JPH0437914A - 急速充電素子 - Google Patents
急速充電素子Info
- Publication number
- JPH0437914A JPH0437914A JP14512490A JP14512490A JPH0437914A JP H0437914 A JPH0437914 A JP H0437914A JP 14512490 A JP14512490 A JP 14512490A JP 14512490 A JP14512490 A JP 14512490A JP H0437914 A JPH0437914 A JP H0437914A
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- JP
- Japan
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- output
- voltage
- capacitor
- transistor
- potential
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は基準電圧などを発生する発生回路に関し、特
に安定化のための容量が基準電圧出力に接続されていて
も電源投入時などに基準電圧出力の急速な立上りおよび
その安定化が図れる急速充電素子を提供するものである
。
に安定化のための容量が基準電圧出力に接続されていて
も電源投入時などに基準電圧出力の急速な立上りおよび
その安定化が図れる急速充電素子を提供するものである
。
従来、第３図に示すように基準電圧発生回路にはオペア
ンプにて構成されることが多い。また基準電圧端子には
、安定化のために大きな容量を接続することが多く、電
源投入時には容量Ｃを充電する聞出力が規定の電圧レベ
ルに達するのに時間を要する。このため図に示すように
トランジスタＱ１のようＫ、出力電圧が低い間だけ容量
Ｃに充電するような充電素子を設けてその対策を取った
りしていた。
ンプにて構成されることが多い。また基準電圧端子には
、安定化のために大きな容量を接続することが多く、電
源投入時には容量Ｃを充電する聞出力が規定の電圧レベ
ルに達するのに時間を要する。このため図に示すように
トランジスタＱ１のようＫ、出力電圧が低い間だけ容量
Ｃに充電するような充電素子を設けてその対策を取った
りしていた。
［発明が解決しようとする課題］
従来の基準電圧発生回路は以上のように構成されていた
ので、出力の立ち上げを早めるために余分な充電素子を
必要とし、安定化のための容量が大きい場合、大きな素
子サイズを必要とするため、集積回路にしたとき、占有
面積が大きくなってしまうという問題点があった。
ので、出力の立ち上げを早めるために余分な充電素子を
必要とし、安定化のための容量が大きい場合、大きな素
子サイズを必要とするため、集積回路にしたとき、占有
面積が大きくなってしまうという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、余分な充電素子を必要とせず、従って面積の
小さい半導体集積回路を得ることを目的とする。
たもので、余分な充電素子を必要とせず、従って面積の
小さい半導体集積回路を得ることを目的とする。
本発明に係る急速充電素子は、位相補償用の容量と急速
充電用の素子とを共通にし、電源投入時など出力の電位
が規定のレベルに達していないときには急速充電用のト
ランジスタとして動作し、出力の電位が規定のレベルに
達したときには位相補償用の容量として、半導体のｐ−
ｗの接合が動作するようにしたものである。
充電用の素子とを共通にし、電源投入時など出力の電位
が規定のレベルに達していないときには急速充電用のト
ランジスタとして動作し、出力の電位が規定のレベルに
達したときには位相補償用の容量として、半導体のｐ−
ｗの接合が動作するようにしたものである。
本発明における急速充電素子は、素子を構成するＰ−Ｈ
の領域の電位関係により、トランジスタまたは、容量と
して動作する。
の領域の電位関係により、トランジスタまたは、容量と
して動作する。
［実施例］
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図はこの発明の一実施例である基準電圧発生回路の
回路図である。図において、トランジスタＱ１が急速充
電と位相補償を行なうための素子である。第２図は第１
図の電源投入時など出力の電位が立ち上る状態を示した
曲線図で、Ｑｌがトランジスタとして動作できる、すな
わちＱｌのベース、エミッタ間の電位が確保できる程度
の低い出力電圧レベルの間は、出力の定電法王とトラン
ジスタＱ１により容量Ｃを充電し、出力が急速に立ち上
も出力の電圧が、とれＫより立ち上レトランジスタＱ１
のベース、エミッタ間電圧が確保できないようになると
、トランジスタＱ１による充電はできなくなるが、出力
の定電法王にて規定の電圧レベルにまで達する。このと
きトランジスタＱ１のベース、エミッタの電位は、エミ
ッタ側の電位がベース側の電位よ抄高くなるように設定
されているので、半導体で使用されるｐ−ｔｑ接合を利
用した・接合容量となる。すなわち、基準電圧発生のた
めに構成したオペアンプの位相補償容量として動作する
。
回路図である。図において、トランジスタＱ１が急速充
電と位相補償を行なうための素子である。第２図は第１
図の電源投入時など出力の電位が立ち上る状態を示した
曲線図で、Ｑｌがトランジスタとして動作できる、すな
わちＱｌのベース、エミッタ間の電位が確保できる程度
の低い出力電圧レベルの間は、出力の定電法王とトラン
ジスタＱ１により容量Ｃを充電し、出力が急速に立ち上
も出力の電圧が、とれＫより立ち上レトランジスタＱ１
のベース、エミッタ間電圧が確保できないようになると
、トランジスタＱ１による充電はできなくなるが、出力
の定電法王にて規定の電圧レベルにまで達する。このと
きトランジスタＱ１のベース、エミッタの電位は、エミ
ッタ側の電位がベース側の電位よ抄高くなるように設定
されているので、半導体で使用されるｐ−ｔｑ接合を利
用した・接合容量となる。すなわち、基準電圧発生のた
めに構成したオペアンプの位相補償容量として動作する
。
第２図では一例として、電源電圧５ｖで２Ｖの基準電圧
を出力する場合の電源投入時の出力の状態を示した曲線
図である。出力が０．７〜ＩＶ程度まではＱｌがトラン
ジスタとして動作し急速に出力は立ち上る。もし、急速
充電素子がない場合は図示点線のように出力の定電流の
みで充電され立ち上りが遅いことが判る。
を出力する場合の電源投入時の出力の状態を示した曲線
図である。出力が０．７〜ＩＶ程度まではＱｌがトラン
ジスタとして動作し急速に出力は立ち上る。もし、急速
充電素子がない場合は図示点線のように出力の定電流の
みで充電され立ち上りが遅いことが判る。
半導体集積回路ではＰ−Ｎ接合の容量は１００μｍ×１
００μｍの面積で５ｐＦ”程度であり、位相補償のため
の容量として例えば１０ｐＦ必要であれば、２００００
μｏ１２の面積を必要とする。また、第３図の従来のも
ののように急速充電用にトランジスタ９１を設けた場合
、相当大きなサイズのトランジスタを必要とし、位相補
償容量をトランジスタとしても利用できるようにするこ
とは、面積を小さく構成できるため半導体集積回路に適
する。
００μｍの面積で５ｐＦ”程度であり、位相補償のため
の容量として例えば１０ｐＦ必要であれば、２００００
μｏ１２の面積を必要とする。また、第３図の従来のも
ののように急速充電用にトランジスタ９１を設けた場合
、相当大きなサイズのトランジスタを必要とし、位相補
償容量をトランジスタとしても利用できるようにするこ
とは、面積を小さく構成できるため半導体集積回路に適
する。
なお、上記実施例は一実施例であ抄、同一の考え方で素
子を接続するのであれば、アンプの構成にはよらない。
子を接続するのであれば、アンプの構成にはよらない。
以上のようにこの発明によれば、ベース、エミッタ領域
の電位関係により、トランジスタあるいはｐ−ｓ接合容
量として共用できるようにしたので、余分な素子、面積
を必要とすることなく、半導体集積回路に適した急速充
電素子を得ることができる。
の電位関係により、トランジスタあるいはｐ−ｓ接合容
量として共用できるようにしたので、余分な素子、面積
を必要とすることなく、半導体集積回路に適した急速充
電素子を得ることができる。
第１図はこの発明の一実施例である基準電圧発生回路の
回路図、第２図は第１図の動作状態を示す曲線図、第３
図は従来の基準電圧発生回路の回路図である。 図において、Ｑｌは位相補償および急速充電用素子、■
は出力の定電流、Ｃは出力安定化のための容量である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
回路図、第２図は第１図の動作状態を示す曲線図、第３
図は従来の基準電圧発生回路の回路図である。 図において、Ｑｌは位相補償および急速充電用素子、■
は出力の定電流、Ｃは出力安定化のための容量である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 電圧出力を行なう半導体装置の電圧出力端子に容量を
接続し、出力電圧の安定化を行なうように構成され、電
圧出力部の半導体回路の位相補償を行ない、また出力電
圧が規定の電圧に達しない間は、上記出力安定化のため
の容量を充電できるように動作できるように接続したこ
とを特徴とする急速充電素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14512490A JPH0437914A (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | 急速充電素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14512490A JPH0437914A (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | 急速充電素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0437914A true JPH0437914A (ja) | 1992-02-07 |
Family
ID=15377958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14512490A Pending JPH0437914A (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | 急速充電素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0437914A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6531855B2 (en) | 2000-06-30 | 2003-03-11 | Denso Corporation | DC power supply with output voltage detection and control |
-
1990
- 1990-06-01 JP JP14512490A patent/JPH0437914A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6531855B2 (en) | 2000-06-30 | 2003-03-11 | Denso Corporation | DC power supply with output voltage detection and control |
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