JPH04365860A - 透磁率の低い光磁気記録薄膜形成用高強度ターゲット材 - Google Patents
透磁率の低い光磁気記録薄膜形成用高強度ターゲット材Info
- Publication number
- JPH04365860A JPH04365860A JP3167793A JP16779391A JPH04365860A JP H04365860 A JPH04365860 A JP H04365860A JP 3167793 A JP3167793 A JP 3167793A JP 16779391 A JP16779391 A JP 16779391A JP H04365860 A JPH04365860 A JP H04365860A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target material
- phase
- rare earth
- strength target
- magnetic permeability
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/18—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates by cathode sputtering
- H01F41/183—Sputtering targets therefor
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、透磁率が低く、した
がってマグネトロンスパッタリングにより光磁気記録薄
膜を形成するのに用いた場合に、高い利用効率（ターゲ
ット材における薄膜形成量の占める割合）での薄膜形成
を可能とする高強度ターゲット材に関するものである。
がってマグネトロンスパッタリングにより光磁気記録薄
膜を形成するのに用いた場合に、高い利用効率（ターゲ
ット材における薄膜形成量の占める割合）での薄膜形成
を可能とする高強度ターゲット材に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、マグネトロンスパッタリング法に
より光磁気記録薄膜を形成するに際しては多くのターゲ
ット材が用いられており、これらの多くのターゲット材
の中で、高強度を有するターゲット材として、例えば特
開昭６１−１１９６４８号公報に記載される通りの、面
積％で（以下％は面積％を示す）、Ｆｅ，Ｎｉ，および
Ｃｏのうちの１種または２種以上からなる鉄族金属相：
２５〜６０％、Ｔｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｔｍ，および
Ｅｒのうちの１種または２種以上からなる希土類金属相
：１０〜４５％、上記鉄族金属相と上記希土類金属相の
反応相からなる金属間化合物相：残り、で構成された組
織を有するターゲット材が知られている。
より光磁気記録薄膜を形成するに際しては多くのターゲ
ット材が用いられており、これらの多くのターゲット材
の中で、高強度を有するターゲット材として、例えば特
開昭６１−１１９６４８号公報に記載される通りの、面
積％で（以下％は面積％を示す）、Ｆｅ，Ｎｉ，および
Ｃｏのうちの１種または２種以上からなる鉄族金属相：
２５〜６０％、Ｔｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｔｍ，および
Ｅｒのうちの１種または２種以上からなる希土類金属相
：１０〜４５％、上記鉄族金属相と上記希土類金属相の
反応相からなる金属間化合物相：残り、で構成された組
織を有するターゲット材が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一方、近年の光磁気記
録薄膜形成の省力化およびＦＡ化に伴ない、これに用い
られるターゲット材にも使用寿命の延命化、すなわちよ
り一段の利用効率の向上が強く要求されているが、この
ためにはターゲット材の透磁率をより低くして、ターゲ
ット材のスパッタ面に形成されるクレータ（凹み）の形
態を平面的に広く、かつ浅いものとする必要がある。
録薄膜形成の省力化およびＦＡ化に伴ない、これに用い
られるターゲット材にも使用寿命の延命化、すなわちよ
り一段の利用効率の向上が強く要求されているが、この
ためにはターゲット材の透磁率をより低くして、ターゲ
ット材のスパッタ面に形成されるクレータ（凹み）の形
態を平面的に広く、かつ浅いものとする必要がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は、
上記の従来高強度ターゲット材に着目し、これのさらに
一段の透磁率の低下をはかるべく研究を行なった結果、
上記従来高強度ターゲット材における鉄族金属相を、希
土類金属と鉄族金属の金属間化合物からなる素地に、全
体に占める割合で５〜４０％の晶出鉄族金属が樹枝状、
針状、あるいは塊状の形状で微細均一に分散してなる複
合相とすると、強度の低下なく、一段と透磁率が低下し
、利用効率の著しい向上がはかれるようになるという研
究結果を得たのである。
上記の従来高強度ターゲット材に着目し、これのさらに
一段の透磁率の低下をはかるべく研究を行なった結果、
上記従来高強度ターゲット材における鉄族金属相を、希
土類金属と鉄族金属の金属間化合物からなる素地に、全
体に占める割合で５〜４０％の晶出鉄族金属が樹枝状、
針状、あるいは塊状の形状で微細均一に分散してなる複
合相とすると、強度の低下なく、一段と透磁率が低下し
、利用効率の著しい向上がはかれるようになるという研
究結果を得たのである。
【０００５】この発明は、上記の研究結果にもとづいて
なされたものであって、Ｔｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｔｍ
，およびＥｒのうちの１種または２種以上からなる希土
類金属と、Ｆｅ，Ｎｉ，およびＣｏのうちの１種または
２種以上からなる鉄族金属との金属間化合物からなる素
地に、全体に占める割合で５〜４０％の晶出鉄族金属が
樹枝状、針状、あるいは塊状に微細均一に分散してなる
複合相：２０〜７５％、Ｔｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｔｍ
，およびＥｒのうちの１種または２種以上からなる希土
類金属相：１５〜４０％、上記複合相と上記希土類金属
相との反応相からなる金属間化合物相：残り、で構成さ
れた組織を有する、透磁率が低く、したがってマグネト
ロンスパッタリング法により光磁気記録薄膜を形成する
の用いた場合に、高い利用効率を示す高強度ターゲット
材に特徴を有するものである。
なされたものであって、Ｔｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｔｍ
，およびＥｒのうちの１種または２種以上からなる希土
類金属と、Ｆｅ，Ｎｉ，およびＣｏのうちの１種または
２種以上からなる鉄族金属との金属間化合物からなる素
地に、全体に占める割合で５〜４０％の晶出鉄族金属が
樹枝状、針状、あるいは塊状に微細均一に分散してなる
複合相：２０〜７５％、Ｔｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｔｍ
，およびＥｒのうちの１種または２種以上からなる希土
類金属相：１５〜４０％、上記複合相と上記希土類金属
相との反応相からなる金属間化合物相：残り、で構成さ
れた組織を有する、透磁率が低く、したがってマグネト
ロンスパッタリング法により光磁気記録薄膜を形成する
の用いた場合に、高い利用効率を示す高強度ターゲット
材に特徴を有するものである。
【０００６】つぎに、この発明の高強度ターゲット材に
おいて、構成相の割合を上記の通りに限定した理由を説
明する。 （ａ）晶出鉄族金属 晶出鉄族金属には、原料粉末としてアトマイズ粉末を用
いれば樹枝状あるいは針状に、また原料粉末として鋳造
インゴットの粉砕粉末を用いれば塊状にそれぞれ分散分
布して、ターゲット材の強度を低下させることなく、タ
ーゲット材の透磁率を向上させる作用があるが、その割
合が５％未満では、所望の高強度を確保することができ
ず、一方その割合が４０％を越えると、ターゲット材の
透磁率に上昇傾向が現われるようになることから、その
割合を５〜４０％と定めた。
おいて、構成相の割合を上記の通りに限定した理由を説
明する。 （ａ）晶出鉄族金属 晶出鉄族金属には、原料粉末としてアトマイズ粉末を用
いれば樹枝状あるいは針状に、また原料粉末として鋳造
インゴットの粉砕粉末を用いれば塊状にそれぞれ分散分
布して、ターゲット材の強度を低下させることなく、タ
ーゲット材の透磁率を向上させる作用があるが、その割
合が５％未満では、所望の高強度を確保することができ
ず、一方その割合が４０％を越えると、ターゲット材の
透磁率に上昇傾向が現われるようになることから、その
割合を５〜４０％と定めた。
【０００７】（ｂ）複合相
複合相の割合が２０％未満になると、相対的に金属間化
合物相の割合が多くなりすぎて所望の高強度を確保する
のが困難となるばかりでなく、薄膜中の面内組成分布が
不均一になり、一方その割合が７５％を越えると、相対
的に複合相を構成する金属間化合物の割合が多くなりす
ぎて薄膜中の面内組成分布が不均一になることから、そ
の割合を２０〜７５％と定めた。
合物相の割合が多くなりすぎて所望の高強度を確保する
のが困難となるばかりでなく、薄膜中の面内組成分布が
不均一になり、一方その割合が７５％を越えると、相対
的に複合相を構成する金属間化合物の割合が多くなりす
ぎて薄膜中の面内組成分布が不均一になることから、そ
の割合を２０〜７５％と定めた。
【０００８】（ｃ）希土類金属相
希土類金属相の割合が１５％未満でも、また４０％を越
えても所望の磁気特性をもった薄膜を、均一な濃度分布
で形成することが困難となることから、その割合を２５
〜４０％と定めた。
えても所望の磁気特性をもった薄膜を、均一な濃度分布
で形成することが困難となることから、その割合を２５
〜４０％と定めた。
【０００９】
【実施例】つぎに、この発明の高強度ターゲット材を実
施例により具体的に説明する。 実施例１ 通常の高周波溶解炉を用い、表１に示される配合割合の
溶湯を調製した後、露点が−２５℃の高純度Ａｒにてガ
スアトマイズ（この場合の冷却速度は１０〜１０４ ℃
／ｓｅｃ）して複合相形成用粉末を形成し、これを分級
して−１５０〜＋３２５ｍｅｓｈ（平均粒径で１００μ
ｍ）とした状態で、別途用意した平均粒径：１００μｍ
の各種の希土類金属粉末と同じく表１に示される割合に
配合し、混合した後、内容積が直径：１２５ｍｍφ×高
さ：５ｍｍの肉厚：１．２ｍｍのステンレス鋼製缶体に
装入し、真空度：１×１０−５ｔｏｒｒで真空封入し、
ついで温度：６００℃で、１回の圧下率：１０％で３回
の熱間圧延を行ない、熱間圧延後、温度：６００〜８０
０℃の範囲内の所定の温度で１５時間の熱処理を施すこ
とにより直径：１２７×厚さ：３ｍｍの寸法を有する本
発明高強度ターゲット材１〜１２をそれぞれ製造した。 この結果得られた本発明高強度ターゲット材１〜１２の
構成組織割合を表１および表２に示した。また、図１に
は本発明高強度ターゲット材１の金属顕微鏡による組織
写真（倍率：６００倍）を示した。
施例により具体的に説明する。 実施例１ 通常の高周波溶解炉を用い、表１に示される配合割合の
溶湯を調製した後、露点が−２５℃の高純度Ａｒにてガ
スアトマイズ（この場合の冷却速度は１０〜１０４ ℃
／ｓｅｃ）して複合相形成用粉末を形成し、これを分級
して−１５０〜＋３２５ｍｅｓｈ（平均粒径で１００μ
ｍ）とした状態で、別途用意した平均粒径：１００μｍ
の各種の希土類金属粉末と同じく表１に示される割合に
配合し、混合した後、内容積が直径：１２５ｍｍφ×高
さ：５ｍｍの肉厚：１．２ｍｍのステンレス鋼製缶体に
装入し、真空度：１×１０−５ｔｏｒｒで真空封入し、
ついで温度：６００℃で、１回の圧下率：１０％で３回
の熱間圧延を行ない、熱間圧延後、温度：６００〜８０
０℃の範囲内の所定の温度で１５時間の熱処理を施すこ
とにより直径：１２７×厚さ：３ｍｍの寸法を有する本
発明高強度ターゲット材１〜１２をそれぞれ製造した。 この結果得られた本発明高強度ターゲット材１〜１２の
構成組織割合を表１および表２に示した。また、図１に
は本発明高強度ターゲット材１の金属顕微鏡による組織
写真（倍率：６００倍）を示した。
【００１０】
【表１】
【００１１】
【表２】
【００１２】実施例２
通常の真空高周波溶解炉を用い、表２に示される配合割
合の溶湯を調製した後、銅金型にて直径：１５ｍｍφ×
長さ：２００ｍｍの寸法をもった棒材（この場合の冷却
速度は１０〜１０３ ℃／ｓｅｃ）に金型鋳造し、この
棒材をスタンプミルにてＡｒ雰囲気中で粉砕し、分級し
て−１５０〜＋３２５ｍｅｓｈの粒度（平均粒径：１０
０μｍ）をもった複合相形成用粉末を形成し、これに別
途用意した平均粒径：１００μｍの各種の希土類金属粉
末を表２に示される割合に配合し、以後上記実施例１に
おけると同一の条件で本発明高強度ターゲット材Ａ〜Ｌ
をそれぞれ製造した。この結果得られた本発明高強度タ
ーゲット材Ａ〜Ｌの構成組織割合を表３および表４に示
した。また図２には本発明高強度ターゲット材Ａの金属
顕微鏡による組織写真（倍率：４００倍）を示した。
合の溶湯を調製した後、銅金型にて直径：１５ｍｍφ×
長さ：２００ｍｍの寸法をもった棒材（この場合の冷却
速度は１０〜１０３ ℃／ｓｅｃ）に金型鋳造し、この
棒材をスタンプミルにてＡｒ雰囲気中で粉砕し、分級し
て−１５０〜＋３２５ｍｅｓｈの粒度（平均粒径：１０
０μｍ）をもった複合相形成用粉末を形成し、これに別
途用意した平均粒径：１００μｍの各種の希土類金属粉
末を表２に示される割合に配合し、以後上記実施例１に
おけると同一の条件で本発明高強度ターゲット材Ａ〜Ｌ
をそれぞれ製造した。この結果得られた本発明高強度タ
ーゲット材Ａ〜Ｌの構成組織割合を表３および表４に示
した。また図２には本発明高強度ターゲット材Ａの金属
顕微鏡による組織写真（倍率：４００倍）を示した。
【００１３】
【表３】
【００１４】
【表４】
【００１５】比較例
原料粉末として、いずれも１００μｍの平均粒径を有す
る各種の鉄族金属粉末および希土類金属粉末を用い、こ
れらを表３に示される配合割合に配合し、以後実施例１
におけると同一の条件にて、従来高強度ターゲット材１
〜１２を製造した。この結果得られた従来高強度ターゲ
ット材１〜１２の構成組織割合を表５および表６に示し
た。
る各種の鉄族金属粉末および希土類金属粉末を用い、こ
れらを表３に示される配合割合に配合し、以後実施例１
におけると同一の条件にて、従来高強度ターゲット材１
〜１２を製造した。この結果得られた従来高強度ターゲ
ット材１〜１２の構成組織割合を表５および表６に示し
た。
【００１６】
【表５】
【００１７】
【表６】
【００１８】つぎに、これらの各種高強度ターゲット材
について、透磁率、抗折力、および利用効率を測定した
。これらの測定結果を表１〜６にそれぞれ示した。なお
、ターゲット材の利用効率は、通常のマグネトロンスパ
ッタリング装置を用い、 Ａｒ雰囲気圧力：３×１０−３ｔｏｒｒ、ＲＦ出力：２
００Ｗ ターゲット材と基板間の距離：７０ｍｍ、基板温度：常
温、 膜厚：０．５μｍ、 の条件で基板表面に光磁気記録薄膜を形成し、ターゲッ
ト材のスパッタ面に形成されるクレーターの深さがター
ゲット材の底面に到達した時点をもって使用寿命とし、
この時点のターゲット材の重量減の割合をもって示した
。
について、透磁率、抗折力、および利用効率を測定した
。これらの測定結果を表１〜６にそれぞれ示した。なお
、ターゲット材の利用効率は、通常のマグネトロンスパ
ッタリング装置を用い、 Ａｒ雰囲気圧力：３×１０−３ｔｏｒｒ、ＲＦ出力：２
００Ｗ ターゲット材と基板間の距離：７０ｍｍ、基板温度：常
温、 膜厚：０．５μｍ、 の条件で基板表面に光磁気記録薄膜を形成し、ターゲッ
ト材のスパッタ面に形成されるクレーターの深さがター
ゲット材の底面に到達した時点をもって使用寿命とし、
この時点のターゲット材の重量減の割合をもって示した
。
【００１９】
【発明の効果】図１および図２に示される本発明高強度
ターゲット材１およびＡの組織において、白色部分が希
土類金属相、黒色部分が複合相、前記白色部分と黒色部
分の間に存在する灰色部分が上記複合相と希土類金属相
の反応相からなる金属間化合物相を示し、上記黒色部分
の複合相中に、図１では針状および樹枝状に、また図２
では不規則塊状に分散分布する濃黒色部分が晶出鉄族金
属相を示すものである。
ターゲット材１およびＡの組織において、白色部分が希
土類金属相、黒色部分が複合相、前記白色部分と黒色部
分の間に存在する灰色部分が上記複合相と希土類金属相
の反応相からなる金属間化合物相を示し、上記黒色部分
の複合相中に、図１では針状および樹枝状に、また図２
では不規則塊状に分散分布する濃黒色部分が晶出鉄族金
属相を示すものである。
【００２０】このように本発明高強度ターゲット材と従
来高強度ターゲット材とは、前者では希土類金属と鉄族
金属の金属間化合物からなる素地に晶出鉄族金属相が分
散分布するのに対して、後者では前記晶出鉄族金属相が
存在しない点で組織上相異し、この相異が、同等の高強
度を保持した状態で、本発明高強度ターゲット材の方が
従来高強度ターゲット材に比して透磁率が低く、この結
果として薄膜形成では高い利用効率を示すようになるこ
とに現われている。
来高強度ターゲット材とは、前者では希土類金属と鉄族
金属の金属間化合物からなる素地に晶出鉄族金属相が分
散分布するのに対して、後者では前記晶出鉄族金属相が
存在しない点で組織上相異し、この相異が、同等の高強
度を保持した状態で、本発明高強度ターゲット材の方が
従来高強度ターゲット材に比して透磁率が低く、この結
果として薄膜形成では高い利用効率を示すようになるこ
とに現われている。
【００２１】上述のように、この発明の高強度ターゲッ
ト材は、高強度を保持した状態で、低い透磁率を示すの
で、これをマグネトロンスパッタリング法による光磁気
記録薄膜形成に用いた場合に、スパッタ面におけるクレ
ーターの形成が平面的に広く、かつ浅い状態で進行する
ようになり、この結果利用効率が著しく向上するように
なることから、光磁気記録薄膜形成の省力化およびＦＡ
化に寄与することが可能になるなど工業上有用な効果を
もたらすのである。
ト材は、高強度を保持した状態で、低い透磁率を示すの
で、これをマグネトロンスパッタリング法による光磁気
記録薄膜形成に用いた場合に、スパッタ面におけるクレ
ーターの形成が平面的に広く、かつ浅い状態で進行する
ようになり、この結果利用効率が著しく向上するように
なることから、光磁気記録薄膜形成の省力化およびＦＡ
化に寄与することが可能になるなど工業上有用な効果を
もたらすのである。
【図１】本発明高強度ターゲット材１の金属顕微鏡によ
る組織写真である。
る組織写真である。
【図２】本発明高強度ターゲット材Ａの金属顕微鏡によ
る組織写真である。
る組織写真である。
Claims (4)
- 【請求項１】 面積％で、希土類金属と鉄族金属の金
属間化合物からなる素地に、全体に占める割合で５〜４
０％の晶出鉄族金属が微細均一に分散してなる複合相：
２０〜７５％、希土類金属相：１５〜４０％、上記複合
相と上記希土類金属相の反応相からなる金属間化合物相
：残り、で構成された組織を有することを特徴とする透
磁率の低い光磁気記録薄膜形成用高強度ターゲット材。 - 【請求項２】 上記希土類金属が、Ｔｂ，Ｇｄ，Ｄｙ
，Ｈｏ，Ｔｍ，およびＥｒのうちの１種または２種以上
からなることを特徴とする請求項１記載の高強度ターゲ
ット材。 - 【請求項３】 上記鉄族金属が、Ｆｅ，Ｎｉ，および
Ｃｏのうちの１種または２種以上からなることを特徴と
する請求項１記載の高強度ターゲット材。 - 【請求項４】 上記晶出鉄族金属が、樹枝状、針状、
あるいは塊状を呈することを特徴とする請求項１記載の
高強度ターゲット材。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3167793A JP2988021B2 (ja) | 1991-06-12 | 1991-06-12 | 透磁率の低い光磁気記録薄膜形成用高強度ターゲット材 |
| US07/892,361 US5338331A (en) | 1991-06-12 | 1992-06-02 | Low-permeability high-strength target material for the formation of thin magnetooptical recording films |
| GB9212136A GB2257159B (en) | 1991-06-12 | 1992-06-09 | Low-permeability high-strength target material for the formation of thin magnetooptical recording films |
| DE4219139A DE4219139C2 (de) | 1991-06-12 | 1992-06-11 | Hochfestes Targetmaterial |
| KR1019920010115A KR100259319B1 (ko) | 1991-06-12 | 1992-06-11 | 박막 자기광학적 기록필름 형성을 위한 고강도, 저투자율의 타겟소재 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3167793A JP2988021B2 (ja) | 1991-06-12 | 1991-06-12 | 透磁率の低い光磁気記録薄膜形成用高強度ターゲット材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04365860A true JPH04365860A (ja) | 1992-12-17 |
| JP2988021B2 JP2988021B2 (ja) | 1999-12-06 |
Family
ID=15856215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3167793A Expired - Lifetime JP2988021B2 (ja) | 1991-06-12 | 1991-06-12 | 透磁率の低い光磁気記録薄膜形成用高強度ターゲット材 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5338331A (ja) |
| JP (1) | JP2988021B2 (ja) |
| KR (1) | KR100259319B1 (ja) |
| DE (1) | DE4219139C2 (ja) |
| GB (1) | GB2257159B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5607780A (en) * | 1993-07-30 | 1997-03-04 | Hitachi Metals, Ltd. | Target for magneto-optical recording medium and process for production thereof |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4321851A1 (de) * | 1993-07-01 | 1995-01-12 | Philips Patentverwaltung | Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium |
| JP3751084B2 (ja) * | 1996-08-30 | 2006-03-01 | 本田技研工業株式会社 | 複合磁歪材料およびその製造方法 |
| JP3098204B2 (ja) * | 1997-03-07 | 2000-10-16 | ティーディーケイ株式会社 | 光磁気記録用合金ターゲット、その製造方法およびその再生方法 |
| US20040072937A1 (en) * | 2001-02-10 | 2004-04-15 | Tomalia Donald A. | Nanocomposites of dendritic polymers |
| KR100461471B1 (ko) * | 2002-02-26 | 2004-12-10 | 형제전기주식회사 | 개별차단식 배선용 배전장치 |
| CA2550114C (en) | 2005-06-20 | 2013-11-19 | Sherwood Services, Ag | Safety shield for medical needles |
| US9358348B2 (en) * | 2006-06-14 | 2016-06-07 | Covidien Lp | Safety shield for medical needles |
| CN117535631B (zh) * | 2023-10-13 | 2026-01-16 | 先导薄膜材料(安徽)有限公司 | 一种NiCrCoAlY靶材及其制备方法 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3652343A (en) * | 1970-09-14 | 1972-03-28 | Gen Electric | Permanent magnet material powders having superior magnetic characteristics |
| US3853640A (en) * | 1973-06-22 | 1974-12-10 | Gen Electric | Lubricants for pressing transition metal-rare earth powder to be sintered |
| JPS61119648A (ja) * | 1984-11-16 | 1986-06-06 | Mitsubishi Metal Corp | 焼結複合タ−ゲツト材 |
| US4620872A (en) * | 1984-10-18 | 1986-11-04 | Mitsubishi Kinzoku Kabushiki Kaisha | Composite target material and process for producing the same |
| US4849017A (en) * | 1985-02-06 | 1989-07-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic refrigerant for magnetic refrigeration |
| JPH0768612B2 (ja) * | 1987-04-20 | 1995-07-26 | 日立金属株式会社 | 希土類金属―鉄族金属ターゲット用合金粉末、希土類金属―鉄族金属ターゲット、およびそれらの製造方法 |
| JPS63274764A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-11 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 光磁気記録用合金タ−ゲツト |
| JPS63274763A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-11 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 光磁気記録用合金タ−ゲツト |
| DE3885690T2 (de) * | 1987-09-17 | 1994-06-09 | Seiko Epson Corp | Verfahren zum Herstellen eines Zerstäubungstargets zur Verwendung bei der Herstellung eines magnetooptischen Aufzeichnungsmediums. |
| US4824481A (en) * | 1988-01-11 | 1989-04-25 | Eaastman Kodak Company | Sputtering targets for magneto-optic films and a method for making |
| JPH01198470A (ja) * | 1988-02-03 | 1989-08-10 | Seiko Epson Corp | スパッタリング用ターゲットの製造方法 |
| US4915758A (en) * | 1988-07-01 | 1990-04-10 | Molex Incorporated | Raceway frame and method for curved modular wall panel |
| JPH0784656B2 (ja) * | 1988-10-15 | 1995-09-13 | 住友金属鉱山株式会社 | 光磁気記録用合金ターゲット |
| US4992095A (en) * | 1988-10-26 | 1991-02-12 | Sumitomo Metal Mining Company, Ltd. | Alloy target used for manufacturing magneto-optical recording medium |
-
1991
- 1991-06-12 JP JP3167793A patent/JP2988021B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-06-02 US US07/892,361 patent/US5338331A/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-06-09 GB GB9212136A patent/GB2257159B/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-06-11 DE DE4219139A patent/DE4219139C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-06-11 KR KR1019920010115A patent/KR100259319B1/ko not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5607780A (en) * | 1993-07-30 | 1997-03-04 | Hitachi Metals, Ltd. | Target for magneto-optical recording medium and process for production thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100259319B1 (ko) | 2000-06-15 |
| KR930000701A (ko) | 1993-01-15 |
| GB2257159A (en) | 1993-01-06 |
| DE4219139A1 (de) | 1992-12-17 |
| DE4219139C2 (de) | 1995-03-09 |
| US5338331A (en) | 1994-08-16 |
| GB9212136D0 (en) | 1992-07-22 |
| JP2988021B2 (ja) | 1999-12-06 |
| GB2257159B (en) | 1994-10-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102755971B1 (ko) | 저비용 고보자력 LaCe-풍부 NdFeB 영구자석 및 이의 제조 방법과 응용 | |
| EP4439593B1 (en) | High-coercivity neodymium-cerium-iron-boron permanent magnet as well as preparation method therefor and use thereof | |
| JP7253071B2 (ja) | Ｒ－ｔ－ｂ系永久磁石材料、製造方法、並びに応用 | |
| JPH0768612B2 (ja) | 希土類金属―鉄族金属ターゲット用合金粉末、希土類金属―鉄族金属ターゲット、およびそれらの製造方法 | |
| KR0129795B1 (ko) | 광자기 기록 매체용 타겟 및 그 제조 방법 | |
| JPH04365860A (ja) | 透磁率の低い光磁気記録薄膜形成用高強度ターゲット材 | |
| CN115331942B (zh) | 一种基于真空速凝炉的钐钴磁体制造方法 | |
| US4915737A (en) | Alloy target for manufacturing a magneto-optical recording medium | |
| JPS61139637A (ja) | スパツタ用タ−ゲツトとその製造方法 | |
| JPH02107762A (ja) | 光磁気記録用合金ターゲット | |
| JPS6199640A (ja) | 複合タ−ゲツト材の製造方法 | |
| JPS6270550A (ja) | タ−ゲツト材 | |
| AU2024306242A1 (en) | Hydrogen storage material, hydrogen storage container, and hydrogen supply device | |
| CN116694959A (zh) | 一种高纯度高均质镍钨中间合金及其制备方法 | |
| JPH0119448B2 (ja) | ||
| JP2597380B2 (ja) | 希土類金属−遷移金属ターゲット用合金粉末の製造方法および希土類金属−遷移金属ターゲットの製造方法 | |
| JP2718314B2 (ja) | 希土類金属を含む合金粉末の製造方法 | |
| CN120843873B (zh) | 一种稀土改性耐腐蚀高熵合金的制备方法、其制备的合金及应用 | |
| JPS62205556A (ja) | 光磁気記録媒体形成用Ｔｂ―Ｆｅ系焼結スパッタリングターゲット材 | |
| JP2001226764A (ja) | スパッタリングのターゲット材用焼結体、その製造方法、及びスパッタリング用ターゲット | |
| JPH03162546A (ja) | 耐酸化性の優れた永久磁石合金の製造方法 | |
| JPH0119449B2 (ja) | ||
| JPH06256912A (ja) | 高磁歪特性を有する超磁歪焼結体の製造法 | |
| CN115359986A (zh) | 一种抗腐蚀的钕铁硼薄片及其制备方法 | |
| CN119008213A (zh) | 一种La-Fe-Si基磁制冷材料及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990907 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071008 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081008 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081008 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091008 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091008 Year of fee payment: 10 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101008 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111008 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111008 Year of fee payment: 12 |