JPH04369625A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JPH04369625A JPH04369625A JP3146437A JP14643791A JPH04369625A JP H04369625 A JPH04369625 A JP H04369625A JP 3146437 A JP3146437 A JP 3146437A JP 14643791 A JP14643791 A JP 14643791A JP H04369625 A JPH04369625 A JP H04369625A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- layer
- metal thin
- resistance
- lead wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＭＩＭ素子を設置し
た液晶表示装置、特にその構造に関する。
た液晶表示装置、特にその構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶表示器を用いた表示装置は、
パ−ソナル・コンピュ−タ−、ワ−ドプロセッサ−、更
にはＯＡ用の端末機器、ＴＶ用画像表示等の大容量情報
表示用途に使用されてきており、より高画質が求められ
るようになってきた。このスイッチング（素子列）アレ
イには各種あるが、構造が簡単で、製造が容易である２
端子の非線形抵抗素子、中でも、現在のところ実用化さ
れているものとしてＭＩＭ型を挙げることができる。
パ−ソナル・コンピュ−タ−、ワ−ドプロセッサ−、更
にはＯＡ用の端末機器、ＴＶ用画像表示等の大容量情報
表示用途に使用されてきており、より高画質が求められ
るようになってきた。このスイッチング（素子列）アレ
イには各種あるが、構造が簡単で、製造が容易である２
端子の非線形抵抗素子、中でも、現在のところ実用化さ
れているものとしてＭＩＭ型を挙げることができる。
【０００３】図３は従来のＭＩＭ素子を設置したマトリ
クス型液晶表示装置の一例を示す図であり、同図（ａ）
は一画素の構造を示す平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）
のＡ−Ａ´断面に相当する素子部の断面図である。これ
を製造工程に従って説明すると、まず、絶縁基板１上に
ＭＩＭ素子の下側の金属とリ―ド配線電極を兼ねる一層
目金属薄膜（Ｔａ）２を成膜し、所定の形状にパタ―ニ
ングした後、陽極酸化を行なって表面に絶縁膜（Ｔａ２
Ｏ５ ）３を形成する。次に、ＭＩＭ素子の上側の金
属と画素電極への接続電極を兼ねる二層目金属薄膜（Ｔ
ａ、Ｃｒ、Ｔｉ等）４を成膜し、所定の形状にパタ―ニ
ングする。最後に、画素透明電極（ＩＴＯ）５の成膜・
パタ―ニングを行なう。
クス型液晶表示装置の一例を示す図であり、同図（ａ）
は一画素の構造を示す平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）
のＡ−Ａ´断面に相当する素子部の断面図である。これ
を製造工程に従って説明すると、まず、絶縁基板１上に
ＭＩＭ素子の下側の金属とリ―ド配線電極を兼ねる一層
目金属薄膜（Ｔａ）２を成膜し、所定の形状にパタ―ニ
ングした後、陽極酸化を行なって表面に絶縁膜（Ｔａ２
Ｏ５ ）３を形成する。次に、ＭＩＭ素子の上側の金
属と画素電極への接続電極を兼ねる二層目金属薄膜（Ｔ
ａ、Ｃｒ、Ｔｉ等）４を成膜し、所定の形状にパタ―ニ
ングする。最後に、画素透明電極（ＩＴＯ）５の成膜・
パタ―ニングを行なう。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、表示画面の
大画面化・高精細化を行なうためには、リ―ド配線電極
を長くて細くしなければならないため、図３に示したよ
うな液晶表示装置では、リ―ド配線電極の配線抵抗が高
くなる。このリ―ド配線電極の高抵抗化を防ぐためには
、一層目金属薄膜をより低抵抗な金属に変更すればよい
が、一層目金属薄膜はＭＩＭ素子の下側の金属を兼ね、
その表面に陽極酸化によってＭＩＭ素子の絶縁膜を形成
するので、この変更はＭＩＭ素子の特性に与える影響が
大きく、金属材料選択の範囲が限定され有効な手段とは
なり得ない。また、一層目金属薄膜の膜厚を厚くして低
抵抗化することはＭＩＭ素子側面でのオープンの原因と
なる。更に、一層目金属薄膜の下に低抵抗金属薄膜を設
け、リ―ド配線電極を二層化配線抵抗を低下させること
は、ＭＩＭ素子の下側の金属も二層構造となってしまう
ため、低抵抗金属薄膜側面でのリーク電流によってＭＩ
Ｍ素子の特性を低下させる。このように、従来の構造の
ＭＩＭ素子を設置したマトリクス型液晶表示装置では、
リ―ド配線電極の高抵抗化を防止するのが困難である。 このリ―ド配線電極の高抵抗化により、印加された選択
（信号）パルス電圧の波形が鈍って、表示品位を低下さ
せるという問題を生じる。
大画面化・高精細化を行なうためには、リ―ド配線電極
を長くて細くしなければならないため、図３に示したよ
うな液晶表示装置では、リ―ド配線電極の配線抵抗が高
くなる。このリ―ド配線電極の高抵抗化を防ぐためには
、一層目金属薄膜をより低抵抗な金属に変更すればよい
が、一層目金属薄膜はＭＩＭ素子の下側の金属を兼ね、
その表面に陽極酸化によってＭＩＭ素子の絶縁膜を形成
するので、この変更はＭＩＭ素子の特性に与える影響が
大きく、金属材料選択の範囲が限定され有効な手段とは
なり得ない。また、一層目金属薄膜の膜厚を厚くして低
抵抗化することはＭＩＭ素子側面でのオープンの原因と
なる。更に、一層目金属薄膜の下に低抵抗金属薄膜を設
け、リ―ド配線電極を二層化配線抵抗を低下させること
は、ＭＩＭ素子の下側の金属も二層構造となってしまう
ため、低抵抗金属薄膜側面でのリーク電流によってＭＩ
Ｍ素子の特性を低下させる。このように、従来の構造の
ＭＩＭ素子を設置したマトリクス型液晶表示装置では、
リ―ド配線電極の高抵抗化を防止するのが困難である。 このリ―ド配線電極の高抵抗化により、印加された選択
（信号）パルス電圧の波形が鈍って、表示品位を低下さ
せるという問題を生じる。
【０００５】この発明は上記事情に鑑みなされたもので
あり、ＭＩＭ素子の特性に影響を与えずに、リード配線
電極の高抵抗化を抑え、それによる表示品位の低下を防
止することを目的とする。
あり、ＭＩＭ素子の特性に影響を与えずに、リード配線
電極の高抵抗化を抑え、それによる表示品位の低下を防
止することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、液晶層を挟
持する２枚の絶縁基板の少なくとも一方に、リード配線
電極と接続されたＭＩＭ素子及び画素電極を各画素ごと
に配置してなる液晶表示装置についてのものである。そ
して、ＭＩＭ素子は一層目金属薄膜、この一層目金属薄
膜の陽極酸化膜及び二層目金属薄膜によって形成され、
画素電極は一層目金属薄膜に接続され、リード配線電極
は二層目金属薄膜及びこれより低抵抗な三層目金属薄膜
からなる。
持する２枚の絶縁基板の少なくとも一方に、リード配線
電極と接続されたＭＩＭ素子及び画素電極を各画素ごと
に配置してなる液晶表示装置についてのものである。そ
して、ＭＩＭ素子は一層目金属薄膜、この一層目金属薄
膜の陽極酸化膜及び二層目金属薄膜によって形成され、
画素電極は一層目金属薄膜に接続され、リード配線電極
は二層目金属薄膜及びこれより低抵抗な三層目金属薄膜
からなる。
【０００７】
【作用】この発明では、リ―ド配線電極の一部である二
層目金属薄膜より抵抗の低い三層目金属薄膜が、ＭＩＭ
素子の絶縁層と接触しないように構造上工夫してあるた
め、ＭＩＭ素子の特性を劣化させることなく、リード配
線電極を低抵抗化することができる。
層目金属薄膜より抵抗の低い三層目金属薄膜が、ＭＩＭ
素子の絶縁層と接触しないように構造上工夫してあるた
め、ＭＩＭ素子の特性を劣化させることなく、リード配
線電極を低抵抗化することができる。
【０００８】
【実施例】以下、この発明の詳細を図面を参照して説明
する。
する。
【０００９】図１はこの発明の一実施例を示す図であり
、同図（ａ）は一画素の構造を示す平面図、同図（ｂ）
は同図（ａ）のＡ−Ａ´断面に相当する素子部における
装置の断面図である。図１に示すように、絶縁基板１０
の一主面上には一層目金属薄膜１１、その陽極酸化膜１
２及び二層目金属薄膜１３より構成されるＭＩＭ素子１
４が配置され、画素電極１５は一層目金属薄膜１１に接
続されている。そして、二層目金属薄膜１３と三層目金
属薄膜１６によりリード配線電極１７が構成されている
。また、絶縁基板１８の一主面上には対向電極１９が形
成されている。そして、２枚の絶縁基板１０，１８は互
いの一主面側が対向するように組合せられ、この間隙に
は液晶層２０が挟持されている。
、同図（ａ）は一画素の構造を示す平面図、同図（ｂ）
は同図（ａ）のＡ−Ａ´断面に相当する素子部における
装置の断面図である。図１に示すように、絶縁基板１０
の一主面上には一層目金属薄膜１１、その陽極酸化膜１
２及び二層目金属薄膜１３より構成されるＭＩＭ素子１
４が配置され、画素電極１５は一層目金属薄膜１１に接
続されている。そして、二層目金属薄膜１３と三層目金
属薄膜１６によりリード配線電極１７が構成されている
。また、絶縁基板１８の一主面上には対向電極１９が形
成されている。そして、２枚の絶縁基板１０，１８は互
いの一主面側が対向するように組合せられ、この間隙に
は液晶層２０が挟持されている。
【００１０】図２は図１（ａ）におけるＭＩＭ素子１４
を有する基板の製造工程を示す平面図である。これを製
造工程に従って説明すると、まず、図２（ａ）に示すよ
うに、例えばガラスからなる絶縁基板１０上にＩＴＯを
スパッタリング、蒸着等の方法で成膜した後、パタ―ニ
ングして画素電極１５を形成する。次に、絶縁基板１０
上に例えばＴａを成膜した後、パタ―ニングして一層目
金属薄膜１１を形成する。続いて、この一層目金属薄膜
１１の陽極酸化を行なって、図２（ｂ）に示すように、
Ｔａ２ Ｏ５ からなる陽極酸化膜１２を形成する。次
に、一層目金属薄膜１１と陽極酸化膜１２を図２（ｃ）
に示すような形状にパタ―ニングする。続いて、絶縁基
板１０上に例えばＣｒとＡｌを順次成膜した後、図２（
ｄ）に示すような形状にパタ―ニングして、Ｃｒからな
る二層目金属薄膜１３とＡｌからなる三層目金属薄膜１
６を形成する。
を有する基板の製造工程を示す平面図である。これを製
造工程に従って説明すると、まず、図２（ａ）に示すよ
うに、例えばガラスからなる絶縁基板１０上にＩＴＯを
スパッタリング、蒸着等の方法で成膜した後、パタ―ニ
ングして画素電極１５を形成する。次に、絶縁基板１０
上に例えばＴａを成膜した後、パタ―ニングして一層目
金属薄膜１１を形成する。続いて、この一層目金属薄膜
１１の陽極酸化を行なって、図２（ｂ）に示すように、
Ｔａ２ Ｏ５ からなる陽極酸化膜１２を形成する。次
に、一層目金属薄膜１１と陽極酸化膜１２を図２（ｃ）
に示すような形状にパタ―ニングする。続いて、絶縁基
板１０上に例えばＣｒとＡｌを順次成膜した後、図２（
ｄ）に示すような形状にパタ―ニングして、Ｃｒからな
る二層目金属薄膜１３とＡｌからなる三層目金属薄膜１
６を形成する。
【００１１】この実施例では、ＭＩＭ素子１４を構成す
る二層目金属薄膜１３上に、これより低抵抗な三層目金
属薄膜１６を設け、この２つの薄膜をリ―ド配線電極１
７とすることにより、ＭＩＭ素子１４の素子特性を損な
うことなく、リ―ド配線電極抵抗の低下が可能となる。 この結果、表示画面の大画面化・大容量化に伴うリ―ド
配線電極抵抗の増大を抑え、それによる表示品位の低下
を防ぐことができる。また、一層目金属薄膜１１をリー
ド配線電極１７に用いないため、基板外部との電気的接
続を行うための端子部に陽極酸化膜による絶縁膜が形成
されることがなく、その形成を防止したり、除去したり
する工程を行なう必要がなくなる。更に、この実施例に
おいて、二層目金属薄膜１３の形成・パタ―ニングを行
なってから、三層目金属薄膜１６の形成・パタ―ニング
を行なうように変更すれば、リード配線電極１７のオ―
プンを確実に防ぐことができる。
る二層目金属薄膜１３上に、これより低抵抗な三層目金
属薄膜１６を設け、この２つの薄膜をリ―ド配線電極１
７とすることにより、ＭＩＭ素子１４の素子特性を損な
うことなく、リ―ド配線電極抵抗の低下が可能となる。 この結果、表示画面の大画面化・大容量化に伴うリ―ド
配線電極抵抗の増大を抑え、それによる表示品位の低下
を防ぐことができる。また、一層目金属薄膜１１をリー
ド配線電極１７に用いないため、基板外部との電気的接
続を行うための端子部に陽極酸化膜による絶縁膜が形成
されることがなく、その形成を防止したり、除去したり
する工程を行なう必要がなくなる。更に、この実施例に
おいて、二層目金属薄膜１３の形成・パタ―ニングを行
なってから、三層目金属薄膜１６の形成・パタ―ニング
を行なうように変更すれば、リード配線電極１７のオ―
プンを確実に防ぐことができる。
【００１２】なお、一層目金属薄膜１１を図２（ｂ）に
示すような形状にパタ―ニングしてから陽極酸化を行な
うのは、一層目金属薄膜１１の側面の一部を陽極酸化し
て、この部分で一層目金属薄膜１１と二層目金属薄膜１
３がショ―トするのを防止するためである。また、二層
目金属薄膜１３の材料としては、Ｃｒ以外にＴａやＴｉ
であってもよい。
示すような形状にパタ―ニングしてから陽極酸化を行な
うのは、一層目金属薄膜１１の側面の一部を陽極酸化し
て、この部分で一層目金属薄膜１１と二層目金属薄膜１
３がショ―トするのを防止するためである。また、二層
目金属薄膜１３の材料としては、Ｃｒ以外にＴａやＴｉ
であってもよい。
【００１３】
【発明の効果】この発明は、ＭＩＭ素子を構成する一層
目金属薄膜を画素電極に接続し、リ―ド配線電極を二層
目金属薄膜及びそれより低抵抗な三層目金属薄膜によっ
て構成することにより、ＭＩＭ素子の素子特性を損なう
ことなくリ―ド配線電極の抵抗の増大を抑え、大画面化
・高精細化による表示品位の低下のない液晶表示装置を
提供することができる。
目金属薄膜を画素電極に接続し、リ―ド配線電極を二層
目金属薄膜及びそれより低抵抗な三層目金属薄膜によっ
て構成することにより、ＭＩＭ素子の素子特性を損なう
ことなくリ―ド配線電極の抵抗の増大を抑え、大画面化
・高精細化による表示品位の低下のない液晶表示装置を
提供することができる。
【図１】この発明の一実施例を示す平面図及び断面図で
ある。
ある。
【図２】この発明の一実施例における製造工程を示す平
面図である。
面図である。
【図３】従来の液晶表示装置の一例を示す平面図及び断
面図である。
面図である。
１０，１８……絶縁基板
１１……一層目金属薄膜
１２……陽極酸化膜
１３……二層目金属薄膜
１４……ＭＩＭ素子
１５……画素電極
１６……三層目金属薄膜
１７……リード配線電極
２０……液晶層
Claims (1)
- 【請求項１】 液晶層を挟持する２枚の絶縁基板の少
なくとも一方に、リード配線電極と接続されたＭＩＭ（
Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ ）素子
及び画素電極を各画素ごとに配置してなる液晶表示装置
において、前記ＭＩＭ素子は一層目金属薄膜、この一層
目金属薄膜の陽極酸化膜及び二層目金属薄膜によって形
成され、前記画素電極は前記一層目金属薄膜に接続され
、前記リード配線電極は前記二層目金属薄膜及びこれよ
り低抵抗な三層目金属薄膜からなることを特徴とする液
晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3146437A JPH04369625A (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3146437A JPH04369625A (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04369625A true JPH04369625A (ja) | 1992-12-22 |
Family
ID=15407647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3146437A Pending JPH04369625A (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04369625A (ja) |
-
1991
- 1991-06-19 JP JP3146437A patent/JPH04369625A/ja active Pending
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