
に注入され硬化された樹脂層８が存在する。この
緩衝層７は樹脂層８に比べて熱膨張係数が大き
く、容器内部の温度上昇によつて生ずる内圧の上
昇に最も影響を与えている。第１図に示す実施例
では、蓋体３に放圧弁９が埋設、固定されてい
る。放圧弁９は管状で内部に、例えばAl板によ
り隔壁が設けられている。放圧弁９の先端はゲル
状緩衝層７に達しており、過電流等により内部導
線が溶断し、容器内の圧力が上昇したときは、ガ
スあるいはゲル材を介して隔壁に力が加わり、隔
壁が破れて容器外へ放圧される。従つて容器の他
の部分、蓋体３あるいは側壁にそれ以上力が加わ
ることなく、それらが破壊することがない。 第２図に示す実施例では、側壁２の内側に緩衝
層７が存在する高さに放圧弁９を貫通させてあ
る。第３図に示す実施例では、側壁２と同様に内
側に緩衝層７が存在する部分に両面から溝１０が
形成され、壁厚が薄くなつていて、内圧が高くな
つたときこの部分から放圧される。
本考案によれば、内部にゲル状緩衝層を介して
樹脂が注入硬化される半導体装置の容器に緩衝層
に達する放圧通路を設け、通路内に存在する隔壁
が過電流等により容器内圧が異常に高くなつたと
きに破れるようにすることにより、容器の破裂、
蓋体の持ち上がりなどにより外部に損害を与えた
り、環境保全に悪影響を及ぼすことのない半導体
装置を得ることができる。
樹脂が注入硬化される半導体装置の容器に緩衝層
に達する放圧通路を設け、通路内に存在する隔壁
が過電流等により容器内圧が異常に高くなつたと
きに破れるようにすることにより、容器の破裂、
蓋体の持ち上がりなどにより外部に損害を与えた
り、環境保全に悪影響を及ぼすことのない半導体
装置を得ることができる。
第１図は本考案の一実施例を示す断面図、第２
図、第３図はそれぞれ本考案の異なる実施例を示
す断面図である。 １……基板、２……側壁、３……蓋体、４……
トランジスタチツプ、５……端子導体、７……緩
衝層、８……樹脂層、９……放圧弁、１０……
溝。
図、第３図はそれぞれ本考案の異なる実施例を示
す断面図である。 １……基板、２……側壁、３……蓋体、４……
トランジスタチツプ、５……端子導体、７……緩
衝層、８……樹脂層、９……放圧弁、１０……
溝。
Claims (1)
- 熱良導性基板と絶縁性の側壁および蓋体とから
なる容器の基板上に少なくとも１つの半導体素子
が固定され、容器内に半導体素子を被覆するゲル
状緩衝層および硬化樹脂層がこの順で充填され、
半導体素子に接続される端子導体がゲル状緩衝層
および硬化樹脂層を貫通して蓋体から引き出され
るものにおいて、ゲル状緩衝層に達し、前記容器
の内圧が高くなつた時に容器外に放圧する容器よ
り機械的に弱い隔壁部を備えた放圧部を側壁また
は蓋体に設けたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8569986U JPH0436119Y2 (ja) | 1986-06-05 | 1986-06-05 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8569986U JPH0436119Y2 (ja) | 1986-06-05 | 1986-06-05 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62196350U JPS62196350U (ja) | 1987-12-14 |
| JPH0436119Y2 true JPH0436119Y2 (ja) | 1992-08-26 |
Family
ID=30941338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8569986U Expired JPH0436119Y2 (ja) | 1986-06-05 | 1986-06-05 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0436119Y2 (ja) |
-
1986
- 1986-06-05 JP JP8569986U patent/JPH0436119Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62196350U (ja) | 1987-12-14 |
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