JPH0212943A - セラミックス基板のスクライブ方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電子装置のセラミックス基板のスクライブ方法
に関し、特に薄膜基板のＣｏ２レーザによるセラミック
ス基板のスクライブ方法に関する。

〔従来の技術〕

従来、この種のＣＯ２レーザスクライブ方法は、第４図
に示すように、Ｃ０２レーザビームをセラミックス基板
１に照射し、エアー吹き出しノズル２３からエアーを吹
き出し、側方からエアー吸い込みノズル２２でスクライ
ブ時の粉塵を吸い込む方法で行なっていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来のスクライブ方法は、エアー吹き出しノズ
ルの側方からエアー吸い込みノズルで吸入しているので
、スクライブ時の粉塵が吸収排除しきれず、セラミック
ス基板の表面に付着するということがあった。この表面
に付着した粉塵は、絶縁物のため厚膜基板（印刷により
抵抗体、導体パターン等を形成する膜厚１０〜数１０μ
ｍの基板）では、はとんど問題にならないが、薄膜基板
（蒸着、スパッタリング等により、コンデンサ。

抵抗体、導体パターン等を形成する膜厚０．１〜数μｍ
の基板）のように膜の薄い基板においては、赤熱された
粉塵が薄膜に焼き付き薄膜の特性を劣化させるという欠
点があった。

本発明の目的は、粉塵の焼き付きがなく、薄膜の特性を
劣化させることなく、スクライブできるセラミックス基
板のスクライブ方法を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、セラミックス基板上にコンデンサ。

抵抗体、導体パターンを有する回路基板をＣ０２レーザ
を使ってスクライブする工程において、エアー吹き出し
ノズルとエアー吸い込みノズルを同軸形成し、スクライ
ブ時にＣＯ２レーザビームによって加熱溶融されエアー
により吹き飛ばされた赤熱セラミックス粉塵を吸収排除
するようになっている。

〔実施例〕

次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。

第１図は本発明の第１の実施例の要部縦断面図、第２図
（ａ）、（ｂ）はスクライブ時の火花の状況を説明する
ための縦断面図である。

第１図において、セラミックス基板をレーザスクライブ
する方法を説明すると、まず、セラミックス基板１をＸ
−Ｙステージ（図示省略）に真空吸着等により固定し、
上方からＣＯ２レーザビームを照謝する。照射されたレ
ーザビームは、集光レンズ４により集光されて、セラミ
ックス基板１の表面近傍に焦点を結び、セラミックス基
板１の表面の直径０．０５ｍｍ程度の領域を局部的に加
熱（２５００℃前後）し溶かす。一方、エアー導入口６
から導入されたエアーがエアー吹き出しノズル３からセ
ラミックス基板１の表面に吹き付けられる。したがって
、溶融状態のセラミックスは、エアーにより火花となっ
て吹き飛ばされる。さらに、吹き飛ばされた火花は、エ
アー吸い込みノズル２により吸い込まれつつ冷却されて
粉塵となり、エアー排出ロアを通って集塵機（図示省略
）に集められる。尚、セラミックス基板１はＸ−Ｙステ
ージに真空吸着されているがこのＸ−Ｙステージをあら
かじめ設定したプログラムに従って動かすことにより所
定の寸法にスクライブをすることが可能となる。

また、エアーの流れ５を矢印で示しているが、この向き
や方向は、エアー吹き出しノズル３から吹き出すエアー
の流量（圧力）、エアー吸い込みノズル２から吸い込む
エアーの流量（真空度）。

セラミックス基板１とエアー吸い込みノズル２とのギャ
ップ（開口面積）によって変わってくるが、セラミック
ス基板１に赤熱された粉塵を付着させないためには吹き
出しエアーの流量は少ない程、吸い込むエアーの流量は
多い程、また、ギャップは小さい程よいが、実際には、
吹き出すエアーの流量は１〜１　、５ｍ　３／ｍｉｎ、
吸い込むエアーの流量は２〜ｌ　Ｏｍ　３／ｍｉｎ、ギ
ャップは０．５〜５關程度の値とするのがよい。

さらに、第２図（ａ）、（ｂ）にエアー吸い込みノズル
を付けていない時のスクライブ時の火花の状況を示すが
、第２図（ａ）は火花８が比較的低く飛び散り、一部は
、セラミックス基板１の表面を流れるように飛んでおり
、第２図（ｂ）は比較的火花８が高く飛んだ後セラミッ
クス基板１の表面に落下している。この第２図（ａ）と
（ｂ）のちがいは、スクライブ条件のちがいによるもの
である（例えばエキスパンダでビーム径を大きく、集光
レンズの焦点距離を大きくした方が（ｂ）に近づく）。

本実施例を実施する上で火花８が（ｂ）に近い状態で行
なうと効果が最大限に発揮されることはもちろんである
。

第３図は本発明の第２の実施例の要部縦断面図である。

第３図において、第１の実施例と異なる点は、エアー吸
い込みノズル１２をＯリング１０によりシールし固定ね
じりにより固定している点である。

すなわち、第１の実施例では、エアー吸い込みノズル２
をその内側に設けためねじで固定しているため、エアー
排出ロアの向きを所定の向きにすることが困難であるが
、第２の実施例では固定ねじ９により所定の位置にエア
ー吸い込みノズル１２を固定することができ、したがっ
て、エアー排出口１７の向きを所定の向きにすることが
可能である。さらに、固定ねし９用の穴を長穴にするこ
とによりエアー吸い込みノズル１２を高さ方向に調整自
在とすることが可能である。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、エアー吹き出しノズルと
エアー吸い込みノズルを同軸形成することにより、スク
ライブ時、Ｃ０２レーザビームによって加熱溶融されエ
アーにより吹き飛ばされた赤熱セラミックス粉塵を吸入
排除することができ、セラミックス基板の表面にスクラ
イブ時の粉塵を付着させることなく、したがって、薄膜
の特性を劣化させることなくスクライブできるという効
果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例の要部縦断面図、第２図
（ａ）、（ｂ）はスクライブ時の火花の状況を説明する
ための縦断面図、第３図は本発明の第２の実施例の要部
縦断面図、第４図は従来のスクライブの方法の一例を説
明するための縦断面図である。 １・・・セラミックス基板、２．１２．２２・・・エア
ー吸い込みノズル、３，１３．２３・・・エアー吹き出
しノズル、４・・・集光レンズ、５．１５．２５・・・
エアーの流れ、６，１６．２６・・・エアー導入口、７
．１７・・・エアー排出口、８・・・火花、９・・・固
定ねじ、１０・・・０リング。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. セラミックス基板上にコンデンサ、抵抗体、導体パター
   ンを有する回路基板をＣＯ＿２レーザを使つてスクライ
   ブする工程において、エアー吹き出しノズルとエアー吸
   い込みノズルを同軸形成し、スクライブ時にＣＯ＿２レ
   ーザビームによって加熱溶融されエアーにより吹き飛ば
   された赤熱セラミックス粉塵を吸収排除することを特徴
   とするセラミックス基板のスクライブ方法。