JPH04362990A - 液晶電気光学素子の駆動方法 - Google Patents
液晶電気光学素子の駆動方法Info
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
の駆動方法に関し、詳しくは液晶物質を用いた表示体の
駆動方法に関する。
、従来の表面安定化強誘電性液晶(SSFLC)に見ら
れるいくつかの本質的問題点を解消する方法の一つとし
て期待され活発に研究が進められている。( A.D.
L.Chandani et al.: Jpn. J
. Appl.Phys., 27, L729 (1
988)、A.D.L.Chandani et al
.:Jpn. J. Appl. Phys., 28
,L1265 (1988)等参照。) 三状態間スイッチングの主な特徴としては、(1)電圧
印加による反強誘電−強誘電相転移には、直流電圧に対
する急峻な閾値特性がある(図33)。
光学的ヒステリシスをともなうため、反強誘電相あるい
は強誘電相を選択した後にバイアス電圧を印加しておけ
ば、選択された状態を保持する事が出来る(図33)。
向状態を光学的に等価にする事が出来る。
来るため、SSFLCにみられる様な電気光学特性の経
時変化が無い。
単純マトリクスにおいてデューティー比の制限なく時分
割駆動ができるというものである。現在までに知られて
いる駆動方法の例としては M. Yamawaki
et al.:Digest of Japan Di
splay ’89, p26(1989)等がある(
図30)。図30においてVt、Vdはそれぞれ走査電
極と信号電極に印加される電圧波形であり、VLCは液
晶層に印加される合成波形である。この駆動方法では、
正極性の電圧が印加されるフレ−ムF(+) とそれに
続く負極性フレ−ムF(−) が対になっている。
いて説明する。反強誘電相での光軸OAはスメクティッ
ク層と直交している。図32(b)の如く透明電極4,
5と液晶配向膜9,10を設けた2枚のガラス基板1,
2間に液晶層6を挾持して成るセルを、互いに偏光軸の
直交する偏光板11,12間において光軸OAがいずれ
かの偏光軸に平行となる様に設置すると素子は遮光状態
(仮にOFF)となる。この状態に図30のフレ−ムF
’(+)またはF’(−)における電圧波形を印加して
も|VW2|<|V(A−F)t|(図33参照)であ
れば光透過率の変化は僅かであり、OFF状態を保持す
る事が出来る。一方、図30中F(+)及びF(−)の
電圧波形を印加した場合、|VW1|>|V(A−F)
s|であれば液晶は応答して、それぞれ光軸OF(+)
及びOF(−)、自発分極Ps(+)及びPs(−)を
有する強誘電相(+)と強誘電相(−)へ転移する。光
軸が偏光軸と角度θ(+)またはθ(−)をなすため光
透過状態(仮にON)となる。角度θ(+)とθ(−)
が等しいので両者は光学的に等価として扱う事が出来る
。
法は以下に述べる様な二つの課題を持っている。
題である。一般的には直流電圧に対して急峻な閾値特性
を持つと言われており、図31(b)に示される様に選
択期間(同図中T12)において反強誘電相状態を選択
した後に非選択期間(同図中T22)で一方極性のバイ
アス電圧を印加した場合、そのバイアス電圧の印加時間
に関わらず反強誘電相状態が保持出来ると考えられてい
る。 しかしながら、発明者らのより詳しい研究によれば図3
1(c)に示した様にバイアス電圧を印加し始めてから
時間が経過するにしたがって反強誘電相から強誘電相に
徐々に転移していく現象が、いくつかの液晶材料におい
て観察された。この原因は、図33に示されている様に
低電圧領域に相転移前駆現象が起こる事、更には閾値特
性の急峻度が低い場合V(A−F)S−V(A−F)t
が大きいため、マルチプレックス駆動時にバイアス
電圧に重畳されるデータ信号の振幅が大きくなる事等が
考えられる。このような現象は、素子のデューティー比
が高くなるにつれてコントラスト比が低くなるという問
題をもたらす。 もう一つの課題は、強誘電状態から反強誘電状態への緩
和速度が逆方向のスイッチングに於ける応答速度と比較
して遅い事及び同緩和速度に温度依存性が観られるとい
う問題である。従来の駆動方法によれば、使用する液晶
材料の応答特性にあわせて走査周波数を低く設定せざる
を得ないため、画面のスクロールやポインティングデバ
イスの移動がスムースに行えないという問題点が生じて
いた。
あり、その目的とするところは、三状態間スイッチング
の特徴を充分に生かしたマルチプレックス駆動方法を提
供するところにある。
子の駆動方法は上記課題を解決するために、(1)走査
電極を有する基板と信号電極を有する基板の電極面を対
向させた基板間に強誘電相における二つの配向状態と反
強誘電相における一つの配向状態を示す液晶を挟持して
なる液晶素子の駆動方法に於て、選択期間には液晶分子
の配列方向を一つの配向状態に揃える為の電圧パルスを
液晶層に印加する第一の期間、次に液晶分子の配列方向
を前記第一の期間における配向状態から他の配向状態へ
変化させるか否かを選択する為の電圧パルスとして、 a.選択する配向状態が反強誘電相ならば絶対値が閾値
以下の電圧パルス b.選択する配向状態が強誘電相ならば絶対値が閾値よ
り大きい電圧パルス を前記液晶層に印加する第二の期間を設け、一方、非選
択期間には選択期間内第二の期間で選択された配列を維
持する為の電圧パルス群を前記液晶層に印加する第三の
期間、前記第二の期間で選択された状態が反強誘電相な
らばその状態を維持し、強誘電相ならば反強誘電相の安
定状態に緩和させる様な、絶対値が閾値以下である電圧
パルス群を前記液晶層に印加する第四の期間を有する事
を特徴とする。
一定周期毎に極性を反転し印加電圧と時間の積の総和が
零となるよう設定された事を特徴とする。
選択期間と非選択期間から成る一走査期間において印加
電圧と時間の積の総和が零となるよう設定された事を特
徴とする。
四の期間との時間的割合を、素子の環境温度に応じて変
化させる事を特徴とする。
と信号電極の間に強誘電相における二つの配向状態と反
強誘電相における一つの配向状態を示す液晶を挟持して
なる液晶表示素子の時分割駆動において、走査電極をn
(0以上の整数)本おきに順次走査してn+1回の画面
走査で一画面を形成する事を特徴とする。
に配置した液晶表示素子の時分割駆動において、表示情
報に書換えの必要が生じた領域の走査電極のみに選択波
形を線順次印加し、他の走査電極上に位置する画素には
液晶分子の配向状態を維持するための電圧パルス群を印
加する事を特徴とする。
説明する。試料としては、透明電極上にポリイミド配向
膜を形成しラビング法による一軸性配向処理を施してギ
ャップ1.7μm としたセルに液晶材料 4−(1−
methylheptyloxycarbonyl)p
henyl4’−octyloxybiphenyl−
4−carboxylate (MHPOBC)を加熱
封入し環境温度を反強誘電性カイラルスメクティックC
相(SCA*相)の温度範囲に保持した物を用いた。素
子の構造は図32(b)に示されるものである。
駆動電圧波形を示す。図中1a及び2aは走査電極波形
、1b及び2bは信号電極波形であり、1cと2cはこ
れらの合成波形を表わす。t01及びt02は選択期間
、t1、t2は非選択期間に相当し、液晶素子にはt0
1またはt02、t1、t2の順に電圧波形1c及び2
cが印加されることになる。隣接する走査電極間には図
2に示した様なタイミングで電圧波形を印加する。素子
の温度を90℃に保持し、パルス幅80μs、V1=1
8v、V2=2.7v、V3=5v として上記条件下
で駆動したところ、コントラスト比1:18を得た。
温度を70℃から100℃まで変化させ、非選択期間内
の消去期間(図中 t2)を70℃で250μs、10
0℃で170μsに設定してその間を連続的に変化させ
たところ、上記で得られたものと同等な光学特性を該温
度範囲内で維持する事ができた。
よる駆動方法の表示速度を比較する。強誘電相から反強
誘電相への緩和時間が約420μsec であるため、
従来の方法では、選択期間の長さは80×2+420=
580μsec となる。これに対して、本発明による
方法では、選択期間(書き込み期間)の長さは160μ
secである。したがって、本発明による駆動方法を用
いれば、従来方法による駆動方法よりも約3.5倍の高
速化が達成される。ただし、どの程度高速化されるか、
ということは、強誘電相から反強誘電相への緩和時間に
よって異なり、緩和時間が長ければ長いほどその効果が
大きくなる。
の駆動方法において信号電極波形の電圧を変調する事に
よって階調表示をした場合の合成波形と素子の光学応答
を表わしたものである。選択期間t0 に同期する信号
波形に2レベル、2極性を与える事によって、合成波形
において書き込みパルスに4レベルの波高値(VW1,
−VW2,VW3,−VW4)を持つ電圧波形を印加し
たところ、図3にみられる様な光学応答が得られた。中
間調を選択する際の書き込みパルスの波高値VW は、
図33の表記によって|V(A−F)t|≦|VW|≦
|V(A−F)s| となる様に設定してやれば良い。 顕微鏡観察によると、中間調選択時の液晶の配向は反強
誘電相と強誘電相が適当な割合で混在するマルチドメイ
ンであった。強誘電相に転移したドメインに対してのみ
非選択期間に印加されるバイアスが作用するので、画素
は中間調を保持することが出来る。
おいて、信号電極波形のパルス幅を変調する事によって
も、実施例2に示したものと同じ原理による階調表示が
可能であった。図4は本実施例に用いた駆動方法の選択
期間における電圧波形であり、図中1aは走査電極波形
、1bは信号電極波形、1cは合成波形である。実施例
1と同様の電圧設定において実施例2と同程度の表示特
性が得られた。また、図4では信号電極波形の極性を統
一して表記してあるが、逆極性の波形も併用する事によ
って更に多階調表現を実現する事が出来る。
る駆動電圧波形を示す。図中1a及び2aは走査電極波
形、1b及び2bは信号電極波形であり、1cと2cは
これらの合成波形を表わす。t01及びt02は選択期
間、t1、t2は非選択期間に相当し、液晶素子にはt
01またはt02、t1、t2の順に電圧波形1c及び
2cが印加されることになる。隣接する走査電極間には
図6に示した様なタイミングで電圧波形を印加する。図
5の1bに示す様にパルス幅が異なる2レベルの電圧絶
対値(|−V2|、|2V2|)を有する信号波形を用
いる事により、波形を交流化しながら実施例1と比較し
て書き込みパルスのON選択時とOFF選択時の電圧差
を大きくする事が出来るので、閾値特性の急峻度が低い
液晶材料を駆動する際に有効である。また、急峻度の高
い材料に適用すれば信号電極波形の電圧を低く設定する
事が可能になるので、非選択期間における光学応答の揺
らぎを抑制する事が出来る。素子の温度を90℃に保持
し、パルス幅80μs、V1=18v、V2=1.5v
、V3=5v として上記条件下で駆動したところ、コ
ントラスト比1:19を得た。
温度を70℃から100℃まで変化させ、非選択期間内
の消去期間(図中 t2)を70℃で250μs、10
0℃で170μsに設定してその間を連続的に変化させ
たところ、上記で得られたものと同等な光学特性を該温
度範囲内で維持する事ができた。
圧波形を図7に示す。図7(a)のVt は走査電圧波
形、図7(b)のVd(ON)、Vd(OFF)はそれ
ぞれ強誘電相状態と反強誘電相状態を選択するための信
号電圧波形である。合成波形と液晶素子の光学応答波形
を図8に示す。T11とT12(図示せず)はそれぞれ
第1フレ−ムと第2フレ−ムの選択期間であり、T21
及びT22は非選択期間である。強誘電相、反強誘電相
いずれの状態を選択する場合も連続する2つのフレ−ム
をセットとしており、第1フレ−ムと第2フレ−ムでそ
れぞれ図7のF1とF2の走査電圧波形を印加する。従
って、連続する2フレ−ム内での印加電圧と時間の積の
総和は零となる。
。図8は反強誘電相状態を選択する場合に液晶層に印加
する電圧波形(走査電圧波形と信号電圧波形との合成波
形)である。反強誘電相状態では光が遮断されるため、
オフ状態となる。非選択期間内の第四の期間T4 では
前もって選択された状態が反強誘電相ならばその状態を
維持し、強誘電相ならば反強誘電相に緩和させるような
消去電圧パルス群±VL4( ±VL4=V4−Vd、
|VL4|≦V(F−A)s )を印加する。さらに選
択期間内第一の期間(選択期間の前半) には第一の電
圧パルスVL1 ( VL1=V1−Vd、|VL1|
≦V(A−F)t)を印加することによって、第四・第
一の期間内にリセットを行う。 次に、選択期間内第二の期間(選択期間の後半)には反
強誘電相を選択するための電圧パルスVL2 (VL2
=V2−Vd、|VL2|≦V(A−F)t )を印加
する。そして、非選択期間内の第三の期間T3 には第
二の期間で選択された相を維持するための維持電圧パル
ス群 VL31〜VL32(|VL31|=|V3+V
d1|、|VL32|=|V3−Vd1|、|VL31
|≦V(A−F)t、|VL32|≧V(F−A)t
)を印加する。この維持電圧パルス群は、図のように正
極性と負極性の電圧パルス群からなっている。
8のようになる。第三の期間に印加する維持電圧パルス
群の極性が反転する毎に光透過率がゼロレベルの近くに
戻されるため、図31(c)に示した従来例と比較して
、反強誘電相状態が非選択期間中保持されて、オフ状態
の光透過率の時間平均が非常に低く押えられていること
がわかる。
層に印加する電圧波形とそのときの光透過率の変化であ
る。強誘電相状態は光が透過するオン状態である。第二
の期間には |VL2|≧V(A−F)s という電圧
パルスVL2を印加すれば強誘電相状態を選択すること
ができる。
バイアス電圧によって強誘電相(+)を保持している時
に、バイアス電圧の極性を反転した場合の液晶分子の応
答について述べる。図33に示したヒステリシス特性に
よれば、矢印1のように反強誘電相に変化するように思
われる。しかし、このヒステリシス特性は十分低周波の
三角波電圧に対するものであり、パルス電圧に対しては
、反強誘電相を通らずにもう一方の強誘電相(−)へ直
接スイッチすることが知られている。さらに発明者は、
絶対値がV(F−A)t 以上V(A−F)s 未満で
あっても強誘電相(+)から強誘電相(−)へ直接スイ
ッチすることを見いだした。この特性を利用すれば、強
誘電相を保持するためのバイアス電圧の極性をフレーム
の途中で反転させても、強誘電相(ON状態)を保持し
続けることができる。したがって、ON状態の光透過率
を低下させる事なくOFF状態の光透過率を低く抑えて
コントラスト比を高くする事が出来る。
ち、パルス幅 Pw=80μsec、Ts=10×Pw
、T4=4×Pw、 V1=0v、V2=18v、V3
=5v、V4=0v、Vd1=2.7v として1/4
00デューティーマルチプレックス駆動したところ、コ
ントラスト比1:25を得た。さらに、デューティ比を
1/1000まで高くしたが、コントラスト比の変化は
認められなかった。
環境温度を100℃とした。Pw=80μsec、Ts
=10×Pw、T4=2×Pwとして1/1000デュ
ーティーマルチプレックス駆動したところ、コントラス
ト比1:23を得た。
電圧波形を図10に示す。Vt は走査電圧波形、Vd
1、Vd2はそれぞれ反強誘電相(OFF状態)と強誘
電相(ON状態)を選択するための信号電圧波形であり
、VLCは強誘電相を選択するときに液晶層へ印加され
る電圧波形 (Vt−Vd2 )である。信号電圧波形
は波高値±V3の交流電圧であり、単位時間内の時間平
均値は0である。液晶層へは、選択期間には波高値±V
4(=V1±V3 )の交流電圧を印加し、ON状態を
選択する場合には |V4|>|V(A−F)t|、ま
た、OFF状態を選択する場合には |V4|≦|V(
A−F)t|となるようにV1とV3 を設定する。非
選択期間に印加するバイアス電圧|V2|は、|V(A
−F)t|と|V(F−A)t|のほぼ中間の値に設定
する。実際には、単純マトリクス駆動であるため、VL
Cの波形からわかるようにバイアス電圧には信号電圧が
重畳される。非選択期間内の第二の期間τ2 の長さは
、少なくとも、消去のためのある波高値(ここでは±V
3 )の交流電圧が印加された状態での、その温度にお
ける強誘電相から反強誘電相への相転移に要する時間以
上に設定する。こうすることにより、画素の状態を第二
の期間内で反強誘電相にリセットすることができる。そ
して、残りの第一の期間τ1 を偶数個に分割しバイア
ス電圧の極性を交互に反転させる。交流化されたバイア
ス電圧に対する液晶の応答は実施例5で述べた通りであ
る。 このようにすれば、1フレーム内での外部印加電圧の時
間平均値は0となる。さらに、自発分極を持つ強誘電相
を選択している期間のうち、正極性電圧を印加して強誘
電相(+)を選択している時間と、負極性電圧を印加し
て強誘電相(−)を選択している時間が互いに等しくな
るため、分極電場の時間平均値も0にすることができる
。
荷の偏りが生じないために電気光学効果が劣化すること
がなく、さらに、従来技術のように2フレーム選択法を
用いる必要がないために、一つの画像情報を表示するた
めに要する時間は、従来例の1/2となり、SSFLC
と同程度の速度になる。
ち、パルス幅Pw=80μsec、選択期間τs=2×
Pw、τ1(+)=τ1(−)=66×τs、τ2=3
×τs、V1=18v、V2=5v、V3=2.7v
として1/400デューティーマルチプレックス駆動し
たところ、コントラスト比1:25を得た。また、一つ
の画像情報を表示するために必要な時間はτs×400
=64ミリ秒となる。
N状態)で4週間保持することにして、その前後で適当
な画像情報を同一の駆動条件で表示することによって、
表示品位の経時変化を調べた。その結果、試験前後とも
表示品位に有意差は認められなかった。
圧設定において、本実施例では環境温度を100℃とし
た。パルス幅Pw=80μsec、選択期間 τs=2
×Pw、 τ1(+)=τ1(−)=499×τs、τ
2=τs として1/1000デューティーマルチプレ
ックス駆動したところ、コントラスト比1:23を得た
。この場合においても信頼性試験による表示品位の劣化
は認められなかった。
圧波形を図11に示す。図11(a)は走査電圧波形、
図11(b)のVd(OFF)、Vd(ON)はそれぞ
れ反強誘電相(OFF状態)と強誘電相(ON状態)を
選択するためのデータ電圧波形である。図12の上段は
液晶層へ印加される電圧波形であり、走査電圧波形とデ
ータ電圧波形の合成波形である。そして、図12の下段
はそれに対する液晶の電気光学応答である。消去電圧は
VSE=VDE=0[v]、データ電圧はVD1=−V
D2、|VD1|=|VD2|=3[v]の交流電圧と
し、選択期間の最後から二番目の電圧パルスの波高値は
VS1=15[v]、最後の電圧パルスの波高値はVS
2=−4[v]とした。維持電圧波形としては、負極性
から始まる±8[v]の交流とした。また、補償電圧波
形としては、パルス幅と波高値がそれぞれPW2とVC
=−(VS1+VS2+VSE)=−11[v]の電圧
パルスとした。駆動デューティ比とパルス幅PW1、P
W2はそれぞれ1/1000と200μsec、700
μsecであり、維持電圧波形の周波数は1/(11.
1×10−3)Hzである。
) を印加した場合、選択期間の最後から二番目の電圧
はVS1−VD1=18[v] となるため、反強誘電
相から強誘電相(+)への相転移が起こる。それに続く
最後の電圧は−7[v]である。このようにパルス電圧
の波高値が+18[v] から−7[v] へ直接変化
した場合、7[v]はV(F−A)t以上であるため、
反強誘電相を通り越してもう一方の強誘電相(−) へ
スイッチする。その後、非選択期間には−5〜−8〜−
11[v]と5〜8〜11[v]という維持電圧パルス
が交互に印加されて、交互に強誘電相(−)と強誘電相
(+)の状態になるため、ON状態が維持される。
d(OFF)を印加した場合、選択期間の最後から二番
目の電圧が+12[v]となり、これはV(A−F)t
以下であるため、反強誘電相から強誘電相(+)への相
転移は起こらない。この時の光透過率は図13に示した
ようにINSである。それに続く最後の電圧は−1[v
]である。この電圧は、最後から二番目の電圧とは逆極
性のため、この期間に光透過率はほぼ0に近い値まで低
下する。その後、非選択期間には−5〜−8〜−11[
v]と5〜8〜11[v]という維持電圧パルスが交互
に印加される。この場合、光透過率は図13に示したル
ープBにほぼ従うように変化する。ただし、この図では
正極性側のみ示してある。
の時間変化を図12に実線で示す。比較のために、従来
方法によって駆動した場合の光透過率を、同図の破線で
示した。従来方法では選択された時に光透過率がINS
となった直後に維持電圧パルスが印加されるために図1
3に示したループAに従って光透過率が変化する。これ
より、ON状態の光透過率は、両者の間に差は見られな
いが、OFF状態の光透過率には明らかな差が認められ
る。本発明によるOFF状態の平均光透過率は、従来方
法によるそれのほぼ 2/3 倍となっている。コント
ラスト比はOFF状態の光透過率に反比例するため、コ
ントラスト比は従来のほぼ1.5倍となり、1:11.
5から1:17へ向上した。
に、消去期間の直前(非選択期間の最後)には、8[v
]の維持電圧の代わりに−3[v]の電圧パルスを1個
印加している。これは、補償電圧パルスを維持電圧波形
のその部分に重畳したことによるものである。そのため
、1フレーム内に液晶層へ印加される電圧の時間平均値
は0となり、液晶層内での電荷の偏りは起こらない。こ
の例では、負極性から始まる交流の維持電圧を用いたた
め、消去期間の直前に印加する電圧を−3[v]とした
が、正極性から始まる交流の維持電圧を用いれば、その
電圧は−19[v]となる。
動方法においてVS2=−4[v]、VSE=4[v]
とした。 この場合、VC=−15[v]となるため、非選択期間
の最後に走査電極へ印加される電圧は−7[v]となる
。したがって、液晶層へ印加される電圧は−4[v]ま
たは−10[v]となる。ON状態が選択されていると
きに−10[v]が印加されれば、強誘電相(−) と
なるため、その次にOFF状態へリセットするために適
当な正極性電圧を印加すれば、0[v]によってリセッ
トするよりも高速でリセットすることができる。これは
上述した強誘電相から反強誘電相への緩和時間が遅いと
いう問題点を解決するものであり、前フレ−ムで選択さ
れていた状態が強誘電相の場合に効果を現わし、高速走
査を可能にする。そのため、PW1=100μsecと
しても駆動することができた。維持電圧波形の周波数は
実施例8と同じである。実施例8ではPW1=200μ
secであるため、このように電圧を設定することによ
って表示速度を高速化することができる。表示特性は、
実施例8と同じく、1:17のコントラスト比が得られ
た。
駆動方法においてVS2=−3[v]とした。この場合
、VC=−12[v]となる。他の設定値は実施例8と
同様である。OFF状態を選択する場合、書き込み期間
の最後から二番目に印加される電圧が+12[v] で
あるのに対して、最後に印加される電圧は0[v]であ
り、逆極性ではない。そのため、この0ボルトの期間内
での光透過率の減少量を実施例8と比較すれば、やや少
なくなる。したがって、OFF状態の光透過率は、実施
例8の場合よりも少し高くなり、コントラスト比は1:
15と少し低くなった。しかし、従来方法によるコント
ラスト比よりも高い。
駆動方法において、|VD1|と|VD2|の値の上限
V2を3[v]として、その範囲内で変化させた。ただ
し、実施例8と同様に VD1=−VD2である。この
ようにデータ電圧を変調することによって、階調表示を
行うことができた。
て、図14に示したように維持電圧波形が直流である電
圧波形によって駆動した。VS1=15[v]、VS2
=−4[v]、VH=−8[v]、|VD1|=|VD
2|=3[v]、VSE=0[v],VDE=3[v]
である。1フレーム期間内での印加電圧の平均値は0で
はないため、1フレーム毎にすべての電圧波形の極性を
反転することによって、単位時間内での平均値が0にな
るようにした。この駆動方法では、VSE−VDE の
極性(負)が、その直前のVH(正)とは逆の極性にな
る。そこで、PW1を150μsecとした。
ントラスト比が得られた。また、実施例11と同様に、
データ電圧を変調することによって、階調表示を行うこ
とができた。
が、必ずしも0[v]とする必要はない。また、 VS
E−VDE の符号も、必ずしも負である必要はない。 さらに、必ずしも|VS2|>|VD2|である必要も
ない。
波形を図15に示す。ここでは、消去期間内に補償電圧
パルスを印加している。消去期間最後に走査電極と信号
電極へ印加する電圧パルスの波高値をそれぞれVSEと
VDEとすれば、各電圧の設定は実施例1〜3と同様で
ある。言うまでもなく、この方法による走査時間は、実
施例8の場合よりもPW2だけ長くなる。しかし、実施
例8〜10と同様な表示特性が得られた。
波形を図16に示す。ここでは、書き込み期間の最初に
補償電圧パルスVCを印加している。各電圧の設定は実
施例10と同様である。|VS2|=|VD2|である
ので、補償電圧の波高値(|VS1|−|VS2|)は
しきい値と等しくなる。したがって、この補償電圧は消
去期間内に得られた状態(反強誘電層)を維持できるた
め、表示特性には何等影響を与えず、実施例10と同様
な表示特性が得られた。
動電圧波形を図17に示す。図17(a)は走査電圧波
形、図17(b)のVd(OFF)、Vd(ON)はそ
れぞれ反強誘電相(OFF状態)と強誘電相(ON状態
)を選択するためのデータ電圧波形である。図18の上
段は液晶層へ印加される電圧波形であり、走査電圧波形
とデータ電圧波形の合成波形である。そして、図18の
下段はそれに対する液晶の電気光学応答である。リセッ
ト電圧はVSE=0〔v〕、データ電圧は|VD1|=
|VD2|=3〔v〕とし、選択期間の最後から二番目
の書き込み電圧パルスの波高値はVS1=17〔v〕、
最後の書き込み電圧パルスの波高値はVS2=−4〔v
〕とした。維持電圧波形としては、負極性から始まる±
9〔v〕の交流電圧パルスとした。また、補償電圧波形
としては、パルス幅と波高値がそれぞれPW2とVC=
−(VS1+VS2+VSE)=−13〔v〕の電圧パ
ルスを、リセット期間の最初に印加することにした。駆
動デューティ比とパルス幅PW1、PW2はそれぞれ1
/1000と480μsec、80μsecであり、維
持電圧波形の周波数は1/(1.991×10−3)
Hzである。
) を印加した場合、選択期間の最後から二番目に液晶
層へ印加される電圧はVS1−VD1=20〔v〕とな
るため、反強誘電相から強誘電相(+) への相転移が
起こる。それに続く最後の電圧は−7〔v〕である。こ
のようにパルス電圧の波高値が+20〔v〕 から−7
〔v〕 へ直接変化した場合、7〔v〕は|V(F−A
)t|以上であるため、反強誘電相を通り越してもう一
方の強誘電相(−)へスイッチする。その後、非選択期
間には −6〜−12〔v〕と6〜12〔v〕という維
持電圧パルスが交互に印加されて、交互に強誘電相(−
)と強誘電相(+)の状態になるため、ON状態が維持
される。
d(OFF)を印加した場合、選択期間の最後から二番
目に液晶層へ印加される電圧は14〔v〕となる。この
値は|V(A−F)t|以下であるため、反強誘電相か
ら強誘電相(+) への相転移は起こらない。この時の
光透過率は図13に示したようにINSである。それに
続く最後の電圧は、−1〔v〕である。この電圧は、最
後から二番目の電圧とは逆極性のため、この期間に光透
過率はほぼ0に近い値まで低下する。その後、非選択期
間には−6〜−12〔v〕と6〜12〔v〕という維持
電圧パルスが交互に印加される。この場合、光透過率は
図13に示したループBにほぼ従うように変化する。た
だし、この図では正極性側のみ示してある。
の時間変化を図18に実線で示す。比較のために、従来
方法によって駆動した場合の光透過率を、同図の破線で
示した。これより、ON状態の光透過率については両者
の間に差は見られないが、OFF状態の光透過率には明
らかな差が認められる。本発明によるOFF状態の平均
光透過率は、従来方法によるそれのほぼ 2/3 倍と
なっている。コントラスト比はOFF状態の光透過率に
反比例するため、コントラスト比は従来のほぼ3/2倍
となり、1:17から1:24へ向上した。さらに、前
述したように補償電圧パルスを1個印加しているため、
1フレーム内に液晶層へ印加される電圧の時間平均値は
0となり、液晶層内での電荷の偏りは起こらない。
の駆動方法においてVS2=−3〔v〕とした。この場
合、VC=−14〔v〕となる。他の設定値は実施例1
と同様である。OFF状態を選択する場合、書き込み期
間の最後から二番目に印加される電圧が+14〔v〕で
あるのに対して、最後に印加される電圧は0〔v〕であ
り、逆極性ではない。そのため、この0ボルトの期間内
での光透過率の減少量を実施例15と比較すれば、やや
少なくなる。したがって、OFF状態の光透過率は、実
施例15の場合よりも少し高くなり、コントラスト比は
1:22と少し低くなった。しかし、従来方法によるコ
ントラスト比よりも高い。
の駆動方法において、|VD1|と|VD2|の値の上
限V2を3〔v〕として、その範囲内で変化させた。た
だし、実施例15と同様に VD1=−VD2である。 このようにデータ電圧を変調することによって、階調表
示を行うことができた。
したように、非選択期間に印加される維持電圧波形に補
償電圧波形を重畳した。VS1=17〔v〕,VS2=
−4〔v〕,VH=±9〔v〕,VC=−13〔v〕,
|VD1|=|VD2|=3〔v〕 である。したがっ
て、維持電圧波形に補償電圧波形を重畳した部分の電圧
(VH+VC)は−4〔v〕となる。本実施例でも、実
施例15と同様な表示特性が得られた。
電圧波形が直流である電圧波形によって駆動した。VS
1=17〔v〕、VS2=−4〔v〕、 VH=−9〔
v〕、|VD1|=|VD2|=3〔v〕、VSE=0
〔v〕である。1フレーム期間内での印加電圧の平均値
は0ではないため、1フレーム毎にすべての電圧波形の
極性を反転することによって、単位時間内での平均値が
0になるようにした。
コントラスト比が得られた。また、実施例18と同様に
、データ電圧を変調することによって、階調表示を行う
ことができた。
波形を図21に示す。各電圧の設定は実施例2と同様で
ある。|VS2|=|VD2|であるので、補償電圧の
波高値(|VS1|−|VS2|)はしきい値と等しく
なる。したがって、実施例14と同様にこの補償電圧は
表示特性には何等影響を与えず、実施例16と同様な表
示特性が得られた。ただし、この方法による走査時間は
、実施例16の場合よりもPW2だけ長くなる。 (実施例21)実施例15と同じ構成において、環境温
度を100℃とした。実施例15の場合よりも温度を高
くしたため、強誘電相から反強誘電相への緩和速度が速
くなった。したがって、PW1=160μsec とし
ても駆動することができ、1:22のコントラスト比が
得られた。
に本発明実施例における駆動電圧波形を示す。
形のタイミングを表わしている。同図においてt01及
びt02は任意の走査電極nにおける選択期間、t11
とt12は非選択期間である。選択期間には±V1の選
択パルス、非選択期間には±V3の交流バイアスが印加
され、1フレ−ム毎に極性を反転する構成となっている
。隣接する走査電極には1選択期間分の位相差を持った
同様な電圧波形が線順次印加される。
ある。101は走査電極波形、102は信号電極波形、
103は101と102の合成波形を表わす。t01及
びt’01とt02及びt’02では印加波形の極性が
反転しており、t01およびt02とt’01及びt’
02はそれぞれOFF選択波形とON選択波形である。 電圧の設定は、|V1+V2|≧|V(A−F)s| |V1−V2|≦|V(A−F)t| とする。
である。201、204は走査電極波形、202、20
5は信号電極波形、203、206は合成波形を表わし
、201、202及び203の場合と204、205及
び206の場合では極性が反転している。電圧の設定条
件は、 |V(F−A)t|≦|V3±V2|≦|V(A−F)
t|とする。
で液晶層に印加される電圧波形が交流化されている為、
直流成分による素子劣化の恐れがない。非選択期間に印
加されるバイアスが1フレ−ム内で複数回極性を反転す
るため液晶分子の自発分極による電荷の偏りも生じにく
く、反転周期を最適化する事によって表示のチラツキも
軽減できる。さらに図22に示したように選択期間の最
初に印加される絶対値が素子の閾値以下のパルスは前フ
レ−ムの非選択期間最後に印加されたパルスと逆極性に
なる様に設定されている(図23参照)。
0μs、V1=18v、V2=2.7v、V3=5v
として上記条件下で駆動したところ、コントラスト比1
:23を得た。非選択期間に印加されるバイアスの極性
を10〜15ms毎に反転する事によって表示画面のフ
リッカを視認出来ないレベルにまで軽減する事が出来た
。 (実施例23)図27に示す様な2n本(nは整数)の
走査電極(C1,C2,・・・,C2n)から成る表示
素子を時分割駆動するにあたって、走査電極を1本おき
に、すなわちC1,C3,C5,・・・,C2n−1,
C2,C4,C6,・・・,C2nの順に選択走査した
場合の、走査電極C1〜C6へ印加される電圧波形とそ
のタイミングを図25に表わす。図中t01は走査電極
C1の選択期間であり、t02,t11及びt12 は
非選択期間である。t01の直後にはC3の選択期間、
その直後にはC5の選択期間が設定されており、t0の
期間で奇数行の選択走査を終了する。続くt1の期間に
は同様に偶数行の選択走査を行い、t0+t1の期間で
一画面の情報を書き込む。奇数行の選択走査を行なって
いる期間(図中t0)に偶数行には既に選択された表示
状態を維持するためのバイアス電圧が印加され、同様に
遇数行の選択走査を行なっている期間(図中t1)に奇
数行には既に選択された表示状態を維持するためのバイ
アス電圧が印加される。また、t0+t1の時間毎に各
走査電極に印加される電圧波形は極性を反転し、液晶層
に印加される電圧が交流化される様にする。
圧波形を示す。図中aは走査電極波形、b及びeは信号
電極波形であり、cとfはそれぞれaとb、およびaと
eの合成波形を表わす。cはOFF状態(反強誘電相の
配向状態)を選択する場合の電圧波形であって、選択期
間t01に波高値V1−V2(|V1−V2|<|V(
A−F)t|)のパルスが印加されて画素はOFF状態
となり非選択期間t02、t11には波高値V3±V2
(|V3±V2|<|V(A−F)t|)のパルス群が
一定周期で極性を反転しながら印加されてOFF状態を
保持する。一方、fの波形はON状態(強誘電相の配向
状態)を選択する場合の電圧波形であり、選択期間t0
1においては波高値V1+V2(|V1+V2|>|V
(A−F)s|)のパルスが印加されて画素はON状態
になる。非選択期間t02、t11には波高値V3±V
2( |V(F−A)t|<|V3±V2|<|V(
A−F)t|)のパルス群が一定周期で極性を反転しな
がら印加されて液晶分子は2つの強誘電相の配向状態間
をスイッチングしながらON状態を維持する。非選択期
間の最後の期間t12では±V2(|±V2|<|V(
F−A)s|)の電圧パルスが印加され、画素は反強誘
電相の配向状態に戻る。
0μs、V1=18v、V2=2.7v、V3=5v
として上記駆動波形でON/OFFしたところ、コント
ラスト比1:22を得た。1000ラインの表示素子に
おいて2回の水平走査で一画面を形成する場合、1回の
走査に要する時間は80msである。
温度を70℃から100℃まで変化させ、非選択期間内
の消去期間(図中 t12 )を70℃で250μs、
100℃で170μsに設定してその間を連続的に変化
させたところ、上記で得られたものと同等な光学特性を
該温度範囲内で維持する事ができた。
・電圧・パルス幅設定において、本実施例では環境温度
を104℃とした。強誘電−反強誘電相転移の緩和時間
は、150μsec である。ここでは消去期間t12
の長さを0とした。この場合、選択期間の長さが160
μsec であったため、消去期間を設けなくても選択
期間内で強誘電相と反強誘電相いずれの状態も得ること
ができる。
マルチプレックス駆動したところ、コントラスト比1:
25を得た。
飛び越し走査して2回の画面走査で一画面の情報を書き
込む例を示したが、この飛び越し数は任意に設定できる
ものである。
nは整数)の走査電極(C1,C2,・・・,C2n)
から成る表示素子を時分割駆動するにあたって、C2,
C3,C4 の走査電極エリアに情報書換えの必要が生
じ、他のエリアでは既に書き込まれた情報を維持する場
合の、走査電極C1〜C6へ印加される電圧波形とその
タイミングを図28に表わす。図中t11,t21は走
査電極C2の選択期間であり、t12,t13及びt2
2,t23 は非選択期間である。t01の直後にはC
3の選択期間、その直後にはC4の選択期間が設定され
ており、これらによって3本の電極に選択波形を印加す
る。また、t1,t2の時間毎に各走査電極に印加され
る電圧波形は極性を反転し、液晶層に印加される電圧が
交流化される様にする。他の電極には既に選択された表
示状態を維持するためのバイアス電圧が一定の周期で極
性を反転しながら印加される。
動電圧波形を示す。図中aは選択期間における走査電極
波形、b及びeは信号電極波形、dは非選択期間におけ
る走査電極波形であって、cとfはそれぞれaとb、お
よびdとeの合成波形を表わす。同図中cの[OFF]
はOFF状態(反強誘電相の配向状態)を選択する場合
の電圧波形であって、選択期間t11およびt21に電
圧絶対値|V1−V2|(|V1−V2|<|V(A−
F)t|)のパルスが印加されて画素はOFF状態とな
る。cの[ON]はON状態(強誘電相の配向状態)を
選択する場合の電圧波形であって、選択期間t11およ
びt21に電圧絶対値|V1+V2|(|V1+V2|
>|V(A−F)s|)のパルスが印加されて画素はO
N状態になる。非選択期間t12には図29fに示す様
に電圧絶対値|V3±V2|(|V(F−A)t|<|
V3±V2|<|V(A−F)t|)のパルス群が一定
周期で極性を反転しながら印加されて前記選択期間で選
択された状態を維持する。非選択期間の最後の期間t1
3では±V2(|±V2|<|V(F−A)s|)の電
圧パルスが印加され、画素は反強誘電相の配向状態にな
る。
0μs、V1=18v、V2=2.7v、V3=5v
として上記駆動波形でON/OFFしたところ、コント
ラスト比1:23を得た。1000ラインの表示素子に
おいて100ラインの表示を書き換えるのに要する時間
は16msである。
温度を70℃から100℃まで変化させ、非選択期間内
の消去期間(図中 t13 )を70℃で250μs、
100℃で170μsに設定してその間を連続的に変化
させたところ、上記で得られたものと同等な光学特性を
該温度範囲内で維持する事ができた。
・電圧・パルス幅設定において、本実施例では環境温度
を104℃とした。強誘電−反強誘電相転移の緩和時間
は、150μsec である。ここでは消去期間t12
の長さを0とした。この場合、選択期間の長さが160
μsec であったため、消去期間を設けなくても選択
期間内で強誘電相と反強誘電相いずれの状態も得ること
ができる。
マルチプレックス駆動したところ、コントラスト比1:
24を得た。
て、図30に示した従来例で駆動した。実施例6と同じ
試料、温度設定において、パルス幅Pw=80μsec
、τe=6×Pw、選択期間τs=7×Pw、V1=1
8v、V2=5v、V3=2.7v として1/400
デューティーマルチプレックス駆動したところ、コント
ラスト比1:22を得た。また、一つの画像情報を表示
するために必要な時間は、τs ×400×2=448
ミリ秒となる。ただし、本比較例においては信頼性試験
による表示品位の劣化は認められなかった。
た駆動方法において2フレーム選択法を用いずに、フレ
ームF(+)・F’(+)で強誘電相(+)(ON状態
)を選択し、フレームF(−)・F’(−) で反強誘
電相(OFF状態)を選択するようにした。一つの画像
情報を表示するために必要な時間は、τs×400=2
24ミリ秒となる。
た場合、常に強誘電相(+)が選択されるために下向き
の分極電場が生じ、液晶層に実際に印加される電圧の時
間平均値は0ではなく負の値となる。そのため、液晶層
と基板との上下界面にはそれぞれ負と正のイオンが偏り
、その結果、反強誘電相から強誘電相(+)へ相転移さ
せるときのしきい値よりも、反強誘電相から強誘電相(
−)へ相転移させるときのしきい値の方が高くなって、
表示品位が劣化することが予想される。
述のようにON(強誘電相(+))・OFFを繰り返す
ことを4週間続けて、その前後での表示品位の変化を調
べることにした。表示品位を調べるときには、反強誘電
相−強誘電相(−)相転移に及ぼす分極電場の影響を明
らかにするために、フレームF(+)で反強誘電相を選
択し、フレームF(−)で強誘電相(−)(ON状態)
を選択するようにした。もし、分極電場の影響がなけれ
ば、試験前後でのON状態の表示品位は変化しないはず
である。しかし、信頼性試験の結果、しきい値特性が変
化して、試験後のON状態の光透過率は試験前の約50
%まで低下した。
定状態間のスイッチング挙動を示す強誘電性液晶素子の
マルチプレックス駆動に於て走査時間を短縮でき、しか
も周囲の温度変化に影響されずにフラットな電気光学特
性を維持できるという効果および表示のチラツキを防止
する効果を有する。また、1回もしくは2回の走査時間
内において駆動電圧波形を交流化する事によって、印加
電圧及び分極電場と時間の積の総和(時間平均値)が零
となって、液晶層内での電荷の偏りを防ぎ、良好な電気
光学特性(表示特性)を長期間にわたって安定して得る
事が出来る。本発明は高精細液晶表示装置やライトバル
ブ、空間光変調器などへの応用が可能である。
。
る任意の走査電極に印加される電圧波形のタイミングを
表わす図。
。
。
。
る任意の走査電極に印加される電圧波形のタイミングを
表わす図。
。
電相状態を選択する時に液晶層に印加される電圧波形と
該電圧波形に対する光透過率の変化を表わす図。
相状態を選択する時に液晶層に印加される電圧波形と該
電圧波形に対する光透過率の変化を表わす図。
表わす図。
図。
される電圧波形と液晶の電気光学応答を示す図。
図。
す図。
す図。
す図。
す図。
加される電圧波形と液晶の電気光学応答を示す図。
す図。
す図。
す図。
動電圧波形を表わす図。
駆動電圧波形を表わす図。
隣接する任意の走査電極に印加される電圧波形のタイミ
ングを表わす図。
隣接する任意の走査電極に印加される電圧波形のタイミ
ングを表わす図。
す図。
に配置された画素を表わす図である。
隣接する任意の走査電極に印加される電圧波形のタイミ
ングを表わす図。
す図。
選択する時に液晶層に印加される電圧波形と該電圧波形
に対する光透過率の変化を表わす図である。
る。
性を説明する図である。
査電極波形(選択期間) 1b,2b,Vd,102,202,205,b,e信
号電極波形(選択期間) 1c,2c,VLC,103,203,206,c,f
合成波形(選択期間) OA
反強誘電相における光軸OF(+)
強誘電相(+)における分子配向方向
(光軸) OF(−) 強誘電
相(−)における分子配向方向(光軸)
Claims (6)
- 【請求項1】 走査電極を有する基板と信号電極を有
する基板の電極面を対向させた基板間に強誘電相におけ
る二つの配向状態と反強誘電相における一つの配向状態
を示す液晶を挟持してなる液晶素子の駆動方法に於て、
選択期間には液晶分子の配列方向を一つの配向状態に揃
える為の電圧パルスを液晶層に印加する第一の期間、次
に液晶分子の配列方向を前記第一の期間における配向状
態から他の配向状態へ変化させるか否かを選択する為の
電圧パルスとして、a.選択する配向状態が反強誘電相
ならば絶対値が閾値以下の電圧パルスb.選択する配向
状態が強誘電相ならば絶対値が閾値より大きい電圧パル
スを前記液晶層に印加する第二の期間を設け、一方、非
選択期間には選択期間内第二の期間で選択された配列を
維持する為の電圧パルス群を前記液晶層に印加する第三
の期間、前記第二の期間で選択された状態が反強誘電相
ならばその状態を維持し、強誘電相ならば反強誘電相の
安定状態に緩和させる様な、絶対値が閾値以下である電
圧パルス群を前記液晶層に印加する第四の期間を有する
事を特徴とする液晶電気光学素子の駆動方法。 - 【請求項2】 前記液晶層に印加する電圧波形が、一
定周期毎に極性を反転し印加電圧と時間の積の総和が零
となるよう設定された事を特徴とする請求項1記載の液
晶電気光学素子の駆動方法。 - 【請求項3】 前記液晶層に印加する電圧波形が、選
択期間と非選択期間から成る一走査期間において印加電
圧と時間の積の総和が零となるよう設定された事を特徴
とする請求項1記載の液晶電気光学素子の駆動方法。 - 【請求項4】 上記非選択期間内の第三の期間と第四
の期間との時間的割合を、素子の環境温度に応じて変化
させる事を特徴とする請求項1記載の液晶電気光学素子
の駆動方法。 - 【請求項5】 マトリクス状に配置された走査電極と
信号電極の間に強誘電相における二つの配向状態と反強
誘電相における一つの配向状態を示す液晶を挟持してな
る液晶表示素子の時分割駆動において、走査電極をn(
0以上の整数)本おきに順次走査してn+1回の画面走
査で一画面を形成する事を特徴とする液晶電気光学素子
の駆動方法。 - 【請求項6】 走査電極と信号電極をマトリクス状に
配置した液晶表示素子の時分割駆動において、表示情報
に書換えの必要が生じた領域の走査電極のみに選択波形
を線順次印加し、他の走査電極上に位置する画素には液
晶分子の配向状態を維持するための電圧パルス群を印加
する事を特徴とする液晶電気光学素子の駆動方法。
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