JPH04372191A - 回路基板 - Google Patents
回路基板Info
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- JPH04372191A JPH04372191A JP15010591A JP15010591A JPH04372191A JP H04372191 A JPH04372191 A JP H04372191A JP 15010591 A JP15010591 A JP 15010591A JP 15010591 A JP15010591 A JP 15010591A JP H04372191 A JPH04372191 A JP H04372191A
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- Japan
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- circuit conductor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は混成集積回路装置等に使
用される回路基板の改良に関するものである。
用される回路基板の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子等の能動部品や抵抗器
、コンデンサ等の受動部品を多数搭載し、所定の電子回
路を構成するようになした混成集積回路装置は、通常、
内部にタングステン（Ｗ） 、モリブデン（Ｍｏ）、マ
ンガン（Ｍｎ）等の高融点金属から成る配線導体を埋設
した絶縁基体の外表面に銅（Ｃｕ）から成る回路導体を
その一部が前記配線導体と接続するようにして被着させ
た構造の回路基板を準備し、次に前記回路基板の表面に
半導体素子やコンデンサ、抵抗器等を載置させるととも
に各々の電極端子を回路導体に半田（Ｓｎ−Ｐｂ合金）
等を介し接合させることによって形成されている。
、コンデンサ等の受動部品を多数搭載し、所定の電子回
路を構成するようになした混成集積回路装置は、通常、
内部にタングステン（Ｗ） 、モリブデン（Ｍｏ）、マ
ンガン（Ｍｎ）等の高融点金属から成る配線導体を埋設
した絶縁基体の外表面に銅（Ｃｕ）から成る回路導体を
その一部が前記配線導体と接続するようにして被着させ
た構造の回路基板を準備し、次に前記回路基板の表面に
半導体素子やコンデンサ、抵抗器等を載置させるととも
に各々の電極端子を回路導体に半田（Ｓｎ−Ｐｂ合金）
等を介し接合させることによって形成されている。
【０００３】尚、かかる従来の混成集積回路装置等に使
用される回路基板は一般にセラミックスの積層技術及び
スクリーン印刷等の厚膜技術を採用することによって製
作されており、具体的には以下の方法によって製作され
る。
用される回路基板は一般にセラミックスの積層技術及び
スクリーン印刷等の厚膜技術を採用することによって製
作されており、具体的には以下の方法によって製作され
る。
【０００４】即ち、■まず、アルミナ（Ａｌ ２ Ｏ
３ ） 、シリカ（ＳｉＯ２ ） 、マグネシア（Ｍｇ
Ｏ） 、カルシア（ＣａＯ） 等の電気絶縁性に優れた
セラミックス原料粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合して
複数枚のセラミック生シートを得るとともに該各セラミ
ック生シートの上下面にタングステン、モリブデン、マ
ンガン等の高融点金属粉末から成る導電ペーストを従来
周知のスクリーン印刷等の厚膜手法を採用することによ
って所定パターンに印刷塗布する。
３ ） 、シリカ（ＳｉＯ２ ） 、マグネシア（Ｍｇ
Ｏ） 、カルシア（ＣａＯ） 等の電気絶縁性に優れた
セラミックス原料粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合して
複数枚のセラミック生シートを得るとともに該各セラミ
ック生シートの上下面にタングステン、モリブデン、マ
ンガン等の高融点金属粉末から成る導電ペーストを従来
周知のスクリーン印刷等の厚膜手法を採用することによ
って所定パターンに印刷塗布する。
【０００５】■次に前記各セラミック生シートを積層し
、積層体を得るとともにこれを約１５００℃の温度で焼
成し、内部及び表面にタングステン、モリブデン、マン
ガン等の高融点金属から成る配線導体を有する絶縁基体
を得る。
、積層体を得るとともにこれを約１５００℃の温度で焼
成し、内部及び表面にタングステン、モリブデン、マン
ガン等の高融点金属から成る配線導体を有する絶縁基体
を得る。
【０００６】■そして最後に前記絶縁基体の外表面に、
銅（Ｃｕ）粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合して得た銅
ペーストを従来周知のスクリーン印刷法によりその一部
が前記配線導体と接続するようにして塗布させるととも
にこれを中性雰囲気（ 窒素雰囲気）中、約９００ ℃
の温度で焼成し、銅粉末を絶縁基体及び配線導体上に被
着させることによって製品としての回路基板となる。
銅（Ｃｕ）粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合して得た銅
ペーストを従来周知のスクリーン印刷法によりその一部
が前記配線導体と接続するようにして塗布させるととも
にこれを中性雰囲気（ 窒素雰囲気）中、約９００ ℃
の温度で焼成し、銅粉末を絶縁基体及び配線導体上に被
着させることによって製品としての回路基板となる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の回路基板は絶縁基体の外表面に銅ペーストを塗布し
、これを中性雰囲気（ 窒素雰囲気）中で焼成して銅か
ら成る回路導体を有する回路基板を得る際、焼成雰囲気
中には通常、銅ペーストに含まれる有機溶剤、溶媒の焼
失を良好とするために７ｐｐｍ程度の酸素が含有されて
おり、該酸素の含有量の制御は極めて困難で、含有酸素
量が少ないと絶縁基体と銅粉末との界面にアルミン酸銅
（ＣｕＡｌ ２ Ｏ ３ ） の析出量が少なくなって
回路導体を絶縁基体に強固に被着させることができず、
また含有酸素量が多いと銅から成る回路導体の表面に酸
化物膜が形成され、回路導体に半導体素子や抵抗器等を
半田を介して接合することが不可となる欠点を有してい
た。
来の回路基板は絶縁基体の外表面に銅ペーストを塗布し
、これを中性雰囲気（ 窒素雰囲気）中で焼成して銅か
ら成る回路導体を有する回路基板を得る際、焼成雰囲気
中には通常、銅ペーストに含まれる有機溶剤、溶媒の焼
失を良好とするために７ｐｐｍ程度の酸素が含有されて
おり、該酸素の含有量の制御は極めて困難で、含有酸素
量が少ないと絶縁基体と銅粉末との界面にアルミン酸銅
（ＣｕＡｌ ２ Ｏ ３ ） の析出量が少なくなって
回路導体を絶縁基体に強固に被着させることができず、
また含有酸素量が多いと銅から成る回路導体の表面に酸
化物膜が形成され、回路導体に半導体素子や抵抗器等を
半田を介して接合することが不可となる欠点を有してい
た。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明はタングステン、
モリブデン、マンガンの少なくとも１種から成る配線導
体を設けた絶縁基体の外表面に、銀−パラジウムを主成
分とする金属から成る回路導体をその一部が前記配線導
体と接触するようにして被着させたことを特徴とするも
のである。
モリブデン、マンガンの少なくとも１種から成る配線導
体を設けた絶縁基体の外表面に、銀−パラジウムを主成
分とする金属から成る回路導体をその一部が前記配線導
体と接触するようにして被着させたことを特徴とするも
のである。
【０００９】
【実施例】次に本発明を添付図面に基づき詳細に説明す
る。図１は本発明の回路基板を説明するための一部拡大
断面図であり、１ は電気絶縁性の材料から成る絶縁基
体である。
る。図１は本発明の回路基板を説明するための一部拡大
断面図であり、１ は電気絶縁性の材料から成る絶縁基
体である。
【００１０】前記絶縁基体１ は、例えばアルミナセラ
ミックス等の電気絶縁材料から成り、アルミナ（Ａｌ
２ Ｏ ３ ） 、シリカ（ＳｉＯ２ ） 、マグネシ
ア（ＭｇＯ） 、カルシア（ＣａＯ） 等のセラミック
ス原料粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿状とな
すとともにこれをドクターブレード法を採用することに
よってセラミック生シートを得、しかる後、前記セラミ
ック生シートに適当な穴あけ加工を施すとともに複数枚
積層し、還元雰囲気中、約１５００℃の温度で焼成する
ことによって製作される。
ミックス等の電気絶縁材料から成り、アルミナ（Ａｌ
２ Ｏ ３ ） 、シリカ（ＳｉＯ２ ） 、マグネシ
ア（ＭｇＯ） 、カルシア（ＣａＯ） 等のセラミック
ス原料粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿状とな
すとともにこれをドクターブレード法を採用することに
よってセラミック生シートを得、しかる後、前記セラミ
ック生シートに適当な穴あけ加工を施すとともに複数枚
積層し、還元雰囲気中、約１５００℃の温度で焼成する
ことによって製作される。
【００１１】また前記絶縁基体１ にはその内部から上
面に導出する配線導体２ が設けてあり、該配線導体２
はタングステン、モリブデン、マンガンの少なくとも
１ 種より形成されている。
面に導出する配線導体２ が設けてあり、該配線導体２
はタングステン、モリブデン、マンガンの少なくとも
１ 種より形成されている。
【００１２】前記配線導体２ はタングテン、モリブデ
ン、マンガンの粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合して導
体ペーストを作り、該導体ペーストを前記セラミック生
シートの上下面にスクリーン印刷等により所定パターン
に印刷塗布させておくことによって絶縁基体１ の内部
及び表面に被着形成される。
ン、マンガンの粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合して導
体ペーストを作り、該導体ペーストを前記セラミック生
シートの上下面にスクリーン印刷等により所定パターン
に印刷塗布させておくことによって絶縁基体１ の内部
及び表面に被着形成される。
【００１３】尚、前記配線導体２ はその露出する外表
面にニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）等をメッキ法により
層着させておくと配線導体２と後述する回路導体３ と
の電気的導通を極めて優れたものと成すことができる。 従って、配線導体２ の露出外表面は回路導体２ との
電気的導通を良好とするためにニッケルを１．０ 乃至
１０．０μｍ 、金を０．５乃至５．０ μｍ の厚み
にメッキ法により層着させておくことが好ましい。
面にニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）等をメッキ法により
層着させておくと配線導体２と後述する回路導体３ と
の電気的導通を極めて優れたものと成すことができる。 従って、配線導体２ の露出外表面は回路導体２ との
電気的導通を良好とするためにニッケルを１．０ 乃至
１０．０μｍ 、金を０．５乃至５．０ μｍ の厚み
にメッキ法により層着させておくことが好ましい。
【００１４】また前記配線導体２ の露出外表面を含む
絶縁基体１ 表面には銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）
を主成分とする金属から成る回路導体３ が被着されて
おり、該回路導体３には半導体素子等の能動部品や抵抗
器、コンデンサ等の受動部品の各電極端子が接続される
。
絶縁基体１ 表面には銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）
を主成分とする金属から成る回路導体３ が被着されて
おり、該回路導体３には半導体素子等の能動部品や抵抗
器、コンデンサ等の受動部品の各電極端子が接続される
。
【００１５】前記回路導体３ は銀、パラジウム等の粉
末にガラス粉末と有機溶剤、溶媒とを添加混合して金属
ペーストを作り、該金属ペーストをその一部が配線導体
２ と接触するようにして絶縁基体１ の外表面に印刷
塗布するとともにこれを中性雰囲気中、約８５０ ℃の
温度で焼成し、絶縁基体１ 表面に銀−パラジウム粉末
をガラスを介して被着させることによって絶縁基体１
の外表面に被着される。この場合、銀−パラジウムを主
成分とする金属から成る回路導体３ はパラジウムが酸
化を抑制す作用を有することから焼成雰囲気中に酸素が
多量に含まれていても表面に酸化物膜が形成されること
は殆どなく、その結果、回路導体３ に半導体素子や抵
抗器等を半田を介して強固に接合させることが可能とな
る。
末にガラス粉末と有機溶剤、溶媒とを添加混合して金属
ペーストを作り、該金属ペーストをその一部が配線導体
２ と接触するようにして絶縁基体１ の外表面に印刷
塗布するとともにこれを中性雰囲気中、約８５０ ℃の
温度で焼成し、絶縁基体１ 表面に銀−パラジウム粉末
をガラスを介して被着させることによって絶縁基体１
の外表面に被着される。この場合、銀−パラジウムを主
成分とする金属から成る回路導体３ はパラジウムが酸
化を抑制す作用を有することから焼成雰囲気中に酸素が
多量に含まれていても表面に酸化物膜が形成されること
は殆どなく、その結果、回路導体３ に半導体素子や抵
抗器等を半田を介して強固に接合させることが可能とな
る。
【００１６】また前記銀−パラジウムを主成分とする金
属から成る回路導体３ はガラスを介して絶縁基体１
の外表面に被着されていることからその被着強度は焼成
雰囲気中に含まれる酸素の量に左右されることなく常に
強固なものとなすことが可能となる。
属から成る回路導体３ はガラスを介して絶縁基体１
の外表面に被着されていることからその被着強度は焼成
雰囲気中に含まれる酸素の量に左右されることなく常に
強固なものとなすことが可能となる。
【００１７】尚、前記銀−パラジウムを主成分とする金
属から成る回路導体３ は５０乃至８０重量％の銀に、
パラジウムを３ 乃至２５重量％含んでおり、パラジウ
ムの含有量が３重量％未満となると回路導体３ の表面
に酸化物膜が形成サレ、回路導体３ に半導体素子等を
半田を介して強固に接合させることが困難となるととも
に回路導体３に銀のマイグレーションが起こり、隣接す
る回路導体３ 間が電気的に短絡して回路基板として
の機能を失う危険性がある。またパラジウムの含有量が
２５重量％を越えると回路℃歌３ の電気抵抗値が大き
くなり、回路基板としては適さなくなる傾向にある。従
って、回路導体３ は５０乃至８０重量％の銀に、パラ
ジウムを３ 乃至２５重量％含有させておくことが好ま
しい。
属から成る回路導体３ は５０乃至８０重量％の銀に、
パラジウムを３ 乃至２５重量％含んでおり、パラジウ
ムの含有量が３重量％未満となると回路導体３ の表面
に酸化物膜が形成サレ、回路導体３ に半導体素子等を
半田を介して強固に接合させることが困難となるととも
に回路導体３に銀のマイグレーションが起こり、隣接す
る回路導体３ 間が電気的に短絡して回路基板として
の機能を失う危険性がある。またパラジウムの含有量が
２５重量％を越えると回路℃歌３ の電気抵抗値が大き
くなり、回路基板としては適さなくなる傾向にある。従
って、回路導体３ は５０乃至８０重量％の銀に、パラ
ジウムを３ 乃至２５重量％含有させておくことが好ま
しい。
【００１８】また前記回路導体３ に含まれるガラスは
、例えばＰｂＯ 、Ｂ ２ Ｏ ３ 、ＳｉＯ ２ 、
Ａｌ２ Ｏ ３ 、Ｎａ２ Ｏ 、Ｋ ２ Ｏ 、Ｃａ
Ｏ 、ＺｎＯ 等から成り、その添加量が０．２ 重量
％未満であると回路導体３ を絶縁基体１ に強固に被
着させるのが困難となり、また８．０重量％を越えると
回路導体３ の半田濡れ性（ 反応性） が劣化し、回
路導体３ に半導体素子や抵抗器等を半田を介し強固に
接合させるのが困難となる。従って、回路導体３ に添
加含有されるガラスはその添加量を０．２ 乃至８．０
重量％の範囲としておくことが好ましい。
、例えばＰｂＯ 、Ｂ ２ Ｏ ３ 、ＳｉＯ ２ 、
Ａｌ２ Ｏ ３ 、Ｎａ２ Ｏ 、Ｋ ２ Ｏ 、Ｃａ
Ｏ 、ＺｎＯ 等から成り、その添加量が０．２ 重量
％未満であると回路導体３ を絶縁基体１ に強固に被
着させるのが困難となり、また８．０重量％を越えると
回路導体３ の半田濡れ性（ 反応性） が劣化し、回
路導体３ に半導体素子や抵抗器等を半田を介し強固に
接合させるのが困難となる。従って、回路導体３ に添
加含有されるガラスはその添加量を０．２ 乃至８．０
重量％の範囲としておくことが好ましい。
【００１９】かくしてこの回路基板はその表面に半導体
素子や抵抗器、コンデンサ等が載置され、該半導体素子
等を回路導体に半田を介し接合させることによって混成
集積回路装置となる。
素子や抵抗器、コンデンサ等が載置され、該半導体素子
等を回路導体に半田を介し接合させることによって混成
集積回路装置となる。
【００２０】尚、本発明は上述の実施例に限定されるも
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々
の変更は可能であり、例えば、銀、パラジウム粉末を含
有する金属ペーストを絶縁基体１ に印刷塗布して回路
導体３を形成する際、ビスマスを２．５ 乃至２５重量
％含有させておくと回路導体３ の絶縁基体１ に対す
る被着強度がより強固なものとなる。
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々
の変更は可能であり、例えば、銀、パラジウム粉末を含
有する金属ペーストを絶縁基体１ に印刷塗布して回路
導体３を形成する際、ビスマスを２．５ 乃至２５重量
％含有させておくと回路導体３ の絶縁基体１ に対す
る被着強度がより強固なものとなる。
【００２１】また回路導体３ の外表面に金（Ａｕ）か
ら成る被覆層を０．１ 乃至５．０ μｍ の厚みに層
着させておくと回路導体３ の酸化腐食を有効に防止す
るとともに半導体素子や抵抗器、コンデンサ等の電極端
子を回路導体３ により強固に接合させることができる
。
ら成る被覆層を０．１ 乃至５．０ μｍ の厚みに層
着させておくと回路導体３ の酸化腐食を有効に防止す
るとともに半導体素子や抵抗器、コンデンサ等の電極端
子を回路導体３ により強固に接合させることができる
。
【００２２】
【発明の効果】本発明の回路基板によれば回路導体を銀
−パラジウムを主成分とする金属で形成したことから回
路導体を絶縁基体１ の表面に被着させる際、その焼成
雰囲気中に含まれる酸素の量が多かっても少なかっても
常に表面に酸化物膜の存在しない回路導体を絶縁基体の
外表面に強固に被着させることが可能となり、混成集積
回路装置等に使用される回路基板として極めて有用とな
る。
−パラジウムを主成分とする金属で形成したことから回
路導体を絶縁基体１ の表面に被着させる際、その焼成
雰囲気中に含まれる酸素の量が多かっても少なかっても
常に表面に酸化物膜の存在しない回路導体を絶縁基体の
外表面に強固に被着させることが可能となり、混成集積
回路装置等に使用される回路基板として極めて有用とな
る。
【図１】本発明にかかる回路基板を説明するための一部
拡大断面図である。
拡大断面図である。
１・・・絶縁基体
２・・・配線導体
３・・・回路導体
４・・・被覆層
Claims (2)
- 【請求項１】タングステン、モリブデン、マンガンの少
なくとも１種から成る配線導体を設けた絶縁基体の外表
面に、銀−パラジウムを主成分とする金属から成る回路
導体をその一部が前記配線導体と接触するようにして被
着させたことを特徴とする回路基板。 - 【請求項２】前記銀−パラジウムを主成分とする金属か
ら成る回路導体は、銀、パラジウム粉末にガラス成分を
０．２ 乃至８．０ 重量％含有させたものからなるこ
とを特徴とする請求項１ 記載の回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3150105A JP2738603B2 (ja) | 1991-06-21 | 1991-06-21 | 回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3150105A JP2738603B2 (ja) | 1991-06-21 | 1991-06-21 | 回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04372191A true JPH04372191A (ja) | 1992-12-25 |
| JP2738603B2 JP2738603B2 (ja) | 1998-04-08 |
Family
ID=15489613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3150105A Expired - Lifetime JP2738603B2 (ja) | 1991-06-21 | 1991-06-21 | 回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2738603B2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4957369A (ja) * | 1972-10-04 | 1974-06-04 | ||
| JPS59112681A (ja) * | 1982-12-20 | 1984-06-29 | 株式会社日立製作所 | セラミツク回路基板 |
| JPS59178793A (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-11 | 株式会社日立製作所 | セラミツク印刷回路基板 |
| JPS60167398A (ja) * | 1984-02-09 | 1985-08-30 | 松下電器産業株式会社 | 多層回路基板およびその製造法 |
-
1991
- 1991-06-21 JP JP3150105A patent/JP2738603B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4957369A (ja) * | 1972-10-04 | 1974-06-04 | ||
| JPS59112681A (ja) * | 1982-12-20 | 1984-06-29 | 株式会社日立製作所 | セラミツク回路基板 |
| JPS59178793A (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-11 | 株式会社日立製作所 | セラミツク印刷回路基板 |
| JPS60167398A (ja) * | 1984-02-09 | 1985-08-30 | 松下電器産業株式会社 | 多層回路基板およびその製造法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2738603B2 (ja) | 1998-04-08 |
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