JPH0438158B2 - - Google Patents
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- JPH0438158B2 JPH0438158B2 JP60019776A JP1977685A JPH0438158B2 JP H0438158 B2 JPH0438158 B2 JP H0438158B2 JP 60019776 A JP60019776 A JP 60019776A JP 1977685 A JP1977685 A JP 1977685A JP H0438158 B2 JPH0438158 B2 JP H0438158B2
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- JP
- Japan
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- layer
- conductive layer
- forming
- conductive
- polyimide resin
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は多層配線の形成方法に関する。
（従来の技術）
電子デバイスの高密度化、高集積化に伴ない、
配線基板の多層化が要求されてきている。第３図
Ａ〜Ｅは従来の多層配線基板の形成方法の一例を
説明するための工程図である（電子技術、24(4)、
p.26〜30）。
配線基板の多層化が要求されてきている。第３図
Ａ〜Ｅは従来の多層配線基板の形成方法の一例を
説明するための工程図である（電子技術、24(4)、
p.26〜30）。
この発明の説明に先立ち、この従来例につき簡
単に説明する。
単に説明する。
先ず、第３図Ａに示すように、下地層１０とし
てのセラミツク基板上に下層配線パターンの複数
の導電層１２を形成する。
てのセラミツク基板上に下層配線パターンの複数
の導電層１２を形成する。
次に、第３図Ｂに示すように、絶縁性を有する
感光性樹脂例えばポリイミド等の絶縁層１４を、
スピンコーター或いはロールコーター等の手段を
用いて、基板１０の露出表面１０ａ及び導電層１
２の露出表面１２ａ上に塗布する。
感光性樹脂例えばポリイミド等の絶縁層１４を、
スピンコーター或いはロールコーター等の手段を
用いて、基板１０の露出表面１０ａ及び導電層１
２の露出表面１２ａ上に塗布する。
続いて、この絶縁層１４を露光して現像するこ
とによりパターニングを行つて、導電層１２上の
複数箇所にスルーホール１６を形成し第３図Ｃに
示すような構造を得る。
とによりパターニングを行つて、導電層１２上の
複数箇所にスルーホール１６を形成し第３図Ｃに
示すような構造を得る。
次に、第３図Ｄに示すように、これらスルーホ
ール１６に導体ペースト１８を埋込みその表面１
８ａが絶縁層１４の表面１４ａで露出するように
する。
ール１６に導体ペースト１８を埋込みその表面１
８ａが絶縁層１４の表面１４ａで露出するように
する。
然る後、絶縁層１４の表面に、蒸着、ホトリソ
エツチング等の工程を経ることにより、上層配線
パターンの導電層２０を形成してこれら導体ペー
スト１８を選択的に結合させ、よつて第３図Ｅに
示すような多層配線構造を得る。
エツチング等の工程を経ることにより、上層配線
パターンの導電層２０を形成してこれら導体ペー
スト１８を選択的に結合させ、よつて第３図Ｅに
示すような多層配線構造を得る。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、この従来の方法では、下地層１
０上に形成した下層配線１２の凹凸が表面状態に
影響して現われ、絶縁層１４の表面が凹凸を有し
てその平面度が悪くなるという欠点があつた。
０上に形成した下層配線１２の凹凸が表面状態に
影響して現われ、絶縁層１４の表面が凹凸を有し
てその平面度が悪くなるという欠点があつた。
また、この表面の凹凸を少なくするためには下
層配線１２を薄く形成しなければならず、或いは
又、絶縁層１４を厚く形成しようとすると、ある
程度以上の厚さになるとスルーホール１６の形成
が困難となるという欠点があつた。
層配線１２を薄く形成しなければならず、或いは
又、絶縁層１４を厚く形成しようとすると、ある
程度以上の厚さになるとスルーホール１６の形成
が困難となるという欠点があつた。
この発明の目的はこのような従来方法の欠点を
除去した多層配線形成方法を提供することにあ
る。
除去した多層配線形成方法を提供することにあ
る。
（問題点を解決するための手段）
この目的の達成を図るため、この発明の第１要
旨による多層配線形成方法によれば、下地層上に
下層配線としての複数の第一導電層を形成する工
程と、 この第一導電層上の所定の複数箇所に互いに離
間してコンタクトポストとしての第二導電層を形
成する工程と、 これら下地層、第一導電層及び第二導電層のそ
れぞれの露出面上に、ポリイミド樹脂を被着して
このポリイミド樹脂を半硬化状態にする工程と、 このポリイミド樹脂の表面を押圧しながらこの
ポリイミド樹脂を硬化させて前述の第二導電層の
表面を露出させる工程と このポリイミド樹脂の表面上にこの第二導電層
の露出表面と選択的に結合する上層配線としての
複数の第三導電層を形成する工程とを 含むことを特徴とする。
旨による多層配線形成方法によれば、下地層上に
下層配線としての複数の第一導電層を形成する工
程と、 この第一導電層上の所定の複数箇所に互いに離
間してコンタクトポストとしての第二導電層を形
成する工程と、 これら下地層、第一導電層及び第二導電層のそ
れぞれの露出面上に、ポリイミド樹脂を被着して
このポリイミド樹脂を半硬化状態にする工程と、 このポリイミド樹脂の表面を押圧しながらこの
ポリイミド樹脂を硬化させて前述の第二導電層の
表面を露出させる工程と このポリイミド樹脂の表面上にこの第二導電層
の露出表面と選択的に結合する上層配線としての
複数の第三導電層を形成する工程とを 含むことを特徴とする。
また、この発明の第２要旨による多層配線形成
方法によれば、 下地層上に下層配線としての複数の第一導電層
を形成する工程と、 この第一導電層上の所定の複数箇所に互いに離
間してコンタクトポストとしての第二導電層を形
成する工程と、 これら下地層、第一導電層及び第二導電層のそ
れぞれの露出面上に、ポリイミド樹脂を被着して
このポリイミド樹脂を半硬化状態にする工程と、 半硬化状態のこのポリイミド樹脂上に上層配線
としての複数の第三導電層を形成する工程と、 このポリイミド樹脂及び前述の第三導電層の表
面を押圧しながらこのポリイミド樹脂を硬化させ
て前述の第二導電層の表面と前述の第三導電層と
を選択的に結合する工程と を含むことを特徴とする。
方法によれば、 下地層上に下層配線としての複数の第一導電層
を形成する工程と、 この第一導電層上の所定の複数箇所に互いに離
間してコンタクトポストとしての第二導電層を形
成する工程と、 これら下地層、第一導電層及び第二導電層のそ
れぞれの露出面上に、ポリイミド樹脂を被着して
このポリイミド樹脂を半硬化状態にする工程と、 半硬化状態のこのポリイミド樹脂上に上層配線
としての複数の第三導電層を形成する工程と、 このポリイミド樹脂及び前述の第三導電層の表
面を押圧しながらこのポリイミド樹脂を硬化させ
て前述の第二導電層の表面と前述の第三導電層と
を選択的に結合する工程と を含むことを特徴とする。
（作用）
また、この発明の第２の要旨による多層配線方
法によれば、下地層上に下層配線としての複数の
第一導電層を形成する工程と、 該第一導電層上の所定の複数箇所に互いに離間
してコンタクトポストとしての第二導電層を形成
する工程と、 これら下地層、第一導電層及び第二導電層のそ
れぞれの露出面上に、半硬化状態を保持できる樹
脂を被着して該樹脂を半硬化状態にする工程と、 半硬化状態の前記樹脂上に上層配線としての複
数の第三導電層を形成する工程と、 前記樹脂及び前記第三導電層の表面を押圧しな
がら前記樹脂を硬化させて 前記第二導電層の表面と前記第三導電層とを選
択的に統合する工程とを 含むことを特徴とする。
法によれば、下地層上に下層配線としての複数の
第一導電層を形成する工程と、 該第一導電層上の所定の複数箇所に互いに離間
してコンタクトポストとしての第二導電層を形成
する工程と、 これら下地層、第一導電層及び第二導電層のそ
れぞれの露出面上に、半硬化状態を保持できる樹
脂を被着して該樹脂を半硬化状態にする工程と、 半硬化状態の前記樹脂上に上層配線としての複
数の第三導電層を形成する工程と、 前記樹脂及び前記第三導電層の表面を押圧しな
がら前記樹脂を硬化させて 前記第二導電層の表面と前記第三導電層とを選
択的に統合する工程とを 含むことを特徴とする。
この多層配線形成方法によれば、絶縁層として
半硬化状態を保持出来る樹脂、この発明ではポリ
イミド樹脂を用いていので、樹脂が半硬化状態に
あつて完全に硬化する前にめつき、その他の処理
を行うことが出来る。
半硬化状態を保持出来る樹脂、この発明ではポリ
イミド樹脂を用いていので、樹脂が半硬化状態に
あつて完全に硬化する前にめつき、その他の処理
を行うことが出来る。
また、半硬化状態から樹脂を押圧及び加熱して
硬化させながらその表面を平担化して凹凸をなく
すことが出来るので、下層配線の厚みに拘らず所
望の厚みでかつ凹凸のない絶縁層を形成すること
が出来る。従つて、樹脂の塗布に際して、何等表
面平滑度が要求されないので、大面積の多層配線
の形成が簡単かつ容易となる。
硬化させながらその表面を平担化して凹凸をなく
すことが出来るので、下層配線の厚みに拘らず所
望の厚みでかつ凹凸のない絶縁層を形成すること
が出来る。従つて、樹脂の塗布に際して、何等表
面平滑度が要求されないので、大面積の多層配線
の形成が簡単かつ容易となる。
さらに、第二導電層は従来のスルーホールと同
等な機能を有するコンタクトポストとして作用す
るので、上層配線を形成したとき、設計に応じて
所望の下層配線との電気的な選択結合を容易に得
ることが出来る。
等な機能を有するコンタクトポストとして作用す
るので、上層配線を形成したとき、設計に応じて
所望の下層配線との電気的な選択結合を容易に得
ることが出来る。
（実施例）
以下、この発明の実施例を説明する。
第１図はこの発明の多層配線形成方法の一実施
例を説明するための工程図であり、各図は主要工
程段階で得られた構造の要部を概略的に示す断面
図である。尚、この図はこの発明が理解出来る程
度に概略的に示してあるにすぎないため、寸法、
形状及び配置関係は図示例に限定されるものでは
なく、設計に応じて設定することが出来る。
例を説明するための工程図であり、各図は主要工
程段階で得られた構造の要部を概略的に示す断面
図である。尚、この図はこの発明が理解出来る程
度に概略的に示してあるにすぎないため、寸法、
形状及び配置関係は図示例に限定されるものでは
なく、設計に応じて設定することが出来る。
先ず、第１図Ａに示すように、下地層１０とし
てのセラミツク基板上に第一導電層１２を下層配
線パターンで形成する。この第一導電層１２は、
例えば、銅の無電解めつき又は電解めつきにより
１mm当り３本のピツチでかつ厚みを15μｍとして
被着する。この被着により下層配線としての銅の
配線パターンが得られる。
てのセラミツク基板上に第一導電層１２を下層配
線パターンで形成する。この第一導電層１２は、
例えば、銅の無電解めつき又は電解めつきにより
１mm当り３本のピツチでかつ厚みを15μｍとして
被着する。この被着により下層配線としての銅の
配線パターンが得られる。
次に、この下地層１０の露出表面１０ａ及び第
一導電層１２の表面１２ａ上に通常のホトリソ技
術を用いてホトレジストパターン２２を形成して
第１図Ｂに示すような構造を得る。
一導電層１２の表面１２ａ上に通常のホトリソ技
術を用いてホトレジストパターン２２を形成して
第１図Ｂに示すような構造を得る。
次に、ホトレジスト２２の穴２３を介して露出
した第一導電層１２の露出表面１２ａ上に、第一
導電層と同一又は異なる材料を用いて電解めつき
を行つて複数の第二導電層２４を被着する。この
実施例では銅を用いる。然る後、このホトレジス
ト２２を剥離して、第１図Ｃに示すような構造を
得る。この第二導電層２４の下地層１０の表面１
０ａに平行な面内での寸法を一例として0.167μｍ
×0.167μｍとし、高さを約20μｍ程度とする。こ
の第二導電層２４はコンタクトポスト（突起状電
極）として作用する。
した第一導電層１２の露出表面１２ａ上に、第一
導電層と同一又は異なる材料を用いて電解めつき
を行つて複数の第二導電層２４を被着する。この
実施例では銅を用いる。然る後、このホトレジス
ト２２を剥離して、第１図Ｃに示すような構造を
得る。この第二導電層２４の下地層１０の表面１
０ａに平行な面内での寸法を一例として0.167μｍ
×0.167μｍとし、高さを約20μｍ程度とする。こ
の第二導電層２４はコンタクトポスト（突起状電
極）として作用する。
次に、この第二導電層２４が形成された第一導
電層１２の表面１２ａ及び下地層１０の露出面１
０ａの全面に、半硬化状態を保持出来る絶縁性の
樹脂としてポリイミド樹脂２６を塗布し、続い
て、80℃の温度で約30分間ベーキングを行つて溶
剤を蒸発させ、半硬化状態（Ｂステージ）のポリ
イミド樹脂２６を絶縁層として形成し、第１図Ｄ
に示すような構造を得る。このような樹脂として
例えばセミコフアインSP−810（東レ社製の商品
名）があるが、これらに限定されるものではな
く、半硬化状態を保持出来しかる後完全硬化させ
ることが出来る絶縁性のポリイミド樹脂ならば種
類を問わない。
電層１２の表面１２ａ及び下地層１０の露出面１
０ａの全面に、半硬化状態を保持出来る絶縁性の
樹脂としてポリイミド樹脂２６を塗布し、続い
て、80℃の温度で約30分間ベーキングを行つて溶
剤を蒸発させ、半硬化状態（Ｂステージ）のポリ
イミド樹脂２６を絶縁層として形成し、第１図Ｄ
に示すような構造を得る。このような樹脂として
例えばセミコフアインSP−810（東レ社製の商品
名）があるが、これらに限定されるものではな
く、半硬化状態を保持出来しかる後完全硬化させ
ることが出来る絶縁性のポリイミド樹脂ならば種
類を問わない。
続いて、この半硬化状態のポリイミド樹脂（絶
縁層）２６の表面から下地層１０の方向に例えば
180Kg／cm2程度の圧力で押圧しながら、先ず200℃
の温度で、１時間にわたり加熱し、次に300℃の
温度で１時間加熱することにより硬化させて第１
図Ｅに示すような構造を得る。
縁層）２６の表面から下地層１０の方向に例えば
180Kg／cm2程度の圧力で押圧しながら、先ず200℃
の温度で、１時間にわたり加熱し、次に300℃の
温度で１時間加熱することにより硬化させて第１
図Ｅに示すような構造を得る。
次に、上述した押圧によつてコンタクトポスト
の表面が充分露出する点およびコンタクトポスト
と第三導電層とが充分に接続される点につき簡単
に説明する。
の表面が充分露出する点およびコンタクトポスト
と第三導電層とが充分に接続される点につき簡単
に説明する。
押圧の際、基板の表面は離型フイルム（一般に
はテフロンシートを使用する）を敷いて定盤で押
圧する。押圧によりコンタクトポスト上の樹脂は
排除され、コンタクトポストが表面に露出する。
離型フイルムを用いて押圧するのは、定盤と樹脂
が接着するのを防ぐためである。この工程により
コンタクトポストは完全に露出する。しかし極め
て薄い樹脂層が残る場合を想定し、樹脂をソフト
エツチングすることが望ましい。このエツチング
によりポスト上の樹脂残差を取り除き第３の導体
層との接続を完壁なものとすることができる。こ
の実施例では、樹脂としてポリイミドを用いてい
るので、ヒドラジン溶液に２〜３分、又は20％の
NaOH溶液に５分〜10分の侵漬が適当である。
その結果、絶縁層２６の表面２６ａが完全に平担
化されると共に、この絶縁層２６中に第二導電層
からなるコンタクトポスト２４が形成され、その
表面２４ａが絶縁層２６の表面２６ａに露出した
構造となる。
はテフロンシートを使用する）を敷いて定盤で押
圧する。押圧によりコンタクトポスト上の樹脂は
排除され、コンタクトポストが表面に露出する。
離型フイルムを用いて押圧するのは、定盤と樹脂
が接着するのを防ぐためである。この工程により
コンタクトポストは完全に露出する。しかし極め
て薄い樹脂層が残る場合を想定し、樹脂をソフト
エツチングすることが望ましい。このエツチング
によりポスト上の樹脂残差を取り除き第３の導体
層との接続を完壁なものとすることができる。こ
の実施例では、樹脂としてポリイミドを用いてい
るので、ヒドラジン溶液に２〜３分、又は20％の
NaOH溶液に５分〜10分の侵漬が適当である。
その結果、絶縁層２６の表面２６ａが完全に平担
化されると共に、この絶縁層２６中に第二導電層
からなるコンタクトポスト２４が形成され、その
表面２４ａが絶縁層２６の表面２６ａに露出した
構造となる。
次に、この絶縁層２６の表面２６ａ上の所定の
箇所に、露出したコンタクトポスト２４の表面２
４ａを電気的に選択結合する第三導電層２８を蒸
着して設け、これを上層配線とする。この第三導
電層２８を例えばNi−Cu及びAuの二層からなる
金属層とすることが出来る。このよにして得られ
た構造を第１図Ｆに示す。
箇所に、露出したコンタクトポスト２４の表面２
４ａを電気的に選択結合する第三導電層２８を蒸
着して設け、これを上層配線とする。この第三導
電層２８を例えばNi−Cu及びAuの二層からなる
金属層とすることが出来る。このよにして得られ
た構造を第１図Ｆに示す。
第２図はこの発明の他の実施例を示す工程図で
ある。
ある。
上述した実施例では、ポリイミド樹脂層すなわ
ち絶縁層２６を押圧しながら完全に硬化させた後
に第三導電層２８を蒸着したが、この実施例では
半硬化状態の樹脂層２６上に第三導電層２８を蒸
着した後に、この樹脂層２６及び電極層２８に対
して押圧して硬化させる工程を取る。
ち絶縁層２６を押圧しながら完全に硬化させた後
に第三導電層２８を蒸着したが、この実施例では
半硬化状態の樹脂層２６上に第三導電層２８を蒸
着した後に、この樹脂層２６及び電極層２８に対
して押圧して硬化させる工程を取る。
すなわち、第１図Ｄに対応する第２図Ａに示す
ような樹脂層２６が半硬化状態で、第２図Ｂに示
すように、この樹脂層２６上に前述と同様な方法
で上層配線となる第三電極層２８を設ける。
ような樹脂層２６が半硬化状態で、第２図Ｂに示
すように、この樹脂層２６上に前述と同様な方法
で上層配線となる第三電極層２８を設ける。
次に、これを例えば220Kg／cm2程度の圧力で押
圧しながら、先ず200℃の温度で１時間にわたり、
次いで300℃の温度で１時間にわたり加熱するこ
とにより、第２図Ｃに示すような多層配線構造を
得る。このようにして得られた構造は当然ながら
第１図Ｆに示した表面が平面化された構造と同一
の構造となる。
圧しながら、先ず200℃の温度で１時間にわたり、
次いで300℃の温度で１時間にわたり加熱するこ
とにより、第２図Ｃに示すような多層配線構造を
得る。このようにして得られた構造は当然ながら
第１図Ｆに示した表面が平面化された構造と同一
の構造となる。
このように、この実施例によれば、１回の押圧
だけで第３導電層をコンタクトポストと結合させ
ることができると同時に第３導電層およびポリイ
ミド樹脂層の表面を一平面として平坦化すること
ができる。また、この実施例では、ポリイミド樹
脂層にコンタクトホールを設けて第三導電層とコ
ンタクトポストとを予め接続させることは不要で
あるので、コンタクトホールを設ける作業が不要
となる。また、押圧は１回だけであるので、下側
の各層の破損や、導電層同士の短絡の生じる恐れ
もない。
だけで第３導電層をコンタクトポストと結合させ
ることができると同時に第３導電層およびポリイ
ミド樹脂層の表面を一平面として平坦化すること
ができる。また、この実施例では、ポリイミド樹
脂層にコンタクトホールを設けて第三導電層とコ
ンタクトポストとを予め接続させることは不要で
あるので、コンタクトホールを設ける作業が不要
となる。また、押圧は１回だけであるので、下側
の各層の破損や、導電層同士の短絡の生じる恐れ
もない。
この発明は上述した実施例にのみ限定されもの
ではなく、多くの変形または変更を行うことが出
来る。例えば、絶縁層２６の材料をポリイミド樹
脂とすること以外は、ここに用いる各構成成分の
材料は一例にすぎず設計に応じた他の好適材料を
使用することが出来る。
ではなく、多くの変形または変更を行うことが出
来る。例えば、絶縁層２６の材料をポリイミド樹
脂とすること以外は、ここに用いる各構成成分の
材料は一例にすぎず設計に応じた他の好適材料を
使用することが出来る。
例えば、第一、第二及び第三導電層の材料は全
部同一材料を用いても良いし、異なる材料を用い
ても良い。
部同一材料を用いても良いし、異なる材料を用い
ても良い。
（発明の効果）
上述した説明からも明らかなように、この発明
による多層配線形成方法によれば、Ｂステージ状
態を有するポリイミド樹脂の１回の流し込み工程
を用いて絶縁層を形成するので、ポリイミド樹脂
のＢステージ化後、完全硬化前に、めつき、その
他の処理を行うことが出来また製造コストも低減
出来る。
による多層配線形成方法によれば、Ｂステージ状
態を有するポリイミド樹脂の１回の流し込み工程
を用いて絶縁層を形成するので、ポリイミド樹脂
のＢステージ化後、完全硬化前に、めつき、その
他の処理を行うことが出来また製造コストも低減
出来る。
また、この発明の最大の特徴は、半硬化状態の
樹脂に対する押圧（プレス）により平坦化と接続
導体の露出を同時に行うことにある。従つて、半
硬化状態から樹脂を押圧してコンタクトポスト上
の樹脂を排除しコンタクトポスト表面を露出させ
ると共に、加熱して硬化させながらその表面を平
担化して凹凸をなくすことが出来るので、多層配
線の厚みに拘らずに、凹凸の無くて表面平担度が
良くしかも絶縁層中にコンタクトポストが形成さ
れた多層配線が得られる。
樹脂に対する押圧（プレス）により平坦化と接続
導体の露出を同時に行うことにある。従つて、半
硬化状態から樹脂を押圧してコンタクトポスト上
の樹脂を排除しコンタクトポスト表面を露出させ
ると共に、加熱して硬化させながらその表面を平
担化して凹凸をなくすことが出来るので、多層配
線の厚みに拘らずに、凹凸の無くて表面平担度が
良くしかも絶縁層中にコンタクトポストが形成さ
れた多層配線が得られる。
従つて、当然ながら表面の研磨工程も全く必要
としない。
としない。
また、この発明によれば、絶縁層にする樹脂の
の塗布の際の表面平滑度が要求されないため、多
層配線の形成が簡単かつ容易となる。
の塗布の際の表面平滑度が要求されないため、多
層配線の形成が簡単かつ容易となる。
この発明の方法は下地層を基板以外の他の層例
えば絶縁層とすることが出来るので、二層のみな
らず、三層以上の多層配線にも適用することが出
来る。
えば絶縁層とすることが出来るので、二層のみな
らず、三層以上の多層配線にも適用することが出
来る。
第１図Ａ〜Ｆはこの発明の多層配線形成方法の
第一実施例の説明に供する工程図、第２図Ａ〜Ｃ
はこの発明の多層配線形成方法の第二実施例の説
明に供する工程図、第３図Ａ〜Ｅは従来の多層配
線形成方法の説明に供する工程図である。 １０……下地層、１０ａ……下地層の露出表
面、１２……第一導電層（又は下層配線）、１２
ａ……第一導電層の表面、２２……ホトレジス
ト、２３……ホトレジストの穴、２４……第二導
電層（又はコンタクトポスト）、２４ａ……第二
導電層の表面、２６……絶縁層（ポリイミド樹脂
層）、２６ａ……絶縁層の表面、２８……第三導
電層（又は上層配線）。
第一実施例の説明に供する工程図、第２図Ａ〜Ｃ
はこの発明の多層配線形成方法の第二実施例の説
明に供する工程図、第３図Ａ〜Ｅは従来の多層配
線形成方法の説明に供する工程図である。 １０……下地層、１０ａ……下地層の露出表
面、１２……第一導電層（又は下層配線）、１２
ａ……第一導電層の表面、２２……ホトレジス
ト、２３……ホトレジストの穴、２４……第二導
電層（又はコンタクトポスト）、２４ａ……第二
導電層の表面、２６……絶縁層（ポリイミド樹脂
層）、２６ａ……絶縁層の表面、２８……第三導
電層（又は上層配線）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 下地層上に下層配線としての複数の第一導電
層を形成する工程と、 該第一導電層上の所定の複数箇所に互いに離間
してコンタクトポストとしての第二導電層を形成
する工程と、 これら下地層、第一導電層及び第二導電層のそ
れぞれの露出面上に、ポリイミド樹脂を被着して
該ポリイミド樹脂を半硬化状態にする工程と、 該ポリイミド樹脂の表面を押圧しながら該ポリ
イミド樹脂を硬化させて前記第二導電層の表面を
露出させる工程と、 該ポリイミド樹脂の表面上に該第二導電層の露
出表面と選択的に結合する上層配線としての複数
の第三導電層を形成する工程とを 含むことを特徴とする多層配線形成方法。 ２ 下地層上に下層配線としての複数の第一導電
層を形成する工程と、 該第一導電層上の所定の複数箇所に互いに離間
してコンタクトポストとしての第二導電層を形成
する工程と、 これら下地層、第一導電層及び第二導電層のそ
れぞれの露出面上に、ポリイミド樹脂を被着して
該ポリイミド樹脂を半硬化状態にする工程と、 半硬化状態の前記ポリイミド樹脂上に上層配線
としての複数の第三導電層を形成する工程と、 前記ポリイミド樹脂及び前記第三導電層の表面
を押圧しながら前記ポリイミド樹脂を硬化させて
前記第二導電層の表面と前記第三導電層とを選択
的に結合する工程と を含むことを特徴とする多層配線形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1977685A JPS61179598A (ja) | 1985-02-04 | 1985-02-04 | 多層配線形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1977685A JPS61179598A (ja) | 1985-02-04 | 1985-02-04 | 多層配線形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61179598A JPS61179598A (ja) | 1986-08-12 |
| JPH0438158B2 true JPH0438158B2 (ja) | 1992-06-23 |
Family
ID=12008729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1977685A Granted JPS61179598A (ja) | 1985-02-04 | 1985-02-04 | 多層配線形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61179598A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63244795A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-12 | 松下電器産業株式会社 | 配線基板 |
| JPH0638551B2 (ja) * | 1989-02-20 | 1994-05-18 | 松下電工株式会社 | 多層配線板の製造方法 |
| JPH0710030B2 (ja) * | 1990-05-18 | 1995-02-01 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 多層配線基板の製造方法 |
| JP5842686B2 (ja) * | 2012-03-13 | 2016-01-13 | 住友金属鉱山株式会社 | 立体的回路基板の製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS557957B2 (ja) * | 1972-08-04 | 1980-02-29 | ||
| CA1022356A (en) * | 1973-02-28 | 1977-12-13 | Du Pont Of Canada Limited | Process for the continuous melt thermoforming of polymers |
| JPS5064767A (ja) * | 1973-10-12 | 1975-06-02 |
-
1985
- 1985-02-04 JP JP1977685A patent/JPS61179598A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61179598A (ja) | 1986-08-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |