JPH0438048B2 - - Google Patents
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- JPH0438048B2 JPH0438048B2 JP58177790A JP17779083A JPH0438048B2 JP H0438048 B2 JPH0438048 B2 JP H0438048B2 JP 58177790 A JP58177790 A JP 58177790A JP 17779083 A JP17779083 A JP 17779083A JP H0438048 B2 JPH0438048 B2 JP H0438048B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- output
- track
- circuit
- card
- mark
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Moving Of The Head For Recording And Reproducing By Optical Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、平行する複数のトラツクにそれぞれ
情報信号がビツトの配列によつて光学的に読み取
りうるように記録された光学カードの各トラツク
から情報信号を光学的に読み取る、光学カードの
読み取り装置に関する。
情報信号がビツトの配列によつて光学的に読み取
りうるように記録された光学カードの各トラツク
から情報信号を光学的に読み取る、光学カードの
読み取り装置に関する。
背景技術とその問題点
いわゆるメモリーカードないしソフトフエアカ
ードとして、第１図に示すように矩形のカード１
にその基準端面１ａに対して垂直な互いに平行す
る複数のトラツクＴが形成され、その各々のトラ
ツクＴにそれぞれ情報信号が第２図に示すように
ピツトＰの配列によつて光学的に読み取りうるよ
うに記録されたものである。
ードとして、第１図に示すように矩形のカード１
にその基準端面１ａに対して垂直な互いに平行す
る複数のトラツクＴが形成され、その各々のトラ
ツクＴにそれぞれ情報信号が第２図に示すように
ピツトＰの配列によつて光学的に読み取りうるよ
うに記録されたものである。
このようなカード１から各々のトラツクＴに記
録された情報信号を読み取る、光学カードの読み
取り装置は、第３図及び第４図に示すように、装
置に差し込まれたカード１がカード送り用ローラ
ー２によつてカード１の基準端面１ａに沿う矢印
３の方向に送られ、レーザー光源４よりのレーザ
ー光５コンデンサーレンズ６を介してカード１の
トラツクＴに入射し、トラツクＴからの反射光、
即ちトラツクＴの読み取り光７が結像レンズ８を
介して保持板９に保持された光検出素子１０上に
投影されて、素子１０で検出されるようになつて
いる。光検出素子１０はCCD（電荷結合素子）の
ラインセンサーのように複数の検出要素１０ａが
直線状に配列されて電気的な走査によりこれに投
影された像が読み取られるもので、第５図Ａに示
すように素子１０上でトラツクの像の長手方向が
検出要素１０ａの配列方向と一致して１本のトラ
ツクのすべてのベツトの像P′が素子１０上に同時
に結像し、１本のトラツク分の情報信号が一気に
読み取られるようにされる。
録された情報信号を読み取る、光学カードの読み
取り装置は、第３図及び第４図に示すように、装
置に差し込まれたカード１がカード送り用ローラ
ー２によつてカード１の基準端面１ａに沿う矢印
３の方向に送られ、レーザー光源４よりのレーザ
ー光５コンデンサーレンズ６を介してカード１の
トラツクＴに入射し、トラツクＴからの反射光、
即ちトラツクＴの読み取り光７が結像レンズ８を
介して保持板９に保持された光検出素子１０上に
投影されて、素子１０で検出されるようになつて
いる。光検出素子１０はCCD（電荷結合素子）の
ラインセンサーのように複数の検出要素１０ａが
直線状に配列されて電気的な走査によりこれに投
影された像が読み取られるもので、第５図Ａに示
すように素子１０上でトラツクの像の長手方向が
検出要素１０ａの配列方向と一致して１本のトラ
ツクのすべてのベツトの像P′が素子１０上に同時
に結像し、１本のトラツク分の情報信号が一気に
読み取られるようにされる。
ところが、カード１の各トラツクＴがカード１
の基準端面１ａに対して垂直な位置から傾いて形
成されていたり、読み取り装置の機械的精度が不
完全であると、第５図ＢないしＣに示すように光
検出素子１０上でトラツクの像の長手方向が検出
要素１０ａの配列方向に対してずれて１本のトラ
ツクのすべてのピツトの像P′が光検出素子１０上
に結像しないで、１本のトラツク分の情報信号を
読み取れなくなる不都合を生じる。もつとも、こ
の不都合を回避するために、トラツクの１つのピ
ツト光検出素子の多数の検出要素上に結像するよ
うに読み取り装置の光学系の倍率を高くすること
も考えられるが、そうすると、１本のトラツク分
の情報信号の容量を減らすか、光検出素子の検出
要素の数を増やさなければならない不都合があ
る。
の基準端面１ａに対して垂直な位置から傾いて形
成されていたり、読み取り装置の機械的精度が不
完全であると、第５図ＢないしＣに示すように光
検出素子１０上でトラツクの像の長手方向が検出
要素１０ａの配列方向に対してずれて１本のトラ
ツクのすべてのピツトの像P′が光検出素子１０上
に結像しないで、１本のトラツク分の情報信号を
読み取れなくなる不都合を生じる。もつとも、こ
の不都合を回避するために、トラツクの１つのピ
ツト光検出素子の多数の検出要素上に結像するよ
うに読み取り装置の光学系の倍率を高くすること
も考えられるが、そうすると、１本のトラツク分
の情報信号の容量を減らすか、光検出素子の検出
要素の数を増やさなければならない不都合があ
る。
発明の目的
本発明は、この点に鑑み、光学カードや読み取
り装置の機械的精度が完全でなくても光学カード
の各トラツクから情報信号を確実に読み取ること
のできる新規な読み取り装置を提案するものであ
る。
り装置の機械的精度が完全でなくても光学カード
の各トラツクから情報信号を確実に読み取ること
のできる新規な読み取り装置を提案するものであ
る。
発明の概要
本発明では、光学カードとして最初のトラツク
の手前の位置ないし最初または各々のトラツクの
両端の位置に光学的に読み取りうるマークが形成
されたものを用い、読み取り装置においては、光
検出素子の端部の検出要素でこのマークの読み取
り光を検出するとともに、この端部の検出要素の
出力にもとづいて、光検出素子の複数の検出要素
の配列方向が光学カードのトラツクの長手方向に
沿うように、光検出素子をその一端側を支点にし
て回動させるようにする。
の手前の位置ないし最初または各々のトラツクの
両端の位置に光学的に読み取りうるマークが形成
されたものを用い、読み取り装置においては、光
検出素子の端部の検出要素でこのマークの読み取
り光を検出するとともに、この端部の検出要素の
出力にもとづいて、光検出素子の複数の検出要素
の配列方向が光学カードのトラツクの長手方向に
沿うように、光検出素子をその一端側を支点にし
て回動させるようにする。
実施例
第６図は本発明の読み取り装置で読み取られる
光学カードの一例で、矩形のカード１１にその基
準端面１１ａに対して垂直な互いに平行する複数
のトラツクＴが形成され、その各々のトラツクＴ
にそれぞれ情報信号が前述のようにピツトの配列
によつて光学的に読み取りうるように記録される
とともに、最初のトラツクT1の手前の位置にト
ラツクＴと平行する直線状のマークＭが形成され
たものである。このマークＭはトラツクＴよりも
上下に延びて形成されるとともに、光学的に読み
取りうるものにされる。例えば、トラツクＴのピ
ツトの部分では他の部分に比べて光の反射率が低
くされるときは、マークＭも反射率の低い部分と
され、逆にトラツクＴのピツトの部分では他の部
分に比べて光の反射率が高くされるときは、マー
クＭも反射率の高い部分とされる。なお、第７図
に拡大して示すようにマークＭの端部MX及びMY
は先細にされるのが望ましい。
光学カードの一例で、矩形のカード１１にその基
準端面１１ａに対して垂直な互いに平行する複数
のトラツクＴが形成され、その各々のトラツクＴ
にそれぞれ情報信号が前述のようにピツトの配列
によつて光学的に読み取りうるように記録される
とともに、最初のトラツクT1の手前の位置にト
ラツクＴと平行する直線状のマークＭが形成され
たものである。このマークＭはトラツクＴよりも
上下に延びて形成されるとともに、光学的に読み
取りうるものにされる。例えば、トラツクＴのピ
ツトの部分では他の部分に比べて光の反射率が低
くされるときは、マークＭも反射率の低い部分と
され、逆にトラツクＴのピツトの部分では他の部
分に比べて光の反射率が高くされるときは、マー
クＭも反射率の高い部分とされる。なお、第７図
に拡大して示すようにマークＭの端部MX及びMY
は先細にされるのが望ましい。
第８図は本発明の読み取り装置の光検出素子と
その回動機構の一例で、保持板１９に保持される
光検出素子２０はカード１１のトラツクＴを読み
取るべき光検出素子２１とその両端側に配される
光検出素子２２及び２３からなり、光検出素子２
１は複数の検出要素２１ａが直線状に配列された
前述の光検出素子１０と同様のもので、光検出素
子２２，２３もそれぞれ複数の検出要素２２ａ，
２３ａが直線状に配列されたものである。ただ
し、素子２２，２３はそれぞれ複数の検出要素２
２ａ，２３ａの出力の和が素子２２，２３の出力
として取り出されるようにされる。この光検出素
子２０を保持した保持板１９がその素子２２側の
端部において軸２４により取付板２５に回動自在
に取り付けられ、保持板１９の素子２３側の端部
が一対のバイモルフ２６及び２７によつて取付板
２５に支持される。バイモルフ２６及び２７はそ
れぞれ２枚の圧電素子が張り合わされるもので、
それぞれの片側の圧電素子が端子２８に接続さ
れ、反対側の圧電素子が端子２９に接続され、後
述のように端子２８及び２９間に制御電圧が与え
られる。従つて、制御電圧が一の極性のときは、
バイモルフ２６及び２７が一の向きに湾曲して、
光検出素子２０を保持した保持板１９が軸２４を
支点に矢印Ｘの向きに回動し、制御電圧が逆の極
性のときは、バイモルフ２６及び２７が逆の向き
に湾曲して、保持板１９が軸２４を支点に矢印Ｙ
の向きに回動する。
その回動機構の一例で、保持板１９に保持される
光検出素子２０はカード１１のトラツクＴを読み
取るべき光検出素子２１とその両端側に配される
光検出素子２２及び２３からなり、光検出素子２
１は複数の検出要素２１ａが直線状に配列された
前述の光検出素子１０と同様のもので、光検出素
子２２，２３もそれぞれ複数の検出要素２２ａ，
２３ａが直線状に配列されたものである。ただ
し、素子２２，２３はそれぞれ複数の検出要素２
２ａ，２３ａの出力の和が素子２２，２３の出力
として取り出されるようにされる。この光検出素
子２０を保持した保持板１９がその素子２２側の
端部において軸２４により取付板２５に回動自在
に取り付けられ、保持板１９の素子２３側の端部
が一対のバイモルフ２６及び２７によつて取付板
２５に支持される。バイモルフ２６及び２７はそ
れぞれ２枚の圧電素子が張り合わされるもので、
それぞれの片側の圧電素子が端子２８に接続さ
れ、反対側の圧電素子が端子２９に接続され、後
述のように端子２８及び２９間に制御電圧が与え
られる。従つて、制御電圧が一の極性のときは、
バイモルフ２６及び２７が一の向きに湾曲して、
光検出素子２０を保持した保持板１９が軸２４を
支点に矢印Ｘの向きに回動し、制御電圧が逆の極
性のときは、バイモルフ２６及び２７が逆の向き
に湾曲して、保持板１９が軸２４を支点に矢印Ｙ
の向きに回動する。
第９図は光検出素子とその回動機構の別の例
で、第８図の例のように一対のバイモルフが用い
られる代わりに、保持板１９の素子２３側の端部
にコイル３１が取り付けられるとともに、コイル
３１の両側に一対の磁石３２及び３３が配された
場合で、コイル３１の一端及び他端より端子２８
及び２９が導出され、後述のように端子２８及び
２９間に制御電圧が与えられる。従つて、制御電
圧が一の極性のときは、コイル３１に一の向きの
電流が流れて、コイル３１が磁石３２に引き寄せ
られるように保持板１９が軸２４を支点に矢印Ｘ
の向きに回動し、制御電圧が逆の極性をときは、
コイル３１に逆の向きの電流が流れて、コイル３
１が磁石３３に引き寄せられるように保持板１９
が軸２４を支点に矢印Ｙの向きに回動する。な
お、コイル３１に電流が流れないときに保持板１
９が中立の位置に安定に保たれるように、保持板
１９がダンパー３４を介して取付板２５に支持さ
れる。
で、第８図の例のように一対のバイモルフが用い
られる代わりに、保持板１９の素子２３側の端部
にコイル３１が取り付けられるとともに、コイル
３１の両側に一対の磁石３２及び３３が配された
場合で、コイル３１の一端及び他端より端子２８
及び２９が導出され、後述のように端子２８及び
２９間に制御電圧が与えられる。従つて、制御電
圧が一の極性のときは、コイル３１に一の向きの
電流が流れて、コイル３１が磁石３２に引き寄せ
られるように保持板１９が軸２４を支点に矢印Ｘ
の向きに回動し、制御電圧が逆の極性をときは、
コイル３１に逆の向きの電流が流れて、コイル３
１が磁石３３に引き寄せられるように保持板１９
が軸２４を支点に矢印Ｙの向きに回動する。な
お、コイル３１に電流が流れないときに保持板１
９が中立の位置に安定に保たれるように、保持板
１９がダンパー３４を介して取付板２５に支持さ
れる。
読み取り装置の光学系は、図示しないが、レーザ
ー光源よりのレーザー光がカード１１のトラツク
Ｔの長さの分だけでなくマークＭ長さの分にわた
つてカード１１に入射し、マークＭのトラツクＴ
の両端位置よりも上下に延長した端部MX及びMY
の読み取り光が光検出素子２２及び２３上に投影
されるとともに、マークＭの端部MX及びMYの間
の部分とトラツクＴの読み取り光が光検出素子２
１上に投影されるようにする。従つて、カード１
１のマークＭ及び各トラツクＴがカード１１の基
準端面１１ａに対して垂直な位置から傾いて形成
されていると、カード１１が読み取り装置に差し
込まれて送られる際、光検出素子２０上でマーク
Ｍの像M′は素子２０に対して第１０図Ａまたは
Ｂのように傾いた状態で矢印１３の向きに移動
し、第１０図Ａのように傾く場合はまずマークＭ
の端部MXの像MX′が光検出素子２２に差し掛か
り、第１０図Ｂのように傾く場合はまずマークＭ
の端部MYの像MY′が光検出素子２３に差し掛か
る。
ー光源よりのレーザー光がカード１１のトラツク
Ｔの長さの分だけでなくマークＭ長さの分にわた
つてカード１１に入射し、マークＭのトラツクＴ
の両端位置よりも上下に延長した端部MX及びMY
の読み取り光が光検出素子２２及び２３上に投影
されるとともに、マークＭの端部MX及びMYの間
の部分とトラツクＴの読み取り光が光検出素子２
１上に投影されるようにする。従つて、カード１
１のマークＭ及び各トラツクＴがカード１１の基
準端面１１ａに対して垂直な位置から傾いて形成
されていると、カード１１が読み取り装置に差し
込まれて送られる際、光検出素子２０上でマーク
Ｍの像M′は素子２０に対して第１０図Ａまたは
Ｂのように傾いた状態で矢印１３の向きに移動
し、第１０図Ａのように傾く場合はまずマークＭ
の端部MXの像MX′が光検出素子２２に差し掛か
り、第１０図Ｂのように傾く場合はまずマークＭ
の端部MYの像MY′が光検出素子２３に差し掛か
る。
第１１図は本発明の読み取り装置における制御
回路系の一例で、光検出素子２２及び２３の出力
から、光検出素子２０上でマークＭの像M′が素
子２０に対していずれの方向に傾くかを検出する
検出回路３５と、マークＭの端部MXの像MX′が
光検出素子２２に重なつて素子２２の出力が所定
の基準電圧VRに達するのを検出する電圧比較回
路３６と、マークＭの端部MYの像MY′が光検出
素子２３に重なつて素子２３の出力が所定の基準
電圧VRに達するのを検出する電圧比較回路３７
と、電圧比較回路３６及び３７の出力によりカー
ド１１の送りを制御するカード送り制御回路３８
と、電圧比較回路３６，３７の出力がセツト端子
Ｓ、リセツト端子Ｒにそれぞれ供給されて、素子
２２の出力が基準電圧VRに達してから素子２３
の出力が基準電圧VRに達するまでの間、一のレ
ベル状態になる信号の得られるRSフリツプフロ
ツプ回路３９と、検出回路３５の出力の信号SXY
とRSフリツプフロツプ回路３９の出力の信号SZ
にもとづいて、第８図ないし第９図の回動機構の
端子２８及び２９間に与えられるべき制御電圧
VCを発生させる制御電圧発生回路４０からなる。
回路系の一例で、光検出素子２２及び２３の出力
から、光検出素子２０上でマークＭの像M′が素
子２０に対していずれの方向に傾くかを検出する
検出回路３５と、マークＭの端部MXの像MX′が
光検出素子２２に重なつて素子２２の出力が所定
の基準電圧VRに達するのを検出する電圧比較回
路３６と、マークＭの端部MYの像MY′が光検出
素子２３に重なつて素子２３の出力が所定の基準
電圧VRに達するのを検出する電圧比較回路３７
と、電圧比較回路３６及び３７の出力によりカー
ド１１の送りを制御するカード送り制御回路３８
と、電圧比較回路３６，３７の出力がセツト端子
Ｓ、リセツト端子Ｒにそれぞれ供給されて、素子
２２の出力が基準電圧VRに達してから素子２３
の出力が基準電圧VRに達するまでの間、一のレ
ベル状態になる信号の得られるRSフリツプフロ
ツプ回路３９と、検出回路３５の出力の信号SXY
とRSフリツプフロツプ回路３９の出力の信号SZ
にもとづいて、第８図ないし第９図の回動機構の
端子２８及び２９間に与えられるべき制御電圧
VCを発生させる制御電圧発生回路４０からなる。
光検出素子２０上でマークＭの像M′が素子２
０に対して第１０図Ａのように傾く場合には、図
のようにマークＭの端部MXの像MX′が光検出素
子２２に重なる手前の時点t11において像MX′が
素子２２に差し掛かつて素子２２の出力があるレ
ベルになることによつて、検出回路３５ではマー
クＭの像M′が光検出素子２０に対して第１０図
Ａのように傾くことが検出され、第１２図Ａに示
すように検出回路３５の出力の信号SXYが正のレ
ベルになる。そして、時点t12において第１０図
ＡのようにマークＭの端部MXの像MX′が光検出
素子２２に重なつて素子２２の出力が基準電圧
VRに達すると、電圧比較回路３６の出力が低レ
ベルから高レベルに変化して、カード１１の送り
が一旦停止される。同時に、RSフリツプフロツ
プ回路３９がセツトされてその出力の信号SZが低
レベルから高レベルに変化する。信号SZが高レベ
ルになると、この場合、検出回路３５の出力の信
号SXYが正のレベルであるので、第１２図Ａに示
すように制御電圧発生回路４０の出力の制御電圧
VCが零から正の方向に直線的に上昇していき、
これにより前述の保持板１９に保持された光検出
素子２０が第１０図Ａの矢印Ｘの向きに回動す
る。そして、時点t13においてマークＭの像M′が
光検出素子２０に重なつてマークＭの端部MYの
像MY′も光検出素子２３に重なると、素子２３の
出力が基準電圧VRに達して電圧比較回路３７の
出力が低レベルから高レベルに変化し、RSフリ
ツプフロツプ回路３９がリセツトされてその出力
の信号SZが高レベルから低レベルに変化し、制御
電圧VCの上昇が停止し、光検出素子２０の動き
が停止する。同時に、カード１１が前と同じ向き
に送られる。制御電圧VCは信号SZが低レベルに
変化した時点t13の後でも時点t13での値＋VXを保
持し、従つて光検出素子２０は以後、素子２１の
検出要素２１ａの配列方向がカード１１のトラツ
クＴの長手方向に沿う位置に保持され、素子２１
によつて各々のトラツクＴに記録された情報信号
を読み取ることができる。
０に対して第１０図Ａのように傾く場合には、図
のようにマークＭの端部MXの像MX′が光検出素
子２２に重なる手前の時点t11において像MX′が
素子２２に差し掛かつて素子２２の出力があるレ
ベルになることによつて、検出回路３５ではマー
クＭの像M′が光検出素子２０に対して第１０図
Ａのように傾くことが検出され、第１２図Ａに示
すように検出回路３５の出力の信号SXYが正のレ
ベルになる。そして、時点t12において第１０図
ＡのようにマークＭの端部MXの像MX′が光検出
素子２２に重なつて素子２２の出力が基準電圧
VRに達すると、電圧比較回路３６の出力が低レ
ベルから高レベルに変化して、カード１１の送り
が一旦停止される。同時に、RSフリツプフロツ
プ回路３９がセツトされてその出力の信号SZが低
レベルから高レベルに変化する。信号SZが高レベ
ルになると、この場合、検出回路３５の出力の信
号SXYが正のレベルであるので、第１２図Ａに示
すように制御電圧発生回路４０の出力の制御電圧
VCが零から正の方向に直線的に上昇していき、
これにより前述の保持板１９に保持された光検出
素子２０が第１０図Ａの矢印Ｘの向きに回動す
る。そして、時点t13においてマークＭの像M′が
光検出素子２０に重なつてマークＭの端部MYの
像MY′も光検出素子２３に重なると、素子２３の
出力が基準電圧VRに達して電圧比較回路３７の
出力が低レベルから高レベルに変化し、RSフリ
ツプフロツプ回路３９がリセツトされてその出力
の信号SZが高レベルから低レベルに変化し、制御
電圧VCの上昇が停止し、光検出素子２０の動き
が停止する。同時に、カード１１が前と同じ向き
に送られる。制御電圧VCは信号SZが低レベルに
変化した時点t13の後でも時点t13での値＋VXを保
持し、従つて光検出素子２０は以後、素子２１の
検出要素２１ａの配列方向がカード１１のトラツ
クＴの長手方向に沿う位置に保持され、素子２１
によつて各々のトラツクＴに記録された情報信号
を読み取ることができる。
光検出素子２０上でマークＭの像M′が素子２
０に対して第１０図Ｂのように傾く場合には、図
のようにマークＭの端部MYの像MY′が光検出素
子２３に重なる手前の時点t21において像MY′が
素子２３に差し掛かつて素子２３の出力があるレ
ベルになることによつて、検出回路３５ではマー
クＭの像M′が光検出素子２０に対して第１０図
Ｂのように傾くことが検出され、第１２図Ｂに示
すように検出回路３５の出力信号SXYが負のレベ
ルになる。そして、時点t22において第１０図Ｂ
のようにマークＭの端部MYの像MY′が光検出素
子２３に重なつて素子２３の出力が基準電圧VR
に達すると、電圧比較回路３７の出力が低レベル
から高レベルに変化する。しかし、電圧比較回路
３７の出力が高レベルに変化しても、カード１１
の送りは停止されず、カード１１はマークＭの像
M′が第１０図Ｂの矢印１３の向きに更に移動す
るようにそのまま送られる。そして、時点t23に
おいて第１０図Ｃに示すようにマークＭの端部
MXの像MX′が光検出素子２２に重なつて素子２
２の出力が基準電圧VRに達すると、電圧比較回
路３６の出力が低レベルから高レベルに変化し
て、すでにマークＭの端部MYの像MY′は光検出
素子２３から離れていて電圧比較回路３７の出力
は低レベルになつているので、カード１１の送り
が一旦停止される。同時に、RSフリツプフロツ
プ回路３９がセツトされてその出力の信号SZが低
レベルから高レベルに変化する。信号SZが高レベ
ルになると、この場合、検出回路３５の出力の信
号SXYが負のレベルであるので、第１２図Ｂに示
すように制御電圧発生回路４０の出力の制御電圧
VCが零から負の方向に直線的に下降していき、
これにより前述の保持板１９に保持された光検出
素子２０が第１０図Ｃの矢印Ｙの向きに回動す
る。そして、時点t24においてマークＭの像M′が
光検出素子２０に重なつてマークＭの端部MYの
像MY′も光検出素子２３に重なると、素子２３の
出力が基準電圧VRに達して電圧比較回路３７の
出力が低レベルから高レベルに変化し、RSフリ
ツプフロツプ回路３９がリセツトされてその出力
の信号SZが高レベルから低レベルに変化し、制御
電圧VCの下降が停止し、光検出素子２０の動き
が停止する。同時に、カード１１が前と同じ向き
に送られる。制御電圧VCは信号SZが抵レベルに
変化した時点t24の後でも時点t24での値−VYを保
持し、従つて光検出素子２０は以後、素子２１の
検出要素２１ａの配列方向がカード１１のトラツ
クＴの長手方向に沿う位置に保持され、素子２１
によつて各々のトラツクＴに記録された情報信号
を読み取ることができる。
０に対して第１０図Ｂのように傾く場合には、図
のようにマークＭの端部MYの像MY′が光検出素
子２３に重なる手前の時点t21において像MY′が
素子２３に差し掛かつて素子２３の出力があるレ
ベルになることによつて、検出回路３５ではマー
クＭの像M′が光検出素子２０に対して第１０図
Ｂのように傾くことが検出され、第１２図Ｂに示
すように検出回路３５の出力信号SXYが負のレベ
ルになる。そして、時点t22において第１０図Ｂ
のようにマークＭの端部MYの像MY′が光検出素
子２３に重なつて素子２３の出力が基準電圧VR
に達すると、電圧比較回路３７の出力が低レベル
から高レベルに変化する。しかし、電圧比較回路
３７の出力が高レベルに変化しても、カード１１
の送りは停止されず、カード１１はマークＭの像
M′が第１０図Ｂの矢印１３の向きに更に移動す
るようにそのまま送られる。そして、時点t23に
おいて第１０図Ｃに示すようにマークＭの端部
MXの像MX′が光検出素子２２に重なつて素子２
２の出力が基準電圧VRに達すると、電圧比較回
路３６の出力が低レベルから高レベルに変化し
て、すでにマークＭの端部MYの像MY′は光検出
素子２３から離れていて電圧比較回路３７の出力
は低レベルになつているので、カード１１の送り
が一旦停止される。同時に、RSフリツプフロツ
プ回路３９がセツトされてその出力の信号SZが低
レベルから高レベルに変化する。信号SZが高レベ
ルになると、この場合、検出回路３５の出力の信
号SXYが負のレベルであるので、第１２図Ｂに示
すように制御電圧発生回路４０の出力の制御電圧
VCが零から負の方向に直線的に下降していき、
これにより前述の保持板１９に保持された光検出
素子２０が第１０図Ｃの矢印Ｙの向きに回動す
る。そして、時点t24においてマークＭの像M′が
光検出素子２０に重なつてマークＭの端部MYの
像MY′も光検出素子２３に重なると、素子２３の
出力が基準電圧VRに達して電圧比較回路３７の
出力が低レベルから高レベルに変化し、RSフリ
ツプフロツプ回路３９がリセツトされてその出力
の信号SZが高レベルから低レベルに変化し、制御
電圧VCの下降が停止し、光検出素子２０の動き
が停止する。同時に、カード１１が前と同じ向き
に送られる。制御電圧VCは信号SZが抵レベルに
変化した時点t24の後でも時点t24での値−VYを保
持し、従つて光検出素子２０は以後、素子２１の
検出要素２１ａの配列方向がカード１１のトラツ
クＴの長手方向に沿う位置に保持され、素子２１
によつて各々のトラツクＴに記録された情報信号
を読み取ることができる。
第１３図に示すように、マークＭは情報信号の
記録されるトラツクＴに対して平行でなく、一定
の向きに一定の量だけ傾いて形成されてもよい。
この場合は、読み取り装置においては、前述のよ
うに光検出素子２０がその素子２１の検出要素２
１ａの配列方向がマークＭの長手方向に沿う位置
に回動した後、制御電圧VCがマークＭのトラツ
クＴに対する傾きの向きと量に応じた電圧分だけ
シフトされて、光検出素子２０がその素子２１の
検出要素２１ａの配列方向がトラツクＴの長手方
向に沿う位置まで更に回動するようにすればよ
い。
記録されるトラツクＴに対して平行でなく、一定
の向きに一定の量だけ傾いて形成されてもよい。
この場合は、読み取り装置においては、前述のよ
うに光検出素子２０がその素子２１の検出要素２
１ａの配列方向がマークＭの長手方向に沿う位置
に回動した後、制御電圧VCがマークＭのトラツ
クＴに対する傾きの向きと量に応じた電圧分だけ
シフトされて、光検出素子２０がその素子２１の
検出要素２１ａの配列方向がトラツクＴの長手方
向に沿う位置まで更に回動するようにすればよ
い。
第６図ないし第１３図のマークＭは、前述の端
部MX及びMYのみが光検出素子２０のトラツクＴ
に対する位置合わせのために用いられる。従つ
て、第１４図に示すように、第６図ないし第１３
図のマークＭの端部MX及びMYに相当するものの
みをマークM1及びM2として形成してもよい。
部MX及びMYのみが光検出素子２０のトラツクＴ
に対する位置合わせのために用いられる。従つ
て、第１４図に示すように、第６図ないし第１３
図のマークＭの端部MX及びMYに相当するものの
みをマークM1及びM2として形成してもよい。
さらに第１５図に示すように、各々のトラツク
Ｔの上下の位置と最初のトラツクT1の手前及び
最後のトラツクの後方のそれぞれ１本分ないし複
数本分のトラツクに相当する個所の上下の位置に
マークM1及びM2を形成してもよい。この場合に
は、このマークM1及びM2を用いて読み取るべき
トラツクのアドレスを知ることができるととも
に、任意のトラツクを選択して読み取ることがで
きる。
Ｔの上下の位置と最初のトラツクT1の手前及び
最後のトラツクの後方のそれぞれ１本分ないし複
数本分のトラツクに相当する個所の上下の位置に
マークM1及びM2を形成してもよい。この場合に
は、このマークM1及びM2を用いて読み取るべき
トラツクのアドレスを知ることができるととも
に、任意のトラツクを選択して読み取ることがで
きる。
第１６図は光学カードが第１５図のように構成
されている場合の本発明の読み取り装置における
制御回路系の一例で、読み取り装置に差し込まれ
たカードは、システム制御回路４１からカード送
り制御回路４２に送り開始信号STが供給される
ことによつて、同じくシステム制御回路４１から
カード送り制御回路４２に供給される方向指定信
号UDの、しかるべき操作によつて決定されるレ
ベル状態に応じた方向に送られる。例えば、信号
UDが低レベルにされるときは順方向に送られ、
信号UDが高レベルにされるときは逆方向に送ら
れる。
されている場合の本発明の読み取り装置における
制御回路系の一例で、読み取り装置に差し込まれ
たカードは、システム制御回路４１からカード送
り制御回路４２に送り開始信号STが供給される
ことによつて、同じくシステム制御回路４１から
カード送り制御回路４２に供給される方向指定信
号UDの、しかるべき操作によつて決定されるレ
ベル状態に応じた方向に送られる。例えば、信号
UDが低レベルにされるときは順方向に送られ、
信号UDが高レベルにされるときは逆方向に送ら
れる。
光検出素子２０の素子２２，２３の出力は電圧
比較回路４３，４４に供給されてそれぞれ所定の
基準電圧VRと比較され、前述のマークM1，M2が
素子２２，２３によつて検出されて素子２２，２
３の出力がそれぞれ基準電圧VRに達すると、電
圧比較回路４３，４４の出力が高レベルになる。
従つて、カードがある方向に送られるのに伴なつ
て素子２２，２３によりマークM1，M2がそれぞ
れ１つずつ検出されるたびに、電圧比較回路４
３，４４の出力にはパルスが得られる。この電圧
比較回路４３，４４より得られるパルスがカウン
タ４５，４６のクロツク端子CKにそれぞれ供給
されてカウントされる。カウンタ４５，４６はそ
れぞれアツプダウン・カウンタ（可逆カウンタ）
で、システム制御回路４１からカウンタ４５のカ
ウント方向制御端子Ｕ／Ｄに前述の信号UDが供
給されて、カウンタ４５は、信号UDが低レベル
にされてカードが順方向に送られる場合は入力の
パルスをカウントアツプし、信号UDが高レベル
にされてカードが逆方向に送られる場合は入力の
パルスをカウントダウンする。また、信号UDが
論理ゲート回路４７に供給され、後述のアンドゲ
ート回路４８及び４９の出力が論理ゲート回路４
７に供給され、論理ゲート回路４７の出力の信号
UD′がカウンタ４６のカウント方向制御端子Ｕ／
Ｄに供給されて、後述のようにカードの走行中は
アンドゲート回路４８及び４９の出力がともに低
レベルで論理ゲート回路４７の出力の信号UD′が
信号UDと同じにされることにより、カウンタ４
６も、信号UDが低レベルにされてカードが順方
向に送られる場合は入力のパルスをカウントアツ
プし、信号UDが高レベルにされてカードが逆方
向に送られる場合は入力のパルスをカウントダウ
ンする。
比較回路４３，４４に供給されてそれぞれ所定の
基準電圧VRと比較され、前述のマークM1，M2が
素子２２，２３によつて検出されて素子２２，２
３の出力がそれぞれ基準電圧VRに達すると、電
圧比較回路４３，４４の出力が高レベルになる。
従つて、カードがある方向に送られるのに伴なつ
て素子２２，２３によりマークM1，M2がそれぞ
れ１つずつ検出されるたびに、電圧比較回路４
３，４４の出力にはパルスが得られる。この電圧
比較回路４３，４４より得られるパルスがカウン
タ４５，４６のクロツク端子CKにそれぞれ供給
されてカウントされる。カウンタ４５，４６はそ
れぞれアツプダウン・カウンタ（可逆カウンタ）
で、システム制御回路４１からカウンタ４５のカ
ウント方向制御端子Ｕ／Ｄに前述の信号UDが供
給されて、カウンタ４５は、信号UDが低レベル
にされてカードが順方向に送られる場合は入力の
パルスをカウントアツプし、信号UDが高レベル
にされてカードが逆方向に送られる場合は入力の
パルスをカウントダウンする。また、信号UDが
論理ゲート回路４７に供給され、後述のアンドゲ
ート回路４８及び４９の出力が論理ゲート回路４
７に供給され、論理ゲート回路４７の出力の信号
UD′がカウンタ４６のカウント方向制御端子Ｕ／
Ｄに供給されて、後述のようにカードの走行中は
アンドゲート回路４８及び４９の出力がともに低
レベルで論理ゲート回路４７の出力の信号UD′が
信号UDと同じにされることにより、カウンタ４
６も、信号UDが低レベルにされてカードが順方
向に送られる場合は入力のパルスをカウントアツ
プし、信号UDが高レベルにされてカードが逆方
向に送られる場合は入力のパルスをカウントダウ
ンする。
カウンタ４５の出力のデータDXはデータ比較
回路５１の一方の入力端子に供給され、またシス
テム制御回路４１からデータ比較回路５１の他方
の入力端子にしかるべき操作によつて得られた指
定するトラツクのアドレス・データDAが供給さ
れて、データ比較回路５１においてデータDXが
データDAと比較され、データDXがデータDAと異
なるときはデータ比較回路５１の出力DCが低レ
ベルになり、データDXがデータDAと等しいとき
は出力DCが高レベルになる。このデータ比較回
路５１の出力DCはカード送り制御回路４２に供
給されて、出力DCが高レベルになるとカードの
送りが停止される。一方、カウンタ４５，４６の
出力のデータDX，DYがデータ減算回路５２に供
給されてデータDXからデータDYを引いたデータ
DX−DYが得られ、このデータDX−DYがデジタル
−アナログ変換回路５３に供給されてアナログ電
圧に変換され、その電圧が増幅回路５４に供給さ
れ、増幅回路５４の出力の電圧がスイツチ５５に
供給される。スイツチ５５には前述のデータ比較
回路５１の出力DCがオン・オフ制御信号として
供給されて、出力DCが低レベルのときはスイツ
チ５５がオフになるが、出力DCが高レベルにな
るとスイツチ５５がオンになり、スイツチ５５が
オンのときは増幅回路５４の出力の電圧が前述の
光検出素子２０の回動機構の端子２８及び２９間
に与えられる。
回路５１の一方の入力端子に供給され、またシス
テム制御回路４１からデータ比較回路５１の他方
の入力端子にしかるべき操作によつて得られた指
定するトラツクのアドレス・データDAが供給さ
れて、データ比較回路５１においてデータDXが
データDAと比較され、データDXがデータDAと異
なるときはデータ比較回路５１の出力DCが低レ
ベルになり、データDXがデータDAと等しいとき
は出力DCが高レベルになる。このデータ比較回
路５１の出力DCはカード送り制御回路４２に供
給されて、出力DCが高レベルになるとカードの
送りが停止される。一方、カウンタ４５，４６の
出力のデータDX，DYがデータ減算回路５２に供
給されてデータDXからデータDYを引いたデータ
DX−DYが得られ、このデータDX−DYがデジタル
−アナログ変換回路５３に供給されてアナログ電
圧に変換され、その電圧が増幅回路５４に供給さ
れ、増幅回路５４の出力の電圧がスイツチ５５に
供給される。スイツチ５５には前述のデータ比較
回路５１の出力DCがオン・オフ制御信号として
供給されて、出力DCが低レベルのときはスイツ
チ５５がオフになるが、出力DCが高レベルにな
るとスイツチ５５がオンになり、スイツチ５５が
オンのときは増幅回路５４の出力の電圧が前述の
光検出素子２０の回動機構の端子２８及び２９間
に与えられる。
また、データ減算回路５２の出力のデータDX
−DYがデータ判別回路５６及び５７に供給され、
データ判別回路５６ではデータDX−DYの値が正
であるか否かが判別されて、データDX−DYの値
が正のときは回路５６の出力が高レベルになり、
零ないし負のときは回路５６の出力が低レベルに
なり、データ判別回路５７ではデータDX−DYの
値が負であるか否かが判別されて、データDX−
DYの値が負のときは回路５７の出力が高レベル
になり、零ないし正のときは回路５７の出力が低
レベルになる。このデータ判別回路５６，５７の
出力が前述のアンドゲート回路４８，４９に供給
され、データ比較回路５１の出力DCがアンドゲ
ート回路４８及び４９に供給される。さらに、デ
ジタル−アナログ変換回路５３の出力の電圧が電
圧判別回路５８に供給されて回路５３の出力の電
圧が零であるか否かが判別され、回路５３の出力
の電圧が零のときは回路５８の出力が高レベルに
なり、回路５３の出力の電圧が正または負のとき
は回路５８の出力が低レベルになる。この電圧判
別回路５８の出力とデータ比較回路５１の出力
DCがアンドゲート回路５９に供給され、アンド
ゲート回路５９の出力RSが光検出素子２０の素
子２１に読み取りの制御信号として供給される。
−DYがデータ判別回路５６及び５７に供給され、
データ判別回路５６ではデータDX−DYの値が正
であるか否かが判別されて、データDX−DYの値
が正のときは回路５６の出力が高レベルになり、
零ないし負のときは回路５６の出力が低レベルに
なり、データ判別回路５７ではデータDX−DYの
値が負であるか否かが判別されて、データDX−
DYの値が負のときは回路５７の出力が高レベル
になり、零ないし正のときは回路５７の出力が低
レベルになる。このデータ判別回路５６，５７の
出力が前述のアンドゲート回路４８，４９に供給
され、データ比較回路５１の出力DCがアンドゲ
ート回路４８及び４９に供給される。さらに、デ
ジタル−アナログ変換回路５３の出力の電圧が電
圧判別回路５８に供給されて回路５３の出力の電
圧が零であるか否かが判別され、回路５３の出力
の電圧が零のときは回路５８の出力が高レベルに
なり、回路５３の出力の電圧が正または負のとき
は回路５８の出力が低レベルになる。この電圧判
別回路５８の出力とデータ比較回路５１の出力
DCがアンドゲート回路５９に供給され、アンド
ゲート回路５９の出力RSが光検出素子２０の素
子２１に読み取りの制御信号として供給される。
マークM1のNA番目のアドレスのトラツクが指
定されてシステム制御回路４１からデータ比較回
路５１に供給されるアドレス・データDAの値が
NAになるとすると、カウンタ４５の出力のデー
タDXの値NXがNAになるまでの間は、データ比較
回路５１の出力DCが低レベルで、アンドゲート
回路４８及び４９の出力がともに低レベルである
ので、論理ゲート回路４７からカウンタ４６の制
御端子Ｕ／Ｄに与えられる信号UD′はカウンタ４
５の制御端子Ｕ／Ｄに与えられる信号UDと同じ
にされて、カウンタ４６はカウンタ４５と同じく
入力のパルスをカードの送り方向に応じた方向に
カウントする。そして、光検出素子２０の素子２
２によつてマークM1の指定されたNA番目のもの
が検出されるところまでカードが順方向ないし逆
方向に送られて、カウンタ４５の出力のデータ
DXの値NXがNAになると、データ比較回路５１の
出力DCが高レベルになり、カードの送りが停止
されるとともに、スイツチ５５がオンになる。
定されてシステム制御回路４１からデータ比較回
路５１に供給されるアドレス・データDAの値が
NAになるとすると、カウンタ４５の出力のデー
タDXの値NXがNAになるまでの間は、データ比較
回路５１の出力DCが低レベルで、アンドゲート
回路４８及び４９の出力がともに低レベルである
ので、論理ゲート回路４７からカウンタ４６の制
御端子Ｕ／Ｄに与えられる信号UD′はカウンタ４
５の制御端子Ｕ／Ｄに与えられる信号UDと同じ
にされて、カウンタ４６はカウンタ４５と同じく
入力のパルスをカードの送り方向に応じた方向に
カウントする。そして、光検出素子２０の素子２
２によつてマークM1の指定されたNA番目のもの
が検出されるところまでカードが順方向ないし逆
方向に送られて、カウンタ４５の出力のデータ
DXの値NXがNAになると、データ比較回路５１の
出力DCが高レベルになり、カードの送りが停止
されるとともに、スイツチ５５がオンになる。
カード１１のマークM1，M2及びトラツクＴが
カード１１の基準端面１１ａに対して垂直な位置
から傾いて形成されていると、素子２２によつて
マークM1の指定されたNA番目のものが検出され
てデータ比較回路５１の出力DCが高レベルにな
つた時点で、光検出素子２０上でのマークM1，
M2の像の素子２０に対する位置は、素子２０の
マークM1，M2に対する位置に置き換えてみて、
第１７図ＡまたはＢのようになり、素子２３側の
カウンタ４６の出力のデータDYの値NYはNAにな
らず、即ちNX−NYが零にならず、第１７図Ａの
場合にはNYがNAより小さいのでNX−NYが正に
なり、第１７図Ｂの場合にはNYがNAより大きい
のでNX−NYが負になる。そして、データ比較回
路５１の出力DCが高レベルになつてカードの送
りが停止されるとともにスイツチ５５がオンにな
ると、増幅回路５４の出力の電圧が端子２８及び
２９間に与えられて、素子２３側のカウンタ４６
の出力のデータDYの値NYもNAになり、データ減
算回路５２の出力のデータDX−DYの値NX−NYが
零になり、デジタル−アナログ変換回路５３の出
力の電圧が零になるように、光検出素子２０が回
動させられる。
カード１１の基準端面１１ａに対して垂直な位置
から傾いて形成されていると、素子２２によつて
マークM1の指定されたNA番目のものが検出され
てデータ比較回路５１の出力DCが高レベルにな
つた時点で、光検出素子２０上でのマークM1，
M2の像の素子２０に対する位置は、素子２０の
マークM1，M2に対する位置に置き換えてみて、
第１７図ＡまたはＢのようになり、素子２３側の
カウンタ４６の出力のデータDYの値NYはNAにな
らず、即ちNX−NYが零にならず、第１７図Ａの
場合にはNYがNAより小さいのでNX−NYが正に
なり、第１７図Ｂの場合にはNYがNAより大きい
のでNX−NYが負になる。そして、データ比較回
路５１の出力DCが高レベルになつてカードの送
りが停止されるとともにスイツチ５５がオンにな
ると、増幅回路５４の出力の電圧が端子２８及び
２９間に与えられて、素子２３側のカウンタ４６
の出力のデータDYの値NYもNAになり、データ減
算回路５２の出力のデータDX−DYの値NX−NYが
零になり、デジタル−アナログ変換回路５３の出
力の電圧が零になるように、光検出素子２０が回
動させられる。
第１７図Ａの場合には、データDX−DYの値NX
−NYが正であるから、データ判別回路５６の出
力が高レベル、データ判別回路５７の出力が低レ
ベルで、データ比較回路５１の出力DCが高レベ
ルになつてカードの送りが停止されるとともにス
イツチ５５がオンになる時点で、アンドゲート回
路４８の出力が高レベル、アンドゲート回路４９
の出力が低レベルになる。この場合には、順方向
のアクセスで信号UDが低レベルにされていると
きは、データ比較回路５１の出力DCが高レベル
になつてカードの送りが停止されるとともにスイ
ツチ５５がオンになつても、論理ゲート回路４７
からカウンタ４６の制御端子Ｕ／Ｄに与えられ信
号UD′は信号UDと同じく低レベルのままで、従
つてカウンタ４６は入力のパルスをカウントアツ
プする状態のままで、素子２３によつてマーク
M2が１つ検出されるごとにカウンタ４６の出力
のデータDYの値NYが１ずつ増加して最終的にNY
がNAになるように、光検出素子２０が第１７図
Ａの矢印Ｘの向きに回動する。逆方向のアクセス
で信号UDが高レベルにされているときは、デー
タ比較回路５１の出力DCが高レベルになつてカ
ードの送りが停止されるとともにスイツチ５５が
オンになると、論理ゲート回路４７からカウンタ
４６の制御端子Ｕ／Ｄに与えられる信号UD′が信
号UDとは逆に低レベルにされ、従つてカウンタ
４６は入力のパルスをカウントアツプする状態に
変えられて、やはり、素子２３によつてマーク
M2が１つ検出されるごとにカウンタ４６の出力
のデータDYの値NYが１ずつ増加して最終的にNY
がNAになるように、光検出素子２０が第１７図
Ａの矢印Ｘの向きに回動する。
−NYが正であるから、データ判別回路５６の出
力が高レベル、データ判別回路５７の出力が低レ
ベルで、データ比較回路５１の出力DCが高レベ
ルになつてカードの送りが停止されるとともにス
イツチ５５がオンになる時点で、アンドゲート回
路４８の出力が高レベル、アンドゲート回路４９
の出力が低レベルになる。この場合には、順方向
のアクセスで信号UDが低レベルにされていると
きは、データ比較回路５１の出力DCが高レベル
になつてカードの送りが停止されるとともにスイ
ツチ５５がオンになつても、論理ゲート回路４７
からカウンタ４６の制御端子Ｕ／Ｄに与えられ信
号UD′は信号UDと同じく低レベルのままで、従
つてカウンタ４６は入力のパルスをカウントアツ
プする状態のままで、素子２３によつてマーク
M2が１つ検出されるごとにカウンタ４６の出力
のデータDYの値NYが１ずつ増加して最終的にNY
がNAになるように、光検出素子２０が第１７図
Ａの矢印Ｘの向きに回動する。逆方向のアクセス
で信号UDが高レベルにされているときは、デー
タ比較回路５１の出力DCが高レベルになつてカ
ードの送りが停止されるとともにスイツチ５５が
オンになると、論理ゲート回路４７からカウンタ
４６の制御端子Ｕ／Ｄに与えられる信号UD′が信
号UDとは逆に低レベルにされ、従つてカウンタ
４６は入力のパルスをカウントアツプする状態に
変えられて、やはり、素子２３によつてマーク
M2が１つ検出されるごとにカウンタ４６の出力
のデータDYの値NYが１ずつ増加して最終的にNY
がNAになるように、光検出素子２０が第１７図
Ａの矢印Ｘの向きに回動する。
第１７図Ｂの場合には、データDX−DYの値NX
−NYが負であるから、データ判別回路５６の出
力が低レベル・データ判別回路５７の出力が高レ
ベルで、データ比較回路５１の出力DCが高レベ
ルになつてカードの送りが停止されるとともにス
イツチ５５がオンになる時点で、アンドゲート回
路４８の出力が低レベル、アンドゲート回路４９
の出力が高レベルになる。この場合には、順方向
のアクセスで信号UDが低レベルにされていると
きは、データ比較回路５１の出力DCが高レベル
になつてカードの送りが停止されるとともにスイ
ツチ５５がオンになると、論理ゲート回路４７か
らカウンタ４６の制御端子Ｕ／Ｄに与えられる信
号UD′が信号UDとは逆に高レベルにされ、従つ
てカウンタ４６は入力のパルスをカウントダウン
する状態に変えられて、素子２３によつてマーク
M2が１つ検出されるごとにカウンタ４６の出力
のデータDYの値NYが１ずつ減少して最終的にNY
がNAになるように、光検出素子２０が第１７図
Ｂの矢印Ｙの向きに回動する。逆方向のアクセス
で信号UDが高レベルにされているときは、デー
タ比較回路５１の出力DCが高レベルになつてカ
ードの送りが停止されるとともにスイツチ５５が
オンになつても、論理ゲート回路４７からカウン
タ４６の制御端子Ｕ／Ｄに与えられる信号UD′は
信号UDと同じく高レベルのままで、従つてカウ
ンタ４６は入力のパルスをカウントダウンする状
態のままで、やはり、素子２３によつてマーク
M2が１つ検出されるごとにカウンタ４６の出力
のデータDYの値NYが１ずつ減少して最終的にNY
がNAになるように、光検出素子２０が第１７図
Ｂの矢印Ｙの向きに回動する。
−NYが負であるから、データ判別回路５６の出
力が低レベル・データ判別回路５７の出力が高レ
ベルで、データ比較回路５１の出力DCが高レベ
ルになつてカードの送りが停止されるとともにス
イツチ５５がオンになる時点で、アンドゲート回
路４８の出力が低レベル、アンドゲート回路４９
の出力が高レベルになる。この場合には、順方向
のアクセスで信号UDが低レベルにされていると
きは、データ比較回路５１の出力DCが高レベル
になつてカードの送りが停止されるとともにスイ
ツチ５５がオンになると、論理ゲート回路４７か
らカウンタ４６の制御端子Ｕ／Ｄに与えられる信
号UD′が信号UDとは逆に高レベルにされ、従つ
てカウンタ４６は入力のパルスをカウントダウン
する状態に変えられて、素子２３によつてマーク
M2が１つ検出されるごとにカウンタ４６の出力
のデータDYの値NYが１ずつ減少して最終的にNY
がNAになるように、光検出素子２０が第１７図
Ｂの矢印Ｙの向きに回動する。逆方向のアクセス
で信号UDが高レベルにされているときは、デー
タ比較回路５１の出力DCが高レベルになつてカ
ードの送りが停止されるとともにスイツチ５５が
オンになつても、論理ゲート回路４７からカウン
タ４６の制御端子Ｕ／Ｄに与えられる信号UD′は
信号UDと同じく高レベルのままで、従つてカウ
ンタ４６は入力のパルスをカウントダウンする状
態のままで、やはり、素子２３によつてマーク
M2が１つ検出されるごとにカウンタ４６の出力
のデータDYの値NYが１ずつ減少して最終的にNY
がNAになるように、光検出素子２０が第１７図
Ｂの矢印Ｙの向きに回動する。
このようにして、マークM2のNA番目のものが
素子２３によつて検出されてカウンタ４６の出力
のデータDYの値NYもNAになり、データ減算回路
５２の出力のデータDX−DYの値NX−NYが零にな
り、デジタル−アナログ変換回路５３の出力の電
圧が零になる位置まで光検出素子２０が回路する
ことによつて、光検出素子２０は第１７図Ａない
しＢの破線で示すように指定されたトラツクTa
の像がトラツクTaを読み取るべき前述の素子２
１に重なる位置になる。そして、このように指定
されたトラツクTaの像が素子２１に重なつてデ
ジタル−アナログ変換回路５３の出力の電圧が零
になると、電圧判別回路５８の出力が高レベルに
なり、アンドゲート回路５９の出力RSが高レベ
ルになつて、素子２１によつてこの指定されたト
ラツクTaに記録された情報信号が読み取られる。
素子２３によつて検出されてカウンタ４６の出力
のデータDYの値NYもNAになり、データ減算回路
５２の出力のデータDX−DYの値NX−NYが零にな
り、デジタル−アナログ変換回路５３の出力の電
圧が零になる位置まで光検出素子２０が回路する
ことによつて、光検出素子２０は第１７図Ａない
しＢの破線で示すように指定されたトラツクTa
の像がトラツクTaを読み取るべき前述の素子２
１に重なる位置になる。そして、このように指定
されたトラツクTaの像が素子２１に重なつてデ
ジタル−アナログ変換回路５３の出力の電圧が零
になると、電圧判別回路５８の出力が高レベルに
なり、アンドゲート回路５９の出力RSが高レベ
ルになつて、素子２１によつてこの指定されたト
ラツクTaに記録された情報信号が読み取られる。
なお、このように第１５図のマークM1及びM2
を用いて任意のトラツクを選択して読み取る場
合、素子２２，２３がマークM1，M2を検出しそ
こなうことがあると、指定されたトラツクと異な
るトラツクにアクセスしてしまつたり、指定され
たトラツクの像が素子２１に重ならないで素子２
１に対して斜めになる位置に光検出素子２０が回
動してしまう不都合を生じる。この不都合を避け
るためには、第１８図に示すように、マークM1，
M2としてトラツクＴの長手方向に分割された複
数のマークM11〜M13，M21〜M23を形成すると
ともに、マークM1，M2を検出すべき光検出素子
２２，２３も対応する方向に分割された複数の素
子２２1〜２２3，２３1〜２３3で構成し、複数の
マークM11〜M13，M21〜M23のいずれかが複数
の素子２２1〜２２3，２３1〜２３3のいずれかに
よつて検出されて複数の素子２２1〜２２3，２３
１〜２３3のいずれかの出力が所定の電圧になると
きはマークM1，M2が１つ検出されたものとして
処理されるようにすればよい。
を用いて任意のトラツクを選択して読み取る場
合、素子２２，２３がマークM1，M2を検出しそ
こなうことがあると、指定されたトラツクと異な
るトラツクにアクセスしてしまつたり、指定され
たトラツクの像が素子２１に重ならないで素子２
１に対して斜めになる位置に光検出素子２０が回
動してしまう不都合を生じる。この不都合を避け
るためには、第１８図に示すように、マークM1，
M2としてトラツクＴの長手方向に分割された複
数のマークM11〜M13，M21〜M23を形成すると
ともに、マークM1，M2を検出すべき光検出素子
２２，２３も対応する方向に分割された複数の素
子２２1〜２２3，２３1〜２３3で構成し、複数の
マークM11〜M13，M21〜M23のいずれかが複数
の素子２２1〜２２3，２３1〜２３3のいずれかに
よつて検出されて複数の素子２２1〜２２3，２３
１〜２３3のいずれかの出力が所定の電圧になると
きはマークM1，M2が１つ検出されたものとして
処理されるようにすればよい。
光検出素子２０のトラツクＴに対する位置合わ
せのためのマークは、第１９図にマークＭとして
示すように、最初のトラツクT1の手前の位置に
おいて、各々のトラツクＴと同じ長さかそれ以上
の長さにわたつて、トラツクＴの１つの情報ビツ
ト分に相当する点のすべてにピツトＰを形成した
ものであつてもよい。ただし、第１９図のように
マークＭがトラツクＴと同じ長さに形成される場
合、光検出素子２０はトラツクＴを読み取るべき
素子２１のみで構成すればよく、素子２１の端部
の検出要素によつてマークＭの端部のピツトを検
出することにより前述のようにマークＭの像が素
子２１に重なる位置に素子２１を回動させるよう
にすればよい。また、このことから、第２０図に
示すように、第１９図のマークＭを構成するピツ
トＰのうちの上下の１個ずつをマークM1及びM2
として形成してもよい。この場合、このマーク
M1及びM2の間に最初のトラツクT1を他のトラツ
クよりも情報ビツト数が２つ少ないものとして形
成することができる。
せのためのマークは、第１９図にマークＭとして
示すように、最初のトラツクT1の手前の位置に
おいて、各々のトラツクＴと同じ長さかそれ以上
の長さにわたつて、トラツクＴの１つの情報ビツ
ト分に相当する点のすべてにピツトＰを形成した
ものであつてもよい。ただし、第１９図のように
マークＭがトラツクＴと同じ長さに形成される場
合、光検出素子２０はトラツクＴを読み取るべき
素子２１のみで構成すればよく、素子２１の端部
の検出要素によつてマークＭの端部のピツトを検
出することにより前述のようにマークＭの像が素
子２１に重なる位置に素子２１を回動させるよう
にすればよい。また、このことから、第２０図に
示すように、第１９図のマークＭを構成するピツ
トＰのうちの上下の１個ずつをマークM1及びM2
として形成してもよい。この場合、このマーク
M1及びM2の間に最初のトラツクT1を他のトラツ
クよりも情報ビツト数が２つ少ないものとして形
成することができる。
発明の効果
本発明によれば、光学カードとして最初のトラ
ツクの手前の位置ないし最初または各々のトラツ
クの両端の位置に光学的に読み取りうるマークが
形成されたものを用い、読み取り装置において
は、光検出素子の端部の検出要素でこのマークの
読み取り光を検出するとともに、この端部の検出
要素の出力にもとづいて、光検出素子の複数の検
出要素の配列方向が光学カードのトラツクの長手
方向に沿うように、光検出素子をその一端側を支
点にして回動させるようにしたので、光学カード
や読み取り装置の機械的精度が完全でなくても光
学カードの各トラツクから情報信号を確実に読み
取ることができる。従つて、光学カードや読み取
り装置の機械的精度にそれほど留意する必要がな
く、光学カードや読み取り装置の製造コストを下
げることができる。
ツクの手前の位置ないし最初または各々のトラツ
クの両端の位置に光学的に読み取りうるマークが
形成されたものを用い、読み取り装置において
は、光検出素子の端部の検出要素でこのマークの
読み取り光を検出するとともに、この端部の検出
要素の出力にもとづいて、光検出素子の複数の検
出要素の配列方向が光学カードのトラツクの長手
方向に沿うように、光検出素子をその一端側を支
点にして回動させるようにしたので、光学カード
や読み取り装置の機械的精度が完全でなくても光
学カードの各トラツクから情報信号を確実に読み
取ることができる。従つて、光学カードや読み取
り装置の機械的精度にそれほど留意する必要がな
く、光学カードや読み取り装置の製造コストを下
げることができる。
第１図及び第２図は光学カードの一例とそのト
ラツクを示す図、第３図及び第４図は読み取り装
置の光学系の一例を示す図、第５図はトラツクの
読み取り状態を説明するための図、第６図及び第
７図は本発明の読み取り装置で読み取られる光学
カードの一例とそのマークを示す図、第８図及び
第９図はそれぞれ本発明の読み取り装置の光検出
素子とその回動機構の一例を示す斜視図、第１０
図は光検出素子とマークの位置関係を説明するた
めの図、第１１図は本発明の読み取り装置におけ
る制御回路系の一例を示す接続図、第１２図はそ
の動作の説明のための図、第１３図〜第１５図は
それぞれ本発明の読み取り装置で読み取られる光
学カードの別の例を示す図、第１６図は光学カー
ドが第１５図の構成の場合の本発明の読み取り装
置における制御回路系の一例を示す接続図、第１
７図はその場合の光検出素子とマーク及びトラツ
クの位置関係を説明するための図、第１８図はマ
ークの別の例とこれに対応した光検出素子の構成
を示す図、第１９図及び第２０図はそれぞれマー
クの更に別の例を示す図である。 図中、１１は光学カード、Ｔはトラツク、Ｍ及
びM1，M2はマーク、２０〜２３は光検出素子、
２１ａ，２２ａ，２３ａは検出要素、２６及び２
７は回動機構を構成するバイモルフ、３１及び３
２，３３は回動機構を構成するコイル及び磁石で
ある。
ラツクを示す図、第３図及び第４図は読み取り装
置の光学系の一例を示す図、第５図はトラツクの
読み取り状態を説明するための図、第６図及び第
７図は本発明の読み取り装置で読み取られる光学
カードの一例とそのマークを示す図、第８図及び
第９図はそれぞれ本発明の読み取り装置の光検出
素子とその回動機構の一例を示す斜視図、第１０
図は光検出素子とマークの位置関係を説明するた
めの図、第１１図は本発明の読み取り装置におけ
る制御回路系の一例を示す接続図、第１２図はそ
の動作の説明のための図、第１３図〜第１５図は
それぞれ本発明の読み取り装置で読み取られる光
学カードの別の例を示す図、第１６図は光学カー
ドが第１５図の構成の場合の本発明の読み取り装
置における制御回路系の一例を示す接続図、第１
７図はその場合の光検出素子とマーク及びトラツ
クの位置関係を説明するための図、第１８図はマ
ークの別の例とこれに対応した光検出素子の構成
を示す図、第１９図及び第２０図はそれぞれマー
クの更に別の例を示す図である。 図中、１１は光学カード、Ｔはトラツク、Ｍ及
びM1，M2はマーク、２０〜２３は光検出素子、
２１ａ，２２ａ，２３ａは検出要素、２６及び２
７は回動機構を構成するバイモルフ、３１及び３
２，３３は回動機構を構成するコイル及び磁石で
ある。
Claims (1)
- １ 複数の検出要素が直線状に配列され、平行す
る複数のトラツクにそれぞれ情報信号がビツトの
配列によつて光学的に読み取りうるように記録さ
れるとともに、その最初のトラツクの手前の位置
ないし最初または各々のトラツクの両端の位置に
光学的に読み取りうるマークが形成された光学カ
ードの、上記マークの読み取り光を端部の検出要
素で検出する光検出素子と、この光検出素子の上
記端部の検出要素の出力にもとづいて、この光検
出素子の上記複数の検出要素の配列方向が上記ト
ラツクの長手方向に沿うように、この光検出素子
をその一端側を支点にして回動させる手段を有す
る、光学カードの読み取り装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58177790A JPS6069837A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 光学カ−ドの読み取り装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58177790A JPS6069837A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 光学カ−ドの読み取り装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6069837A JPS6069837A (ja) | 1985-04-20 |
| JPH0438048B2 true JPH0438048B2 (ja) | 1992-06-23 |
Family
ID=16037146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58177790A Granted JPS6069837A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 光学カ−ドの読み取り装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6069837A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3689564T2 (de) * | 1985-04-23 | 1994-07-07 | Dainippon Printing Co Ltd | Verfahren zur datenspeicherung auf optischen datenaufzeichnungskarten. |
| JPS61278043A (ja) * | 1985-06-01 | 1986-12-08 | Csk Corp | 光記録媒体のトラツキング方式 |
| JPS62125567A (ja) * | 1985-11-26 | 1987-06-06 | Csk Corp | 光記録媒体の角度変位修正方法 |
| JPS62207694A (ja) * | 1986-03-10 | 1987-09-12 | キヤノン株式会社 | 情報記録担体 |
-
1983
- 1983-09-26 JP JP58177790A patent/JPS6069837A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6069837A (ja) | 1985-04-20 |
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