JPH0436268U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0436268U JPH0436268U JP1990077611U JP7761190U JPH0436268U JP H0436268 U JPH0436268 U JP H0436268U JP 1990077611 U JP1990077611 U JP 1990077611U JP 7761190 U JP7761190 U JP 7761190U JP H0436268 U JPH0436268 U JP H0436268U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser diode
- semiconductor laser
- light emitting
- optical
- converts
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/59—Bond pads specially adapted therefor
Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Description
第１図はこの考案の一実施例の３つの光導波路
を採用した半導体レーザダイオードの斜視図で、
第２図は上面図である。第３図は従来の半導体レ
ーザダイオードの斜視図で、第４図は断面図であ
る。 １……半導体レーザダイオード、２ａ，２ｂ，
２ｃ……表面電極、３ａ，３ｂ，３ｃ……ボンデ
イングワイヤ、４ａ，４ｂ，４ｃ……光導波路、
５ａ，５ｂ，５ｃ……発光部、６ａ，６ｂ，６ｃ
……光束、７……光フアイバ、８……交点。
を採用した半導体レーザダイオードの斜視図で、
第２図は上面図である。第３図は従来の半導体レ
ーザダイオードの斜視図で、第４図は断面図であ
る。 １……半導体レーザダイオード、２ａ，２ｂ，
２ｃ……表面電極、３ａ，３ｂ，３ｃ……ボンデ
イングワイヤ、４ａ，４ｂ，４ｃ……光導波路、
５ａ，５ｂ，５ｃ……発光部、６ａ，６ｂ，６ｃ
……光束、７……光フアイバ、８……交点。
Claims (1)
- 電気信号を光信号に変更する半導体レーザダイ
オードの光導出機構において、１つのレーザダイ
オード素子に複数の光導波路、またそれに対応す
る複数の発光部を有することを特徴とする半導体
レーザーダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990077611U JPH0436268U (ja) | 1990-07-20 | 1990-07-20 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990077611U JPH0436268U (ja) | 1990-07-20 | 1990-07-20 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0436268U true JPH0436268U (ja) | 1992-03-26 |
Family
ID=31620158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1990077611U Pending JPH0436268U (ja) | 1990-07-20 | 1990-07-20 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0436268U (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009117746A (ja) * | 2007-11-09 | 2009-05-28 | Anritsu Corp | 外部共振器型半導体レーザ装置 |
| JP2012195545A (ja) * | 2011-03-18 | 2012-10-11 | Seiko Epson Corp | テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置および計測装置 |
| JP2013104804A (ja) * | 2011-11-15 | 2013-05-30 | Seiko Epson Corp | 半導体短パルス発生装置、テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置および計測装置 |
| JP2023060629A (ja) * | 2021-10-18 | 2023-04-28 | 日亜化学工業株式会社 | レーザ装置 |
-
1990
- 1990-07-20 JP JP1990077611U patent/JPH0436268U/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009117746A (ja) * | 2007-11-09 | 2009-05-28 | Anritsu Corp | 外部共振器型半導体レーザ装置 |
| JP2012195545A (ja) * | 2011-03-18 | 2012-10-11 | Seiko Epson Corp | テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置および計測装置 |
| JP2013104804A (ja) * | 2011-11-15 | 2013-05-30 | Seiko Epson Corp | 半導体短パルス発生装置、テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置および計測装置 |
| JP2023060629A (ja) * | 2021-10-18 | 2023-04-28 | 日亜化学工業株式会社 | レーザ装置 |