JPH04364088A - 回路基板のスクライブ方法 - Google Patents
回路基板のスクライブ方法Info
- Publication number
- JPH04364088A JPH04364088A JP3166394A JP16639491A JPH04364088A JP H04364088 A JPH04364088 A JP H04364088A JP 3166394 A JP3166394 A JP 3166394A JP 16639491 A JP16639491 A JP 16639491A JP H04364088 A JPH04364088 A JP H04364088A
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- Japan
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- laser
- circuit board
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- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子装置の回路基板のス
クライブ方法に関し、特に薄膜ハイブリッドＩＣ用基板
のＣＯ２レーザスクライブ方法に関する。
クライブ方法に関し、特に薄膜ハイブリッドＩＣ用基板
のＣＯ２レーザスクライブ方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のＣＯ２レーザスクライブ
方法は図３に示すように、ＣＯ２レーザをセラミックス
基板１に照射し、エアー吹き出しノズル９からエアーを
吹き出し、側方からエアー吸い込みノズル１０でスクラ
イブ時の粉塵を吸い込む方法で行っていた。すなわち、
ＣＯ２レーザビームは集光レンズ４により集光されてセ
ラミックス基板１の表面近傍に焦点を結びセラミックス
基板１を加熱溶融する。一方、エアー導入口１１から導
入された高圧エアーはエアー吹き出しノズル９からセラ
ミックス基板１に向かって吹き出し、セラミックス基板
１の前記ＣＯ２レーザにより加熱溶融された部分を吹き
飛ばす。またエアー吹き出しノズル９の側方にはエアー
吸い込みノズル１０があり、高圧エアーにより吹き飛ば
されたセラミックスの粉塵を吸い込む方法でレーザスク
ライブを行っていた。６はエアーの流れを示す。
方法は図３に示すように、ＣＯ２レーザをセラミックス
基板１に照射し、エアー吹き出しノズル９からエアーを
吹き出し、側方からエアー吸い込みノズル１０でスクラ
イブ時の粉塵を吸い込む方法で行っていた。すなわち、
ＣＯ２レーザビームは集光レンズ４により集光されてセ
ラミックス基板１の表面近傍に焦点を結びセラミックス
基板１を加熱溶融する。一方、エアー導入口１１から導
入された高圧エアーはエアー吹き出しノズル９からセラ
ミックス基板１に向かって吹き出し、セラミックス基板
１の前記ＣＯ２レーザにより加熱溶融された部分を吹き
飛ばす。またエアー吹き出しノズル９の側方にはエアー
吸い込みノズル１０があり、高圧エアーにより吹き飛ば
されたセラミックスの粉塵を吸い込む方法でレーザスク
ライブを行っていた。６はエアーの流れを示す。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のスクラ
イブ方法は、ＣＯ２レーザによって溶融したセラミック
スを吹き飛ばすために高圧エアーを使用しており、ＣＯ
２レーザによって溶融したセラミックス基板中の不純物
がノズルから吹き出された高圧エアー中の酸素と反応し
黒化するという問題点があった。すなわち、図５に示す
ようにＣＯ２レーザの照射によって溶融し、高圧エアー
によって吹き飛ばされた後のセラミックス基板は、スク
ライブライン１２に沿って溶融したセラミックスの一部
が湯玉となって基板上に盛り上がるが、この盛り上がっ
た部分が黒化湯玉１４となって残るという問題点があっ
た。
イブ方法は、ＣＯ２レーザによって溶融したセラミック
スを吹き飛ばすために高圧エアーを使用しており、ＣＯ
２レーザによって溶融したセラミックス基板中の不純物
がノズルから吹き出された高圧エアー中の酸素と反応し
黒化するという問題点があった。すなわち、図５に示す
ようにＣＯ２レーザの照射によって溶融し、高圧エアー
によって吹き飛ばされた後のセラミックス基板は、スク
ライブライン１２に沿って溶融したセラミックスの一部
が湯玉となって基板上に盛り上がるが、この盛り上がっ
た部分が黒化湯玉１４となって残るという問題点があっ
た。
【０００４】本発明の目的は、黒化湯玉となって残るこ
とを防止する回路基板のスクライブ方法を提供すること
にある。
とを防止する回路基板のスクライブ方法を提供すること
にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
、本発明に係る回路基板のスクライブ方法においては、
コンデンサ，抵抗体，導体パターン等を形成した回路基
板をＣＯ２レーザを使ってスクライブする方法であって
、スクライブ時ＣＯ２レーザによって加熱溶融されたセ
ラミックスを、ガス吹き出しノズルから不活性ガスを吹
き出すことにより吹き飛ばすものである。
、本発明に係る回路基板のスクライブ方法においては、
コンデンサ，抵抗体，導体パターン等を形成した回路基
板をＣＯ２レーザを使ってスクライブする方法であって
、スクライブ時ＣＯ２レーザによって加熱溶融されたセ
ラミックスを、ガス吹き出しノズルから不活性ガスを吹
き出すことにより吹き飛ばすものである。
【０００６】また、吹き飛ばされた溶融状態のセラミッ
クをガス吹込みノズルにより吸込み、除去するものであ
る。
クをガス吹込みノズルにより吸込み、除去するものであ
る。
【０００７】
【作用】本発明では、ＣＯ２スクライブの吹き出しノズ
ルに不活性ガスを吹き出すための不活性ガス吹き出しノ
ズルを備えており、ＣＯ２レーザによって溶融したセラ
ミックスを不活性ガスによって吹き飛ばすようにしたも
のである。
ルに不活性ガスを吹き出すための不活性ガス吹き出しノ
ズルを備えており、ＣＯ２レーザによって溶融したセラ
ミックスを不活性ガスによって吹き飛ばすようにしたも
のである。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。
。
【０００９】（実施例１）図１は、本発明の実施例１を
示す縦断面図である。
示す縦断面図である。
【００１０】図１において、コンデンサ，抵抗体，導体
パターン等を形成したセラミックス基板をレーザスクラ
イブする方法を説明すると、まずセラミックス基板１を
Ｘ−Ｙステージ（図示省略）に真空吸着等により固定し
、上方からＣＯ２レーザを照射する。照射されたレーザ
ビームは集光レンズ４により集光されてセラミックス基
板１の表面近傍に焦点を結びセラミックス基板１の表面
のφ０．０５ｍｍ程度の領域を局部的に加熱（２５００
℃前後）し溶かす。一方、不活性ガス導入口７から導入
されたＮ２ガス等の不活性ガスが不活性ガス吹き出しノ
ズル３からセラミック基板１の表面に吹き付けられる。 したがって、溶融状態のセラミックスはＮ２ガスにより
吹き飛ばされる。さらに吹き飛ばされた溶融状態のセラ
ミックスはガス吸い込みノズル２により吸い込まれつつ
冷却されて粉塵となってガス排出口８を通って集塵機（
図示省略）に集められる。尚、セラミックス基板１はＸ
−Ｙステージに真空吸着されているが、このＸ−Ｙステ
ージをあらかじめ設定したプログラムに従って動かすこ
とにより、所望の寸法にスクライブをすることが可能と
なる。
パターン等を形成したセラミックス基板をレーザスクラ
イブする方法を説明すると、まずセラミックス基板１を
Ｘ−Ｙステージ（図示省略）に真空吸着等により固定し
、上方からＣＯ２レーザを照射する。照射されたレーザ
ビームは集光レンズ４により集光されてセラミックス基
板１の表面近傍に焦点を結びセラミックス基板１の表面
のφ０．０５ｍｍ程度の領域を局部的に加熱（２５００
℃前後）し溶かす。一方、不活性ガス導入口７から導入
されたＮ２ガス等の不活性ガスが不活性ガス吹き出しノ
ズル３からセラミック基板１の表面に吹き付けられる。 したがって、溶融状態のセラミックスはＮ２ガスにより
吹き飛ばされる。さらに吹き飛ばされた溶融状態のセラ
ミックスはガス吸い込みノズル２により吸い込まれつつ
冷却されて粉塵となってガス排出口８を通って集塵機（
図示省略）に集められる。尚、セラミックス基板１はＸ
−Ｙステージに真空吸着されているが、このＸ−Ｙステ
ージをあらかじめ設定したプログラムに従って動かすこ
とにより、所望の寸法にスクライブをすることが可能と
なる。
【００１１】またＮ２ガスの流れ５とエアーの流れ６を
矢印で示しているが、この向きや方向は不活性ガス吹き
出しノズル３から吹き出すＮ２ガスの流量（圧力）、ガ
ス吸い込みノズル２から吸い込むガスの流量（真空度）
、セラミックス基板１とガス吸い込みノズル２とのギャ
ップ（開口面積）によって変わってくる。
矢印で示しているが、この向きや方向は不活性ガス吹き
出しノズル３から吹き出すＮ２ガスの流量（圧力）、ガ
ス吸い込みノズル２から吸い込むガスの流量（真空度）
、セラミックス基板１とガス吸い込みノズル２とのギャ
ップ（開口面積）によって変わってくる。
【００１２】セラミックス基板１の表面に粉塵が飛び散
らないためには、Ｎ２ガスの吹き出し量は少ない程、吸
い込むエアーの流量は多いほど良く、逆に溶融したセラ
ミックスが酸化しないためには、Ｎ２ガスの吹き出し流
量が多い程、吸い込むエアーの流量は少ない程いいが、
Ｎ２ガスの吹き出し流量は０．１〜１ｍ３／ｍｉｎ，吸
い込むエアーの流量は０．５〜５ｍ３／ｍｉｎ，ギャッ
プは０．５〜５ｍｍ程度の値とするのが良い。
らないためには、Ｎ２ガスの吹き出し量は少ない程、吸
い込むエアーの流量は多いほど良く、逆に溶融したセラ
ミックスが酸化しないためには、Ｎ２ガスの吹き出し流
量が多い程、吸い込むエアーの流量は少ない程いいが、
Ｎ２ガスの吹き出し流量は０．１〜１ｍ３／ｍｉｎ，吸
い込むエアーの流量は０．５〜５ｍ３／ｍｉｎ，ギャッ
プは０．５〜５ｍｍ程度の値とするのが良い。
【００１３】（実施例２）図２は、本発明の実施例２を
示す縦断面図である。
示す縦断面図である。
【００１４】実施例１と異なる点は、ガス吸い込みノズ
ルがＮ２ガス吹き出しノズルと同軸には形成されていな
くて、側方に設けられている点である。
ルがＮ２ガス吹き出しノズルと同軸には形成されていな
くて、側方に設けられている点である。
【００１５】すなわち、従来のスクライブ方法のエアー
導入口１１が不活性ガス導入口７に変わり、セラミック
ス基板１へ吹き付けるガスとしての高圧エアーがＮ２ガ
スに変わるが、他は従来のスクライブ方法と同じである
。実施例１に比べると構造が簡単であり、図４に示すよ
うにセラミックス基板１の表面に飛び散って焼け付くセ
ラミックス粉塵は増加するが、スクライブライン１２に
沿って溶融して盛り上がった湯玉１３の部分が黒化する
ことはない。
導入口１１が不活性ガス導入口７に変わり、セラミック
ス基板１へ吹き付けるガスとしての高圧エアーがＮ２ガ
スに変わるが、他は従来のスクライブ方法と同じである
。実施例１に比べると構造が簡単であり、図４に示すよ
うにセラミックス基板１の表面に飛び散って焼け付くセ
ラミックス粉塵は増加するが、スクライブライン１２に
沿って溶融して盛り上がった湯玉１３の部分が黒化する
ことはない。
【００１６】尚、本実施例では吹き出しガスとしてＮ２
ガスを使用しているが、Ａｒ等の不活性ガスを使っても
良いことはもちろんである。
ガスを使用しているが、Ａｒ等の不活性ガスを使っても
良いことはもちろんである。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明はＣＯ２レー
ザスクライバーの吹き出しノズルに不活性ガスを吹き出
すための不活性ガス吹き出しノズルを備えており、ＣＯ
２レーザによって溶融したセラミックスは不活性ガスに
よって吹き飛ばされるので、溶融部が酸化して黒化する
という問題はない。
ザスクライバーの吹き出しノズルに不活性ガスを吹き出
すための不活性ガス吹き出しノズルを備えており、ＣＯ
２レーザによって溶融したセラミックスは不活性ガスに
よって吹き飛ばされるので、溶融部が酸化して黒化する
という問題はない。
【図１】本発明の実施例１を示す縦断面図である。
【図２】本発明の実施例２を示す縦断面図である。
【図３】従来のスクライブ方法を示す縦断面図である。
【図４】本発明のスクライブ方法でスクライブしたセラ
ミックス基板を示す断面図である。
ミックス基板を示す断面図である。
【図５】従来のスクライブ方法でスクライブしたセラミ
ックス基板の断面図である。
ックス基板の断面図である。
１ セラミックス基板
２，２′ ガス吸い込みノズル
３ 不活性ガス吹き出しノズル
４ 集光レンズ
５ Ｎ２ガスの流れ
６ エアーの流れ
７ 不活性ガス導入口
８ ガス排出口
９ エアー吹き出しノズル
１０ エアー吸い込みノズル
１１ エアー導入口
１２ スクライブライン
１３ 湯玉
１４ 黒化湯玉
Claims (2)
- 【請求項１】 コンデンサ，抵抗体，導体パターン等
を形成した回路基板をＣＯ２レーザを使ってスクライブ
する方法であって、スクライブ時ＣＯ２レーザによって
加熱溶融されたセラミックスを、ガス吹き出しノズルか
ら不活性ガスを吹き出すことにより吹き飛ばすことを特
徴とする回路基板のスクライブ方法。 - 【請求項２】 吹き飛ばされた溶融状態のセラミック
をガス吹込みノズルにより吸込み、除去することを特徴
とする請求項１に記載の回路基板のスクライブ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3166394A JPH04364088A (ja) | 1991-06-11 | 1991-06-11 | 回路基板のスクライブ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3166394A JPH04364088A (ja) | 1991-06-11 | 1991-06-11 | 回路基板のスクライブ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04364088A true JPH04364088A (ja) | 1992-12-16 |
Family
ID=15830607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3166394A Pending JPH04364088A (ja) | 1991-06-11 | 1991-06-11 | 回路基板のスクライブ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04364088A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08243771A (ja) * | 1995-01-11 | 1996-09-24 | Shinozaki Seisakusho:Kk | パルスレーザ光によるプリント配線板の孔あけ加工方法及び加工装置 |
| EP0966186A3 (de) * | 1998-06-19 | 2001-08-16 | Jürgen Dr.-Ing. Schulz-Harder | Verfahren zum Herstellen eines Metall-Keramik-Substrates |
| WO2001095680A1 (de) * | 2000-06-03 | 2001-12-13 | Kem Tec Service Gmbh | Mehrfachnutzenleiterplatte mit beidseitigen ritzlinien mittels laserstrahlen und anlage zur herstellung |
| WO2003095140A1 (en) * | 2002-05-13 | 2003-11-20 | Disco Corporation | Finishing machine using laser beam |
| JP2005504445A (ja) * | 2001-10-01 | 2005-02-10 | エグシル テクノロジー リミテッド | 基板、特に半導体ウェハの加工 |
| JP2005294523A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Matsushita Electric Works Ltd | セラミック回路基板の製造方法 |
| KR20150116395A (ko) * | 2014-04-07 | 2015-10-15 | 가부시기가이샤 디스코 | 레이저 가공 장치 |
| JP2019513558A (ja) * | 2016-06-08 | 2019-05-30 | ハンズ レーザー テクノロジー インダストリー グループ カンパニー リミテッド | サファイアを切断するための方法及び装置 |
-
1991
- 1991-06-11 JP JP3166394A patent/JPH04364088A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08243771A (ja) * | 1995-01-11 | 1996-09-24 | Shinozaki Seisakusho:Kk | パルスレーザ光によるプリント配線板の孔あけ加工方法及び加工装置 |
| EP0966186A3 (de) * | 1998-06-19 | 2001-08-16 | Jürgen Dr.-Ing. Schulz-Harder | Verfahren zum Herstellen eines Metall-Keramik-Substrates |
| WO2001095680A1 (de) * | 2000-06-03 | 2001-12-13 | Kem Tec Service Gmbh | Mehrfachnutzenleiterplatte mit beidseitigen ritzlinien mittels laserstrahlen und anlage zur herstellung |
| JP2005504445A (ja) * | 2001-10-01 | 2005-02-10 | エグシル テクノロジー リミテッド | 基板、特に半導体ウェハの加工 |
| JP2010016392A (ja) * | 2001-10-01 | 2010-01-21 | Xsil Technology Ltd | 基板、特に半導体ウェハの加工 |
| WO2003095140A1 (en) * | 2002-05-13 | 2003-11-20 | Disco Corporation | Finishing machine using laser beam |
| US7057136B2 (en) | 2002-05-13 | 2006-06-06 | Disco Corporation | Finishing machine using laser beam |
| JP2005294523A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Matsushita Electric Works Ltd | セラミック回路基板の製造方法 |
| KR20150116395A (ko) * | 2014-04-07 | 2015-10-15 | 가부시기가이샤 디스코 | 레이저 가공 장치 |
| JP2015199080A (ja) * | 2014-04-07 | 2015-11-12 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
| JP2019513558A (ja) * | 2016-06-08 | 2019-05-30 | ハンズ レーザー テクノロジー インダストリー グループ カンパニー リミテッド | サファイアを切断するための方法及び装置 |
| US10981251B2 (en) | 2016-06-08 | 2021-04-20 | Han's Laser Technology Industry Group Co., Ltd | Method and device for cutting sapphire |
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