JPH04372152A - 静電チャック装置 - Google Patents
静電チャック装置Info
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- JPH04372152A JPH04372152A JP3176076A JP17607691A JPH04372152A JP H04372152 A JPH04372152 A JP H04372152A JP 3176076 A JP3176076 A JP 3176076A JP 17607691 A JP17607691 A JP 17607691A JP H04372152 A JPH04372152 A JP H04372152A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、静電チャック装置に関
し、特に半導体ウェーハのような平坦な面を持つ板状部
材を静電的に吸着保持する静電チャック装置において、
比較的低い電圧で大きな保持力を発生させかつウェーハ
の着脱に要する時間を短縮する技術に関する。
し、特に半導体ウェーハのような平坦な面を持つ板状部
材を静電的に吸着保持する静電チャック装置において、
比較的低い電圧で大きな保持力を発生させかつウェーハ
の着脱に要する時間を短縮する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体露光装置あるいは検査装置
などに使用されている静電チャック装置としては、研磨
された基板上に電極用の金属板を載置し、さらにその上
に機械加工によって研磨された絶縁性の薄板をかぶせた
ものが知られている。
などに使用されている静電チャック装置としては、研磨
された基板上に電極用の金属板を載置し、さらにその上
に機械加工によって研磨された絶縁性の薄板をかぶせた
ものが知られている。
【０００３】あるいは、従来、セラミック基板などを研
磨して構成した基板上に直接導電性材料を蒸着あるいは
スパッタによって堆積させて電極を形成し、この電極の
上にアルミナなどの無機絶縁材料を堆積させて構成した
静電チャック装置が提案されている。
磨して構成した基板上に直接導電性材料を蒸着あるいは
スパッタによって堆積させて電極を形成し、この電極の
上にアルミナなどの無機絶縁材料を堆積させて構成した
静電チャック装置が提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような従来例の静
電チャック装置の内、前者の機械加工によって形成した
絶縁性薄板を電極上に設ける装置にあっては、絶縁性の
薄板によって構成される絶縁層をあまり薄く加工するこ
とが困難であった。このため、ウェーハを吸着するのに
必要な静電力を得るためには数百ボルトの高い吸着用電
圧を印加する必要があった。また、絶縁層が比較的厚い
ため、該絶縁層に電荷を蓄積しあるいは該絶縁層から電
荷を放出するのに時間がかかり、結果としてウェーハの
着脱に長時間、例えば１０数秒、を要するという不都合
があった。ウェーハの着脱時間を短縮するために、絶縁
層を構成する絶縁性材料の比抵抗を１０１０〜１０１２
Ω・ｃｍ程度に比較的小さくすることも考えられている
。ところが、このような方法では、この絶縁層を介しウ
ェーハに微小電流が流れ、ウェーハ表面に作られている
トランジスタを破壊するという不都合があった。
電チャック装置の内、前者の機械加工によって形成した
絶縁性薄板を電極上に設ける装置にあっては、絶縁性の
薄板によって構成される絶縁層をあまり薄く加工するこ
とが困難であった。このため、ウェーハを吸着するのに
必要な静電力を得るためには数百ボルトの高い吸着用電
圧を印加する必要があった。また、絶縁層が比較的厚い
ため、該絶縁層に電荷を蓄積しあるいは該絶縁層から電
荷を放出するのに時間がかかり、結果としてウェーハの
着脱に長時間、例えば１０数秒、を要するという不都合
があった。ウェーハの着脱時間を短縮するために、絶縁
層を構成する絶縁性材料の比抵抗を１０１０〜１０１２
Ω・ｃｍ程度に比較的小さくすることも考えられている
。ところが、このような方法では、この絶縁層を介しウ
ェーハに微小電流が流れ、ウェーハ表面に作られている
トランジスタを破壊するという不都合があった。
【０００５】また、後者の研磨したセラミック基板上に
直接電極材料を堆積させ、その上に無機絶縁物を堆積さ
せた静電チャック装置では、研磨したセラミック基板に
は深さが０．５μｍ前後の微小なくぼみが多く形成され
ているため、このくぼみの近傍では電界強度が強くなり
放電を起こし易い状態となる。このため、この種の装置
では、あまり大きな吸着電圧を印加することができず、
大きな静電力を得ることは不可能であった。
直接電極材料を堆積させ、その上に無機絶縁物を堆積さ
せた静電チャック装置では、研磨したセラミック基板に
は深さが０．５μｍ前後の微小なくぼみが多く形成され
ているため、このくぼみの近傍では電界強度が強くなり
放電を起こし易い状態となる。このため、この種の装置
では、あまり大きな吸着電圧を印加することができず、
大きな静電力を得ることは不可能であった。
【０００６】本発明の目的は、前述の従来例の装置にお
ける問題点に鑑み、比較的低い電圧でも大きな静電力が
得られるとともに、ウェーハのような被吸着体の着脱に
要する時間を短縮することが可能な静電チャック装置を
提供することにある。
ける問題点に鑑み、比較的低い電圧でも大きな静電力が
得られるとともに、ウェーハのような被吸着体の着脱に
要する時間を短縮することが可能な静電チャック装置を
提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
、本発明によれば、研磨された基板上に、無機絶縁材料
を前記基板表面の凹凸がほぼ平坦化される厚さにまで堆
積させることにより第１の無機絶縁材料層を形成し、該
第１の無機絶縁材料層上に電極材料層を堆積により形成
し、かつ該電極材料層上に第２の無機絶縁材料層を堆積
により形成したことを特徴とする静電チャック装置が提
供される。
、本発明によれば、研磨された基板上に、無機絶縁材料
を前記基板表面の凹凸がほぼ平坦化される厚さにまで堆
積させることにより第１の無機絶縁材料層を形成し、該
第１の無機絶縁材料層上に電極材料層を堆積により形成
し、かつ該電極材料層上に第２の無機絶縁材料層を堆積
により形成したことを特徴とする静電チャック装置が提
供される。
【０００８】前記基板は高純度アルミナ、あるいはジル
コニア（ＺｒＯ２）を含むアルミナから作成したセラミ
ックス基板とすると好都合である。
コニア（ＺｒＯ２）を含むアルミナから作成したセラミ
ックス基板とすると好都合である。
【０００９】また、上記第１の無機絶縁材料層はＴａ２
Ｏ５により形成され、かつ第２の無機絶縁材料層は酸素
の分圧が０．０５Ｐａより大きいアルゴンと酸素の混合
気体中でスパッタしたＴａ２Ｏ５により形成すると好都
合である。
Ｏ５により形成され、かつ第２の無機絶縁材料層は酸素
の分圧が０．０５Ｐａより大きいアルゴンと酸素の混合
気体中でスパッタしたＴａ２Ｏ５により形成すると好都
合である。
【００１０】さらに、鏡面研磨された強化ガラスあるい
はジルコニアセラミックスの基板上に、直接電極材料お
よび無機絶縁材料層を順次堆積により形成することも可
能である。
はジルコニアセラミックスの基板上に、直接電極材料お
よび無機絶縁材料層を順次堆積により形成することも可
能である。
【００１１】
【作用】上記構成においては、例えば高純度アルミナあ
るいはジルコニアを含むアルミナから作成したセラミッ
クス基板を研磨した場合に該基板表面に残っている例え
ば０．５μｍ以下のくぼみは、無機絶縁材料をこのくぼ
みの１０倍程度以上の厚さ、すなわち５μｍ以上の厚さ
に、堆積させ前記第１の無機絶縁材料層を形成すること
によって平坦化される。この平坦化された第１の無機絶
縁材料層上に金属あるいは半導体などの電極材料を堆積
させ、さらにその上に前記第２の無機絶縁材料層を形成
する。従って、前記電極材料層に電圧をかけた場合にも
、絶縁層のくぼみによる電界の集中を生ずることがなく
なり、必要に応じて十分に大きな吸着用電圧を安定に印
加できる。従って、大きな静電力でウェーハを保持する
こともできる。また、第２の無機絶縁材料層は堆積によ
り形成するため、その厚みを十分に薄くすることができ
る。このため、比較的低い電圧でも大きな吸着力が得ら
れるとともに、被吸着体の着脱に要する時間が短縮され
る。
るいはジルコニアを含むアルミナから作成したセラミッ
クス基板を研磨した場合に該基板表面に残っている例え
ば０．５μｍ以下のくぼみは、無機絶縁材料をこのくぼ
みの１０倍程度以上の厚さ、すなわち５μｍ以上の厚さ
に、堆積させ前記第１の無機絶縁材料層を形成すること
によって平坦化される。この平坦化された第１の無機絶
縁材料層上に金属あるいは半導体などの電極材料を堆積
させ、さらにその上に前記第２の無機絶縁材料層を形成
する。従って、前記電極材料層に電圧をかけた場合にも
、絶縁層のくぼみによる電界の集中を生ずることがなく
なり、必要に応じて十分に大きな吸着用電圧を安定に印
加できる。従って、大きな静電力でウェーハを保持する
こともできる。また、第２の無機絶縁材料層は堆積によ
り形成するため、その厚みを十分に薄くすることができ
る。このため、比較的低い電圧でも大きな吸着力が得ら
れるとともに、被吸着体の着脱に要する時間が短縮され
る。
【００１２】また、前記基板として高純度アルミナある
いはジルコニア（ＺｒＯ２）を混入させたアルミナを用
いることにより、研磨した基板表面のくぼみを０．５μ
ｍ以下にできることが実験的に明らかになっている。
いはジルコニア（ＺｒＯ２）を混入させたアルミナを用
いることにより、研磨した基板表面のくぼみを０．５μ
ｍ以下にできることが実験的に明らかになっている。
【００１３】また、下層すなわち、前記第１の無機絶縁
材料層は絶縁耐力はあまり大きくする必要はない。この
ため、第１の無機絶縁材料層をＴａ２Ｏ５により形成す
ることにより、堆積速度が大きくなり、短時間で成膜が
完了する。また、上層、すなわち第２の無機絶縁材料層
は、誘電率が大きく、絶縁耐力が高いことが要求される
。このため、酸素分圧を０．０５Ｐａ以上としたアルゴ
ン（Ａｒ）および酸素（Ｏ２）の混合気体中でのスパッ
タを行なうことにより、大きな絶縁耐力を持つ絶縁膜が
形成できることが判明している。
材料層は絶縁耐力はあまり大きくする必要はない。この
ため、第１の無機絶縁材料層をＴａ２Ｏ５により形成す
ることにより、堆積速度が大きくなり、短時間で成膜が
完了する。また、上層、すなわち第２の無機絶縁材料層
は、誘電率が大きく、絶縁耐力が高いことが要求される
。このため、酸素分圧を０．０５Ｐａ以上としたアルゴ
ン（Ａｒ）および酸素（Ｏ２）の混合気体中でのスパッ
タを行なうことにより、大きな絶縁耐力を持つ絶縁膜が
形成できることが判明している。
【００１４】さらに、前記基板として強化ガラスあるい
はジルコニアを用いた場合には、非常に滑らかな表面に
研磨することが可能である。従って、この場合は前記高
純度アルミナなどのセラミックスの場合のような微小な
くぼみがないから、基板上に直接電極材料層を堆積によ
り形成し、その上に絶縁物を堆積させることが可能とな
る。
はジルコニアを用いた場合には、非常に滑らかな表面に
研磨することが可能である。従って、この場合は前記高
純度アルミナなどのセラミックスの場合のような微小な
くぼみがないから、基板上に直接電極材料層を堆積によ
り形成し、その上に絶縁物を堆積させることが可能とな
る。
【００１５】
【実施例】以下、図面により本発明の実施例につき説明
する。図１は、本発明の１実施例に係わる静電チャック
装置の周辺部付近の拡大断面図であり、図２は上側から
見た概略平面図である。
する。図１は、本発明の１実施例に係わる静電チャック
装置の周辺部付近の拡大断面図であり、図２は上側から
見た概略平面図である。
【００１６】これらの図に示されるように、この実施例
に係わる静電チャック装置は、例えば高純度アルミナに
よって構成されるセラミック基板１を有する。セラミッ
ク基板１の研磨した表面には例えば０．５μｍ以下のく
ぼみ８が部分的に残っている。このような基板１上には
例えばＴａ２Ｏ５を例えば１０μｍの厚さにスパッタリ
ングにより堆積させて形成した絶縁層６が設けられてい
る。Ｔａ２Ｏ５のスパッタ条件は、例えば酸素分圧０．
０４Ｐａ、Ａｒ分圧１．０Ｐａとし、約８時間で成膜す
る。また、周辺部において絶縁層６の膜厚が少しずつ薄
くするようにするため、マスクを少し基板から浮かせた
状態で成膜を行なうと好都合である。
に係わる静電チャック装置は、例えば高純度アルミナに
よって構成されるセラミック基板１を有する。セラミッ
ク基板１の研磨した表面には例えば０．５μｍ以下のく
ぼみ８が部分的に残っている。このような基板１上には
例えばＴａ２Ｏ５を例えば１０μｍの厚さにスパッタリ
ングにより堆積させて形成した絶縁層６が設けられてい
る。Ｔａ２Ｏ５のスパッタ条件は、例えば酸素分圧０．
０４Ｐａ、Ａｒ分圧１．０Ｐａとし、約８時間で成膜す
る。また、周辺部において絶縁層６の膜厚が少しずつ薄
くするようにするため、マスクを少し基板から浮かせた
状態で成膜を行なうと好都合である。
【００１７】絶縁層６の上には電極材料層２が形成され
ている。この電極材料層２はチタンをＡｒ中でスパッタ
リングすることにより形成した。
ている。この電極材料層２はチタンをＡｒ中でスパッタ
リングすることにより形成した。
【００１８】さらに、電極材料層２を覆うように最上層
の絶縁層７が形成されている。この絶縁層７は、例えば
Ｔａ２Ｏ５を酸素分圧０．０６Ｐａ、Ａｒ分圧１．０Ｐ
ａの雰囲気中で１６時間スパッタすることにより８μｍ
の厚みに形成したものである。このような成膜方法によ
り大きな絶縁耐力をもつ絶縁膜を形成することができる
。
の絶縁層７が形成されている。この絶縁層７は、例えば
Ｔａ２Ｏ５を酸素分圧０．０６Ｐａ、Ａｒ分圧１．０Ｐ
ａの雰囲気中で１６時間スパッタすることにより８μｍ
の厚みに形成したものである。このような成膜方法によ
り大きな絶縁耐力をもつ絶縁膜を形成することができる
。
【００１９】図２は、以上のような層構造を有する静電
チャック装置の上側から見た平面図である。同図に示さ
れるように、基板１上に図示しない絶縁層６を介して形
成された電極材料層は、例えば４つの扇形の電極部２−
１，２−２，２−３，２−４に分割され、各電極部は中
央開口４を介して形成される導出リード電極３によって
図示しない吸着用電圧源に接続される。この場合、例え
ば電極部２−１，２−３には正の電圧が印加され、他の
電極部２−２，２−４にはこの正の電圧と同じ絶対値を
有する負の電圧が印加される。なお、図１は図２のＡ−
Ａ線に沿った部分的断面図となる。
チャック装置の上側から見た平面図である。同図に示さ
れるように、基板１上に図示しない絶縁層６を介して形
成された電極材料層は、例えば４つの扇形の電極部２−
１，２−２，２−３，２−４に分割され、各電極部は中
央開口４を介して形成される導出リード電極３によって
図示しない吸着用電圧源に接続される。この場合、例え
ば電極部２−１，２−３には正の電圧が印加され、他の
電極部２−２，２−４にはこの正の電圧と同じ絶対値を
有する負の電圧が印加される。なお、図１は図２のＡ−
Ａ線に沿った部分的断面図となる。
【００２０】以上のような構成を有する静電チャック装
置においては、前述のように電極材料層２によって構成
される各電極部に吸着用電圧が印加されると、電極材料
層２と絶縁層７の上に載置された半導体ウェーハのよう
な被吸着物１２との間に電位差が生じ、従って被吸着物
１２が静電吸着される。この場合、電極材料層２が形成
される絶縁層６の表面はくぼみなどはなく滑らかである
から、セラミック基板上に直接電極を堆積したものに比
較して、必要であれば、より高い吸着電圧を安定に印加
できる。また、絶縁層７の厚みは十分薄い所望の値に調
節できるから、低い電圧で大きな吸着力が得られ、また
被吸着物１２の着脱に要する時間が長くなることもない
。この実施例では、１００Ｖ程度の比較的低い電圧で３
０ｇｒ／ｃｍ２程度の大きな静電力が得られ、かつウェ
ーハの着脱に要する時間は各々２〜３秒とすることがで
きた。
置においては、前述のように電極材料層２によって構成
される各電極部に吸着用電圧が印加されると、電極材料
層２と絶縁層７の上に載置された半導体ウェーハのよう
な被吸着物１２との間に電位差が生じ、従って被吸着物
１２が静電吸着される。この場合、電極材料層２が形成
される絶縁層６の表面はくぼみなどはなく滑らかである
から、セラミック基板上に直接電極を堆積したものに比
較して、必要であれば、より高い吸着電圧を安定に印加
できる。また、絶縁層７の厚みは十分薄い所望の値に調
節できるから、低い電圧で大きな吸着力が得られ、また
被吸着物１２の着脱に要する時間が長くなることもない
。この実施例では、１００Ｖ程度の比較的低い電圧で３
０ｇｒ／ｃｍ２程度の大きな静電力が得られ、かつウェ
ーハの着脱に要する時間は各々２〜３秒とすることがで
きた。
【００２１】さらに、電極材料層２のエッジ部分は尖っ
ているため放電し易いが、本発明においては下層の絶縁
層６をテーパー状に薄くしたから、電極材料層２のエッ
ジ部分１１と半導体ウェーハのような被吸着体１２との
距離はより大きくなり、かつ間に空気層が介在する。空
気層は比誘電率ε＊が１であり、Ｔａ２Ｏ５はε＊がほ
ぼ２５であるから、大部分の電界は空気層にかかりエッ
ジ部分には高電界がかからない。このため、エッジ部分
での放電が効果的に防止される。
ているため放電し易いが、本発明においては下層の絶縁
層６をテーパー状に薄くしたから、電極材料層２のエッ
ジ部分１１と半導体ウェーハのような被吸着体１２との
距離はより大きくなり、かつ間に空気層が介在する。空
気層は比誘電率ε＊が１であり、Ｔａ２Ｏ５はε＊がほ
ぼ２５であるから、大部分の電界は空気層にかかりエッ
ジ部分には高電界がかからない。このため、エッジ部分
での放電が効果的に防止される。
【００２２】次に、本発明の第２の実施例に係わる静電
チャック装置においては、前記基板１を強化ガラス、Ｚ
ｒＯ２、あるいはサイアロンによって構成する。この場
合は、セラミックスの場合のような微小なくぼみが表面
に生じないから、前記絶縁層６を省略し直接基板１上に
電極材料層２を形成する。このように、基板１の材料を
特定のものに選択することによっても優れた性能を有す
る静電チャック装置を実現することができる。なお、こ
の実施例において電極端での放電を防止してより高い電
圧を印加できるようにするためには、電極材料層を堆積
させるために使用するマスクを使用し、このマスクを基
板１の表面から若干離して薄くＴａ２Ｏ５を堆積させた
後電極材料層を堆積させることもできる。あるいは、基
板１自体の周辺部を若干外側に向って徐々に薄くするよ
う研磨しておくこともできる。
チャック装置においては、前記基板１を強化ガラス、Ｚ
ｒＯ２、あるいはサイアロンによって構成する。この場
合は、セラミックスの場合のような微小なくぼみが表面
に生じないから、前記絶縁層６を省略し直接基板１上に
電極材料層２を形成する。このように、基板１の材料を
特定のものに選択することによっても優れた性能を有す
る静電チャック装置を実現することができる。なお、こ
の実施例において電極端での放電を防止してより高い電
圧を印加できるようにするためには、電極材料層を堆積
させるために使用するマスクを使用し、このマスクを基
板１の表面から若干離して薄くＴａ２Ｏ５を堆積させた
後電極材料層を堆積させることもできる。あるいは、基
板１自体の周辺部を若干外側に向って徐々に薄くするよ
う研磨しておくこともできる。
【００２３】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、高いヤ
ング率および曲げ強度の大きなセラミック基板を用いた
場合にも、低い電圧で強力な吸着力を有する静電チャッ
ク装置が実現できる。また、絶縁層が薄いから従来より
低い電圧でも十分な静電吸着力が得られ、かつウェーハ
のような被吸着体の脱着がきわめて迅速に行なわれる。
ング率および曲げ強度の大きなセラミック基板を用いた
場合にも、低い電圧で強力な吸着力を有する静電チャッ
ク装置が実現できる。また、絶縁層が薄いから従来より
低い電圧でも十分な静電吸着力が得られ、かつウェーハ
のような被吸着体の脱着がきわめて迅速に行なわれる。
【００２４】また、絶縁層の比抵抗を小さくする必要が
なく、例えば１０１３Ω・ｃｍ以上とすることができる
からウェーハなどに直流電流がほとんど流れることがな
く、かつ静電容量を充放電する誘導電流も印加電圧が低
くなるから大幅に軽減される。このため、ウェーハ表面
に着けられているトランジスタなどを破壊することも適
確に防止される。
なく、例えば１０１３Ω・ｃｍ以上とすることができる
からウェーハなどに直流電流がほとんど流れることがな
く、かつ静電容量を充放電する誘導電流も印加電圧が低
くなるから大幅に軽減される。このため、ウェーハ表面
に着けられているトランジスタなどを破壊することも適
確に防止される。
【００２５】また、基板に大きな機械的な衝撃がかかる
恐れがない場合には、強化ガラスなどを基板として用い
ることにより低価格の静電チャック装置を製作すること
ができる。
恐れがない場合には、強化ガラスなどを基板として用い
ることにより低価格の静電チャック装置を製作すること
ができる。
【図１】本発明の１実施例に係わる静電チャック装置の
層構成を示す部分的拡大断面図である。
層構成を示す部分的拡大断面図である。
【図２】図１の静電チャック装置の上側から見た概略的
平面図である。
平面図である。
１ 基板
２ 電極材料層
２−１，２−２，２−３，２−４ 電極部３ 導出
電極 ４ 穴 ６ 第１の絶縁材料層 ７ 第２の絶縁材料層 ８ くぼみ ９ 絶縁層６のテーパー部 １０ 電極材料層２のテーパー部 １１ エッジ部分 １２ 被吸着体 １３ 空気または真空層
電極 ４ 穴 ６ 第１の絶縁材料層 ７ 第２の絶縁材料層 ８ くぼみ ９ 絶縁層６のテーパー部 １０ 電極材料層２のテーパー部 １１ エッジ部分 １２ 被吸着体 １３ 空気または真空層
Claims (5)
- 【請求項１】 研磨された基板上に、無機絶縁材料を
前記基板表面の凹凸がほぼ平坦化される厚さにまで堆積
させることにより第１の無機絶縁材料層を形成し、該第
１の無機絶縁材料層上に電極材料層を堆積により形成し
、かつ該電極材料層上に第２の無機絶縁材料層を堆積に
より形成したことを特徴とする静電チャック装置。 - 【請求項２】 前記基板は高純度アルミナあるいはＺ
ｒＯ２を含むアルミナから作成したセラミックス基板で
あることを特徴とする請求項１に記載の静電チャック装
置。 - 【請求項３】 前記第１の無機絶縁材料層はＴａ２Ｏ
５により形成され、かつ前記第２の無機絶縁材料層は酸
素の分圧が０．０５Ｐａより大きいアルゴンと酸素の混
合気体中でＴａ２Ｏ５をスパッタリングすることにより
形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の
静電チャック装置。 - 【請求項４】 鏡面研磨された強化ガラス、サイアロ
ンあるいはＺｒＯ２の基板上に、電極材料層を堆積によ
り形成し、さらに該電極材料層上に無機絶縁材料層を堆
積により形成したことを特徴とする静電チャック装置。 - 【請求項５】 前記第１の無機絶縁材料層または前記
基板の厚みが前記電極材料層の周辺部において外方に向
って徐々に薄くなっていることを特徴とする請求項１か
ら４までのいずれか１項に記載の静電チャック装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3176076A JPH04372152A (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | 静電チャック装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3176076A JPH04372152A (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | 静電チャック装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04372152A true JPH04372152A (ja) | 1992-12-25 |
Family
ID=16007303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3176076A Pending JPH04372152A (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | 静電チャック装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04372152A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995025689A1 (en) * | 1994-03-18 | 1995-09-28 | Kanagawa Academy Of Science And Technology | Electrostatic levitation conveyor and electrostatic levitation electrodes thereof |
| JPH08181199A (ja) * | 1994-09-13 | 1996-07-12 | Hughes Aircraft Co | 光学的に監視可能な透明な光学チャック |
| JPH09120987A (ja) * | 1995-07-10 | 1997-05-06 | Watkins Johnson Co | 静電チャックアセンブリ |
| JP2005340442A (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Kyocera Corp | 静電チャック及びその製造方法 |
| JP2010258280A (ja) * | 2009-04-27 | 2010-11-11 | Toto Ltd | 静電チャックおよび静電チャックの製造方法 |
| US7994595B2 (en) * | 2003-07-21 | 2011-08-09 | Micron Technology, Inc. | Strained semiconductor by full wafer bonding |
| US8435850B2 (en) | 2006-02-16 | 2013-05-07 | Micron Technology, Inc. | Localized compressive strained semiconductor |
| JP2016201411A (ja) * | 2015-04-08 | 2016-12-01 | 京セラ株式会社 | 試料保持具 |
-
1991
- 1991-06-20 JP JP3176076A patent/JPH04372152A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995025689A1 (en) * | 1994-03-18 | 1995-09-28 | Kanagawa Academy Of Science And Technology | Electrostatic levitation conveyor and electrostatic levitation electrodes thereof |
| US5789843A (en) * | 1994-03-18 | 1998-08-04 | Kanagawa Academy Of Science And Technology | Electrostatically levitated conveyance apparatus and electrode thereof for electrostatic levitation |
| JPH08181199A (ja) * | 1994-09-13 | 1996-07-12 | Hughes Aircraft Co | 光学的に監視可能な透明な光学チャック |
| JPH09120987A (ja) * | 1995-07-10 | 1997-05-06 | Watkins Johnson Co | 静電チャックアセンブリ |
| US5838528A (en) * | 1995-07-10 | 1998-11-17 | Watkins-Johnson Company | Electrostatic chuck assembly |
| US7994595B2 (en) * | 2003-07-21 | 2011-08-09 | Micron Technology, Inc. | Strained semiconductor by full wafer bonding |
| JP2005340442A (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Kyocera Corp | 静電チャック及びその製造方法 |
| US8435850B2 (en) | 2006-02-16 | 2013-05-07 | Micron Technology, Inc. | Localized compressive strained semiconductor |
| JP2010258280A (ja) * | 2009-04-27 | 2010-11-11 | Toto Ltd | 静電チャックおよび静電チャックの製造方法 |
| JP2016201411A (ja) * | 2015-04-08 | 2016-12-01 | 京セラ株式会社 | 試料保持具 |
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