JPH053699B2 - - Google Patents
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- JPH053699B2 JPH053699B2 JP60142471A JP14247185A JPH053699B2 JP H053699 B2 JPH053699 B2 JP H053699B2 JP 60142471 A JP60142471 A JP 60142471A JP 14247185 A JP14247185 A JP 14247185A JP H053699 B2 JPH053699 B2 JP H053699B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion beam
- wafer
- wafer holder
- beam processing
- processing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/50—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for positioning, orientation or alignment
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—HANDLING OF PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K5/00—Irradiation devices
- G21K5/08—Holders for targets or for other objects to be irradiated
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はイオンビーム加工装置に係り、特に、
イオンビームミリング装置、イオンビームスパツ
タ装置、あるいはイオン打込装置等の如く、被加
工物を自公転させながらイオンビームを照射する
ものに好適なイオンビーム加工装置に関する。
イオンビームミリング装置、イオンビームスパツ
タ装置、あるいはイオン打込装置等の如く、被加
工物を自公転させながらイオンビームを照射する
ものに好適なイオンビーム加工装置に関する。
〔発明の背景〕
一般に、従来のイオンビーム加工装置、例えば
イオンミリング装置に用いるイオンビームは、加
速電圧が数百ボルトから数千ボルトと低いため、
引出されるイオンビームの発散角が大きく、イオ
ン源からの距離が離れる程ウエハ照射面に対する
ビームの均一性が得にくいこと、また、再付着防
止や再付着除去のために斜め方向より照射する必
要があることなどから、ウエハをビーム照射面に
対して傾け、かつ、自公転しながらイオンビーム
を照射することが通常行なわれている。
イオンミリング装置に用いるイオンビームは、加
速電圧が数百ボルトから数千ボルトと低いため、
引出されるイオンビームの発散角が大きく、イオ
ン源からの距離が離れる程ウエハ照射面に対する
ビームの均一性が得にくいこと、また、再付着防
止や再付着除去のために斜め方向より照射する必
要があることなどから、ウエハをビーム照射面に
対して傾け、かつ、自公転しながらイオンビーム
を照射することが通常行なわれている。
第８図にこのようなイオンミリング装置の従来
例を示す。
例を示す。
該図の如く、従来の装置は真空容器２２の内側
に公転円板２１を配置し、この公転円板２１に回
転力を伝達するシヤフト２１Ａを公転円板２１と
一体とし、被加工物であるウエハを固定するウエ
ハ保持部１８を公転円板２１上に複数個配置して
いる。そして、シヤフト２１Ａを矢印の如く回転
させながら、イオン源２３よりイオンビーム２３
Ａ，２３Ｂをウエハ保持部１８上のウエハに照射
する。尚、このようにしてウエハにイオンビーム
を照射するものに関しては、特開昭54−40078号
公報、及び特開昭53−28530号公報等に開示があ
る。
に公転円板２１を配置し、この公転円板２１に回
転力を伝達するシヤフト２１Ａを公転円板２１と
一体とし、被加工物であるウエハを固定するウエ
ハ保持部１８を公転円板２１上に複数個配置して
いる。そして、シヤフト２１Ａを矢印の如く回転
させながら、イオン源２３よりイオンビーム２３
Ａ，２３Ｂをウエハ保持部１８上のウエハに照射
する。尚、このようにしてウエハにイオンビーム
を照射するものに関しては、特開昭54−40078号
公報、及び特開昭53−28530号公報等に開示があ
る。
しかしながら、このように公転円板２１全体を
傾け自公転させる方式では、公転円板２１の傾斜
角度θだけ各ウエハの照射位置は、イオン源２３
からの距離が異なるため、各ウエハの加工の均一
性が悪くなるという欠点があつた。また、一回の
処理枚数を増すために大口径イオン源を使用する
場合には、更にイオン源２３からの距離の差が大
きくなるため、加工の均一性が悪くなり、半導体
用薄膜の微細パタン加工にとつて大きなネツクで
あつた。
傾け自公転させる方式では、公転円板２１の傾斜
角度θだけ各ウエハの照射位置は、イオン源２３
からの距離が異なるため、各ウエハの加工の均一
性が悪くなるという欠点があつた。また、一回の
処理枚数を増すために大口径イオン源を使用する
場合には、更にイオン源２３からの距離の差が大
きくなるため、加工の均一性が悪くなり、半導体
用薄膜の微細パタン加工にとつて大きなネツクで
あつた。
本発明は上述の点に鑑み成されたもので、その
目的とするところは、各ウエハへのイオンビーム
の照射を均一にして加工の均一性を保ち、微細パ
ターン加工を高精度に保つことのできるイオンビ
ーム加工装置を提供するにある。
目的とするところは、各ウエハへのイオンビーム
の照射を均一にして加工の均一性を保ち、微細パ
ターン加工を高精度に保つことのできるイオンビ
ーム加工装置を提供するにある。
本発明は真空容器と、該真空容器内でウエハを
保持し、そのウエハの取付反対端が球形となつて
いるウエハ保持部と、該ウエハ保持部の球形部と
結合している回転受台と、該回転受台を回転させ
るための公転円板と、該公転円板を駆動する駆動
装置と、前記ウエハ保持部をイオンビーム方向に
対して任意の方向に傾動させることのできる傾動
機構とを備え、該傾動機構を、前記回転受台の自
転を前記ウエハ保持部に伝達するための連結機構
と、前記ウエハ保持部を支持する傾斜リンクと、
該傾斜リンクと摺動可能に一体となつている多角
形面板と、該多角形面板と一体となり上下に移動
する段付軸と、該段付軸を上下に移動させる移動
手段とから形成することにより、所期の目的を達
成するように成したものである。
保持し、そのウエハの取付反対端が球形となつて
いるウエハ保持部と、該ウエハ保持部の球形部と
結合している回転受台と、該回転受台を回転させ
るための公転円板と、該公転円板を駆動する駆動
装置と、前記ウエハ保持部をイオンビーム方向に
対して任意の方向に傾動させることのできる傾動
機構とを備え、該傾動機構を、前記回転受台の自
転を前記ウエハ保持部に伝達するための連結機構
と、前記ウエハ保持部を支持する傾斜リンクと、
該傾斜リンクと摺動可能に一体となつている多角
形面板と、該多角形面板と一体となり上下に移動
する段付軸と、該段付軸を上下に移動させる移動
手段とから形成することにより、所期の目的を達
成するように成したものである。
以下、図面の実施例に基づいて本発明を詳細に
説明する。
説明する。
第１図、及び第２図に本発明のイオンビーム加
工装置の詳細構造を示す。
工装置の詳細構造を示す。
該図の如く、本実施例では真空容器１の内側底
面に、円筒状リングの内側が歯車になつている内
歯歯車１０を、ボルト10Aで固定し、この内歯歯
車とかみ合うため、一端の外周に歯車を有し、か
つ、もう一端が球形穴になつている複数個の回転
受台８と、この回転受台８の球形穴に下端の球形
部７Ａを挿入し、上端にウエハ１９を保持するウ
エハ保持部７を設けている。ウエハ１９は、カバ
ー１８によりウエハ保持部７に取付け、傾斜リン
ク６でウエハ保持部７を支持している。一方、傾
斜リンク６は多角形面板４に放射状に固定したス
テー５とピン５Ａで連結され、多角形面板４は、
段付軸３の端部３Ａに軸受３Ｃを介して取付けら
れ、段付軸３に対して回転のみ可能となつてい
る。この段付軸３は、軸受２Ｃにより上下スライ
ドが可能であり、真空容器１の外側に固定したア
クチユエータ３０、例えばエアシリンダの軸端１
１Ａと段付軸３の軸端をリンク１３により、ピン
１１Ｂ，３Ｄで連結し、ステー１４のピン１４Ａ
を支点としてリンク１３のピン挿入部に楕円穴１
３Ａ，１３Ｂを設けている。
面に、円筒状リングの内側が歯車になつている内
歯歯車１０を、ボルト10Aで固定し、この内歯歯
車とかみ合うため、一端の外周に歯車を有し、か
つ、もう一端が球形穴になつている複数個の回転
受台８と、この回転受台８の球形穴に下端の球形
部７Ａを挿入し、上端にウエハ１９を保持するウ
エハ保持部７を設けている。ウエハ１９は、カバ
ー１８によりウエハ保持部７に取付け、傾斜リン
ク６でウエハ保持部７を支持している。一方、傾
斜リンク６は多角形面板４に放射状に固定したス
テー５とピン５Ａで連結され、多角形面板４は、
段付軸３の端部３Ａに軸受３Ｃを介して取付けら
れ、段付軸３に対して回転のみ可能となつてい
る。この段付軸３は、軸受２Ｃにより上下スライ
ドが可能であり、真空容器１の外側に固定したア
クチユエータ３０、例えばエアシリンダの軸端１
１Ａと段付軸３の軸端をリンク１３により、ピン
１１Ｂ，３Ｄで連結し、ステー１４のピン１４Ａ
を支点としてリンク１３のピン挿入部に楕円穴１
３Ａ，１３Ｂを設けている。
また、回転受台８は、公転円板２と穴２Ｈで保
持され、公転円板２と回転受台８の間に圧縮バネ
９をはさむことにより、回転受台８を真空容器１
の底面に押圧している。公転円板２は、軸受２Ｃ
により段付軸３に対し、また、軸受２Ｆにより真
空容器１に対して回転が可能であり、公転円板２
に取付けた歯車１５とモータ１７の軸端に取付け
た歯車１６により、モータ１７の回転を傾斜リン
ク６に伝達し、多角形面板４を旋回させる。
持され、公転円板２と回転受台８の間に圧縮バネ
９をはさむことにより、回転受台８を真空容器１
の底面に押圧している。公転円板２は、軸受２Ｃ
により段付軸３に対し、また、軸受２Ｆにより真
空容器１に対して回転が可能であり、公転円板２
に取付けた歯車１５とモータ１７の軸端に取付け
た歯車１６により、モータ１７の回転を傾斜リン
ク６に伝達し、多角形面板４を旋回させる。
第３図に示す如く、傾斜リンク６とウエハ保持
部７は、穴６Ｂで組み合わされ、傾斜リンク６の
突起部６Ｃと公転円板２の突起部２Ｊ部を引張り
バネ２０で連結することにより、傾斜時のウエハ
保持部７の浮き上がりを防止している。ウエハ保
持部７と回転受台８は、球形部７Ａで接触し、ウ
エハ保持部７の球形部７Ａには第４図に示す如
く、巾Ｈ寸法の溝７Ｂを設け、回転受台８に外径
ｄのピン８Ｂを固定し、このピン８Ｂは溝７Ｂに
はまつている。この時の溝７Ｂの巾寸法Ｈはピン
８Ｂの外径ｄよりやや大きめにしてピン８Ｂと溝
７Ｂはスライドが可能にしてある。
部７は、穴６Ｂで組み合わされ、傾斜リンク６の
突起部６Ｃと公転円板２の突起部２Ｊ部を引張り
バネ２０で連結することにより、傾斜時のウエハ
保持部７の浮き上がりを防止している。ウエハ保
持部７と回転受台８は、球形部７Ａで接触し、ウ
エハ保持部７の球形部７Ａには第４図に示す如
く、巾Ｈ寸法の溝７Ｂを設け、回転受台８に外径
ｄのピン８Ｂを固定し、このピン８Ｂは溝７Ｂに
はまつている。この時の溝７Ｂの巾寸法Ｈはピン
８Ｂの外径ｄよりやや大きめにしてピン８Ｂと溝
７Ｂはスライドが可能にしてある。
次に、本実施例における動作について説明す
る。
る。
まず、第１図に示す如く、アクチユエータ３０
がｅ方向にストロークすると段付軸３はｆ方向に
移動し、多角形面板４もｇ方向に移動して傾斜リ
ンク６により、ウエハ保持部７は外側に傾斜す
る。逆に、アクチユエータ３０をａ方向に移動す
ると、多角形面板４はｃ方向に移動し二点鎖線の
状態になり、ウエハ保持部７は内側に傾斜する。
がｅ方向にストロークすると段付軸３はｆ方向に
移動し、多角形面板４もｇ方向に移動して傾斜リ
ンク６により、ウエハ保持部７は外側に傾斜す
る。逆に、アクチユエータ３０をａ方向に移動す
ると、多角形面板４はｃ方向に移動し二点鎖線の
状態になり、ウエハ保持部７は内側に傾斜する。
一方、モータ１７により歯車１６，１５を介し
て回転が公転円板２に伝達されると、回転受台８
は公転円板２により段付軸３を中心として、ｊ方
向に公転する。同時に、真空容器１に固定した内
歯歯車１０とかみあつているため、回転受台８
は、ｊ方向に回りながら、各々ｋ方向に自転す
る。このような動作をする際の回転受台８とウエ
ハ保持部７との関係を第５図、第６図、及び第７
図を用いて説明する。第５図はウエハ保持部７が
外側に傾斜している状態を示し、この時は球形部
７Ａの溝７Ｂが最も外側にある。この位置から、
公転円板２により回転受台８が自転を始め、ピン
８Ｂによりウエハ保持部７と回転受台８が、回転
のみ同期するためウエハ保持部７もｋ方向に自転
を開始する。第６図は第５図から90°自転した状
態を示し、第７図はさらに自転して第５図から
180°自転した状態を示す。
て回転が公転円板２に伝達されると、回転受台８
は公転円板２により段付軸３を中心として、ｊ方
向に公転する。同時に、真空容器１に固定した内
歯歯車１０とかみあつているため、回転受台８
は、ｊ方向に回りながら、各々ｋ方向に自転す
る。このような動作をする際の回転受台８とウエ
ハ保持部７との関係を第５図、第６図、及び第７
図を用いて説明する。第５図はウエハ保持部７が
外側に傾斜している状態を示し、この時は球形部
７Ａの溝７Ｂが最も外側にある。この位置から、
公転円板２により回転受台８が自転を始め、ピン
８Ｂによりウエハ保持部７と回転受台８が、回転
のみ同期するためウエハ保持部７もｋ方向に自転
を開始する。第６図は第５図から90°自転した状
態を示し、第７図はさらに自転して第５図から
180°自転した状態を示す。
このように、ウエハ保持部７はいずれの方向に
も傾斜したままで、真空容器１内を自、公転でき
る。
も傾斜したままで、真空容器１内を自、公転でき
る。
従つて、本実施例の構成によれば、個々のウエ
ハを傾斜し、傾斜角を維持したまま自公転させる
ことができるので、ウエハ照射面へのイオンビー
ム強度が均一になり、かつ、再付着防止、ウエハ
間の二次スパツタの影響が防止でき、半導体薄膜
の微細パターン加工を高精度に保てるという効果
がある。
ハを傾斜し、傾斜角を維持したまま自公転させる
ことができるので、ウエハ照射面へのイオンビー
ム強度が均一になり、かつ、再付着防止、ウエハ
間の二次スパツタの影響が防止でき、半導体薄膜
の微細パターン加工を高精度に保てるという効果
がある。
以上説明した本発明のイオンビーム加工装置に
よれば、真空容器と、該真空容器でウエハを保持
し、そのウエハの取付反対端が球形となつている
ウエハ保持部と、該ウエハ保持部の球形部と結合
している回転受台と、該回転受台を回転させるた
めの公転円板と、該公転円板を駆動する駆動装置
と、前記ウエハ保持部をイオンビーム方向に対し
て任意の方向に傾動させることのできる傾動機構
とを備え、該傾動機構は、前記回転受台の自転を
前記ウエハ保持部に伝達するための連結機構と、
前記ウエハ保持部を支持する傾斜リンクと、該傾
斜リンクと摺動可能に一体となつている多角形面
板と、該多角形面板と一体となり上下に移動する
段付軸と、該段付軸を上下に移動させる移動手段
とから形成されるものであるから、各ウエハへの
イオンビームの照射を均一にすることができるの
で、加工の均一性を保つことができると共に、微
細パターン加工を高精度に保つことができるの
で、此種イオンビーム加工装置には非常に有効で
ある。
よれば、真空容器と、該真空容器でウエハを保持
し、そのウエハの取付反対端が球形となつている
ウエハ保持部と、該ウエハ保持部の球形部と結合
している回転受台と、該回転受台を回転させるた
めの公転円板と、該公転円板を駆動する駆動装置
と、前記ウエハ保持部をイオンビーム方向に対し
て任意の方向に傾動させることのできる傾動機構
とを備え、該傾動機構は、前記回転受台の自転を
前記ウエハ保持部に伝達するための連結機構と、
前記ウエハ保持部を支持する傾斜リンクと、該傾
斜リンクと摺動可能に一体となつている多角形面
板と、該多角形面板と一体となり上下に移動する
段付軸と、該段付軸を上下に移動させる移動手段
とから形成されるものであるから、各ウエハへの
イオンビームの照射を均一にすることができるの
で、加工の均一性を保つことができると共に、微
細パターン加工を高精度に保つことができるの
で、此種イオンビーム加工装置には非常に有効で
ある。
第１図は本発明のイオンビーム加工装置の一実
施例を示す断面図、第２図は第１図のものを一部
破断して示す平面図、第３図は第１図におけるウ
エハ保持部の詳細を示す図、第４図はウエハ保持
部の球形部を示す側面図、第５図はウエハ保持部
が傾斜したい状態を示す図、第６図は第５図の状
態から90°自転した状態を示す図、第７図は第５
図の状態から180°自転した状態を示す図、第８図
は従来のイオンビーム加工装置の概略を示す断面
図である。 １……真空容器、２……公転円板、３……段付
軸、４……多角形面板、７Ｂ……溝、５……ステ
ー、６……傾斜リンク、７……ウエハ保持部、８
……回転受台、８Ｂ……ピン、９……圧縮バネ、
１０……内歯歯車、１３……リンク、１３Ａ，１
３Ｂ……楕円穴、１５，１６……歯車、１７……
モータ、１９……ウエハ、２０……引張りバネ、
３０……アクチユエータ。
施例を示す断面図、第２図は第１図のものを一部
破断して示す平面図、第３図は第１図におけるウ
エハ保持部の詳細を示す図、第４図はウエハ保持
部の球形部を示す側面図、第５図はウエハ保持部
が傾斜したい状態を示す図、第６図は第５図の状
態から90°自転した状態を示す図、第７図は第５
図の状態から180°自転した状態を示す図、第８図
は従来のイオンビーム加工装置の概略を示す断面
図である。 １……真空容器、２……公転円板、３……段付
軸、４……多角形面板、７Ｂ……溝、５……ステ
ー、６……傾斜リンク、７……ウエハ保持部、８
……回転受台、８Ｂ……ピン、９……圧縮バネ、
１０……内歯歯車、１３……リンク、１３Ａ，１
３Ｂ……楕円穴、１５，１６……歯車、１７……
モータ、１９……ウエハ、２０……引張りバネ、
３０……アクチユエータ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 真空容器と、該真空容器内でウエハを保持
し、そのウエハの取付反対端が球形となつている
ウエハ保持部と、該ウエハ保持部の球形部と結合
している回転受台と、該回転受台を回転させるた
めの公転円板と、該公転円板を駆動する駆動装置
と、前記ウエハ保持部をイオンビーム方向に対し
て任意の方向に傾動させることのできる傾動機構
とを備え、該傾動機構は、前記回転受台の自転を
前記ウエハ保持部に伝達するための連結機構と、
前記ウエハ保持部を支持する傾斜リンクと、該傾
斜リンクと摺動可能に一体となつている多角形面
板と、該多角形面板と一体となり上下に移動する
段付軸と、該段付軸を上下に移動させる移動手段
とから形成されることを特徴とするイオンビーム
加工装置。 ２ 前記真空容器の内側底面に円筒状リングの内
側が歯車になつている内歯歯車がボルトで固定さ
れ、前記回転受台には前記内歯歯車とかみ合うた
めの歯車を有すると共に、前記ウエハ保持部の球
形部分と係合する球形穴が形成されていることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のイオンビ
ーム加工装置。 ３ 前記傾斜リンクは、前記ウエハ保持部を支持
している側とは反対側に楕円穴が形成され、この
楕円穴に、前記多角形面板に放射状に固定された
ステーがピンで摺動自在に連結されていることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のイオンビ
ーム加工装置。 ４ 前記多角形面板は、前記段付軸の端部に軸受
を介して取付けられ、この段付軸に対して回転の
み可能になつており、一方、段付軸は、前記真空
容器の外側に固定されたアクチユエータにより上
下にスライド可能になつていることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載のイオンビーム加工装
置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60142471A JPS625548A (ja) | 1985-07-01 | 1985-07-01 | イオンビ−ム加工装置 |
| US06/876,467 US4733087A (en) | 1985-07-01 | 1986-06-20 | Ion beam treating apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60142471A JPS625548A (ja) | 1985-07-01 | 1985-07-01 | イオンビ−ム加工装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS625548A JPS625548A (ja) | 1987-01-12 |
| JPH053699B2 true JPH053699B2 (ja) | 1993-01-18 |
Family
ID=15316088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60142471A Granted JPS625548A (ja) | 1985-07-01 | 1985-07-01 | イオンビ−ム加工装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4733087A (ja) |
| JP (1) | JPS625548A (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6276147A (ja) * | 1985-09-28 | 1987-04-08 | Nec Kansai Ltd | イオン注入装置 |
| US6753253B1 (en) * | 1986-06-18 | 2004-06-22 | Hitachi, Ltd. | Method of making wiring and logic corrections on a semiconductor device by use of focused ion beams |
| JPS63274767A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-11 | Mitsubishi Electric Corp | イオン注入方法 |
| JP2717822B2 (ja) * | 1988-11-21 | 1998-02-25 | 住友イートンノバ株式会社 | イオン注入装置 |
| US4975586A (en) * | 1989-02-28 | 1990-12-04 | Eaton Corporation | Ion implanter end station |
| JPH02244712A (ja) * | 1989-03-17 | 1990-09-28 | Sony Corp | プラズマ装置 |
| JPH0348200A (ja) * | 1989-03-20 | 1991-03-01 | Hitachi Ltd | シンクロトロン放射光利用装置及びその方法 |
| GB8924223D0 (en) * | 1989-10-27 | 1989-12-13 | Superion Ltd | Method and apparatus relating to ion implantation |
| FR2660106B1 (fr) * | 1990-03-23 | 1994-05-13 | Commissariat A Energie Atomique | Dispositif pour rendre homogene l'implantation d'ions sur la surface d'echantillons plans. |
| JP3288554B2 (ja) * | 1995-05-29 | 2002-06-04 | 株式会社日立製作所 | イオン注入装置及びイオン注入方法 |
| JPH10116964A (ja) * | 1996-10-09 | 1998-05-06 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置とその製造方法およびスパッタリング装置 |
| JP2891255B1 (ja) * | 1998-04-15 | 1999-05-17 | 日本電気株式会社 | イオン注入装置 |
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1986
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