JPH04366540A - 半導体装置の製造方法およびイオン注入装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法およびイオン注入装置Info
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- JPH04366540A JPH04366540A JP3143117A JP14311791A JPH04366540A JP H04366540 A JPH04366540 A JP H04366540A JP 3143117 A JP3143117 A JP 3143117A JP 14311791 A JP14311791 A JP 14311791A JP H04366540 A JPH04366540 A JP H04366540A
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- JP
- Japan
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- drum
- substrate
- ion implantation
- semiconductor
- semiconductor substrate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
３、
本発明は半導体装置の製造方法およびイオン注入装置に
関し、特に半導体基板への不純物拡散の手段としてのイ
オン注入方法および装置に関する。
関し、特に半導体基板への不純物拡散の手段としてのイ
オン注入方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置への不純物のイオン注
入方法は図５に示すように、イオン発生装置２１で発生
したイオンを質量分析器２２を通し、イオン加速装置２
３で加速された高エネルギーのイオンビーム２７を半導
体基板２５に照射する。この時、半導体基板を保持する
円盤２４には複数の半導体基板２５がとり付けられ、円
盤２４は軸を中心に高速回転し、かつ軸を上下に往復移
動させることですべての半導体基板２５の全面に均一に
イオン注入を行っている。
入方法は図５に示すように、イオン発生装置２１で発生
したイオンを質量分析器２２を通し、イオン加速装置２
３で加速された高エネルギーのイオンビーム２７を半導
体基板２５に照射する。この時、半導体基板を保持する
円盤２４には複数の半導体基板２５がとり付けられ、円
盤２４は軸を中心に高速回転し、かつ軸を上下に往復移
動させることですべての半導体基板２５の全面に均一に
イオン注入を行っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記に述べ
た従来のイオン注入方法は、円盤２４に半導体基板２５
を固定する方法として半導体基板表面の周囲２〜４ヶ所
を保持金具２６で押させている。半導体基板２５のうち
保持金具２６で押さえている部分はイオン注入時に影に
なり、その部分はイオン注入されない。つまり影の部分
は半導体装置のチップを作ることができないという欠点
があった。
た従来のイオン注入方法は、円盤２４に半導体基板２５
を固定する方法として半導体基板表面の周囲２〜４ヶ所
を保持金具２６で押させている。半導体基板２５のうち
保持金具２６で押さえている部分はイオン注入時に影に
なり、その部分はイオン注入されない。つまり影の部分
は半導体装置のチップを作ることができないという欠点
があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明はこの影の部分を
なくすため、円盤が高速に回転することに注目し、保持
するために遠心力を用いることを、見い出して完成した
。
なくすため、円盤が高速に回転することに注目し、保持
するために遠心力を用いることを、見い出して完成した
。
【０００５】本発明では、ドラムの内壁に複数の半導体
基板を載置し、ドラムを高速回転させて遠心力で保持し
イオン注入を行うことを特徴とする。
基板を載置し、ドラムを高速回転させて遠心力で保持し
イオン注入を行うことを特徴とする。
【０００６】
【作用】本発明によれば半導体基板を固定させる方法と
して、ドラム内壁に半導体基板を置き、ドラムの高速回
転による遠心力を用いるので、イオン注入時に半導体基
板を保持する保持治具が不要で、半導体基板全面にイオ
ン注入を行うことができる。
して、ドラム内壁に半導体基板を置き、ドラムの高速回
転による遠心力を用いるので、イオン注入時に半導体基
板を保持する保持治具が不要で、半導体基板全面にイオ
ン注入を行うことができる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００８】図１は本発明の一実施例を示す半導体装置
へのイオン注入方法を示す概略図である。
へのイオン注入方法を示す概略図である。
【０００９】図１および図２において、１はイオン発生
装置，２は質量分析器，３はイオン加速装置，４は半導
体基板支持ドラム，５はシリコン基板，７はイオンビー
ムである。
装置，２は質量分析器，３はイオン加速装置，４は半導
体基板支持ドラム，５はシリコン基板，７はイオンビー
ムである。
【００１０】上記のイオン注入方法の動作について説明
する。イオン発生装置１にて発生したホウ素イオンは、
質量分析器２を通過し、加速され、その後イオン加速装
置３により原子量１１のホウ素イオンのみシリコン基板
５に注入される。この時、半導体基板支持ドラムは毎分
１０００回転の回転数で回転すると共に、毎分３回上下
方向へ往復移動する。
する。イオン発生装置１にて発生したホウ素イオンは、
質量分析器２を通過し、加速され、その後イオン加速装
置３により原子量１１のホウ素イオンのみシリコン基板
５に注入される。この時、半導体基板支持ドラムは毎分
１０００回転の回転数で回転すると共に、毎分３回上下
方向へ往復移動する。
【００１１】イオン注入量は５×１０ 個／平方セン
チメートルの濃度で注入され、イオンのエネルギーは、
５０キロ電子ボルトである。
チメートルの濃度で注入され、イオンのエネルギーは、
５０キロ電子ボルトである。
【００１２】シリコン基板はイオン注入により発熱する
が、半導体基板保持ドラムに遠心力で密着しているため
熱はドラム４へ放出される。この実施例ではドラムのシ
リコン基板への固定は遠心力で行うため、半導体表面の
周囲を保持金具で押さえなくてもよく、この結果として
イオン注入の影の部分がないという利点がある。
が、半導体基板保持ドラムに遠心力で密着しているため
熱はドラム４へ放出される。この実施例ではドラムのシ
リコン基板への固定は遠心力で行うため、半導体表面の
周囲を保持金具で押さえなくてもよく、この結果として
イオン注入の影の部分がないという利点がある。
【００１３】なお、ドラムの半導体保持部分を５°から
１０°の傾きを持たせてある。そのため図２のように半
導体基板の取付け部を凹部８として段を設けるだけでシ
リコン基板５の取付け時と取り外し時にドラムから転落
するのを防ぐことができる。また、他の理由は、イオン
注入方向の方向調整のためである。ドラムの内側に設置
した半導体基板５にイオン注入するには、図示のように
斜め上からイオンビーム５を照射しなくてはならない。 半導体基板５を傾いて設置することで、ドラム４の直径
をあまり大きくすることなく、イオンの照射角を垂直に
近くすることができる。
１０°の傾きを持たせてある。そのため図２のように半
導体基板の取付け部を凹部８として段を設けるだけでシ
リコン基板５の取付け時と取り外し時にドラムから転落
するのを防ぐことができる。また、他の理由は、イオン
注入方向の方向調整のためである。ドラムの内側に設置
した半導体基板５にイオン注入するには、図示のように
斜め上からイオンビーム５を照射しなくてはならない。 半導体基板５を傾いて設置することで、ドラム４の直径
をあまり大きくすることなく、イオンの照射角を垂直に
近くすることができる。
【００１４】
【実施例２】図３および図４は、本発明の第２実施例を
示す半導体基板保持部の拡大図である。図の中出１１は
半導体基板支持ドラム，１２はシリコン基板，１３はシ
リコン基板固定用凹部，１４はイオン放出部，１５はシ
リコン基板押さえ治具，１６はバネである。
示す半導体基板保持部の拡大図である。図の中出１１は
半導体基板支持ドラム，１２はシリコン基板，１３はシ
リコン基板固定用凹部，１４はイオン放出部，１５はシ
リコン基板押さえ治具，１６はバネである。
【００１５】第１の実施例と異なる部分は、半導体基板
支持部が垂直になっていること。基板の押さえ治具１５
を設けたことである。
支持部が垂直になっていること。基板の押さえ治具１５
を設けたことである。
【００１６】本実施例では、ドラム１１の静止時および
低速回転時には、押さえ治具１５を使用してシリコン基
板１２を半固定する。即ち、押さえ治具１５はドラム１
１の静止時はバネ１６の突出し、シリコン基板１２の落
下を防止している。一方、イオン注入時はドラム１１が
高速回転するので、シリコン基板１２は遠心力でドラム
１１に圧着されるとともに、押さえ治具１５は遠心力に
よりバネ１６をその弾性力に抗じて押し縮め、半導体基
板１２上から退避するようになっており、イオン注入時
には押さえ治具１５の影はできない。
低速回転時には、押さえ治具１５を使用してシリコン基
板１２を半固定する。即ち、押さえ治具１５はドラム１
１の静止時はバネ１６の突出し、シリコン基板１２の落
下を防止している。一方、イオン注入時はドラム１１が
高速回転するので、シリコン基板１２は遠心力でドラム
１１に圧着されるとともに、押さえ治具１５は遠心力に
よりバネ１６をその弾性力に抗じて押し縮め、半導体基
板１２上から退避するようになっており、イオン注入時
には押さえ治具１５の影はできない。
【００１７】この利点としては、半導体基板１２の固定
と、押さえ治具１５退避の両方を、遠心力を利用して実
施しているため、押さえ治具の突出，退避のための複雑
な機械的，電気的な構造が不要である。
と、押さえ治具１５退避の両方を、遠心力を利用して実
施しているため、押さえ治具の突出，退避のための複雑
な機械的，電気的な構造が不要である。
【００１８】また、他の利点として、何らかの原因で回
転が停止した場合には、バネ１６の弾性力により押さえ
治具１５が自動的に突出して半導体基板１２上に移動し
押圧するので、運転異常時に大切な半導体基板１２を飛
散させて傷つけたり破損することがない。
転が停止した場合には、バネ１６の弾性力により押さえ
治具１５が自動的に突出して半導体基板１２上に移動し
押圧するので、運転異常時に大切な半導体基板１２を飛
散させて傷つけたり破損することがない。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、従来の
半導体基板を円盤に並べて基板保持治具で押さえる方法
から、保持部をドラムとしその内側に遠心力を利用して
並べる方法にかえることで、イオン注入時の基板保持治
具の影がなくなり、半導体基板全面にイオン注入できる
。このため一枚の半導体基板から得られる半導体ギャッ
プの良品数が増し、半導体装置１個当りの原価を減ずる
ことができる。
半導体基板を円盤に並べて基板保持治具で押さえる方法
から、保持部をドラムとしその内側に遠心力を利用して
並べる方法にかえることで、イオン注入時の基板保持治
具の影がなくなり、半導体基板全面にイオン注入できる
。このため一枚の半導体基板から得られる半導体ギャッ
プの良品数が増し、半導体装置１個当りの原価を減ずる
ことができる。
【図１】 本発明の第１の実施例を示す概略図
【図２
】 本発明の第１の実施例を示す半導体支持部拡大図
】 本発明の第１の実施例を示す半導体支持部拡大図
【図３】 本発明の第２の実施例を示す半導体支持部
【図４】 本発明の第２の実施例を示す半導体支持部
さらなる拡大図
さらなる拡大図
【図５】 従来例を示す概略図
１ イオン発生装置
２ 質量分析器
３ イオン加速装置
４ 半導体基板支持ドラム
５ シリコン基板
１１ 半導体基板支持ドラム
１２ シリコン基板
１３ シリコン基板固定用凹部
１４ イオン放出部
１５ シリコン基板押さえ治具
１６ バネ
Claims (3)
- 【請求項１】半導体基板への不純物イオン注入において
、ドラム内壁に複数の半導体基板を設置し、ドラムを高
速回転させてイオン注入を行うことを特徴とする半導体
装置の製造方法。 - 【請求項２】内壁に半導体基板を複数載置して、高速回
転できるドラムと、ドラムに保持された半導体基板にイ
オンを照射するイオン放出部とを具備することを特徴と
するイオン注入装置。 - 【請求項３】内壁に半導体基板を複数載置して回転でき
るドラムが、その回転数が所定以下の場合に載置された
半導体基板を押圧する押さえ治具を具備していることを
特徴とする請求項２記載のイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3143117A JPH04366540A (ja) | 1991-06-14 | 1991-06-14 | 半導体装置の製造方法およびイオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3143117A JPH04366540A (ja) | 1991-06-14 | 1991-06-14 | 半導体装置の製造方法およびイオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04366540A true JPH04366540A (ja) | 1992-12-18 |
Family
ID=15331315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3143117A Pending JPH04366540A (ja) | 1991-06-14 | 1991-06-14 | 半導体装置の製造方法およびイオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04366540A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5837568A (en) * | 1995-12-12 | 1998-11-17 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor devices |
-
1991
- 1991-06-14 JP JP3143117A patent/JPH04366540A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5837568A (en) * | 1995-12-12 | 1998-11-17 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor devices |
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