JPH10308519A5 - - Google Patents

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【００５５】
なお、この図１７に示す例のように、シリコン／酸化シリコン／シリコンといった三層構造をもった基板１００は、いわゆるＳＯＩウエハ（Silicon On Insulator wafer）として一般に市販されており（シリコンの部分は単結晶が形成されている）、このような市販品を利用するようにすれば、製造コストをより低減させることができる。この実施例で実際に用いた基板１００の寸法を参考のために提示しておくと、直径：φ＝１５２ｍｍ（６インチ）、下層部１１０の厚み：１５μｍ、中層部１２０の厚み：１μｍ、上層部１３０の厚み：６００μｍである。通常のマイクロマシニングで利用できるウエハの厚みは３００μｍ程度であり（これ以上厚くなると、深部の加工が困難になる）、直径は１００ｍｍ（４インチ）程度のものである。ところが本発明では、後述するようにエッチング工程を併用するため、６００μｍ程度の厚みをもったウエハを利用することができ、いわゆる６インチウエハという大口径のウエハを利用することができる。このように、大口径ウエハを用いて生産性を高めることができる点も本発明の利点の１つである。
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