JPH04372111A - 投影露光装置 - Google Patents
投影露光装置Info
- Publication number
- JPH04372111A JPH04372111A JP3150254A JP15025491A JPH04372111A JP H04372111 A JPH04372111 A JP H04372111A JP 3150254 A JP3150254 A JP 3150254A JP 15025491 A JP15025491 A JP 15025491A JP H04372111 A JPH04372111 A JP H04372111A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- mask
- substrate
- mask pattern
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、複数の高さの段差表
面を有する基板上にマスクパターンを転写する投影露光
装置に関する。
面を有する基板上にマスクパターンを転写する投影露光
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、投影露光装置の高ＮＡ化，短波長
化，さらに半導体装置の高集積化に伴う基板の高段差化
により基板上のレジストを露光する際の焦点深度の余裕
がなくなってきた。この焦点深度の余裕を拡大するため
の技術は、例えば特開昭６３−４２１２２に開示されて
いる。この技術は、基板上に塗布されたレジスト中の複
数点に結像点を合わせ、複数回露光することによりレジ
ストパターンを形成するものである。
化，さらに半導体装置の高集積化に伴う基板の高段差化
により基板上のレジストを露光する際の焦点深度の余裕
がなくなってきた。この焦点深度の余裕を拡大するため
の技術は、例えば特開昭６３−４２１２２に開示されて
いる。この技術は、基板上に塗布されたレジスト中の複
数点に結像点を合わせ、複数回露光することによりレジ
ストパターンを形成するものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の露光方法は、レ
ジスト中の一点に結像点を合わせ、一回露光するか、特
開昭６３−４２１２２に示されているように、レジスト
中の複数点に結像点を合わせ、複数回露光する方法があ
るが、いずれの方法もマスクパターン全面を一度に基板
上に転写するため、段差のある基板上にマスクパターン
を転写する場合、必ず焦点面から大きくはずれる露光面
があるという問題点があった。
ジスト中の一点に結像点を合わせ、一回露光するか、特
開昭６３−４２１２２に示されているように、レジスト
中の複数点に結像点を合わせ、複数回露光する方法があ
るが、いずれの方法もマスクパターン全面を一度に基板
上に転写するため、段差のある基板上にマスクパターン
を転写する場合、必ず焦点面から大きくはずれる露光面
があるという問題点があった。
【０００４】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、複数の高さの段差表面を有する
基板上にマスクパターンを転写する場合、露光面が焦点
面から大きくはずれることがない投影露光装置を得るこ
とを目的とする。
ためになされたもので、複数の高さの段差表面を有する
基板上にマスクパターンを転写する場合、露光面が焦点
面から大きくはずれることがない投影露光装置を得るこ
とを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明に係る投影露光
装置は、複数の高さの段差表面を有する基板上にマスク
パターンを転写する投影露光装置において、前記段差表
面の前記高さに応じた透光部および遮光部を有し、前記
マスクパターンに対して光学的に共役な位置に設置され
た透遮光マスクを備え、前記透遮光マスクを交換しつつ
前記マスクパターンを前記基板上に複数回に分けて転写
するようにしたことを特徴とする。
装置は、複数の高さの段差表面を有する基板上にマスク
パターンを転写する投影露光装置において、前記段差表
面の前記高さに応じた透光部および遮光部を有し、前記
マスクパターンに対して光学的に共役な位置に設置され
た透遮光マスクを備え、前記透遮光マスクを交換しつつ
前記マスクパターンを前記基板上に複数回に分けて転写
するようにしたことを特徴とする。
【０００６】
【作用】この発明においては、段差表面の高さに応じた
透光部および遮光部を有し、マスクパターンに対して光
学的に共役な位置に設置された透遮光マスクを備え、透
遮光マスクを交換しつつマスクパターンを基板上に複数
回に分けて転写するようにしたので、段差表面の各々の
高さに応じて焦点を合わせることができる。
透光部および遮光部を有し、マスクパターンに対して光
学的に共役な位置に設置された透遮光マスクを備え、透
遮光マスクを交換しつつマスクパターンを基板上に複数
回に分けて転写するようにしたので、段差表面の各々の
高さに応じて焦点を合わせることができる。
【０００７】
【実施例】図１はこの発明に係る投影露光装置の構成を
示す構成図である。図において、１は光源、２は透遮光
マスク、３および５は投影レンズ、４はマスクパターン
、６は基板である。透遮光マスク２はマスクパターン４
に対して光学的に共役な位置に設置されている。基板６
もマスクパターン４に対して光学的に共役な位置に設置
されている。
示す構成図である。図において、１は光源、２は透遮光
マスク、３および５は投影レンズ、４はマスクパターン
、６は基板である。透遮光マスク２はマスクパターン４
に対して光学的に共役な位置に設置されている。基板６
もマスクパターン４に対して光学的に共役な位置に設置
されている。
【０００８】図２は透遮光マスク２の平面図、図３はマ
スクパターン４の平面図、図４は基板６の平面図である
。透遮光マスク２はマスクパターン４に対して光学的に
共役な位置に設置されている。基板６もマスクパターン
４に対して光学的に共役な位置に設置されている。図５
は図４のＬ−Ｌ線での断面図である。図５においてＡは
凸部、Ｂは凹部である。図２において、Ａ１は基板６上
の凸部Ａに対応して設けられた透光部、Ｂ１は基板６上
の凹部Ｂに対応して設けられた遮光部である。図３にお
いて、Ａ２は透遮光マスク２の透光部Ａ１を介して光源
１から光が照射される領域、Ｂ２は透遮光マスク２の遮
光部Ｂ１で光源からの光が遮光される領域である。なお
、凸部Ａと領域Ａ２，透光部Ａ１と領域Ａ２，凹部Ｂと
領域Ｂ２，遮光部Ｂ１と領域Ｂ２は各々光学的に共役で
かつ一対一に対応している。
スクパターン４の平面図、図４は基板６の平面図である
。透遮光マスク２はマスクパターン４に対して光学的に
共役な位置に設置されている。基板６もマスクパターン
４に対して光学的に共役な位置に設置されている。図５
は図４のＬ−Ｌ線での断面図である。図５においてＡは
凸部、Ｂは凹部である。図２において、Ａ１は基板６上
の凸部Ａに対応して設けられた透光部、Ｂ１は基板６上
の凹部Ｂに対応して設けられた遮光部である。図３にお
いて、Ａ２は透遮光マスク２の透光部Ａ１を介して光源
１から光が照射される領域、Ｂ２は透遮光マスク２の遮
光部Ｂ１で光源からの光が遮光される領域である。なお
、凸部Ａと領域Ａ２，透光部Ａ１と領域Ａ２，凹部Ｂと
領域Ｂ２，遮光部Ｂ１と領域Ｂ２は各々光学的に共役で
かつ一対一に対応している。
【０００９】このような構成の投影露光装置を用いて基
板６上にマスクパターン４を転写すると、基板６上に転
写されるパターンはマスクパターン４上の領域Ａ２のパ
ターンのみになる。つまり、基板６上の凸部Ａ上にのみ
パターンが転写される。そのため、基板６上全体に一度
にマスクパターン４を転写した場合に焦点が大きくはず
れる凹部Ｂのことは考慮する必要がない。なお、上記に
示した凸部Ａへのパターンの転写時には凸部Ａに最適の
所に焦点を合わせる。
板６上にマスクパターン４を転写すると、基板６上に転
写されるパターンはマスクパターン４上の領域Ａ２のパ
ターンのみになる。つまり、基板６上の凸部Ａ上にのみ
パターンが転写される。そのため、基板６上全体に一度
にマスクパターン４を転写した場合に焦点が大きくはず
れる凹部Ｂのことは考慮する必要がない。なお、上記に
示した凸部Ａへのパターンの転写時には凸部Ａに最適の
所に焦点を合わせる。
【００１０】次に、透遮光マスク２の透光部Ａ１と遮光
部Ｂ１を逆にした透遮光マスク、つまり、透光部Ａ１を
遮光部に、遮光部Ｂ１を透光部にした透遮光マスクを用
いて基板６上にマスクパターン４を転写する。このとき
基板６上に転写されるパターンはマスクパターン４の領
域Ｂ２のパターンのみになる。つまり、基板６上の凹部
Ｂ上にのみパターンが転写される。そのため、基板６上
全体に一度にマスクパターン４を転写した場合に焦点が
大きくはずれる凸部Ａのことは考慮する必要がない。な
お、上記に示した凹部Ｂへのパターンの転写時には凹部
Ｂに最適の所に焦点を合わせる。
部Ｂ１を逆にした透遮光マスク、つまり、透光部Ａ１を
遮光部に、遮光部Ｂ１を透光部にした透遮光マスクを用
いて基板６上にマスクパターン４を転写する。このとき
基板６上に転写されるパターンはマスクパターン４の領
域Ｂ２のパターンのみになる。つまり、基板６上の凹部
Ｂ上にのみパターンが転写される。そのため、基板６上
全体に一度にマスクパターン４を転写した場合に焦点が
大きくはずれる凸部Ａのことは考慮する必要がない。な
お、上記に示した凹部Ｂへのパターンの転写時には凹部
Ｂに最適の所に焦点を合わせる。
【００１１】なお、上記実施例では透遮光マスク２の透
光部，遮光部を各々凸部Ａ，凹部Ｂ２つの高さに対応し
て形成した２つの透遮光マスクを用いたが、基板６上に
３以上の高さの段差表面が形成されている場合には各々
の高さに応じて透光部，遮光部を形成した３つ以上の透
遮光マスク２を用い、透遮光マスクを交換しつつ３回以
上に分けて露光すればよい。
光部，遮光部を各々凸部Ａ，凹部Ｂ２つの高さに対応し
て形成した２つの透遮光マスクを用いたが、基板６上に
３以上の高さの段差表面が形成されている場合には各々
の高さに応じて透光部，遮光部を形成した３つ以上の透
遮光マスク２を用い、透遮光マスクを交換しつつ３回以
上に分けて露光すればよい。
【００１２】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、段差表
面の高さに応じた透光部および遮光部を有し、マスクパ
ターンに対して光学的に共役な位置に設置された透遮光
マスクを備え、透遮光マスクを交換しつつマスクパター
ンを基板上に複数回に分けて転写するようにしたので、
段差表面の各々の高さに応じて焦点を合わせることがで
きる。その結果、露光面が焦点面と大きくずれることが
ないという効果がある。
面の高さに応じた透光部および遮光部を有し、マスクパ
ターンに対して光学的に共役な位置に設置された透遮光
マスクを備え、透遮光マスクを交換しつつマスクパター
ンを基板上に複数回に分けて転写するようにしたので、
段差表面の各々の高さに応じて焦点を合わせることがで
きる。その結果、露光面が焦点面と大きくずれることが
ないという効果がある。
【図１】この発明に係る投影露光装置の構成を示す構成
図である。
図である。
【図２】透遮光マスクの平面図である。
【図３】マスクパターンの平面図である。
【図４】基板の平面図である。
【図５】基板の断面図である。
２ 透遮光マスク
４ マスクパターン
６ 基板
Claims (1)
- 【請求項１】 複数の高さの段差表面を有する基板上
にマスクパターンを転写する投影露光装置において、前
記段差表面の前記高さに応じた透光部および遮光部を有
し、前記マスクパターンに対して光学的に共役な位置に
設置された透遮光マスクを備え、前記透遮光マスクを交
換しつつ前記マスクパターンを前記基板上に複数回に分
けて転写するようにしたことを特徴とする投影露光装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3150254A JPH04372111A (ja) | 1991-06-21 | 1991-06-21 | 投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3150254A JPH04372111A (ja) | 1991-06-21 | 1991-06-21 | 投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04372111A true JPH04372111A (ja) | 1992-12-25 |
Family
ID=15492927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3150254A Pending JPH04372111A (ja) | 1991-06-21 | 1991-06-21 | 投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04372111A (ja) |
-
1991
- 1991-06-21 JP JP3150254A patent/JPH04372111A/ja active Pending
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