JPH0438039U - - Google Patents

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JPH0438039U
JPH0438039U JP1990080552U JP8055290U JPH0438039U JP H0438039 U JPH0438039 U JP H0438039U JP 1990080552 U JP1990080552 U JP 1990080552U JP 8055290 U JP8055290 U JP 8055290U JP H0438039 U JPH0438039 U JP H0438039U
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  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案を説明するための断面図、第２
図Ａ〜第２図Ｄはその製造工程を示す断面図、第
３図は従来例を示す断面図である。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 半絶縁性基板の表面にイオン注入で形成し
    た一導電型の能動領域と、 前記能動領域に重ねて前記能動領域よりは高不
    純物濃度にイオン注入で形成した一導電型のコン
    タクト領域と、 前記コンタクト領域を貫通するようにリセス形
    成し、該リセス底面の前記能動領域にシヨツトキ
    ー接合するゲート電極と、 前記ゲート電極の側に配設したソース・ドレイ
    ン電極とを具備する化合物半導体装置において、 前記コンタクト領域を前記ソース電極側に選択
    的に形成し、前記ドレイン電極側の少なくともリ
    セス付近は前記コンタクト領域を除去したことを
    特徴とする化合物半導体装置。 (2) 前記ドレイン電極は前記能動領域の表面に
    オーミツク接触していることを特徴とする請求項
    第１項に記載の化合物半導体装置。 (3) 前記能動領域は１×１０１８〜９×１０１
    ８    の不純物濃度を有することを特徴とする請求項
    第２項に記載の化合物半導体装置。
JP1990080552U 1990-07-27 1990-07-27 化合物半導体装置 Expired - Lifetime JP2523168Y2 (ja)

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5382179A (en) * 1976-12-27 1978-07-20 Fujitsu Ltd Field effect transistor
JPS53119866U (ja) * 1977-02-28 1978-09-22
JPS6233476A (ja) * 1985-08-06 1987-02-13 Nec Corp 電界効果トランジスタおよびその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5382179A (en) * 1976-12-27 1978-07-20 Fujitsu Ltd Field effect transistor
JPS53119866U (ja) * 1977-02-28 1978-09-22
JPS6233476A (ja) * 1985-08-06 1987-02-13 Nec Corp 電界効果トランジスタおよびその製造方法

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