JPH04361420A - 電圧比較回路 - Google Patents
電圧比較回路Info
- Publication number
- JPH04361420A JPH04361420A JP13735991A JP13735991A JPH04361420A JP H04361420 A JPH04361420 A JP H04361420A JP 13735991 A JP13735991 A JP 13735991A JP 13735991 A JP13735991 A JP 13735991A JP H04361420 A JPH04361420 A JP H04361420A
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- JP
- Japan
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- comparator
- input terminal
- state buffer
- whose
- output terminal
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
- Manipulation Of Pulses (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は電圧比較回路に関し、特
にオープンドレイン(あるいはオープンコレクタ)形の
コンパレータを用いた電圧比較回路に関する。
にオープンドレイン(あるいはオープンコレクタ)形の
コンパレータを用いた電圧比較回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のこの種の電圧比較回路は、図3に
示すようにオープンドレイン(あるいはオープンコレク
タ)形のコンパレータ5と、プルアップ抵抗R0 とを
有し構成されている。
示すようにオープンドレイン(あるいはオープンコレク
タ)形のコンパレータ5と、プルアップ抵抗R0 とを
有し構成されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の電圧比
較回路では、コンパレータ5の非反転入力端子(+)の
電位をV1 ボルト、反転入力端子(−)の電位をV2
ボルト、出力電位をV0 ボルト、プルアップ電源の
電位をVDDボルトとすると、V1 <V2 のとき、 V0 =0 となり、プルアップ抵抗R0 に I=VDD/R0 なる電流が流れ、 P0 =(VDD)2 /R0 なる電力がプルアップ抵抗R0 で消費される。
較回路では、コンパレータ5の非反転入力端子(+)の
電位をV1 ボルト、反転入力端子(−)の電位をV2
ボルト、出力電位をV0 ボルト、プルアップ電源の
電位をVDDボルトとすると、V1 <V2 のとき、 V0 =0 となり、プルアップ抵抗R0 に I=VDD/R0 なる電流が流れ、 P0 =(VDD)2 /R0 なる電力がプルアップ抵抗R0 で消費される。
【0004】このようなプルアップ抵抗R0 での電力
消費を低減する一方法として、プルアップ抵抗R0 の
抵抗値を大きくするという方法がある。しかし通常、コ
ンパレータ5の出力端子と接地端子と間には浮遊容量が
存在するため、V1 <V2 の状態からV1 >V2
の状態に変化したとき、図4に示すように、出力電圧
V0 の波形立上がり部分に“なまり”が発生し、プル
アップ抵抗R0 の増大は、この“なまり”を悪化させ
てしまう。
消費を低減する一方法として、プルアップ抵抗R0 の
抵抗値を大きくするという方法がある。しかし通常、コ
ンパレータ5の出力端子と接地端子と間には浮遊容量が
存在するため、V1 <V2 の状態からV1 >V2
の状態に変化したとき、図4に示すように、出力電圧
V0 の波形立上がり部分に“なまり”が発生し、プル
アップ抵抗R0 の増大は、この“なまり”を悪化させ
てしまう。
【0005】従って、このような電圧比較回路では、特
に高速動作が要求される場合、プルアップ抵抗R0 の
値をあまり大きくすることはできず、プルアップ抵抗R
0 での電力消費P0 が大きくなってしまうという欠
点がある。
に高速動作が要求される場合、プルアップ抵抗R0 の
値をあまり大きくすることはできず、プルアップ抵抗R
0 での電力消費P0 が大きくなってしまうという欠
点がある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の電圧比較回路は
、オープンドレイン形(あるいはオープンコレクタ形)
の第1のコンパレータと、反転入力端子が前記第1のコ
ンパレータの非反転入力端子に接続され非反転入力端子
が前記第1のコンパレータの反転入力端子に接続された
オープンドレイン形(あるいはオープンコレクタ形)の
第2のコンパレータと、入力端子がハイレベルの電位点
に接続されゲート制御用のコントロール入力端子が前記
第1のコンパレータの出力端子に接続されたC−MOS
構成の第1の3ステートバッファゲートと、入力端子が
前記ハイレベルの電位点に接続されゲート制御用のコン
トロール入力端子が前記第2のコンパレータの出力端子
に接続されたC−MOS構成の第2の3ステートバッフ
ァゲートと、一端が前記第1の3ステートバッファゲー
トの出力端子に接続され他端が前記第2のコンパレータ
の出力端子に接続された第1の抵抗と、一端が前記第2
の3ステートバッファゲートの出力端子に接続され他端
が前記第1のコンパレータの出力端子に接続された第2
の抵抗とを有している。
、オープンドレイン形(あるいはオープンコレクタ形)
の第1のコンパレータと、反転入力端子が前記第1のコ
ンパレータの非反転入力端子に接続され非反転入力端子
が前記第1のコンパレータの反転入力端子に接続された
オープンドレイン形(あるいはオープンコレクタ形)の
第2のコンパレータと、入力端子がハイレベルの電位点
に接続されゲート制御用のコントロール入力端子が前記
第1のコンパレータの出力端子に接続されたC−MOS
構成の第1の3ステートバッファゲートと、入力端子が
前記ハイレベルの電位点に接続されゲート制御用のコン
トロール入力端子が前記第2のコンパレータの出力端子
に接続されたC−MOS構成の第2の3ステートバッフ
ァゲートと、一端が前記第1の3ステートバッファゲー
トの出力端子に接続され他端が前記第2のコンパレータ
の出力端子に接続された第1の抵抗と、一端が前記第2
の3ステートバッファゲートの出力端子に接続され他端
が前記第1のコンパレータの出力端子に接続された第2
の抵抗とを有している。
【0007】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。
。
【0008】図1は本発明の一実施例を示す回路図であ
る。本実施例の回路は、第1のオープンドレイン(ある
いはオープンコレクタ)形コンパレータ1と、反転入力
端子がコンパレータ1の非反転入力端子に接続され非反
転入力端子がコンパレータ1の反転入力端子に接続され
た第2のオープンドレイン(あるいはオープンコレクタ
)形コンパレータ2と、入力端子が“H”(ハイ)レベ
レの電位(VDD)に接続されコントロール入力端子が
コンパレータ1の出力端子に接続されたC−MOS構成
の第1の3ステートバッファゲート3と、入力端子が“
H”レベルの電位(VDD)に接続されコントロール入
力端子がコンパレータ2の出力端子に接続されたC−M
OS構成の第2の3ステートバッファゲート4と、一端
が3ステートバッファゲート3の出力端子に接続され他
端がコンパレータ2の出力端子に接続された第1の抵抗
R1 と、一端が3ステートバッファゲート4の出力端
子に接続され他端がコンパレータ1の出力端子に接続さ
れた第2の抵抗R2 とを有して構成されている。
る。本実施例の回路は、第1のオープンドレイン(ある
いはオープンコレクタ)形コンパレータ1と、反転入力
端子がコンパレータ1の非反転入力端子に接続され非反
転入力端子がコンパレータ1の反転入力端子に接続され
た第2のオープンドレイン(あるいはオープンコレクタ
)形コンパレータ2と、入力端子が“H”(ハイ)レベ
レの電位(VDD)に接続されコントロール入力端子が
コンパレータ1の出力端子に接続されたC−MOS構成
の第1の3ステートバッファゲート3と、入力端子が“
H”レベルの電位(VDD)に接続されコントロール入
力端子がコンパレータ2の出力端子に接続されたC−M
OS構成の第2の3ステートバッファゲート4と、一端
が3ステートバッファゲート3の出力端子に接続され他
端がコンパレータ2の出力端子に接続された第1の抵抗
R1 と、一端が3ステートバッファゲート4の出力端
子に接続され他端がコンパレータ1の出力端子に接続さ
れた第2の抵抗R2 とを有して構成されている。
【0009】次に本実施例の回路動作について説明する
。
。
【0010】図1のコンパレータ1において、非反転入
力端子(+)の電位をV1 ボルト、反転入力端子(−
)の電位をV2 ボルト、出力電位をV0 ボルトとす
る。まずV1 <V2 の状態を考えると、コンパレー
タ1の出力段トランジスタがオン、コンパレータ2の出
力段トランジスタがオフ、3ステートバッファゲート3
の出力レベルが“H”(ハイ)、3ステートバッファゲ
ート4の出力レベルが“Z”(ハイインピーダンス)の
状態にそれぞれ安定する。このときのコンパレータ1,
2の出力段トランジスタ及び3ステートバッファゲート
3,4の状態をスイッチに置き換えて等価回路を書くと
、図2(a)のようになる。
力端子(+)の電位をV1 ボルト、反転入力端子(−
)の電位をV2 ボルト、出力電位をV0 ボルトとす
る。まずV1 <V2 の状態を考えると、コンパレー
タ1の出力段トランジスタがオン、コンパレータ2の出
力段トランジスタがオフ、3ステートバッファゲート3
の出力レベルが“H”(ハイ)、3ステートバッファゲ
ート4の出力レベルが“Z”(ハイインピーダンス)の
状態にそれぞれ安定する。このときのコンパレータ1,
2の出力段トランジスタ及び3ステートバッファゲート
3,4の状態をスイッチに置き換えて等価回路を書くと
、図2(a)のようになる。
【0011】またV1 >V2 の状態を考えると、コ
ンパレータ1の出力段トランジスタがオフ、コンパレー
タ2の出力段トランジスタがオン、3ステートバッファ
ゲート3の出力レベルが“Z”、3ステートバッファゲ
ート4の出力レベルが“H”の状態に安定する。このと
きの等価回路は、図2(b)のようになる。
ンパレータ1の出力段トランジスタがオフ、コンパレー
タ2の出力段トランジスタがオン、3ステートバッファ
ゲート3の出力レベルが“Z”、3ステートバッファゲ
ート4の出力レベルが“H”の状態に安定する。このと
きの等価回路は、図2(b)のようになる。
【0012】図2(a),(b)から明らかなように、
いずれの状態においても負荷がハイインピーダンスであ
れば、抵抗R1 ,R2 には定常電流が流れず、3ス
テートバッファゲート3,4で消費する電力は静消費電
力のみであり、特にC−MOS構成の場合のそれは極め
て小さい。
いずれの状態においても負荷がハイインピーダンスであ
れば、抵抗R1 ,R2 には定常電流が流れず、3ス
テートバッファゲート3,4で消費する電力は静消費電
力のみであり、特にC−MOS構成の場合のそれは極め
て小さい。
【0013】なお図1において抵抗R1 ,R2 は、
出力電位V0 の“H”、“L”の状態変化の瞬間にお
けるコンパレータ1と3ステートバッファゲート4との
あるいはコンパレータ2と3ステートバッファゲート3
との出力同士のぶつかり合いによる電力消費を低減する
ために設けた抵抗である。
出力電位V0 の“H”、“L”の状態変化の瞬間にお
けるコンパレータ1と3ステートバッファゲート4との
あるいはコンパレータ2と3ステートバッファゲート3
との出力同士のぶつかり合いによる電力消費を低減する
ために設けた抵抗である。
【0014】
【発明の効果】以上説明したように本発明では、オープ
ンドレイン(あるいはオープンコレクタ)形コンパレー
タ及びC−MOS構成の3ステートバッファゲートを2
個ずつ用い、コンパレータのスイッチング動作と3ステ
ートバッファゲートの論理動作を組み合わせることによ
り2値出力を得、高速動作を維持したまま、プルアップ
抵抗での電力消費を無くすことができるという効果があ
る。
ンドレイン(あるいはオープンコレクタ)形コンパレー
タ及びC−MOS構成の3ステートバッファゲートを2
個ずつ用い、コンパレータのスイッチング動作と3ステ
ートバッファゲートの論理動作を組み合わせることによ
り2値出力を得、高速動作を維持したまま、プルアップ
抵抗での電力消費を無くすことができるという効果があ
る。
【図1】本発明の実施例を示す回路図。
【図2】(a)および(b)はいずれも本発明の実施例
の動作を示す回路図。
の動作を示す回路図。
【図3】従来の電圧比較回路を示す回路図。
【図4】従来の電圧比較回路の動作を示す信号波形図。
1,2,5 コンパレータ
3,4 3ステータスバッファゲートR0 ,R
1 ,R2 抵抗
1 ,R2 抵抗
Claims (1)
- 【請求項1】 オープンドレイン形(あるいはオープ
ンコレクタ形)の第1のコンパレータと、反転入力端子
が前記第1のコンパレータの非反転入力端子に接続され
非反転入力端子が前記第1のコンパレータの反転入力端
子に接続されたオープンドレイン形(あるいはオープン
コレクタ形)の第2のコンパレータと、入力端子がハイ
レベルの電位点に接続されゲート制御用のコントロール
入力端子が前記第1のコンパレータの出力端子に接続さ
れたC−MOS構成の第1の3ステートバッファゲート
と、入力端子が前記ハイレベルの電位点に接続されゲー
ト制御用のコントロール入力端子が前記第2のコンパレ
ータの出力端子に接続されたC−MOS構成の第2の3
ステートバッファゲートと、一端が前記第1の3ステー
トバッファゲートの出力端子に接続され他端が前記第2
のコンパレータの出力端子に接続された第1の抵抗と、
一端が前記第2の3ステートバッファゲートの出力端子
に接続され他端が前記第1のコンパレータの出力端子に
接続された第2の抵抗とを有していることを特徴とする
電圧比較回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13735991A JPH04361420A (ja) | 1991-06-10 | 1991-06-10 | 電圧比較回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13735991A JPH04361420A (ja) | 1991-06-10 | 1991-06-10 | 電圧比較回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04361420A true JPH04361420A (ja) | 1992-12-15 |
Family
ID=15196823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13735991A Pending JPH04361420A (ja) | 1991-06-10 | 1991-06-10 | 電圧比較回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04361420A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016090469A (ja) * | 2014-11-07 | 2016-05-23 | ニチコン株式会社 | 周波数検出装置 |
-
1991
- 1991-06-10 JP JP13735991A patent/JPH04361420A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016090469A (ja) * | 2014-11-07 | 2016-05-23 | ニチコン株式会社 | 周波数検出装置 |
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