JPH0437108A - 積層フィルムコンデンサの製造方法 - Google Patents
積層フィルムコンデンサの製造方法Info
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- JPH0437108A JPH0437108A JP2144781A JP14478190A JPH0437108A JP H0437108 A JPH0437108 A JP H0437108A JP 2144781 A JP2144781 A JP 2144781A JP 14478190 A JP14478190 A JP 14478190A JP H0437108 A JPH0437108 A JP H0437108A
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- Japan
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- dielectric film
- film
- dielectric
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- heating
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
妾業上の利用分野
本発明は、一般の電子機器において使用される絶縁フィ
ルム上に金属を蒸着した金属化フィルムの中間に誘電体
膜を挟んで噴否する償・響フィルムコンデンサの誘電体
膜形成方法に関する。
ルム上に金属を蒸着した金属化フィルムの中間に誘電体
膜を挟んで噴否する償・響フィルムコンデンサの誘電体
膜形成方法に関する。
従来の技術
従来、横１フィルムコンデンサの誘電体膜）は、溶剤で
誘電体材料を溶解した塗料を両面金属化フィルム上の両
面もしくは片面にラッカリングし、熱風炉で溶剤を蒸発
させて形成している。しかし市場での小型化要望が強い
現状の中で、誘電体摸薄模化によりフィルムコンデンサ
を小型化する場合、誘電体膜を薄くしても従来品と同程
度の耐電圧特性を維持することが必要である。
誘電体材料を溶解した塗料を両面金属化フィルム上の両
面もしくは片面にラッカリングし、熱風炉で溶剤を蒸発
させて形成している。しかし市場での小型化要望が強い
現状の中で、誘電体摸薄模化によりフィルムコンデンサ
を小型化する場合、誘電体膜を薄くしても従来品と同程
度の耐電圧特性を維持することが必要である。
このように塗料Ｄラッカリング後、溶剤を急速に蒸発さ
せ、誘電体膜を形成する方法で（ま溶剤の蒸発に伴い誘
電Ｂ−ｉＩ内部にボイドが発生し、表面粗さも粗くなる
。
せ、誘電体膜を形成する方法で（ま溶剤の蒸発に伴い誘
電Ｂ−ｉＩ内部にボイドが発生し、表面粗さも粗くなる
。
このような誘電体膜に電圧を印加した場合、誘電体喚内
部のボイドと、表面の粗さは絶縁破壊電圧低下の原因と
なる。
部のボイドと、表面の粗さは絶縁破壊電圧低下の原因と
なる。
ラッカリング後の溶剤の蒸発量を抑え、誘電体膜内部の
ボイドの低減と表面の粗さを改善する方法として、溶剤
の変更、塗料の誘電体材料高濃度化、溶剤乾燥速度の低
速化が試みられ、種々の提案がなされている。
ボイドの低減と表面の粗さを改善する方法として、溶剤
の変更、塗料の誘電体材料高濃度化、溶剤乾燥速度の低
速化が試みられ、種々の提案がなされている。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、高沸への溶剤に変更することで、溶剤の
蒸発量を抑えると、誘電体膜中に残留する溶剤の量が多
くなり、フィルムコンデンサトシたときに、諸特注に悪
影響を及ぼす。また塗料の誘電体材軒高！！實化け、溶
剤の絶対量が少なくなり、粘τが高くなるためラッカリ
ング性が悪くなる。
蒸発量を抑えると、誘電体膜中に残留する溶剤の量が多
くなり、フィルムコンデンサトシたときに、諸特注に悪
影響を及ぼす。また塗料の誘電体材軒高！！實化け、溶
剤の絶対量が少なくなり、粘τが高くなるためラッカリ
ング性が悪くなる。
また溶剤乾燥速（の低速化は主意性が低下する。
本発明は、上記課題を解決するもので、ラッカリング後
の誘電体膜内部のボイドの低減と、表面粗さの改善によ
って耐電圧特性の向上した積層フィルムコンデンサを提
供することを目的とする。
の誘電体膜内部のボイドの低減と、表面粗さの改善によ
って耐電圧特性の向上した積層フィルムコンデンサを提
供することを目的とする。
課題を解決するための手段
本発明′は上記目的を達吸するために、誘電体膜を形成
する材料を溶剤で溶かした塗料を両面金属化ライフ１／
ムの少なくとも一面にラッカリングした後、加圧しなが
ら加熱することによって誘電体膜を形成するようにした
ものである。
する材料を溶剤で溶かした塗料を両面金属化ライフ１／
ムの少なくとも一面にラッカリングした後、加圧しなが
ら加熱することによって誘電体膜を形成するようにした
ものである。
作用
上記のようにラッカリング後の誘電体膜を加圧しながら
加熱することにより、誘電体塗膜形成時の誘電体膜内部
でのボイド発生が抑制されるとともに一旦発生したボイ
ドも生長が抑制されて障害となる大きさに遷し雌くなる
。したがって完成した誘電体膜の耐電圧特性は向上する
。
加熱することにより、誘電体塗膜形成時の誘電体膜内部
でのボイド発生が抑制されるとともに一旦発生したボイ
ドも生長が抑制されて障害となる大きさに遷し雌くなる
。したがって完成した誘電体膜の耐電圧特性は向上する
。
実施例
以下、本発明の実施列について第１図〜第３図を参照、
しながら説明する。
しながら説明する。
実施例（１）
ヒートフ”ｖス機を用いて、誘電体材料がポリフェニレ
ンオキサイドであり、膜厚が。、８μｍａｒある誘電体
膜の加熱・加圧を行なう。加勢温度を８０℃、１３ｏ℃
、１ｓｏ’（：、１７ｏ℃、１ｅ。
ンオキサイドであり、膜厚が。、８μｍａｒある誘電体
膜の加熱・加圧を行なう。加勢温度を８０℃、１３ｏ℃
、１ｓｏ’（：、１７ｏ℃、１ｅ。
′Ｃ１加圧圧力をｔｏ、ｐ／、、４、加熱・加圧時間を
５秒として、本発明の誘電体膜を形成する。上記の方法
で形成した誘電体膜の耐電圧特性は、従来の誘電体膜よ
り優れたものであった。
５秒として、本発明の誘電体膜を形成する。上記の方法
で形成した誘電体膜の耐電圧特性は、従来の誘電体膜よ
り優れたものであった。
第１図ＩＬ）、 （ｋｌ）に本実施例で形成した誘電体
膜と、従来の誘電体膜との単位厚みあたりの耐電圧特注
の比較を示す。図中、・印、は従来の誘電体膜の平均値
を示し、○印・は本発明の平均値を示す。平均値に付し
た縦線は実験値のバラツキの範囲を示す。
膜と、従来の誘電体膜との単位厚みあたりの耐電圧特注
の比較を示す。図中、・印、は従来の誘電体膜の平均値
を示し、○印・は本発明の平均値を示す。平均値に付し
た縦線は実験値のバラツキの範囲を示す。
以下の各図も同様である。単位厚みあたりの初期放電電
圧は平均値で最大１９ｖ／μｍ、砲緑破壊電圧は平均型
で最大１ｓ□Ｖ／μｍ向とする。ここで述べる初期放電
電圧とは、誘電体膜と両面金属化フィルムとの界面にお
いて、欠陥部分の金属が飛散して絶縁が回復する初期の
電工であり、絶縁破壊電圧とトマフィルムコンデンサと
して機能しなくなる電工である。
圧は平均値で最大１９ｖ／μｍ、砲緑破壊電圧は平均型
で最大１ｓ□Ｖ／μｍ向とする。ここで述べる初期放電
電圧とは、誘電体膜と両面金属化フィルムとの界面にお
いて、欠陥部分の金属が飛散して絶縁が回復する初期の
電工であり、絶縁破壊電圧とトマフィルムコンデンサと
して機能しなくなる電工である。
実施例（２）
実施例（２）の誘電体膜形成の各条件は実施例（１）と
同様であり、誘電体膜の加熱・加圧時間を１６秒として
、本発明の誘電体膜を形、喫する。上記の方法で形成し
た誘電体膜の耐電圧特性は、従来の誘電体膜よシ優れた
ものであった。第２図（！Ｌ） 、 （ｂ）に本実施例
で形成した誘電体膜と、従来の誘電体、嘆との単位厚み
あたりの耐電圧特性の比較を示す。
同様であり、誘電体膜の加熱・加圧時間を１６秒として
、本発明の誘電体膜を形、喫する。上記の方法で形成し
た誘電体膜の耐電圧特性は、従来の誘電体膜よシ優れた
ものであった。第２図（！Ｌ） 、 （ｂ）に本実施例
で形成した誘電体膜と、従来の誘電体、嘆との単位厚み
あたりの耐電圧特性の比較を示す。
単位厚みあたりの初期放電電圧は平均値で最大２６ ’
ｉ／１ｔｍ 、絶縁破壊電圧は平均値で最大１１ＱＶ／
μｍ向上する。
ｉ／１ｔｍ 、絶縁破壊電圧は平均値で最大１１ＱＶ／
μｍ向上する。
実施例（３）
加勢温度を１６０℃、加圧圧力を１ｏｇ／ｃ、ｆ、。
２００９／ｃＡ 、’００ｇ／ｃａ、ｅｏｏｇ／ｃｌｒ
＋８００、＠ ／ｃ、Ｊ 、 １０００９ ／ｃ４．加
圧加熱時間を６秒として、他（ｄ実施例（１）と同様の
方法で本発明の誘電体膜を形成する。上記の方法で形成
した誘電体膜の耐電圧特性＋佳、従来の誘電体膜よ！ｌ
ｌ擾れたものであった。第３図１１） 、 （ｂ）に本
実施例で形成した誘電体膜と従来の誘電体膜との単位厚
みあたりの耐電圧特注の比較を示す。単位厚みあたりの
初期放覗電１１１Ｅ′は平均値で最大３２ｖ／μｍ、絶
縁破壊電ｒｉＥ！ｄ平均畜で最大２１５ Ｖ／ｌｔｍ向
丘する。
＋８００、＠ ／ｃ、Ｊ 、 １０００９ ／ｃ４．加
圧加熱時間を６秒として、他（ｄ実施例（１）と同様の
方法で本発明の誘電体膜を形成する。上記の方法で形成
した誘電体膜の耐電圧特性＋佳、従来の誘電体膜よ！ｌ
ｌ擾れたものであった。第３図１１） 、 （ｂ）に本
実施例で形成した誘電体膜と従来の誘電体膜との単位厚
みあたりの耐電圧特注の比較を示す。単位厚みあたりの
初期放覗電１１１Ｅ′は平均値で最大３２ｖ／μｍ、絶
縁破壊電ｒｉＥ！ｄ平均畜で最大２１５ Ｖ／ｌｔｍ向
丘する。
以上各実Ｉｌｌにおいて誘電体膜材料としてボリフェニ
レンオキサイドを用いた例を示したが、誘電体膜材料と
してはポリカーボネートまたはポリエステルも使用可能
で同様な耐電圧特性の向上効果がある。
レンオキサイドを用いた例を示したが、誘電体膜材料と
してはポリカーボネートまたはポリエステルも使用可能
で同様な耐電圧特性の向上効果がある。
また上記各実施例において示した耐電圧特性図からも明
らかなように誘電体膜厚が０．１μｍからＳ、Ｏμ重と
なるように塗料を調製し、ラッカリング後の誘電体膜を
８０’Ｃから１９０’Ｃの温度で加熱するとともに、１
０．！ｉ’／ｃＪから１ｏｏｏｊｉ／Ｊの圧力の加圧を
０．１秒から６０秒間の範囲で行なえば、誘電体膜の内
部のボイドの低減と、表面の粗さの改善に特に有効であ
り、誘電体膜の耐を王特性向上に著しい効果がある。
らかなように誘電体膜厚が０．１μｍからＳ、Ｏμ重と
なるように塗料を調製し、ラッカリング後の誘電体膜を
８０’Ｃから１９０’Ｃの温度で加熱するとともに、１
０．！ｉ’／ｃＪから１ｏｏｏｊｉ／Ｊの圧力の加圧を
０．１秒から６０秒間の範囲で行なえば、誘電体膜の内
部のボイドの低減と、表面の粗さの改善に特に有効であ
り、誘電体膜の耐を王特性向上に著しい効果がある。
なお、本実施例では誘電体膜を加熱・加圧する手段とし
て、ヒートプレス機を用いたが、その他の手段としてホ
ットローラー等を用いても良く、ラッカリング後に誘電
体膜を加熱・加圧することで耐電圧特性の向上が図れ、
所期の目的を達成できる。
て、ヒートプレス機を用いたが、その他の手段としてホ
ットローラー等を用いても良く、ラッカリング後に誘電
体膜を加熱・加圧することで耐電圧特性の向上が図れ、
所期の目的を達成できる。
発明の効果
以上のように本発明で′ｄ１誘電体膜を加熱・加圧する
ことで、誘電体膜内部のボイドを低減し、表面の粗さを
改善することができる。したがって誘電体膜の高密度化
による耐電圧特性の向上が図れ、信頼性が向上する。
ことで、誘電体膜内部のボイドを低減し、表面の粗さを
改善することができる。したがって誘電体膜の高密度化
による耐電圧特性の向上が図れ、信頼性が向上する。
第１図゛！Ｌ） 、 （ｂ）、第２図！、！Ｌ） 、
（ｂ）、第３図＋ａ） 、 （ｂ）は本発明による誘電
体膜と、従来の誘電体膜との単位厚みあ念りの耐電圧特
注を比較して示す図である。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名１図 ｉａ＊ｆｉ覆（・Ｃ） ＭＪ １１！！ ＊ ７！（・υ １１Ｊ熱罵ｆｆ （”（Ｊ ｍｙ 温度 （＠Ｃ） 岸位障ａ＋ｓｒ−りの初期放電電圧（ｖｉｓｍ−）薯 ＊ｔｆ［ＦｔＪ＋島７’：１．Ｉｆｆ） １１ｍＨｋ：
ａｍ電Ｆｋ （ＶＩＥすＪ
（ｂ）、第３図＋ａ） 、 （ｂ）は本発明による誘電
体膜と、従来の誘電体膜との単位厚みあ念りの耐電圧特
注を比較して示す図である。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名１図 ｉａ＊ｆｉ覆（・Ｃ） ＭＪ １１！！ ＊ ７！（・υ １１Ｊ熱罵ｆｆ （”（Ｊ ｍｙ 温度 （＠Ｃ） 岸位障ａ＋ｓｒ−りの初期放電電圧（ｖｉｓｍ−）薯 ＊ｔｆ［ＦｔＪ＋島７’：１．Ｉｆｆ） １１ｍＨｋ：
ａｍ電Ｆｋ （ＶＩＥすＪ
Claims (3)
- （１）誘電体膜材料を溶剤で溶かした塗料を両面金属化
フィルム上の少なくとも一面にラッカリングした後、加
圧しながら加熱することを特徴とする積層フィルムコン
デンサの誘電体膜形成方法。 - （２）誘電体膜材料がポリカーボネート、ポリフェニレ
ンオキサイドまたはポリエステルである請求項（１）記
載の積層フィルムコンデンサの誘電体膜形成方法。 - （３）誘電体膜材料による膜厚が０．１μｍから５．０
μｍ、加熱温度が８０℃から１９０℃、加圧圧力が１０
ｇ／ｃｍ＾２から１０００ｇ／ｃｍ＾２であり、加熱加
圧時間が０．１秒から６０秒であることを特徴とする請
求項（１）記載の積層フィルムコンデンサの誘電体膜形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2144781A JPH0793240B2 (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | 積層フィルムコンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2144781A JPH0793240B2 (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | 積層フィルムコンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0437108A true JPH0437108A (ja) | 1992-02-07 |
| JPH0793240B2 JPH0793240B2 (ja) | 1995-10-09 |
Family
ID=15370291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2144781A Expired - Lifetime JPH0793240B2 (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | 積層フィルムコンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0793240B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018156965A (ja) * | 2017-03-15 | 2018-10-04 | 日立化成株式会社 | コンデンサ用絶縁フィルム及びそれを用いたフィルムコンデンサ |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54105761A (en) * | 1978-02-07 | 1979-08-20 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Method of producing capacitor |
| JPS6199321A (ja) * | 1984-10-22 | 1986-05-17 | 松下電器産業株式会社 | 巻回型プラスチツクフイルムコンデンサ |
| JPS62213231A (ja) * | 1986-03-14 | 1987-09-19 | 松下電器産業株式会社 | 積層フイルムコンデンサ |
-
1990
- 1990-06-01 JP JP2144781A patent/JPH0793240B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54105761A (en) * | 1978-02-07 | 1979-08-20 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Method of producing capacitor |
| JPS6199321A (ja) * | 1984-10-22 | 1986-05-17 | 松下電器産業株式会社 | 巻回型プラスチツクフイルムコンデンサ |
| JPS62213231A (ja) * | 1986-03-14 | 1987-09-19 | 松下電器産業株式会社 | 積層フイルムコンデンサ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018156965A (ja) * | 2017-03-15 | 2018-10-04 | 日立化成株式会社 | コンデンサ用絶縁フィルム及びそれを用いたフィルムコンデンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0793240B2 (ja) | 1995-10-09 |
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