JPH043686B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH043686B2 JPH043686B2 JP57194106A JP19410682A JPH043686B2 JP H043686 B2 JPH043686 B2 JP H043686B2 JP 57194106 A JP57194106 A JP 57194106A JP 19410682 A JP19410682 A JP 19410682A JP H043686 B2 JPH043686 B2 JP H043686B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- voltage
- diode
- current
- power supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はラジオ受信機、ステレオ装置その他の
機器を構成する増幅回路等に用いる安定化バイア
ス回路に関する。
機器を構成する増幅回路等に用いる安定化バイア
ス回路に関する。
従来例の構成とその問題点
第１図は従来例より使用されている増幅回路の
電気的結線図である。第１図において増幅器３は
正入力端子（＋）と負入力端子（−）と出力端子
６を有しており、一般に出力端子６の直流電圧が
一方の電源電圧（VCC）と他方の電源電圧（アー
ス）の中間の電圧にあるときに大きな振幅の信号
を取り出すことが出来るように構成されている。
すなわち正入力端子（＋）に接続された抵抗R1
と抵抗R2の値をほぼ同一に設定し、正入力端子
（＋）のバイアスを一方の電源電圧（VCC）と他
方の電源電圧（アース）のほぼ中間の電圧に設定
するようにしその上で更に負入力端子に出力端子
６より抵抗R3を介して負帰還をかけ出力端子６
の電圧が一方の電源電圧（VCC）と他方の電源電
圧（アース）ほぼ中間の電圧になるようにしてい
る。
電気的結線図である。第１図において増幅器３は
正入力端子（＋）と負入力端子（−）と出力端子
６を有しており、一般に出力端子６の直流電圧が
一方の電源電圧（VCC）と他方の電源電圧（アー
ス）の中間の電圧にあるときに大きな振幅の信号
を取り出すことが出来るように構成されている。
すなわち正入力端子（＋）に接続された抵抗R1
と抵抗R2の値をほぼ同一に設定し、正入力端子
（＋）のバイアスを一方の電源電圧（VCC）と他
方の電源電圧（アース）のほぼ中間の電圧に設定
するようにしその上で更に負入力端子に出力端子
６より抵抗R3を介して負帰還をかけ出力端子６
の電圧が一方の電源電圧（VCC）と他方の電源電
圧（アース）ほぼ中間の電圧になるようにしてい
る。
第２図は第１図に示す増幅器３をより具体的に
示したものであり、一般に増幅器３としては第２
図に示すように２つのトランジスタ９，１０より
成る差動増幅器がよく用いられている。第３図に
おいてはトランジスタ９のベースが正入力端子、
トランジスタ１０のベースが負入力端子であり、
トランジスタ９のベース、すなわち正入力端子が
抵抗R1，R2によつて一方の電源電圧（VCC）と他
方の電源電圧（アース）のほぼ中間の電圧になる
ようにバイアスされている。したがつてこのこと
からトランジスタ９，１０のベース・エミツタ間
の接触電位差VBGが約0.7Vであるとすると、トラ
ンジスタ９，１０のエミツタ電圧はトランジスタ
９のベースよりも約0.7Vだけ低い電圧で動作し
ていることになる。そのため一方の電源電圧
（VCC）が1.4V以下になるとトランジスタ９のベ
ース電圧が0.7V以下になり、トランジスタ９，
１０のエミツタ、ベース間の電圧が0.7V以下に
なり、抵抗１１に電流が流れなくなり動作しなく
なる。
示したものであり、一般に増幅器３としては第２
図に示すように２つのトランジスタ９，１０より
成る差動増幅器がよく用いられている。第３図に
おいてはトランジスタ９のベースが正入力端子、
トランジスタ１０のベースが負入力端子であり、
トランジスタ９のベース、すなわち正入力端子が
抵抗R1，R2によつて一方の電源電圧（VCC）と他
方の電源電圧（アース）のほぼ中間の電圧になる
ようにバイアスされている。したがつてこのこと
からトランジスタ９，１０のベース・エミツタ間
の接触電位差VBGが約0.7Vであるとすると、トラ
ンジスタ９，１０のエミツタ電圧はトランジスタ
９のベースよりも約0.7Vだけ低い電圧で動作し
ていることになる。そのため一方の電源電圧
（VCC）が1.4V以下になるとトランジスタ９のベ
ース電圧が0.7V以下になり、トランジスタ９，
１０のエミツタ、ベース間の電圧が0.7V以下に
なり、抵抗１１に電流が流れなくなり動作しなく
なる。
そして、第２図に示す増幅回路では電源電圧が
変化すると抵抗１１，１３に流れる電流が変化
し、トランジスタ９，１０に流れる電流がこれに
応じて変化するため増幅回路全体としてその利得
が変化することになる。第３図は別にトランジス
タ２０，２２を設け、このトランジスタ２０，２
２のベースを一定電圧にバイアスして定電流回路
として動作させ、電源電圧の変化に対してもトラ
ンジスタ９，１０に流れる電流の変化を少なく
し、全体として利得変化を少なくしたものを示し
ている。すなわち、この場合には従来から点線で
囲んだような定電圧バイアス回路４０が多く用い
られている。
変化すると抵抗１１，１３に流れる電流が変化
し、トランジスタ９，１０に流れる電流がこれに
応じて変化するため増幅回路全体としてその利得
が変化することになる。第３図は別にトランジス
タ２０，２２を設け、このトランジスタ２０，２
２のベースを一定電圧にバイアスして定電流回路
として動作させ、電源電圧の変化に対してもトラ
ンジスタ９，１０に流れる電流の変化を少なく
し、全体として利得変化を少なくしたものを示し
ている。すなわち、この場合には従来から点線で
囲んだような定電圧バイアス回路４０が多く用い
られている。
ここで従来より多く用いられている定電圧バイ
アス回路４０について説明する。
アス回路４０について説明する。
一方の電源端子VCCに電圧を加えるとダイオー
ド３１を介して起動用の抵抗３０に電流が流れト
ランジスタ３２にも電流が流れる。トランジスタ
３２とダイオード３１とはカレントミラー回路と
して動作し、トランジスタ３２のコレクタに流れ
る電流はダイオード２６，２７に流れる。ダイオ
ード２６，２７に電流が流れるとその両端に電圧
が現われこれがトランジスタ２９のベースに加え
られる。したがつてトランジスタ２９にも電流が
流れ、ダイオード３１に流れる電流が増加し抵抗
２８によつて決定される電流値で安定する。すな
わちダイオード２６，２７の両端の電圧がトラン
ジスタ２９のベース・エミツタ間の接触電位差
VBEと抵抗２８による電圧降下の和に等しくなつ
た時点で安定することになる。たとえば、今、抵
抗２８の値を1KΩとするとダイオード２６，２
７の各々の両端電圧とトランジスタ２９のベース
エミツタ間電圧VBEがほぼ同じで0.7Vであるため
トランジスタ２９のエミツタの電圧は0.7Vにな
り、抵抗２８には700μAが流れて安定することに
なる。そしてトランジスタ２９のベースすなわち
Ａ点の電圧は電源電圧VCCが変化しても常にほぼ
1.4Vになる。したがつてこの電圧を抵抗２４，
２５で分割し、Ｂ点の電圧を約1.0Vに設定する
と、この安定化バイアス回路４０は電源電圧が約
1.5V近くまで低下しても充分に動作することに
なる。増幅器については先に述べたように電源電
圧が1.4V近くまで低下しても動作するので全体
として第３図に示すように構成すれば電源電圧が
1.5Vまで低下しても充分に動作させることがで
きるがそれ以下では全く動作しないという問題が
ある。
ド３１を介して起動用の抵抗３０に電流が流れト
ランジスタ３２にも電流が流れる。トランジスタ
３２とダイオード３１とはカレントミラー回路と
して動作し、トランジスタ３２のコレクタに流れ
る電流はダイオード２６，２７に流れる。ダイオ
ード２６，２７に電流が流れるとその両端に電圧
が現われこれがトランジスタ２９のベースに加え
られる。したがつてトランジスタ２９にも電流が
流れ、ダイオード３１に流れる電流が増加し抵抗
２８によつて決定される電流値で安定する。すな
わちダイオード２６，２７の両端の電圧がトラン
ジスタ２９のベース・エミツタ間の接触電位差
VBEと抵抗２８による電圧降下の和に等しくなつ
た時点で安定することになる。たとえば、今、抵
抗２８の値を1KΩとするとダイオード２６，２
７の各々の両端電圧とトランジスタ２９のベース
エミツタ間電圧VBEがほぼ同じで0.7Vであるため
トランジスタ２９のエミツタの電圧は0.7Vにな
り、抵抗２８には700μAが流れて安定することに
なる。そしてトランジスタ２９のベースすなわち
Ａ点の電圧は電源電圧VCCが変化しても常にほぼ
1.4Vになる。したがつてこの電圧を抵抗２４，
２５で分割し、Ｂ点の電圧を約1.0Vに設定する
と、この安定化バイアス回路４０は電源電圧が約
1.5V近くまで低下しても充分に動作することに
なる。増幅器については先に述べたように電源電
圧が1.4V近くまで低下しても動作するので全体
として第３図に示すように構成すれば電源電圧が
1.5Vまで低下しても充分に動作させることがで
きるがそれ以下では全く動作しないという問題が
ある。
発明の目的
本発明は以上のような従来の欠点を除去するも
のであり、簡単な構成で従来の安定化バイアス回
路よりも低い電源電圧でも充分に安定に動作する
優れた安定化バイアス回路を提供ることを目的と
する。
のであり、簡単な構成で従来の安定化バイアス回
路よりも低い電源電圧でも充分に安定に動作する
優れた安定化バイアス回路を提供ることを目的と
する。
発明の構成
本発明は１つのダイオード又は１つのダイオー
ド接続したトランジスタより成る第１の素子と、
複数のトランジスタ又は上記第１の素子の接触電
位差より低い接触電位差を有すトランジスタより
成る第２の素子と、カレントミラー用のダイオー
ド又はダイオード接続したトランジスタより成る
第３の素子とトランジスタより成る第４の素子を
用意し、第１素子に並列に第２の素子を構成する
上記トランジスタのベース・エミツタ間と第１の
抵抗を接続し第２の素子を構成するトランジスタ
のコレクタに第３の素子を接続し、第３の素子に
並列に第４の素子構成するトランジスタのベー
ス・エミツタ間を接続し、第４の素子を構成する
トランジスタのコレクタを第１素子に接続するこ
とにより低い電源電圧まで充分に動作する優れた
安定化バイアス回路を得るようにしたものであ
る。
ド接続したトランジスタより成る第１の素子と、
複数のトランジスタ又は上記第１の素子の接触電
位差より低い接触電位差を有すトランジスタより
成る第２の素子と、カレントミラー用のダイオー
ド又はダイオード接続したトランジスタより成る
第３の素子とトランジスタより成る第４の素子を
用意し、第１素子に並列に第２の素子を構成する
上記トランジスタのベース・エミツタ間と第１の
抵抗を接続し第２の素子を構成するトランジスタ
のコレクタに第３の素子を接続し、第３の素子に
並列に第４の素子構成するトランジスタのベー
ス・エミツタ間を接続し、第４の素子を構成する
トランジスタのコレクタを第１素子に接続するこ
とにより低い電源電圧まで充分に動作する優れた
安定化バイアス回路を得るようにしたものであ
る。
実施例の説明
第４図は本発明の安定化バイアス回路を用いる
のに適した増幅回路の基本的な回路構成を示すも
のである。第４図において抵抗R1の値を例えば
2KΩ、抵抗R2の値を8KΩ、電源電圧VCCを1Vと
すると、抵抗R1では0.2Vの電圧降下になる。し
たがつてトランジスタ９のベースは0.8Vとなり、
トランジスタ１０のベースも0.8Vとなるように
する必要がある。そして、出力端子６は電源電圧
VCCの1/2の電圧にしたとき大きな出力電圧を得
ることが出来るので抵抗R4の値を2KΩとし、負
帰還用の抵抗R3の値を3KΩにする。このように
するとトランジスタ９，１０のベースは共に
0.8Vになる。
のに適した増幅回路の基本的な回路構成を示すも
のである。第４図において抵抗R1の値を例えば
2KΩ、抵抗R2の値を8KΩ、電源電圧VCCを1Vと
すると、抵抗R1では0.2Vの電圧降下になる。し
たがつてトランジスタ９のベースは0.8Vとなり、
トランジスタ１０のベースも0.8Vとなるように
する必要がある。そして、出力端子６は電源電圧
VCCの1/2の電圧にしたとき大きな出力電圧を得
ることが出来るので抵抗R4の値を2KΩとし、負
帰還用の抵抗R3の値を3KΩにする。このように
するとトランジスタ９，１０のベースは共に
0.8Vになる。
即ち抵抗R1〜R4の値をR1／R1＋R2＝R4／R3＋R4×
１／２になるようにすると出力端子６は電源電圧
VCCのほぼ1/2の電圧になり出力端子６に大きな
信号を取り出すことが出来る。
信号を取り出すことが出来る。
そしてこの場合にはトランジスタ９，１０のエ
ミツタ電圧が約0.1Vであり、トランジスタ９，
１０に充分に電流が流れて動作することになる。
尚、トランジスタ９，１０にはコレクタ・エミツ
タ間の電圧が0.1V以上あれば動作するものを用
いる。この回路でダイオード８及びトランジスタ
１２のベース・エミツタ間の接触電位差は約
0.7Vであるから、トランジスタ９，１０のコレ
クタ・エミツタ間の電流は約0.2Vであり、充分
に動作することになる。このように第４図に示す
増幅回路では抵抗R1，R4による電圧降下を0.2V
にしているため電源電圧VCCが1.0Vでも充分に動
作する。抵抗R1，R4の電圧降下が0.7V以下であ
れば電源電圧VCCが1.4V以下であつても動作する
ことになる。即ち、トランジスタのベース・エミ
ツタ間の接触電流VBE以下に抵抗R1，R4の電圧降
下を設定し、 R1／R1＋R2＝R4／R3＋R4×１／２の関係が成立するよう にすれば電源電圧が変化しても抵抗R1，R4の電
圧降下がほぼ同一であることから出力端子６の直
流電圧を電源電圧VCCのほぼ1/2の電圧にするこ
とができ大きな出力信号を取り出すことが出来
る。
ミツタ電圧が約0.1Vであり、トランジスタ９，
１０に充分に電流が流れて動作することになる。
尚、トランジスタ９，１０にはコレクタ・エミツ
タ間の電圧が0.1V以上あれば動作するものを用
いる。この回路でダイオード８及びトランジスタ
１２のベース・エミツタ間の接触電位差は約
0.7Vであるから、トランジスタ９，１０のコレ
クタ・エミツタ間の電流は約0.2Vであり、充分
に動作することになる。このように第４図に示す
増幅回路では抵抗R1，R4による電圧降下を0.2V
にしているため電源電圧VCCが1.0Vでも充分に動
作する。抵抗R1，R4の電圧降下が0.7V以下であ
れば電源電圧VCCが1.4V以下であつても動作する
ことになる。即ち、トランジスタのベース・エミ
ツタ間の接触電流VBE以下に抵抗R1，R4の電圧降
下を設定し、 R1／R1＋R2＝R4／R3＋R4×１／２の関係が成立するよう にすれば電源電圧が変化しても抵抗R1，R4の電
圧降下がほぼ同一であることから出力端子６の直
流電圧を電源電圧VCCのほぼ1/2の電圧にするこ
とができ大きな出力信号を取り出すことが出来
る。
ところで第４図に示す増幅回路では電源電圧
VCCが1.0V程度に低下しても充分に動作するが抵
抗１１，１３に流れる電流が電源電圧VCCの変化
によつて変化するため増幅回路全体としてその利
得が変化する。したがつてこれを少くするために
は第５図に示すように抵抗１１，１３に代えトラ
ンジスタ５１，５２を用いこのトランジスタ５
１，５２に安定化されたバイアスを与える必要が
ある。
VCCが1.0V程度に低下しても充分に動作するが抵
抗１１，１３に流れる電流が電源電圧VCCの変化
によつて変化するため増幅回路全体としてその利
得が変化する。したがつてこれを少くするために
は第５図に示すように抵抗１１，１３に代えトラ
ンジスタ５１，５２を用いこのトランジスタ５
１，５２に安定化されたバイアスを与える必要が
ある。
本発明はこのような安定化されたバイアス電圧
を得るための安定化バイアス回路であり、以下第
５図を用いてその一実施例を説明する。第５図に
おいて６１は起動用の抵抗であり、比較的高抵抗
のものが用いられる。電源電圧VCCを加えると起
動用の抵抗６１を介してダイオード６２に電流が
流れ、トランジスタ６３にも電流が流れる。トラ
ンジスタ６３のコレクタに流れる電流がカレント
ミラー回路を構成するダイオード６７に流れ、ト
ランジスタ６８，６９が動作状態になる。そして
トランジスタ６８のコレクタに流れた電流がダイ
オード７０に流れダイオード７０の両端電圧がト
ランジスタ６４，６５のベースに印加されるため
上記トランジスタ６４，６５にも電流が流れ、全
体として動作状態になる。尚ここでダイオード
８，６７，７０，７１，６２はトランジスタをダ
イオード接続したものであつても良い。
を得るための安定化バイアス回路であり、以下第
５図を用いてその一実施例を説明する。第５図に
おいて６１は起動用の抵抗であり、比較的高抵抗
のものが用いられる。電源電圧VCCを加えると起
動用の抵抗６１を介してダイオード６２に電流が
流れ、トランジスタ６３にも電流が流れる。トラ
ンジスタ６３のコレクタに流れる電流がカレント
ミラー回路を構成するダイオード６７に流れ、ト
ランジスタ６８，６９が動作状態になる。そして
トランジスタ６８のコレクタに流れた電流がダイ
オード７０に流れダイオード７０の両端電圧がト
ランジスタ６４，６５のベースに印加されるため
上記トランジスタ６４，６５にも電流が流れ、全
体として動作状態になる。尚ここでダイオード
８，６７，７０，７１，６２はトランジスタをダ
イオード接続したものであつても良い。
上記実施例において今ダイオード７０に200μA
の電流を流したときその両端の接触電位差が第６
図ａに示すように約0.7Vであつたとする。トラ
ンジスタ６４，６５はダイオード７０との間でカ
レントミラー回路として動作するので各トランジ
スタ６４，６５にはダイオード７０に流れる電流
の1/2の電流100μAが流れる。トランジスタ６４，
６５に流れる電流が100μAのときトランジスタ６
４，６５のベース・エミツタ間の接触電位差VBE
がたとえば第７図ｂに示すように約0.65Vになる
とするとトランジスタ６４，６５のエミツタ電位
は0.05Vになり、この電位で抵抗６６にトランジ
スタ６４，６５に流れた電流の合計（200μA）を
流さなければならない。
の電流を流したときその両端の接触電位差が第６
図ａに示すように約0.7Vであつたとする。トラ
ンジスタ６４，６５はダイオード７０との間でカ
レントミラー回路として動作するので各トランジ
スタ６４，６５にはダイオード７０に流れる電流
の1/2の電流100μAが流れる。トランジスタ６４，
６５に流れる電流が100μAのときトランジスタ６
４，６５のベース・エミツタ間の接触電位差VBE
がたとえば第７図ｂに示すように約0.65Vになる
とするとトランジスタ６４，６５のエミツタ電位
は0.05Vになり、この電位で抵抗６６にトランジ
スタ６４，６５に流れた電流の合計（200μA）を
流さなければならない。
（実際にはトランジスタ６３に流れる電流も抵
抗６６に流れるがその値は非常に小さく無視する
ことができる。）したがつて、抵抗の値は
0.05（Ｖ）／200×10-6（Ａ）＝250（Ω）に設定する必
要があ り、このようにすると回路に200μAが流れて安定
した動作を行なうことになる。
抗６６に流れるがその値は非常に小さく無視する
ことができる。）したがつて、抵抗の値は
0.05（Ｖ）／200×10-6（Ａ）＝250（Ω）に設定する必
要があ り、このようにすると回路に200μAが流れて安定
した動作を行なうことになる。
このように上記実施例によればトランジスタ６
８，６９，６５，６４のエミツタ、コレクタ間が
0.1〜0.2Vに低下しても動作することとあいまつ
てダイオード６７，７０の両端電圧VBEが約0.7V
であるとしたとき電源電圧VCCが0.8〜0.9Vまで低
下しても安定に動作することになる。そのためこ
の場合にはトランジスタ６９のコレクタにも約
200μAの電流が流れることになり、ダイオード７
１との間でカレントミラー回路として動作するト
ランジスタ５１，５２にもそれぞれ200μAの電流
が流れ、結果として低い電源電圧まで増幅回路全
体を安定した状態で利得低下なく動作させること
ができる。
８，６９，６５，６４のエミツタ、コレクタ間が
0.1〜0.2Vに低下しても動作することとあいまつ
てダイオード６７，７０の両端電圧VBEが約0.7V
であるとしたとき電源電圧VCCが0.8〜0.9Vまで低
下しても安定に動作することになる。そのためこ
の場合にはトランジスタ６９のコレクタにも約
200μAの電流が流れることになり、ダイオード７
１との間でカレントミラー回路として動作するト
ランジスタ５１，５２にもそれぞれ200μAの電流
が流れ、結果として低い電源電圧まで増幅回路全
体を安定した状態で利得低下なく動作させること
ができる。
尚、実施例においてトランジスタ６９とダイオ
ード７１を省略し、トランジスタ５１，５２のベ
ースを直接トランジスタ６４，６５のベースに接
続してもよい。ただし、この場合には電源電圧
VCCが0.8〜0.9Vに低下したときダイオード７０に
流れる電流の一部がトランジスタ５１，５２のベ
ースにも同時に流れるので若干その安定性が低下
することがある。すなわち、トランジスタのコレ
クタ・エミツタ間の電圧が低下するとトランジス
タの電流増幅率hFEが小さくなり、ベース電流が
増加し、安定化のためのループ内の電流が外部に
流れ出るため全体としてその安定性が低下するこ
とになる。
ード７１を省略し、トランジスタ５１，５２のベ
ースを直接トランジスタ６４，６５のベースに接
続してもよい。ただし、この場合には電源電圧
VCCが0.8〜0.9Vに低下したときダイオード７０に
流れる電流の一部がトランジスタ５１，５２のベ
ースにも同時に流れるので若干その安定性が低下
することがある。すなわち、トランジスタのコレ
クタ・エミツタ間の電圧が低下するとトランジス
タの電流増幅率hFEが小さくなり、ベース電流が
増加し、安定化のためのループ内の電流が外部に
流れ出るため全体としてその安定性が低下するこ
とになる。
次に起動回路について説明すると、また起動用
の抵抗６１は高抵抗のものを選べば良いが今
100KΩであつたとする。この場合には電源電圧
VCCが1.0Vであるとすると抵抗６１には
１−0.7／100×103＝3μAの電流が流れ、これがダイオ
ー ド６２にも同様に流れることになる。
の抵抗６１は高抵抗のものを選べば良いが今
100KΩであつたとする。この場合には電源電圧
VCCが1.0Vであるとすると抵抗６１には
１−0.7／100×103＝3μAの電流が流れ、これがダイオ
ー ド６２にも同様に流れることになる。
このように上記実施例によれば安定化バイアス
回路が動作している時は抵抗６６に0.05Vの電圧
降下がある。そしてダイオード６２に3μAの電流
が流れているため、このときの接触電位差が第６
図ｃで示すように0.5Vであつたとするとトラン
ジスタ６３のベース・エミツタ間の電圧は0.5−
0.05＝0.45Vであり、トランジスタ６３のベー
ス・エミツタ間の電圧が低いために例えばトラン
ジスタ６３には0.1μAの電流しか流れないことに
なる。もし、トランジスタ６３のエミツタを直接
アースしたとすると抵抗６１に流れる電流と同じ
電流3μAがトランジスタ６３に流れる。また電源
電圧VCCが3Vになつたとすると抵抗６１には
３−0.7／100×103＝23μAの電流が流れトランジスタ６
３ のエミツタを直接アースしていたとするとトラン
ジスタ６４，６５のコレクタにトランジスタ６３
のコレクタ電流が同時に流れることになり安定化
バイアス回路の電流が大きく変化し、トランジス
タ５１，５２の電流も大巾に変化するという問題
がある。しかし、この実施例ではトランジスタ６
３のエミツタを抵抗６６とトランジスタ６４，６
５のエミツタの接続点に接続しているので電源電
圧VCCが3Vになつてもトランジスタ６３のコレク
タ電流は0.8μA位にしかならず、安定化バイアス
回路の200μAの電流では無視できる程度であり電
源電圧VCCの変動によつてもほとんどその安定性
がそこなわれることがない。
回路が動作している時は抵抗６６に0.05Vの電圧
降下がある。そしてダイオード６２に3μAの電流
が流れているため、このときの接触電位差が第６
図ｃで示すように0.5Vであつたとするとトラン
ジスタ６３のベース・エミツタ間の電圧は0.5−
0.05＝0.45Vであり、トランジスタ６３のベー
ス・エミツタ間の電圧が低いために例えばトラン
ジスタ６３には0.1μAの電流しか流れないことに
なる。もし、トランジスタ６３のエミツタを直接
アースしたとすると抵抗６１に流れる電流と同じ
電流3μAがトランジスタ６３に流れる。また電源
電圧VCCが3Vになつたとすると抵抗６１には
３−0.7／100×103＝23μAの電流が流れトランジスタ６
３ のエミツタを直接アースしていたとするとトラン
ジスタ６４，６５のコレクタにトランジスタ６３
のコレクタ電流が同時に流れることになり安定化
バイアス回路の電流が大きく変化し、トランジス
タ５１，５２の電流も大巾に変化するという問題
がある。しかし、この実施例ではトランジスタ６
３のエミツタを抵抗６６とトランジスタ６４，６
５のエミツタの接続点に接続しているので電源電
圧VCCが3Vになつてもトランジスタ６３のコレク
タ電流は0.8μA位にしかならず、安定化バイアス
回路の200μAの電流では無視できる程度であり電
源電圧VCCの変動によつてもほとんどその安定性
がそこなわれることがない。
また上記実施例においてトランジスタ６３のエ
ミツタに接続した抵抗６６の電圧降下は電源VCC
をONした時には小さいためトランジスタ６３に
当初大きな電流が流れ、回路が動作し、安定しだ
すと、抵抗６６の電圧降下が大きくなり、トラン
ジスタ６３に流れる電流を少なくするという特徴
がある。
ミツタに接続した抵抗６６の電圧降下は電源VCC
をONした時には小さいためトランジスタ６３に
当初大きな電流が流れ、回路が動作し、安定しだ
すと、抵抗６６の電圧降下が大きくなり、トラン
ジスタ６３に流れる電流を少なくするという特徴
がある。
又、実施例では２個のトランジスタ６４，６５
互に並列に接続して用いているがこれを１つのト
ランジスタに置き換えることも可能である。ただ
し、この場合にはそのトランジスタの接触電位差
をダイオード７０の接触電位差より低くすること
が必要である。
互に並列に接続して用いているがこれを１つのト
ランジスタに置き換えることも可能である。ただ
し、この場合にはそのトランジスタの接触電位差
をダイオード７０の接触電位差より低くすること
が必要である。
発明の効果
以上説明したように本発明の安定化バイアス回
路によれば簡単な構成で低い電源電圧まで安定に
動作させることができ実用上きわめて有利であ
る。
路によれば簡単な構成で低い電源電圧まで安定に
動作させることができ実用上きわめて有利であ
る。
第１図〜第３図は通常広く用いられている増幅
回路およびその安定化バイアス回路の電気的結線
図、第４図は本発明の安定化バイアス回路を適用
し得る増幅回路の基本的な構成図、第５図は本発
明の安定化バイアス回路とその応用回路を示す一
実施例の電気的結線図、第６図は同要部の説明の
ための電圧電流特性図である。 １……信号入力端子、２，５……コンデンサ、
４，６１，６６，R1〜R4……抵抗、６……出力
端子、７，９，１０，１２，５１，５２，６３，
６４，６５，６８，６９……トランジスタ、８，
６２，６７，７０，７１……ダイオード。
回路およびその安定化バイアス回路の電気的結線
図、第４図は本発明の安定化バイアス回路を適用
し得る増幅回路の基本的な構成図、第５図は本発
明の安定化バイアス回路とその応用回路を示す一
実施例の電気的結線図、第６図は同要部の説明の
ための電圧電流特性図である。 １……信号入力端子、２，５……コンデンサ、
４，６１，６６，R1〜R4……抵抗、６……出力
端子、７，９，１０，１２，５１，５２，６３，
６４，６５，６８，６９……トランジスタ、８，
６２，６７，７０，７１……ダイオード。
Claims (1)
- １ ダイオード又はダイオード接続したトランジ
スタより成る第１の素子と複数のトランジスタ又
は上記第１の素子のベース、エミツタ間の接触電
位差より低い接触電位差を有するトランジスタよ
り成る第２の素子と、カレントミラー用のダイオ
ード又はダイオード接続したトランジスタより成
る第３の素子と、トランジスタより成る第４の素
子とを備え、第１の素子の一方に第２の素子を構
成するトランジスタのベースを接続しエミツタを
第１の抵抗の一方に接続し、第２の素子を構成す
るトランジスタのコレクタに第３の素子の一方と
第４の素子のトランジスタのベースを接続し、第
４の素子を構成する上記トランジスタのコレクタ
を第１素子の一方と第２の素子のトランジスタの
ベースに接続し、第２の素子を構成するトランジ
スタのコレクタとエミツタに、別に設けた第５の
トランジスタのコレクタとエミツタを各々接続
し、第５のトランジスタのベースを別に設けたダ
イオード又はダイオード接続したトランジスタか
ら成る第６の素子の一方と起動用の抵抗との接続
点に接続したことを特徴とする安定化バイアス回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57194106A JPS5983407A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 安定化バイアス回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57194106A JPS5983407A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 安定化バイアス回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5983407A JPS5983407A (ja) | 1984-05-14 |
| JPH043686B2 true JPH043686B2 (ja) | 1992-01-24 |
Family
ID=16319029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57194106A Granted JPS5983407A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 安定化バイアス回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5983407A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55611A (en) * | 1978-06-09 | 1980-01-07 | Toshiba Corp | Constant current circuit |
-
1982
- 1982-11-04 JP JP57194106A patent/JPS5983407A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5983407A (ja) | 1984-05-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0332026B2 (ja) | ||
| US4642551A (en) | Current to voltage converter circuit | |
| US4339677A (en) | Electrically variable impedance circuit with feedback compensation | |
| JPH0642184B2 (ja) | 電流安定化回路 | |
| JPH0770935B2 (ja) | 差動電流増幅回路 | |
| US4217555A (en) | Amplifier circuit arrangement with stabilized power-supply current | |
| KR890004771B1 (ko) | 차동 증폭기 | |
| EP0478389B1 (en) | Amplifier having polygonal-line characteristics | |
| JPH0450765B2 (ja) | ||
| US4786855A (en) | Regulator for current source transistor bias voltage | |
| US4370608A (en) | Integrable conversion circuit for converting input voltage to output current or voltage | |
| US6191635B1 (en) | Level shifting circuit having a fixed output common mode level | |
| US4017749A (en) | Transistor circuit including source voltage ripple removal | |
| US5155429A (en) | Threshold voltage generating circuit | |
| JPH043686B2 (ja) | ||
| US5534813A (en) | Anti-logarithmic converter with temperature compensation | |
| JPS5986316A (ja) | 差動増幅器対の切替回路 | |
| JPH0413692Y2 (ja) | ||
| JPS6322734B2 (ja) | ||
| JPH048963B2 (ja) | ||
| USRE30587E (en) | Differential amplifier circuit | |
| JP2762466B2 (ja) | 可変減衰回路 | |
| JPH0434567Y2 (ja) | ||
| JP2646721B2 (ja) | レベル変換回路 | |
| JPH0374528B2 (ja) |