JPH0665181B2

JPH0665181B2 - トップテープフィルム

Info

Publication number: JPH0665181B2
Application number: JP2141979A
Authority: JP
Inventors: 修身林; 昭雄中村
Original assignee: Shin Etsu Polymer Co Ltd
Current assignee: Shin Etsu Polymer Co Ltd
Priority date: 1990-05-31
Filing date: 1990-05-31
Publication date: 1994-08-22
Anticipated expiration: 2009-08-22
Also published as: JPH0436998A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、各種電子部品，精密部品などの微細な表面実
装部品の収納，搬送に使用されるプラスチック製キャリ
アテープ用のトップテープフィルムに関するものであ
る。

〔従来の技術〕

一般に、キャリアテープ用のトップテープフィルムは、
厚さ10〜50μｍのポリエステルフィルムまたはポリエス
テル／ポリオレフィン２層とも押し出しフィルムをベー
スフィルムとし、スチレン−ブタジエン−スチレンブロ
ック共重合樹脂，エチレン−酢酸ビニル共重合樹脂など
から成る厚さ10〜30μｍのヒートシール性接着剤層をフ
ィルム積層法か、コーティング法によって設けたものが
広く利用されている。

このトップテープフィルムは、キャリアテープのキャビ
ティに部品を収納後、蓋をかぶせるようにのせて該フィ
ルムの両端をキャリアテープにヒートシール接着するも
ので、収納，搬送時には部品の脱落を防止し、チップマ
ウンターなどの自動実装機による部品実装時にはキャリ
アテープから剥離除去されて使用されるものである。

このトップテープフィルムは、製造工程，使用工程で巻
出し、巻取りが数回行われるため摩擦・接触によって静
電気を帯びやすく、このフィルムが帯電した場合には、
キャリアテープからトップテープフィルムを剥離する
時、収納部品がトップテープフィルム側に静電付着して
キャリアテープのキャビティより脱落する不具合があ
り、また相補型MOS−IC,TTL（トランジスタ・トランジ
スタ・ロジック）,MOS−FET（電界効果型トランジス
タ），バイポーラトランジスタ，ショットキダイオード
等の静電気に弱い半導体素子は、このトップテープフィ
ルムに接触した場合、放電によって静電破壊してしまう
ことから、このトップテープフィルムは、従来では界面
活性剤系帯電防止剤をヒートシール性接着剤層に練り込
んだり、フィルム表面にコーティングして用いられてい
る。また、トップテープフィルムの帯電防止効果を得ら
れるための表面抵抗は、フィルム剥離時の部品脱落防止
のためには、単位面積当たり10⁹Ω以下、望ましくは10⁷
Ω以下が必要であると言われている。

このような帯電防止効果を与えるのに有効な手段とし
て、接着剤層にカーボンブラックや金属微粉等の導電性
粉末を加える方法があるが、トップテープフィルムは、
該フィルム面を通して部品のマーキング文字を確認した
り、目視検査する必要があるため透明性が要求されるの
で実用的に採用できない。そのため、トップテープフィ
ルム表面の導電性を高める方法として、透明もしくは半
透明な界面活性剤を用いる帯電防止法、すなわちアニオ
ン系活性剤，カチオン系活性剤，非イオン性活性剤，両
性活性剤などの界面活性剤をフィルムの接着剤層に練り
込んだり、フィルム表面にコーティングすることによっ
て、トップテープフィルム表面に親水性とイオン性を与
える方法が一般に行われている。

そのような帯電防止剤に用いる界面活性剤としては、脂
肪族第４級アンモニウム塩型カチオン系界面活性剤，カ
ルボキシベタイン型両性界面活性剤，高級アルコールリ
ン酸エステル・ナトリウム塩などのアニオン系界面活性
剤，ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル，ポ
リオキシエチレンアルキルアミンなどの非イオン性界面
活性剤が用いられているが、この帯電防止剤は、粉末
状，水溶液状，油溶液状として市販されており、ヒート
シール性接着剤層に練り込むか、該フィルムの裏面にコ
ーティングして用いられる。

しかし、一般に、界面活性剤はフィルム面において、−
COO^-M⁺,−OSO₃ ^-M⁺,（以上のＭはH,Na,Kなどの元素原
子），〔−Ｎ（CH₃）_２−〕⁺X^-（ＸはCl,Br等のハロゲ
ン元素原子），−OH,−（CH₂CH₂O）n_-などの親水基を大
気中に向けて配列させ、その吸湿性によって電気抵抗を
低下させるものであることから、大気中の湿度に左右さ
れやすく、また、常温常湿（５〜35℃,45〜85％RH）に
おいて表面抵抗が単位面積あたり10⁹Ω以上であり、半
導体素子の静電破壊防止には役立たないこと、また、接
着剤層に練り込む場合には、接着剤樹脂と帯電防止剤と
の相溶性が問題となり、相溶性が不良の場合には接着剤
層表面にブリードして、ヒートシール接着性能を劣化さ
せる場合があることやフィルム表面へコーティングした
ものは、湿気中に溶け出して帯電防止効果が失われやす
い等の問題点があり、満足な帯電防止能と透明性を合わ
せ持つトップテープフィルムの出現が望まれている。

最近帯電防止能と透明性を合わせ持つトップテープフィ
ルムとして、例えば実開平1-112599号公報のように、7,
7,8,8-テトラシアノキシジメタン錯体（以下、TCNQ錯体
と略記する）を用いたものが提案されている。このTCNQ
錯体を用いたものは、その導電機構が針状結晶の析出に
よる網目状の導電経路によるものであるため、その表面
抵抗が大気中の湿度等に影響されることがなく、比較的
高い導電性と光線透過率80％以上の透明性を有するトッ
プテープフィルムが得られるという利点がある。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところが、このTCNQ錯体を用いた従来のトップテープフ
ィルムでは、該網目状の導電経路は析出した針状結晶の
接触によるものであるため、この結晶成長の状態が溶剤
の揮発速度や乾燥時の温度分布に影響を受け易く、よっ
て単位面積中の導電経路数が不均一となることから表面
抵抗のばらつきが大きいと同時に均一な表面抵抗が得ら
れないし、しかも、このトップテープフィルムをキャリ
アテープに熱接着する際には130〜170℃の高温で0.2〜
1.0秒間ヒートシールすることから耐熱性が要求される
が、高温（たとえば140℃の加熱）または高温高湿条件
（例えば、60℃95％RH）の条件下において、該針状結晶
の接合点が劣化し、その導電経路が著しく減少して導電
性が大幅に低下するという問題があった。

すなわち、TCNQ錯体として、例えばＮ−ｎ−ブチルイソ
キノリウムTCNQ錯体を単独で用い、高分子マトリックス
の溶媒溶液中に該高分子マトリックスの固形分100重量
部に対して３〜100重量部溶解して、透明基材の面上に
グビアコーター，ロールコーター、またはスピンコータ
ーなどを用いて薄膜を形成させると、該薄膜内にTCNQ錯
体が微細な針状結晶として析出し、第５図のように網目
状の連鎖である導電経路が成長して導電性が得られる。
しかし、この場合、結晶成長の状態が溶剤の揮発速度や
乾燥時の温度分布の影響を受けるため、単位面積あたり
の導電経路数が不均一となって表面抵抗のバラツキが大
きくなるとともに、網目状連鎖である導電経路の結晶の
結合点が高温高湿条件下において劣化を受け、著しく抵
抗が上昇するという問題点が認められた。前記TCNQ錯体
は、N,N−ジメチルホルムアミド，ジメチルスルホキシ
ドおよびシクロヘキサノンなどの強極性プロトン溶剤以
外の殆どの溶剤に対し、常温で不溶乃至は難溶であり、
実際の加工において塗工液とする場合にはこれらの強極
性プロトン溶剤を使用せざるをえず、その塗工液の設計
における自由度が著しく小さいものであると同時に、こ
れらの強極性プロトン溶剤が一般に汎用溶剤に比較して
高価であることから、得られるトップテープフィルムの
コストが高くつくという問題点があった。さらにはこれ
ら強極性プロトン溶剤がその極性から吸水性が高く、溶
剤が吸水することにより、この水分がTCNQ錯体の解難を
促進する触媒の機能を有することから、塗工液の寿命が
短く、塗工液を長期に渡って保存した場合に表面抵抗が
著しく上昇してしまうという問題点があった。

本発明はこれら従来の問題点を解決しようとするもので
表面抵抗のばらつきが小さく、かつ高温および高温高湿
条件下においても導電性低下が少ないと同時に、塗工液
の寿命も長く、溶剤選択の自由度も大きく、より低コス
トのトップテープフィルムを提供することを目的とした
ものである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、ベースフィルムの一面に、7,7,8,8-テトラシ
アノキシジメタン錯体結晶を含有するヒートシール性接
着剤層を形成したキャリアテープ用トップテープフィル
ムであって、該錯体結晶が、炭素数１〜３の低級アルキ
ル基のアルキル（イソ）キノリニウム系またはアルキル
モルホリニウム系若しくはアルキル−α−ピコリニウム
系のアルキル基置換7,7,8,8−テトラシアノキシジメタ
ン錯体の結晶形の異なる少なくとも２種からなる混合錯
体を溶解性高分子マトリックス中に配合して用いられた
ことを特徴とするトップテープフィルムである。

また、本発明ではベースフィルムの一面に、7,7,8,8-テ
トラシアノキシジメタン錯体を含有する透明導電性高分
子皮膜を形成したキャリアテープ用トップテープフィル
ムであって、該錯体結晶が、炭素数１〜３の低級アルキ
ル基のアルキル（イソ）キノリニウム系またはアルキル
モルホリニウム系若しくはアルキル−α−ピコリニウム
系のアルキル基置換7,7,8,8−テトラシアノキシジメタ
ン錯体の結晶形の異なる少なくとも２種からなる混合錯
体を溶解性高分子マトリックス中に配合して用いられた
ものであり、前記ベースフィルムの他面にヒートシール
性接着剤層を備えたことを特徴とするトップテープフィ
ルムである。

〔実施例〕

本発明の実施例を図面を用いて説明すると、優れた帯電
防止能を有するトップテープフィルム１とするために第
１図に示すようにベースフィルム２の一面に、7,7,8,8-
テトラシアノキシジメタン錯体（以下TCNQ錯体と略記す
る）結晶を含有するヒートシール性接着剤層を形成した
キャリアテープ用トップテープフィルムであって、該錯
体結晶が、炭素数１〜３の低級アルキル基のアルキル
（イソ）キノリニウム系またはアルキルモルホリニウム
系若しくはアルキル−α−ピコリニウム系のアルキル基
置換7,7,8,8−テトラシアノキシジメタン錯体の結晶形
の異なる少なくとも２種からなる混合錯体を溶解性高分
子マトリックス中に配合して用いられているか、または
ベースフィルム１の一面にヒートシール接着剤３を有
し、該接着剤層３の反対面となるベースフィルムの他面
にTCNQ錯体を含有する透明導電性高分子膜２を形成した
トップテープフィルム１であって、該錯体結晶が、炭素
数１〜３の低級アルキル基のアルキル（イソ）キノリニ
ウム系またはアルキルモルホリニウム系若しくはアルキ
ル−α−ピコリニウム系のアルキル基置換7,7,8,8−テ
トラシアノキシジメタン錯体の結晶形の異なる少なくと
も２種からなる混合錯体を溶解性高分子マトリックス中
に配合して用いられたことを特徴とし、キャビティ６の
あるキャリアテープ５のフランジ状の周縁部5₁に接着し
て用いられうるトップテープフィルムとしてある。

即ち、使用するTCNQ錯体の結晶形やその組み合わせ，置
換基の種類などを鋭意検討した結果、例えば接着剤など
の高分子マトリックス中に針状，板状など２種以上の結
晶形の異なるTCNQ錯体を配合することによって、該高分
子膜マトリックス中に、前記結晶形状とは異なる形状の
結晶が密に析出し、従来知られている結晶形が針状形の
みであるTCNQ錯体を使用した場合と比較して、単位面積
中における結晶相互の接触点が増大し、導電性高分子膜
の体積固有抵抗および表面抵抗を低くすることができ、
前記接触点数の増大により、表面抵抗のバラツキが小さ
くなり、さらには高温または高温高湿条件下における抵
抗値の上昇も少なくなることとともに、その結晶形の異
なるTCNQ錯体の少なくとも１種の汎用溶剤への溶解性が
よく、TCNQ錯体に比較して疎水性の大きいアルキル基置
換7,7,8,8-テトラシアノキシジメタン錯体（以下Ｒ−TC
NQと略記する）とすることにより、塗工液とした場合の
溶剤設計の自由度が広がり、アルキル基未置換のTCNQ錯
体を使用した場合に比較して塗工液の寿命を著しく長く
することができた。

本発明に用いるＲ−TCNQ錯体はアルキル基置換7,7,8,8-
テトラシアノキシジメタン（Ｒ−TCNQ⁰）と適当となる
ドナー（D⁺）の種類によって体積固有抵抗が10^-3〜10⁺⁶
Ω・cmの広い範囲にわたることが知られている。ここ
で、アルキル基とは炭素数１〜３の低級アルキル基を意
味し、具体的にはメチル−TCNQ⁰,エチル−TCNQ⁰,n−プ
ロピル−TCNQ⁰,イソ−プロピル−TCNQ⁰である。これら
アルキル基が炭素数が４以上の高級アルキル基であるＲ
−TCNQ錯体では、その疎水性および汎用溶剤への溶解性
が向上する反面、アルキル基の分子構造が嵩高くなるこ
とにより錯体の結晶性が悪く、フィルム上に塗工した際
の結晶が起こりにくくなり、導電性が低下してしまうこ
とから好ましくない。

また同様に、アルキル基以外の疎水性官能基としてパー
フロロアルキル基やオルガノシリル基が考えられるが、
これらの官能基を導入することは非常に難しく、よって
得られるＲ−TCNQ錯体が非常に高価なものとともに、分
子の嵩高さの理由から、その導電性が低下することから
あまり好ましくない。

本発明のドナー（D⁺）は、テトラチアフルバレンに代表
される化合物が数多く知られているが、熱安定性および
導電性の優れたキノリン，イソキノリン，ナフトキノリ
ン,2,2-ビピリジン,4,4-ビピリジン、またはそのＮ位を
炭素数１〜８のアルキル基で置換した化合物が好まし
く、更にはキノリン，イソキノリンのＮ位を炭素数１〜
８のアルキル基で置換した化合物が好ましい。

本発明に用いるＲ−TCNQ錯体としては、Ｎ−メチル（イ
ソ）キノリニウム−メチル−TCNQ錯体,N−メチル（イ
ソ）キノリニウム−エチル−TCNQ錯体,N−メチル（イ
ソ）キノリニウム−ｎ−プロピル−TCNQ錯体,N−エチル
（イソ）キノリニウム−エチル−TCNQ錯体,N−メチル
（イソ）キノリニウム−エチル−TCNQ錯体,N−エチル
（イソ）キノリニウム−ｎ−プロピル−TCNQ錯体,N−ｎ
−プロピル（イソ）キノリニウム−メチル−TCNQ錯体,N
−ｎ−プロピル（イソ）キノリニウム−エチル−TCNQ錯
体,N−ｎ−プロピル（イソ）キノリニウム−ｎ−プロピ
ル−TCNQ錯体,N−イソ−プロピル（イソ）キノリニウム
−メチル−TCNQ錯体,N−イソ−プロピル（イソ）キノリ
ニウム−エチル−TCNQ錯体,N−イソ−プロピル（イソ）
キノリニウム−ｎ−プロピル−TCNQ錯体,N−ｎ−ブチル
（イソ）キノリニウム−メチル−TCNQ錯体,N−ｎ−ブチ
ル（イソ）キノリニウム−エチル−TCNQ錯体,N−ｎ−ブ
チル（イソ）キノリニウム−ｎ−プロピル−TCNQ錯体,N
−ｎ−ブチル（イソ）キノリニウム−イソ−プロピル−
TCNQ錯体,N−イソ−ブチル（イソ）キノリニウム−メチ
ル−TCNQ錯体,N−イソ−ブチル（イソ）キノリニウム−
エチル−TCNQ錯体,N−イソ−ブチル（イソ）キノリニウ
ム−ｎ−プロピル−TCNQ錯体,N−イソ−ブチル（イソ）
キノリニウム−イソ−プロピル−TCNQ錯体,N−ｎ−アミ
ノ（イソ）キノリニウム−メチル−TCNQ錯体,N−ｎ−ア
ミノ（イソ）キノリニウム−エチル−TCNQ錯体,N−ｎ−
アミノ（イソ）キノリニウム−ｎ−プロピル−TCNQ錯
体,N−ｎ−アミノ（イソ）キノリニウム−イソ−プロピ
ル−TCNQ錯体,N−イソ−アミノ（イソ）キノリニウム−
メチル−TCNQ錯体,N−イソ−アミル（イソ）キノリニウ
ム−エチル−TCNQ錯体,N−イソ−アミル（イソ）キノリ
ニウム−ｎ−プロピル−TCNQ錯体,N−イソ−アミル（イ
ソ）キノリニウム−イソ−プロピル−TCNQ錯体,N−ｎ−
オクチル（イソ）キノリニウム−メチル−TCNQ錯体,N−
ｎ−オクチル（イソ）キノリニウム−エチル−TCNQ錯
体,N−ｎ−オクチル（イソ）キノリニウム−ｎ−プロピ
ル−TCNQ錯体,N−オクチル（イソ）キノリニウム−イソ
−プロピル−TCNQ錯体、などから選んで用いられ、さら
にはアルキル（イソ）キノリニウム系Ｒ−TCNQ錯体のア
ルキル（イソ）キノリニウムをアルキルモルホリニウム
およびアルキル−α−ピコリニウムの各ドナーに置き換
えたアルキルモルホリニウム系Ｒ−TCNQ錯体、やアルキ
ル−α−ピコリニウム系Ｒ−TCNQ錯体も用いられる。な
お、Ｒ−TCNQ錯体は電子供与体であるドナー（D⁺）と電
子受容体であるＲ−TCNQ⁰のモル比1:1と1:2のものがあ
り、（イソ）キノリン系化合物を電子受容体とするＲ−
TCNQ錯体は1:2錯体がより導電性が大きいことから好ま
しい。この場合、前記例示中で（イソ）キノリンはキノ
リンおよびイソキノリンを意味する。２モルのＲ−TCNQ
錯体はＲ−TCNQアニオンラジカル１モルと電気的に中性
のＲ−TCNQ1モルから成っている。本発明において、よ
り導電性を安定させるためには中性分子のＲ−TCNQ⁰を
0.1〜10重量％過剰に添加するのが好ましい。

本発明に使用する錯体は、前記錯体をはじめとする結晶
形の異なる２種以上の錯体を混合して用いることにより
その効果を得ることが出来るが、これら結晶形の異なる
該錯体の組み合わせの具体例としては、（１）前記例示錯体におけるアルキル（イソ）キリニ
ウム系Ｒ−TCNQ錯体の少なくとも１種と、アルキルモル
ホリニウム系Ｒ−TCNQ錯体の少なくとも１種とから成る
混合錯体、（２）前記例示錯体におけるアルキル（イソ）キノリ
ニウム系Ｒ−TCNQ錯体の少なくとも１種と、アルキル−
α−ピコリニウム系Ｒ−TCNQ錯体の少なくとも１種とか
ら成る混合錯体、（３）前記例示錯体におけるアルキルモルホリニウム
系Ｒ−TCNQ錯体の少なくとも１種と、アルキル−α−ピ
コリニウム系Ｒ−TCNQ錯体の少なくとも１種とから成る
混合錯体、（４）前記例示（１）〜（３）に示された２種のＲ−
TCNQ錯体の各組み合わせにおいて、そのどちらか一方が
アルキル基未置換のTCNQ錯体である混合錯体、が例示される。ここに、用いられるTCNQ錯体は、前記例
示のＲ−TCNQ錯体においてそのアルキル基を未置換とし
たものを用いれば良い。また、上記した同一系列のＲ−
TCNQ錯体のなかにおいても、結晶形の異なるものがある
ことから、これらの組み合わせても良い。さらに、その
具体的な組み合わせとしては、（ｉ）Ｎ−ｎ−ブチル（イソ）キノリニウム−メチル−
TCNQ錯体と、Ｎ−ｎ−ブチル−Ｎ−メチルモルホリニウ
ム−メチル−TCNQ錯体との混合錯体、（ii）Ｎ−ｎ−ブチル（イソ）キノリニウム−メチル−
TCNQ錯体と、Ｎ−ｎ−ブチル−α−ピコリニウム−メチ
ル−TCNQ錯体との混合錯体、（iii）Ｎ−ｎ−ブチル−Ｎ−メチルモルホリニウム−
メチル−TCNQ錯体と、Ｎ−ｎ−ブチル−α−ピコリニウ
ム−メチル−TCNQ錯体との混合錯体、（iv）Ｎ−ｎ−ブチル（イソ）キノリニウム−メチル−
TCNQ錯体と、Ｎ−ｎ−オクチル（イソ）キノリニウム−
メチル−TCNQ錯体との混合錯体、（ｖ）Ｎ−ｎ−ブチル（イソ）キノリニウムTCNQ錯体
と、Ｎ−ｎ−ブチル−Ｎ−メチルモルホリニウム−メチ
ル−TCNQ錯体との混合錯体、（vi）Ｎ−ｎ−ブチル（イソ）キノリニウム−メチル−
TCNQ錯体と、Ｎ−ｎ−ブチル−Ｎ−メチルモルホリニウ
ムTCNQ錯体との混合錯体、などが挙げられ、これらの例以外の結晶形の異なる３種
以上のＲ−TCNQおよびTCNQ錯体を組み合わせても良い。
また、前記Ｒ−TCNQ錯体は、その導電性がアルキル基未
置換のTCNQ錯体に比較して低下する傾向があるために、
必要に導電性を満足することが出来ない場合などにおい
ては、前記（ｉ）〜（vi）の各組み合わせに未置換のTC
NQ錯体、例えば導電性が高く、比較的安価であるＮ−ｎ
−ブチル（イソ）キノリニウムTCNQ錯体を添加すること
によって目的とする導電性を得れば良く。さらには前記
例示の（ｖ），（vi）のように用いるＲ−TCNQ錯体の組
み合わせの一方を結晶形の異なるアルキル基未置換のTC
NQ錯体としても良い。次に、結晶形の異なるＲ−TCNQお
よびTCNQ錯体を組み合わせる時のこれらの配合比率の効
果について説明する。高分子マトリックスへのＲ−TCNQ
およびTCNQ錯体混合物の配合割合を、例えば高分子マト
リックス100重量部に対してＲ−TCNQ錯体混合物80重量
部と一定にして、Ｎ−ｎ−ブチル（イソ）キノリニウム
−メチル−TCNQ錯体とＮ−ｎ−ブチル−Ｎ−メチルモル
ホリニウム−メチル−TCNQ錯体、およびＮ−ｎ−ブチル
（イソ）キノリニウム−メチル−TCNQ錯体とＮ−ｎ−ブ
チル−Ｎ−メチルモルホリニウムTCNQ錯体と各組み合わ
せにおいて、その配合比率を変化させたものをそれぞれ
基板上にコーティングして塗工膜厚0.1μｍの高分子膜
を形成させたとき、２種のＲ−TCNQ錯体およびＲ−TCNQ
錯体とTCNQ錯体の配合比率と、得られた基板の表面抵抗
との関係は第1a図および第1b図に示すとおりである。こ
れら結晶形の異なるＲ−TCNQ錯体およびＲ−TCNQ錯体と
TCNQ錯体の配合比率は、混合によって最も低い表面抵抗
が得られるように選定すればよい。本発明者らの実験結
果によれば、結晶形の異なる２種のＲ−TCNQおよびＲ−
TCNQ錯体の配合比率は重量比で1:9〜9:1の範囲、好まし
くは2:8〜8:2の範囲である。

本発明において前記錯体は、これを高分子マトリックス
中に配合することによって使用されるが、これら高分子
マトリックスとしては、使用される基材との密着性およ
び、透明性が高いことが必要であり、さらに該接着剤層
および透明高分子膜を形成する手法はコーティングによ
り形成されることが好ましいことから、該高分子マトリ
ックスは汎用溶剤に溶解するものである必要がある。こ
のような高分子マトリックスとしては、ポリメタクリル
酸メチル（PMMA）等のアクリル樹脂，エポキシ樹脂（E
P），フェノール樹脂（PF），飽和共重合ポリエステ
ル，アルキド樹脂，ナイロン11および12,ポリビニルブ
チラール（PVB），ポリウレタン（PU），ポリカーボネ
ート（PC），シリコーン樹脂（SR），ポリ塩化ビニル
（PVC），ポリスチレン（PS），ポリ酢酸ビニル，ポリ
ビニルアルコール（PVA）,1,2-ポリブタジエン（1,2−P
B），スチレン−ブタジエン−スチレン共重合（Ｓ−Ｂ
−Ｓ），スチレン−イソプレン−スチレン共重合（Ｓ−
Ｉ−Ｓ），スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン共
重合樹脂（Ｓ−EB−Ｓ），エチレン−アクリル酸エチル
共重合樹脂（EEA），エチレン−酢酸ビニル共重合樹脂
（EVA），アイオノマー樹脂等が例示されるが、トップ
テープをキャリアテープにヒートシールする時に、接着
剤層は瞬時に溶融または軟化してキャリアテープに接着
することが要求されるのに対し、接着剤層と反対面の透
明導電高分子膜層ではヒートシーラーの圧着によって熱
溶融してしまうとヒートシーラーの熱圧着ヘッドにトッ
プテープフィルムが接着するスティッキング現象を起こ
し、作業に支障を来すため耐熱性が要求されるので、接
着剤層に使用される高分子マトリックスと該透明導電高
分子膜層に使用される高分子マトリックスとは別々に考
える必要がある。

すなわち、接着剤層に使用する樹脂としては、飽和共重
合ポリエステル,PVB,PVC,EVA,EEA,ポリ酢酸ビニル,1,2
−PB,アイオノマー樹脂,S−Ｂ−S,S−Ｉ−S,S−EB−S,
ナイロン11および12などの単体もしくは２種以上の混合
物が適当であり、該透明導電高分子膜層に使用する樹脂
としては、熱硬化性ポリウレタンや高ガラス転移点の飽
和共重合ポリエステル，エポキシ樹脂，フェノール樹
脂,PMMA,PC,シリコーン樹脂などの単体もしくは２種以
上の混合物の使用が好ましく、これらの樹脂中にその耐
熱性を向上させる目的で、イソシアネート，酸無水物，
アミン化合物等の硬化剤を適宜配合することは任意であ
るとともに、イソシアネート系の硬化剤を使用した場
合、その硬化促進のために60℃×72時間の加温エイジン
グにおいて、得られるトップテープフィルム同士がブロ
ッキングしないように、パーフロロアルキル基を含有す
るブロック共重合体等のブロッキング防止剤を添加する
ことも配慮される。

上記高分子マトリックスと該混合錯体とを溶解して溶液
を得るための溶剤は、ジメチルホルムアミド，ジメチル
アセトアミド，プロピレンカーボネート、γ−ブチロラ
クトン，ジメチルスルフォキシド，スルホラン，フォル
ムアマイド,N−メチル−２−ピロリドン，アセトニトリ
ル，プロピオニトリル，シクロヘキサノン，メチルエチ
ルケトンなどに加えて、汎用溶剤であるベンゼン，トル
エン，キシレンなどの芳香族系炭化水素溶剤，塩化メチ
レン，クロロホルム，ジクロロエタン等のハロゲン化炭
化水素溶剤，メタノール，エタノールなどのアルコール
系溶剤，テトラヒドロフラン,1,4ジオキサンなどのエー
テル系溶剤，酢酸エチル，酢酸ブチル，酢酸アミルなど
のエステル系溶剤等の単一または混合溶剤として、コー
ティング成膜時の揮発性などを考慮して選択すればよ
く、更には錯体の安定性の面から、脱水・蒸溜し精製し
たものを使用するのが望ましい。

前記高分子マトリックスを前記溶剤に溶解し、高分子マ
トリックス100重量部に対して、結晶形の異なる２種以
上のＲ−TCNQ錯体またはＲ−TCNQ錯体とTCNQ錯体の錯体
混合物（以下、TCNQ混合錯体と称す）２〜200重量部、
好ましくは５〜100重量部を分散溶解させる。この際、
スパイラルミキサー，プラネタリーミキサー，ディスパ
ーサー，ハイブリッドミキサーなどのブレード型撹拌混
練装置が好適に用いられる。なお、この後更にボールミ
ル，振動ミル，サンドミルなどのボール型混練装置を用
いて分散溶解を徹底化するのが望ましい。

これら混練装置は、もしこれが鋼鉄製または銅合金製な
どの場合には該錯体がキレートを形成して変質し、表面
抵抗が著しく高くなる虞れがあるので、クロムめっき製
またはステンレス鋼製の装置を使用することが望まし
い。この高分子マトリックス−溶剤−該TCNQ混合錯体の
混合溶液（以下TQ塗工液と呼ぶ）は、グラビアコーター
などを使用し、ベースフィルムにコーティングすること
ができるが、この塗工液のコーティングヘッドも上と同
様の理由でクロムめっき製とするのがよい。TQ塗工液を
後述する厚さにコーティングするには、その粘度を100c
P以下、望ましくは１〜100cP、固形分量１〜20重量％の
範囲に設定しておくことが望ましい。

前記TQ塗工液を塗工するベースフィルムとしては透明性
の高い汎用のプラスチックフィルム例えばポリエチレン
フィルム，ポリ塩化ビニルフィルム，ポリプロピレンフ
ィルム，ポリスチレンフィルム，ポリスチレンフィル
ム，ポリエチレンテレフタレートフィルム，ポリカーボ
ネートフィルム，ポリアリレートフィルム，ポリフッ化
ビニリデンフィルム，ポリアミドフィルムなどが用いら
れる。これらプラスチックフィルムは、少なくともをの
一面を透明導電性接着剤層または透明導電性高分子膜を
形成するため、該接着剤および高分子膜の密着性を向上
させる目的で該表面をコロナ放電処理またはプラズマ処
理を行うことが好ましい。

また、TQ塗工液によって形成される透明導電性接着剤層
および透明導電性高分子膜は、その厚さが大きいと得ら
れるトップテープフィルムの透明性が低下するので、な
るべく薄いことが好ましく、該透明導電性高分子膜の場
合はサブミクロンから10μｍの範囲、好ましくは0.1〜
２μｍの範囲とするのが良いが、該透明導電接着剤層の
場合はこの厚さが接着強さに影響を与えることから、膜
厚0.5μｍ以上が必要とされるが、接着強度との関係で
膜厚が３μｍ以上必要な場合には、使用するＲ−TCNQ錯
体およびTCNQ錯体が比較的高価であるとともに、得られ
るトップテープフィルムの透明性が低下することから該
錯体を含まない接着剤層を第一層に設け、該錯体を含有
する接着剤層を第二層（膜厚サブミクロンから２μｍ）
に設けるのがよい。

以下、本発明の実施例および比較例との対比において、
具体的に説明する。

〔実施例−１〕透明基材として厚さ25μｍのポリエステルフィルム「ル
ミラー・Ｔタイプ」（東レ（株）製商品名）をベースフ
ィルムとして使用した。接着剤として、ガラス転移点２
℃、環球法軟化点115℃の飽和共重合ポリエスエル「エ
リーテル・UE−3221」（ユニチカ（株）製商品名）を使
用し、この「エリーテル・UE−3221」100重量部をトル
エン／メチルエチルケトン（50／50）の混合溶剤233.3
重量部に高速ディスパーサーを用いて溶解し、粘度150c
Pのコーティング溶液Ａを調整した。次いで、「エリー
テル・UE−3221」100重量部を、シクロヘキサノン／ト
ルエン（70／30）の混合溶剤500重量部に高速ディスパ
ーサーを用いて溶解し、この中にＮ−ｎ−ブチルイソキ
ノリニウム−メチル−TCNQ錯体（日東化学工業（株）
製、試作品）5.3重量部と、Ｎ−ｎ−ブチル−Ｎ−メチ
ルモルホリニウム−メチル−TCNQ錯体（日東化学工業
（株）製、試作品）2.7重量部とを添加し、ディスパー
サーを用いて撹拌溶解後、サンドミル処理を行い、さら
に濾紙（ワットマンフィルターペーパーNo.3）によって
濾過を行って粘度20cPのコーティング溶液Ｂを調整し
た。この両溶液A,Bの各塗工液を、線数180メッシュ，深
度35μｍのグラビア版を２色グラビアコーターに設置
し、前記ポリエステルフィルムの一面にＡ→Ｂの順にコ
ーティング・乾燥を実施した。得られた乾燥塗膜の厚さ
はコーティング液Ａが３μｍでコーティング液Ｂが0.1
μｍであった。得られたトップフィルムにDC100Vを印加
して表面抵抗を測定したところ、単位面積当たり平均値
2.2×10⁶Ω，最大値2.8×10⁶Ω，最小値1.7×10⁶Ωであ
って非常に安定しており、その光線透過率は86％，ヘイ
ズは10以下であり、幅1mmのヒートシールヘッドによっ
てポリ塩化ビニル製キャリアテープに接着剤温度が140
℃になるような条件で１秒間圧着したところ、その剥離
接着強度は38gf／mmであり、使用上なんら問題のないも
のであった。

〔実施例−２〕透明基材として厚さ25μｍのポリエステルフィルム「ル
ミラー・Ｔタイプ」（東レ（株）製商品名）をベースフ
ィルムとして使用した。高分子マトリックスとして、ガ
ラス転移点90℃，環球法軟化点185℃の飽和共重合ポリ
エステル「エリーテル・UE−3690」（ユニチカ（株）製
商品名）10重量部を、シクロヘキサノン／トルエン（70
／30）の混合溶剤500重量部に高速ディスパーサーを用
いて溶解し、この中にＮ−ｎ−ブチルイソキノリニウム
−メチル−TCNQ錯体（日東化学工業（株）製、試作品）
5.3重量部と、Ｎ−ｎ−ブチル−Ｎ−メチルモルホリニ
ウム−メチル−TCNQ錯体（日東化学工業（株）製、試作
品）2.7重量部とを添加し、ディスパーサーを用いて撹
拌溶解後、サンドミル処理を行い、さらに濾紙（ワット
マンフィルターペーパーNo.3）によって濾過を行った。
得られた液100重量部にトリレンジイソシアネート−ト
リメチルプロパンアダクトプレポリマー「コロネート
Ｌ」（日本ポリウレタン工業（株）製商品名）0.25重量
部とブロッキング防止剤「モディパーＦ」（日本油脂
（株）製商品名）0.1重量部を添加した後、再度ディス
パーサーで撹拌し、粘度20cPのコーティング溶液Ｃを調
整した。この溶液Ｃでの透明導電性膜中に析出したＲ−
TCNQ錯体の結晶構造は第２図示のようになっている。ま
ず、実施例−１で使用した塗工液Ａを線数180メッシ
ュ，深度35μｍのグラビア版下をグラビアコーターに設
置し、前記ポリエステルフィルムの一面にコーティング
・乾燥を実施したのち、該接着剤層の反対面に前記塗工
液Ｃを塗工液Ａと同様にしてコーティング・乾燥を実施
した。得られた乾燥塗膜の厚さはコーティグ液Ａが３μ
ｍでコーティング液Ｃが0.1μｍであった。ここで得ら
れたトプテープフィルムの透明導電性膜にDC100Vを印加
して表面抵抗を測定したところ、単位面積当たり平均値
2.5×10⁶Ω，最大値3.0×10⁶Ω，最小値2.0×10⁶Ωであ
って非常に安定しており、その光線透過率は87％，ヘイ
ズは10以下であり、幅1mmのヒートシールヘッドによっ
てポリ塩化ビニル製キャリアテープに接着剤温度が140
℃になるような条件で１秒間圧着したところ、その剥離
接着強度は37gf／mmであり、使用上なんら問題のないも
のであった。

〔実施例−３〕実施例−２で用いた飽和共重合ポリエステル10重量部に
対し、コーティング液Ｃで用いた２種類のＲ−TCNQ錯体
のうち、Ｎ−ｎ−ブチルイソキノリニウム−メチル−TC
NQ錯体をアルキル基未置換のＮ−ｎ−ブチルイソキノリ
ニウムTCNQ錯体とし、その他は実施例−１と同様にして
処理した。ここで得られたトップテープフィルムを実施
例−１と同様にして測定したところ、その表面抵抗は単
位面積当り平均値7.7×10⁵Ω，最大値8.4×10⁵Ω，最小
値7.5×10⁵Ωであった。

〔比較例−１〕実施例−２で用いた飽和共重合ポリエステル10重量部に
対し、Ｎ−ｎ−ブチルイソキノリニウム−メチル−TCNQ
錯体（日東化学工業（株）製、試作品）単独を8.0重量
部を添加し、使用溶剤としてシクロヘキサノン／トルエ
ン（70／30）の混合溶剤として、その他の条件は実施例
２と同様とした。ここで得られたトップテープフィルム
を実施例−１と同様にして測定したところ、その表面抵
抗は単位面積当たり平均値1.4×10⁷Ω，最大値2.5×10⁷
Ω，最小値0.9×10⁷Ωであった。

〔比較例−２〕実施例２で用いた飽和共重合ポリエステル10重量部に対
し、コーティング液Ｃで用いた２種類のＲ−TCNQ錯体に
代えてアルキル基未置換のＮ−ｎ−ブチルイソキノリニ
ウムTCNQ錯体（日東化学工業（株）製、試作品）5.3重
量部とＮ−ｎ−ブチル−Ｎ−メチルモルホリニウムTCNQ
錯体（日東化学工業（株）製、試作品）2.7重量部とを
添加し、使用溶剤としてシクロヘキサノン／メチルエチ
ルケトン（80／20）の混合溶剤として、その他の条件は
実施例２と同様として乾燥皮膜の厚さが0.1μｍの透明
導電性膜を形成させた。ここで得られたトップテープフ
ィルムを実施例−１と同様にして測定したところ、その
表面抵抗は単位面積当たり平均値4.8×10⁵Ω，最大値5.
0×10⁵Ω，最小値4.7×10⁵Ωであった。

前記実施例−２と比較例−１で得られたトップテープフ
ィルムを、65℃,95％の高温高湿の雰囲気中に保持して
その表面抵抗の変化を測定した。

その結果は、第４図に示すように実施例−２で得られた
トップテープフィルムはその表面抵抗の上昇が少なく、
実用上の帯電防止に必要な単位面積当たり10⁹Ωの表面
抵抗を120時間経過しても維持していたのに対し、比較
例−１で得られたトップテープフィルムでは、48時間経
過した時点ですでに単位面積あたりの抵抗値が10¹¹以上
に増大し、導電性が大幅に低下した。

次いで、上記実施例−２と実施例−３および比較例２で
得られた各塗工液を25℃,55％RHの雰囲気中に投入し、
所定の時間ごとに各塗工液を前記方法と同様の方法にて
塗工し、0.1μｍ透明導電性皮膜を形成して、その表面
抵抗の変化を測定した結果を第３図に示す。その結果、
実施例−３ではその抵抗上昇が少なく、15日経過しても
実用上の帯電防止に十分な単位面積当たり10⁷Ωの表面
抵抗を維持しており、さらに実施例−２では30日経過し
ても単位面積当たり10⁷の表面抵抗を維持いたのに対
し、比較例−２では10日経過時に単位面積当たり10⁷Ω
以上であり、１日経過時には単位面積当たり10⁹Ω以上
の表面抵抗であった。

〔発明の効果〕

本発明は、錯体結晶が、炭素数１〜３の低級アルキル基
のアルキル（イソ）キノリニウム系またはアルキルモル
ホリニウム系若しくはアルキル−α−ピコニウム系のア
ルキル基置換7,7,8,8−テトラシアノキシジメタン錯体
の結晶形の異なる少なくとも２種からなる混合錯体を溶
解性高分子マトリックス中に配合して用いられたトップ
テープフィルムとすることで、高分子膜マトリックス中
の単位面積の結晶相互の接触点が増大し尊電性高分子膜
の体積固有抵抗および表面抵抗を低くすることができ従
来のTCNQ錯体単独を用いていた場合に比較して、より表
面抵抗が低く、バラツキが少なく、該表面抵抗の高温お
よび高温高湿での安定性に優れているとともに、該結晶
形の異なる錯体の少なくとも１種をアルキル基置換TCNQ
錯体とすることによって、その溶液での保存安定性が格
段に向上し、汎用溶剤を使用できることから、より低コ
ストでの製造が可能となったことから、実用的に優れた
トップテープフィルムとすることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のトップテープフィルムの使用時におけ
る拡大縦断面図、第1a図は高分子マトリックスに対する
Ｒ−TCNQ錯体による混合錯体の配合部数を一定として、
結晶形の異なる２種の錯体の混合比率と表面抵抗との関
係を示す。第1b図は高分子マトリックスに対するＲ−TC
NQとTCNQ錯体による混合錯体の配合部数を一定として、
結晶形の異なる２種の錯体の混合比率と表面抵抗との関
係を示す。第２図は本発明の実施例−２で得られた透明
導電性膜中に析出したＲ−TCNQ錯体の結晶構造を示す偏
向顕微鏡写真（倍率:200倍）である。第３図は実施例−
２と実施例−３および比較例−２の各塗工液の25℃55％
RHおける表面抵抗の変化を示す。第４図は実施例−２と
比較例−１で得られたトップテープフィルムの高温高湿
中における表面抵抗の経時変化を示したものである。第
５図はＮ−ｎ−ブチルイソキノリニウムTCNQ錯体を単独
で用いた場合の透明導電性膜中に析出したTCNQ錯体の結
晶構造を示す偏向顕微鏡写真（倍率:200倍）である。１……トップテープフィルム、２……ベースフィルム、
３……ヒートシール接着剤層、４……透明導電膜層、５
……キャリアテープ、5₁……キャリアテープの周縁部、
６……キャビティ。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ベースフィルムの一面に7,7,8,8−テトラ
シアノキシジメタン錯体結晶を含有するヒートシール性
接着剤層を形成したキャリアテープ用トップテープフィ
ルムであって、該錯体結晶が、炭素数１〜３の低級アル
キル基のアルキル（イソ）キノリニウム系またはアルキ
ルモルホリニウム系若しくはアルキル−α−ピコリニウ
ム系のアルキル基置換7,7,8,8−テトラシアノキシジメ
タン錯体の結晶形の異なる少なくとも２種からなる混合
錯体を溶解性高分子マトリックス中に配合して用いられ
ることを特徴とするトップテープフィルム。
【請求項２】ベースフィルムの一面に、7,7,8,8−テト
ラシアノキシジメタン錯体結晶を含有する透明導電性高
分子皮膜を形成したキャリアテープ用トップテープフィ
ルムであって、該錯体結晶が、炭素数１〜３の低級アル
キル基のアルキル（イソ）キノリニウム系またはアルキ
ルモルホリニウム系若しくはアルキル−α−ピコリニウ
ム系のアルキル基置換7,7,8,8−テトラシアノキシジメ
タン錯体の結晶形の異なる少なくとも２種からなる混合
錯体を溶解性高分子マトリックス中に配合して用いら
れ、前記ベースフィルムの他面にヒートシール性接着剤
層を備えたことを特徴とするトップテープフィルム。