JPH04365348A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH04365348A JPH04365348A JP14178491A JP14178491A JPH04365348A JP H04365348 A JPH04365348 A JP H04365348A JP 14178491 A JP14178491 A JP 14178491A JP 14178491 A JP14178491 A JP 14178491A JP H04365348 A JPH04365348 A JP H04365348A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- chamber
- semiconductor manufacturing
- manufacturing apparatus
- transfer unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウエハ移載ユニットの
周囲にプロセスチャンバーが複数並べられた半導体製造
装置に関するものである。
周囲にプロセスチャンバーが複数並べられた半導体製造
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の半導体製造装置は、多関
節型ウエハハンドリングロボットによって各プロセスチ
ャンバーに半導体ウエハを移載していた。従来の半導体
製造装置を図３によって説明する。
節型ウエハハンドリングロボットによって各プロセスチ
ャンバーに半導体ウエハを移載していた。従来の半導体
製造装置を図３によって説明する。
【０００３】図３は従来の半導体製造装置の概略構成を
示す平面図である。同図において、１ないし５はプロセ
スチャンバーで、１は第１チャンバー、２は第２チャン
バー、３は第３チャンバー、４は第４チャンバー、５は
第５チャンバーである。６は前記各プロセスチャンバー
１〜５間でシリコンウエハ（以下、単にウエハという）
７を移載させるウエハ移載ユニットとしてのウエハハン
ドリングロボットである。前記第１〜第５チャンバーは
、ウエハ出し入れ口をウエハハンドリングロボット６側
に向けた状態でウエハハンドリングロボット６を囲むよ
うにして並べられている。
示す平面図である。同図において、１ないし５はプロセ
スチャンバーで、１は第１チャンバー、２は第２チャン
バー、３は第３チャンバー、４は第４チャンバー、５は
第５チャンバーである。６は前記各プロセスチャンバー
１〜５間でシリコンウエハ（以下、単にウエハという）
７を移載させるウエハ移載ユニットとしてのウエハハン
ドリングロボットである。前記第１〜第５チャンバーは
、ウエハ出し入れ口をウエハハンドリングロボット６側
に向けた状態でウエハハンドリングロボット６を囲むよ
うにして並べられている。
【０００４】次に、このように構成された従来の半導体
製造装置の動作について説明する。ここで、仮に第１チ
ャンバー１をウエハ７の受け入れのチャンバーとし、第
２チャンバー２を層間絶縁膜の一種であるシリコン酸化
膜を堆積するチャンバーとし、第３チャンバー３を前記
第２チャンバー２で堆積した酸化膜に熱処理を施すため
のチャンバーとし、第４チャンバー４を前記第３チャン
バー３で熱処理した酸化膜をエッチバックするチャンバ
ーとし、第５チャンバー５をウエハ払い出し用のチャン
バーとする。
製造装置の動作について説明する。ここで、仮に第１チ
ャンバー１をウエハ７の受け入れのチャンバーとし、第
２チャンバー２を層間絶縁膜の一種であるシリコン酸化
膜を堆積するチャンバーとし、第３チャンバー３を前記
第２チャンバー２で堆積した酸化膜に熱処理を施すため
のチャンバーとし、第４チャンバー４を前記第３チャン
バー３で熱処理した酸化膜をエッチバックするチャンバ
ーとし、第５チャンバー５をウエハ払い出し用のチャン
バーとする。
【０００５】第１チャンバー１にセットされたウエハ７
は、ウエハハンドリングロボット６によって第２チャン
バー２に移載される。この第２チャンバー２では、層間
絶縁膜の一種であるシリコン酸化膜がウエハ７上に堆積
される。そして、シリコン酸化膜が堆積されたウエハ７
は、ウエハハンドリングロボット６によって第３チャン
バー３に移載される。第３チャンバー３では、前記第２
チャンバー２で堆積されたシリコン酸化膜に熱処理が施
される。熱処理終了後、ウエハ７はウエハハンドリング
ロボット６によって第４チャンバー４へ移載される。第
４チャンバー４では、熱処理されたシリコン酸化膜を反
応性ガスによってエッチバックを行う。エッチバック終
了後は、ウエハ７は、ウエハハンドリングロボット６に
よって第５チャンバー５へ移載されてこの第５チャンバ
ー５から払い出される。従来の半導体製造装置では、こ
れらの一連の動作によってウエハ７が処理されていた。
は、ウエハハンドリングロボット６によって第２チャン
バー２に移載される。この第２チャンバー２では、層間
絶縁膜の一種であるシリコン酸化膜がウエハ７上に堆積
される。そして、シリコン酸化膜が堆積されたウエハ７
は、ウエハハンドリングロボット６によって第３チャン
バー３に移載される。第３チャンバー３では、前記第２
チャンバー２で堆積されたシリコン酸化膜に熱処理が施
される。熱処理終了後、ウエハ７はウエハハンドリング
ロボット６によって第４チャンバー４へ移載される。第
４チャンバー４では、熱処理されたシリコン酸化膜を反
応性ガスによってエッチバックを行う。エッチバック終
了後は、ウエハ７は、ウエハハンドリングロボット６に
よって第５チャンバー５へ移載されてこの第５チャンバ
ー５から払い出される。従来の半導体製造装置では、こ
れらの一連の動作によってウエハ７が処理されていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、上述したよ
うに構成された従来の半導体製造装置では、ウエハ７の
受け取り工程から払い出し工程にわたり各プロセスチャ
ンバー間でウエハ７を移載するには全て一つのウエハハ
ンドリングロボット６で行わなければならない。このウ
エハハンドリングロボット６は位置決め精度が低い関係
から搬送動作の信頼性が低くウエハ７をチャンバー内の
正しい位置に装着できないことがあった。ウエハ７の装
着位置が不正確であると、所定の処理をウエハ７に施す
ことができなくなってしまう。
うに構成された従来の半導体製造装置では、ウエハ７の
受け取り工程から払い出し工程にわたり各プロセスチャ
ンバー間でウエハ７を移載するには全て一つのウエハハ
ンドリングロボット６で行わなければならない。このウ
エハハンドリングロボット６は位置決め精度が低い関係
から搬送動作の信頼性が低くウエハ７をチャンバー内の
正しい位置に装着できないことがあった。ウエハ７の装
着位置が不正確であると、所定の処理をウエハ７に施す
ことができなくなってしまう。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体製造
装置は、ウエハ移載ユニットをプロセスチャンバーの数
と同数の側壁を有する正多角柱状に形成し、このウエハ
移載ユニットの各側壁に、半導体ウエハをこの側壁と平
行にして支持しかつ各プロセスチャンバーのウエハ出し
入れ口を閉塞するウエハ保持用ステージを設けると共に
、このウエハ移載ユニットを正多角柱の長手方向と平行
な中心線回りに回転自在に設けたものである。
装置は、ウエハ移載ユニットをプロセスチャンバーの数
と同数の側壁を有する正多角柱状に形成し、このウエハ
移載ユニットの各側壁に、半導体ウエハをこの側壁と平
行にして支持しかつ各プロセスチャンバーのウエハ出し
入れ口を閉塞するウエハ保持用ステージを設けると共に
、このウエハ移載ユニットを正多角柱の長手方向と平行
な中心線回りに回転自在に設けたものである。
【０００８】
【作用】ウエハ保持用ステージに半導体ウエハを装着さ
せた状態でウエハ移載ユニットを回転させることで、半
導体ウエハはウエハ移載ユニットから一度も外されるこ
となく各プロセスチャンバーに搬送される。
せた状態でウエハ移載ユニットを回転させることで、半
導体ウエハはウエハ移載ユニットから一度も外されるこ
となく各プロセスチャンバーに搬送される。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１および図２に
よって詳細に説明する。図１は本発明に係る半導体製造
装置の概略構成を示す平面図、図２は同じく側面図であ
る。これらの図において前記図３で説明したものと同一
もしくは同等部材については、同一符号を付し詳細な説
明は省略する。これらの図において、１１は本発明に係
るウエハ移載ユニットとしてのウエハ支持ユニットで、
このウエハ支持ユニット１１は、本実施例では正５角柱
状に形成されており、正５角柱の長手方向と平行な（鉛
直な）中心線回りに回転自在に設けられている。その中
心線を図中一点鎖線Ａで示し、ウエハ支持ユニット１１
の回転軸を１２で示す。なお、このウエハ支持ユニット
１１は、不図示の駆動装置が連結され、図に示す矢印方
向へ回転するように構成されている。そして、このウエ
ハ支持ユニット１１の周囲に各プロセスチャンバー（第
１〜第５チャンバー１〜５）が配置されている。
よって詳細に説明する。図１は本発明に係る半導体製造
装置の概略構成を示す平面図、図２は同じく側面図であ
る。これらの図において前記図３で説明したものと同一
もしくは同等部材については、同一符号を付し詳細な説
明は省略する。これらの図において、１１は本発明に係
るウエハ移載ユニットとしてのウエハ支持ユニットで、
このウエハ支持ユニット１１は、本実施例では正５角柱
状に形成されており、正５角柱の長手方向と平行な（鉛
直な）中心線回りに回転自在に設けられている。その中
心線を図中一点鎖線Ａで示し、ウエハ支持ユニット１１
の回転軸を１２で示す。なお、このウエハ支持ユニット
１１は、不図示の駆動装置が連結され、図に示す矢印方
向へ回転するように構成されている。そして、このウエ
ハ支持ユニット１１の周囲に各プロセスチャンバー（第
１〜第５チャンバー１〜５）が配置されている。
【００１０】前記ウエハ支持ユニット１１の５つの側壁
には、ウエハ７を例えば真空吸着などによって側壁と平
行にして保持するウエハステージ１３がそれぞれ設けら
れている。このウエハステージ１３はウエハ７を上下方
向に複数枚並べて保持するように構成されている。また
、このウエハステージ１３は、ウエハ支持ユニット１１
を囲むように配置された各プロセスチャンバーのウエハ
出し入れ口を閉塞するように構成されている。
には、ウエハ７を例えば真空吸着などによって側壁と平
行にして保持するウエハステージ１３がそれぞれ設けら
れている。このウエハステージ１３はウエハ７を上下方
向に複数枚並べて保持するように構成されている。また
、このウエハステージ１３は、ウエハ支持ユニット１１
を囲むように配置された各プロセスチャンバーのウエハ
出し入れ口を閉塞するように構成されている。
【００１１】次に、上述したように構成された本発明に
係る半導体製造装置の動作について説明する。ウエハ７
は、先ず第１チャンバー１にてウエハステージ１３に装
着される。次に、ウエハ７が装着されたウエハ支持ユニ
ット１１を図１において右回りに回し、ウエハ７を有す
るウエハステージ１３を第２チャンバー２に向ける。こ
のときにはウエハ支持ユニット１１は７２度（３６０／
５度）回転し、ウエハ７は第２チャンバー２に搬送され
ることになる。これと同時に、第１チャンバー１には前
記ウエハステージ１３の左隣に位置するウエハステージ
１３が位置づけられることになる。
係る半導体製造装置の動作について説明する。ウエハ７
は、先ず第１チャンバー１にてウエハステージ１３に装
着される。次に、ウエハ７が装着されたウエハ支持ユニ
ット１１を図１において右回りに回し、ウエハ７を有す
るウエハステージ１３を第２チャンバー２に向ける。こ
のときにはウエハ支持ユニット１１は７２度（３６０／
５度）回転し、ウエハ７は第２チャンバー２に搬送され
ることになる。これと同時に、第１チャンバー１には前
記ウエハステージ１３の左隣に位置するウエハステージ
１３が位置づけられることになる。
【００１２】第２チャンバー２では層間絶縁膜の一種で
あるシリコン酸化膜をウエハ上に堆積させる。堆積中、
第１チャンバー１では次のウエハ７をウエハステージ１
３に装着させる。堆積後、ウエハ支持ユニット１１を再
び右回りに７２度回転させ、シリコン酸化膜が堆積され
たウエハ７を第３チャンバー３に搬送する。第３チャン
バー３ではシリコン酸化膜の熱処理を行う。熱処理中に
は、前記第１および第２チャンバー１，２では上述した
作業が繰り返して行われる。
あるシリコン酸化膜をウエハ上に堆積させる。堆積中、
第１チャンバー１では次のウエハ７をウエハステージ１
３に装着させる。堆積後、ウエハ支持ユニット１１を再
び右回りに７２度回転させ、シリコン酸化膜が堆積され
たウエハ７を第３チャンバー３に搬送する。第３チャン
バー３ではシリコン酸化膜の熱処理を行う。熱処理中に
は、前記第１および第２チャンバー１，２では上述した
作業が繰り返して行われる。
【００１３】熱処理終了後、ウエハ支持ユニット１１が
右回りに７２度回転し、第４チャンバー４にウエハ７を
搬送させる。第４チャンバー４では、熱処理したシリコ
ン酸化膜のエッチバックが行われる。そして、その処理
が終了した後は、ウエハ支持ユニット１１を再び回転さ
せてウエハ７を第５チャンバー５へ搬送し、そこでウエ
ハ７の払い出しを行う。その後、引き続きウエハ支持ユ
ニット１１を回転させてウエハステージ１３を第１チャ
ンバー１に位置づけ、再びウエハ７をウエハステージ１
３に装着させる。
右回りに７２度回転し、第４チャンバー４にウエハ７を
搬送させる。第４チャンバー４では、熱処理したシリコ
ン酸化膜のエッチバックが行われる。そして、その処理
が終了した後は、ウエハ支持ユニット１１を再び回転さ
せてウエハ７を第５チャンバー５へ搬送し、そこでウエ
ハ７の払い出しを行う。その後、引き続きウエハ支持ユ
ニット１１を回転させてウエハステージ１３を第１チャ
ンバー１に位置づけ、再びウエハ７をウエハステージ１
３に装着させる。
【００１４】本発明に係る半導体製造装置では、上述し
たような一連の作業を繰り返してウエハ７を処理する。 すなわち、ウエハ支持ユニット１１の５側部に各々装着
されたウエハ７は、順次プロセスチャンバーに搬送され
て所定の処理が施されることになる。
たような一連の作業を繰り返してウエハ７を処理する。 すなわち、ウエハ支持ユニット１１の５側部に各々装着
されたウエハ７は、順次プロセスチャンバーに搬送され
て所定の処理が施されることになる。
【００１５】したがって、ウエハ支持ユニット１１にウ
エハ７を装着させた状態でウエハ支持ユニット１１を回
転させることで、ウエハ７はウエハ支持ユニット１１か
ら一度も外されることなく各プロセスチャンバーに搬送
される。
エハ７を装着させた状態でウエハ支持ユニット１１を回
転させることで、ウエハ７はウエハ支持ユニット１１か
ら一度も外されることなく各プロセスチャンバーに搬送
される。
【００１６】なお、本実施例ではウエハ支持ユニット１
１を正５角柱とした例を示したが、本発明はこのような
限定にとらわれることなく、角数が３以上の正多角柱で
あればどのようなものでも本実施例と同様の効果が得ら
れる。
１を正５角柱とした例を示したが、本発明はこのような
限定にとらわれることなく、角数が３以上の正多角柱で
あればどのようなものでも本実施例と同様の効果が得ら
れる。
【００１７】また、本実施例ではウエハ支持ユニット１
１を鉛直軸回りに回転させた例を示したが、水平軸回り
に回転するように構成することもできる。そのようにす
るときにも各プロセスチャンバーをウエハ支持ユニット
を囲むように配置することはいうまでもない。
１を鉛直軸回りに回転させた例を示したが、水平軸回り
に回転するように構成することもできる。そのようにす
るときにも各プロセスチャンバーをウエハ支持ユニット
を囲むように配置することはいうまでもない。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る半導体
製造装置は、ウエハ移載ユニットをプロセスチャンバー
の数と同数の側壁を有する正多角柱状に形成し、このウ
エハ移載ユニットの各側壁に、半導体ウエハをこの側壁
と平行にして支持しかつ各プロセスチャンバーのウエハ
出し入れ口を閉塞するウエハ保持用ステージを設けると
共に、このウエハ移載ユニットを正多角柱の長手方向と
平行な中心線回りに回転自在に設けたため、ウエハ保持
用ステージに半導体ウエハを装着させた状態でウエハ移
載ユニットを回転させることで、半導体ウエハはウエハ
移載ユニットから一度も外されることなく各プロセスチ
ャンバーに搬送される。したがって、半導体ウエハの受
け渡しを行うウエハハンドリングロボットが不要になり
、半導体ウエハの搬送トラブルを防ぐことができるから
、半導体製造作業を安定した状態で行うことができる。
製造装置は、ウエハ移載ユニットをプロセスチャンバー
の数と同数の側壁を有する正多角柱状に形成し、このウ
エハ移載ユニットの各側壁に、半導体ウエハをこの側壁
と平行にして支持しかつ各プロセスチャンバーのウエハ
出し入れ口を閉塞するウエハ保持用ステージを設けると
共に、このウエハ移載ユニットを正多角柱の長手方向と
平行な中心線回りに回転自在に設けたため、ウエハ保持
用ステージに半導体ウエハを装着させた状態でウエハ移
載ユニットを回転させることで、半導体ウエハはウエハ
移載ユニットから一度も外されることなく各プロセスチ
ャンバーに搬送される。したがって、半導体ウエハの受
け渡しを行うウエハハンドリングロボットが不要になり
、半導体ウエハの搬送トラブルを防ぐことができるから
、半導体製造作業を安定した状態で行うことができる。
【図１】本発明に係る半導体製造装置の概略構成を示す
平面図である。
平面図である。
【図２】本発明に係る半導体製造装置の概略構成を示す
側面図である。
側面図である。
【図３】従来の半導体製造装置の概略構成を示す平面図
である。
である。
１ 第１チャンバー
２ 第２チャンバー
３ 第３チャンバー
４ 第４チャンバー
５ 第５チャンバー
７ 半導体ウエハ
１１ ウエハ支持ユニット
１２ 回転軸
１３ ウエハステージ
Claims (1)
- 【請求項１】 ウエハ移載ユニットの周囲に、プロセ
スチャンバーがウエハ出し入れ口を前記ウエハ移載ユニ
ット側へ向けて複数並べられた半導体製造装置において
、前記ウエハ移載ユニットをプロセスチャンバーの数と
同数の側壁を有する正多角柱状に形成し、このウエハ移
載ユニットの各側壁に、半導体ウエハをこの側壁と平行
にして支持しかつ各プロセスチャンバーのウエハ出し入
れ口を閉塞するウエハ保持用ステージを設けると共に、
このウエハ移載ユニットを正多角柱の長手方向と平行な
中心線回りに回転自在に設けたことを特徴とする半導体
製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14178491A JPH04365348A (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14178491A JPH04365348A (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04365348A true JPH04365348A (ja) | 1992-12-17 |
Family
ID=15300085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14178491A Pending JPH04365348A (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04365348A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07161632A (ja) * | 1993-07-16 | 1995-06-23 | Semiconductor Syst Inc | 基板コーティング／現像システム用熱処理モジュール |
| US6338409B1 (en) | 2000-04-13 | 2002-01-15 | International Business Machines Corporation | Reticle SMIF pod in situ orientation |
-
1991
- 1991-06-13 JP JP14178491A patent/JPH04365348A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07161632A (ja) * | 1993-07-16 | 1995-06-23 | Semiconductor Syst Inc | 基板コーティング／現像システム用熱処理モジュール |
| US6338409B1 (en) | 2000-04-13 | 2002-01-15 | International Business Machines Corporation | Reticle SMIF pod in situ orientation |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR0170411B1 (ko) | 처리시스템 | |
| US5445491A (en) | Method for multichamber sheet-after-sheet type treatment | |
| JP2987148B1 (ja) | 基板処理装置 | |
| US20080138176A1 (en) | Apparatus for manufacturing semiconductor device | |
| US20050220576A1 (en) | Substrate manufacturing apparatus and substrate transfer module used therein | |
| JP3571471B2 (ja) | 処理方法，塗布現像処理システム及び処理システム | |
| JPH05304112A (ja) | 真空処理装置 | |
| JPH10144757A (ja) | 基板処理システム | |
| JPH0533529B2 (ja) | ||
| CN113474485A (zh) | 自动批次生产薄膜沉积系统及其使用方法 | |
| US5915957A (en) | Method of transferring target substrates in semiconductor processing system | |
| JP2545591B2 (ja) | ウェーハ処理装置 | |
| JPH1030183A (ja) | ロードロック室を備えた基板の処理装置 | |
| JPH05304197A (ja) | マルチチャンバシステム | |
| JPH01251734A (ja) | マルチチャンバ型ｃｖｄ装置 | |
| JPH04365348A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP3188956B2 (ja) | 成膜処理装置 | |
| JP3380570B2 (ja) | 搬送装置 | |
| JPH11102951A (ja) | 処理装置 | |
| JP3710979B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH0653304A (ja) | 減圧処理装置 | |
| JPS6098628A (ja) | 真空中における搬送装置 | |
| JP3420712B2 (ja) | 処理システム | |
| JP3438826B2 (ja) | 処理装置及びその使用方法 | |
| JP3050284B2 (ja) | 半導体ウエハエッチング処理装置 |