JPH0438486A - 磁気抵抗センサーとその製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野１ 本発明は、磁気式エンコーダーあるいはＶＴＲ等に使用
される強磁性薄膜からなるＭＲ（磁気抵抗）センサーお
よびその製造法に関する。

［従来の技術１ 近年、磁気式エンコーダーあるいはＶＴＲ用のキャプス
タンモーターを精密に制御する目的で強磁性薄膜からな
るＭＲセンサーが使用されており、モーターの精密制御
にはこのセンサーが必要不可欠となってきている。

第１２図には、このＭＲセンサーを使用したＶＴＲキャ
ブスクンモーターの一例の断面図を示した。

この例の場合、図面上の符号１５はローターヨーク、符
号１６はロータマグネット、符号１３°は微小なピッチ
でＮ極、Ｓ極が交互に看峰されているＦＧマグネットを
それぞれ示し、これらは回転子部分を構成している。

また符号１７はモーター駆動用のステータコイル、１８
はケースを示している。符号１４は樹脂製のホルダー１
４Ｈに固定されたＭＲセンサーであり、その磁気検知部
位がＦＧマグネット１３°に対向するように配置する。

モーターの回転制御は、ＭＲセンサーの出力信号を利用
してなされる。１４ＭはＭＲセンサーのリードボンディ
ング部を樹脂で補強したモールド部であり、符号７はＭ
Ｒセンサーと回路基板１９とを電気的に接続するための
リード部を示している。

ＦＧマグネットは通常微細なピッチで着磁されており、
その磁界強度も小さい。そのため、モーターの回転制御
をするのに必要な出力信号を得るためには、ＭＲセンサ
ー１４の磁気検知部とＦＧマグネット１３°とのギャッ
プを適正に、すなわち８０〜１２０μｍ程度に保つ必要
がある。そのギャップが大きすぎると磁界強度が弱まる
ため、所要の出力が得られなくなる。一方モールドによ
る端子部の補強は、少なくとも３００μｍ程度の厚みが
必要である。したがって、第１３図のごとく、ＭＲセン
サーの磁気検知部１４Ｓをモールド部位１４Ｍと共にＦ
Ｇマグネット１３に対向させたとしても所望の出力は得
られないので、通常は第１４図のように、モールド部１
４ＭをＦＧマグネット１３から避けて、磁気検知部位１
４ＳとＦＧマグネットとが適正なギャップを保つことの
できるように、ＭＲセンサーを配置する。

第１５図（Ａ）には、樹脂製のホルダーに装着する前の
従来のＭＲセンサーの正面図を、同図（Ｂ）にはその断
面図を示した。図中１はガラス基板、１４ｓはＭＲセン
サー１４の磁気検知部、１４Ｗは配線部、１４Ｔは端子
部、１４３Ｂはハンダによるボンディング部をそれぞれ
示し、１４Ｍはボンディング部のモールド補強部を、７
はリードを示している。また、１４Ｐは無機材料からな
る保護膜を示している。ハンダでのボンディングは自動
化を図りにくく、そのため、自動化の容易なワイヤーボ
ンディング法と比較して、ボンディング工程の合理化が
図りにくい。また必要とするポンディングパッドの面積
が大きいため、素子の小型化が図り難い。

また、ボンディング部を露出させた状態では電気的なシ
ョートが発生しやすかったり、接続部からリードが剥離
したりするため、そういう不具合をなくす目的でボンデ
ィング部をモールド補強する。ハンダボンディングの場
合、その融点が低いためモールド補強する際に、耐熱性
が高く、モールド時の形状安定性が優れ、さらにモール
ドコストの安価なトランスファーモールド法を適用する
ことができない。そのためボンディング部の補強は、エ
ポキシ等の樹脂を塗布またはボッティングすることによ
り行っていた。このボッティングによるモールドは、形
状の安定性および再現性が悪い。すなわち、この方法で
はモールド樹脂の硬化時に、端子部より上面、つまりセ
ンサ一部方向に樹脂が流れる等の問題も生ずる。そのた
め従来は、センサ一部下端とモールド部上端とのスペー
スは、そのマージンを見込んで大きくとる必要があった
。そのため、センサーペレットを含め、ＭＲセンサーを
小さくすることができなかった。

従って、ハンダボンディングをベースにした素子の組立
は、ボンディングやモールドの自動化、形状安定性およ
び素子の小型化という点で大きな問題があった。また、
さらにハンダによる接続では「ハンダ耐熱試験」等の高
温熱負荷試験での信頼性が悪いという問題もあった。ま
た、回路基板へ取り付ける際も、基板およびその周囲の
雰囲気全体を２００℃以上に加熱する「リフロー工程」
には耐えることができない。従って、「リフロー工程」
導入による゛回路基板組立合理化°を図ることができな
いという問題もあった。

第１５図には、ペレット上の端子部とリードとの接続が
ワイヤーでなされている他の従来素子の断面構造を示す
。

この素子は、平坦な基板１°上に磁気検知部２°。

配線部３゛および端子電極４°を有するペレットの磁気
検知部上に保護膜５０を形成し、ペレットとり−ド７と
をワイヤー６°で接続し、さらに磁気検知部上を一定の
厚みで樹脂が覆うように、熱硬化性樹脂９”でモールド
したものである。通常、このモールドはトランスファー
成形により自動的におこなわれる。従って組立も先の例
と比較すると、省力化されており、組立コストを低（押
えることができる。また、このようなワイヤーボンディ
ング構造をとることにより、「ハンダ耐熱試験」等の高
温熱負荷テストでの信頼性を高くすることができる。

しかし、このような構造ではトランスファーモールドを
行った際に、磁気検知部表面上を覆う樹脂の厚さを一定
厚みに制御することは非常に困難である。なぜなら、Ｍ
Ｒセンサーを製作する際、ペレットはシリコンやガラス
等のウェハー上で同時に多数個形成されるが、そのウェ
ハーは通常、同一ウニバー内での厚み公差は少ないもの
の、ウェハー間で絶対値４０〜１００μｍ程度の公差を
有している。すなわちそれを個々に分離したペレットに
おいても、同一ペレット内での厚みばらつきは少ないと
しても、ペレット間での厚みのばらつきは同程度となる
。そのため、ワイヤーボンディングを終えたペレット付
きのリードを、トランスファーモールド用の金型にセッ
トした際、ペレット上面、すなわちペレットのモールド
される面と金型とのギャップを常に一定にすることがで
きない。従って、磁気検知部表面上を覆う樹脂の厚さを
一定厚みにすることができなくなる。

そのため、先にも述べたように、このような素子は例え
ば第１１図あるいは第１３図に示した状態で使用される
が、磁気検知部上面を覆っているモールド樹脂厚が一定
でないので、磁気検知部と磁気信号源とのギャップを適
正に保つことが難しいという問題があった。従って、安
定して必要な出力を得ることができなかった。

また、前記のような不具合をなくす目的で、ウェハーを
選別あるいは研磨することにより、ペレットの厚みのば
らつきを少なくすることも可能ではある。しかし、そう
したとしても、厚みのばらつきを完全にな（すことは不
可能である。実際には、絶対値で４０μｍ程度が限界で
あるので、磁気検知部と磁気信号源とのギャップのばら
つきは組付は精度を考慮するとさらに大きくなり、出力
も安定しない。また、ウェハーを選別あるいは研磨する
とコストも非常に高いという問題もある。

［発明が解決しようとする課題１ 本発明の目的は、以上説明したような従来の問題点を解
消し、磁気検知部が露出した、耐熱性の高いＭＲセンサ
ーを提供することにある。

また、ペレットの厚みのばらつきを吸収し、容易に安定
して磁気検知部を露出させることができ、前記ＭＲセン
サーを効率よく組立のできる、量産性の優れたＭＲセン
サーの製造法を提供することにある。

［課題を解決するための手段１ このような目的を達成するために本発明によるＭＲセン
サーは、強磁性薄膜からなる磁気検知部がモールド樹脂
によって覆われていない樹脂成形モールド型磁気抵抗セ
ンサーにおいて、表面に磁気検知部および端子電極部を
有する素子ペレットが、その背面の少な（とも一部にお
いて、リードアイランドの一方の面上に接着されており
、前記端子電極とリードとの接続がワイヤーによりなさ
れ、かつ前記リードアイランドの他方の面に弾性を有す
る樹脂薄層が形成されていることを特徴とする。

ここで、樹脂薄層の厚さは５０μｍ以上、かつ３００μ
ｍ以下が良い。

本発明製造方法は、ＭＲセンサーペレットを該ペレット
の背面の少な（とも一部においてリードアイランド上に
接着する工程、前記ペレットとリードとの電気的接続を
ワイヤーボンディングにより行う工程、前記リードアイ
ランドの裏面の少なくとも一部に弾性を有する樹脂を塗
布または接着する工程、前記ペレットの磁気検知部形成
面が止金型に密着するように、下金型に設けられたピン
により前記樹脂の表面を押圧して前記ペレットを上金型
に押しあてる工程、および前記金型内に樹脂を注入し樹
脂成形モールドする工程を含むことを特徴とする。

ここで、ペレット上面が押し当てられる金型面の表面粗
さが１μｍ以下であると良い。

［作　用］ 本発明においては、磁気検知部がモールド樹脂で覆われ
ることなく露出しているので、磁気信号源に対して適正
なギャップでＭＲセンサーを配置させることが、容易に
しかも安定して行える。

さらに、本発明によるＭＲセンサーはワイヤーボンディ
ング、樹脂成形モールドという自動化対応のプロセスに
て製造が行えるので、耐熱性の高いＭＲセンサーを低コ
ストで再現性よ（製作することができる。特にリードア
イランドの裏面に弾性を有する樹脂が形成されているの
で、モールド工程の制御性がよい。

［実施例１ 以下、図面を参照して本発明を説明する。

第１図には、本発明ＭＲセンサーの例として、ガラス基
板を用いたＭＲセンサーの構造例を示した。

第１図（Ａ）は正面図、（Ｂ）は断面図である。図中１
はガラス基板、２は強磁性薄膜、２ｓは強磁性薄膜から
なる磁気検知部、３は導電材料からなる配線部、４は端
子電極、５は無機系の材料からなる保護膜をそれぞれ示
している。また、ガラス基板からなるＭＲセンサーペレ
ットが接着固定されているリードアイランドの反対面に
は、弾性を有する樹脂８が接着してあり、磁気検知部２
Ｓ上には、樹脂が覆っていない構造となっている。また
、熱硬化性モールド樹脂９は、ペレット上の端子部、ワ
イヤー６およびリード部７をモールド補強している。

つぎに、この本発明ＭＲセンサーの製造法について述べ
る。まず、第２図（Ａ）に正面図を、ＦＢ）に断面図を
示すように、所要のウェハプロセスを経たペレット１０
１　、すなわち磁気検知部２Ｓ、無機保護膜５、端子電
極４が形成されたペレットをリードアイランド７Ｉ上に
接着する。接着剤としては特に限定はないが、Ａｇペー
スト等が一般的に用いられる。なおすべての図において
、この接着層の記載は省略しである。つぎに第３図（Ａ
）に正面図を、（Ｂ）に断面図を示すようにワイヤー６
によりＭＲセンサーペレットとリードとの電気的接続を
行う。ついで、第４図（Ａ）に正面図を、（Ｂ）に断面
図を示すようにペレットを接着しであるアイランドの反
対面に弾性を有する樹脂８を接着する。つぎに、そのペ
レット付きリードを金型にセットする。その際に磁気検
知部形成面と上金型の一部とが、密着するように第４図
の樹脂部分８を下金型に設けられたピンにて押えるよう
にする。ついで、樹脂成形モールドすることにより、第
１図のＭＲセンサーが完成する。なお、樹脂８は接着で
な（塗布によっても形成することができる。

このように本発明では、リードアイランドの一部に接着
または塗布された弾性を有する樹脂Ｎ８を介して、磁気
検知部を上金型に押し当てるので、磁気検知部形成面を
損傷させることなくモールドすることができる。さらに
、樹脂層８の弾性を利用することにより、ペレットの厚
み公差を吸収し、安定してペレット上の磁気検知部を上
金型に押し当てることができる。例えば、ペレットの厚
みのばらつきが絶対値で５０μｍあったとしても、リー
ドアイランドに接着された樹脂層８を５０μｍ以上押し
つぶすように金型を設計しておけば、常に磁気検知部形
成面を上金型に押し当てることができる。実用上は、ウ
ェハーの厚み公差は一般に、絶対値で５０μｍ以上のも
のが多い。従って、樹脂層８の厚みも５０μｍ以上が好
ましい。また、その厚みの上限としては、リードアイラ
ンド背面のモールド厚みを考慮すると、３００μｍ以下
が好ましいといえる。樹脂層８の材料としては、弾性を
有したものならばなんでもよいが、モールド時の金型温
度が高いので、耐熱性の高い材料が好ましい。そういう
点で、シリコン系の樹脂は好ましいものである。また、
変性アクリレート系の樹脂でも問題はない。

またさらには、シリコン系の樹脂等を塗布するのと同等
の効果を得るために、弾性を有するラバー等を接着剤を
介して接着することも等しく用いることができる。

なお磁気検知部形成面を上金型に押し当てたさいに、磁
気検知部面が破損したりしないように、無機系の材料か
らなる保護膜５の上に、さらに有機系の材料、すなわち
ポリイミドあるいはソルダーレジスト等の樹脂をさらに
塗布することもある。

トランスファーモールド用の樹脂は、非常に流れがよ（
、わずかな隙間でも樹脂が入り込んでいく。従ってモー
ルド時に、ペレット上の磁気検知部形成面を上金型に押
し当てても、上金型のその部位に凹凸があればモールド
樹脂が流れ込み、ペレットの表面に付着してしまう。実
用上は、ペレット表面にｌＯμｍ程度樹脂が付着しても
、支障はないが、表面に樹脂がないほうが、さらに好ま
しい。第１表には、上金型表面粗さとモールド後ペレッ
ト表面へ流れ込んだ樹脂厚を示している。

表面粗さが、１μｍ以下になると樹脂の流れ込みがなく
なるので、上金型の表面粗さはＩｕｍ以下であることが
好ましい。

第１表 また、モールド用の樹脂としてはトランスファーモール
ド時に使用されるエポキシ系を代表とする熱硬化性樹脂
と同等に熱可塑性樹脂も用いることができる。ただし、
ハンダ耐熱に関しては、樹脂が熱可塑性であるので、ト
ランスファーモールドで使用される熱硬化性樹脂と比較
すると不利ではあるが、ＰＰＳ、　ＰＢＴ等の耐熱性の
高い樹脂を用いれば問題はない。

またさらに、トランスファーモールド等の金型によるモ
ールド後、第５図に示すようにペレットの接着されてい
るリードアイランドの反対面側に樹脂９°を塗布モール
ドしても、なんら支障はない。樹脂９°を塗布モールド
することにより、ＭＲセンサーの裏面をフラットにする
ことができ、またその部位からの水分浸入等を防止する
ことができ、信頼性が向上する。樹脂９°の材料として
は、特に限定はないが、耐湿性等の信頼性が高いエポキ
シ系の樹脂やシリコン系、ポリイミド等の材料が好まし
い。

本発明に適用しうるペレット構造としては、これまで述
べてきた構造以外のものもある。第６図はそのようなペ
レット構造の例を示し、図（Ａ）は正面図、図（Ｂ）は
断面図である。第６図に示したペレットは段差のあるセ
ラミックｌ゛の上面にガラス層９をグレーズしたもので
ある。また、このグレーズ層は基板全体に形成されてい
たとしてもなんら支障はない。

第７図（Ａ）、（Ｂ）は本発明の適用しつるペレット構
造の他の例を示したものである。この例では磁気検知部
形成部位にのみ、フラットなセラミック基板１”上にガ
ラスグレーズ層を設けている。素子磁気特性を最大限に
引き８すためには磁気検知部形成部位の表面はフラット
な方が望ましいので、セラミック上に直接磁気検知部を
形成するよりも、第６図あるいは第７図のように、磁気
検知部の形成部位にガラスグレーズ膜があるほうが、好
ましい。

また、このような段差を有する基板は、セラミック以外
にも、ガラスを機械加工したりＳｉウェハーをエツチン
グ加工したりすることによっても製作することが可能で
あり、それらの基板も本発明に用いることができる。

Ｋ凰■ユ 本発明の第１の実施例として、第５図に示した断面構造
を有するＭＲセンサーについて説明する。

まず、本ＭＲセンサーの製作手順について、第５図を参
照しながら、以下に述べる。ガラス基板１に、強磁性体
からなる磁気検知部２および配線部３を形成した。つい
で端子部４を形成した。次に、Ｓｉｎｇからなる保護膜
５を所要の形状に付着形成し、さらにその上にソルダー
レジスト５°を所要形状に塗布、硬化させた。ここまで
の工程は、ウェハー状態で行われるので、実際には多数
のＭＲセンサーペレットが、同一ウニバー上に同時に形
成されている。ついで、そのウェハーをグイシングする
ことにより、ペレット上に個々に分離した。

次に、そのペレットをリードアイランドにグイボンディ
ングすることにより、接着固定した。ついで、ワイヤー
６でペレットの端子部とリードとを接続し、そのつぎに
、シリコン系の樹脂８をリードアイランドの反対面に塗
布した。ついで、モールドをするために、ペレット付き
のリードフレームを金型にセットした。その際、金型構
造は、下金型にある固定ピンにてシリコン系樹脂８を介
し、磁気検知部が上金型に押し当てられる構造となって
いる。金型セット後、エポキシ系の熱硬化性樹脂９の注
入、すなわちトランスファーモールドを行い、ついで固
定ピンのくぼみのあった部位にエポキシ樹脂９°をボッ
ティングし、ＭＲセンサーの裏面をフラットにした。こ
のようにして、第１の実施例を製作した。

第２表には、従来のハンダボディングによるＭＲセンサ
ーと本実施例とのハンダリフロー試験での特性変動の値
を比較して示した。本実施例のセンサーは、従来例に比
べ特性変動が非常に小さい。

第２表 ＊ハンダリフロー試験結果 （条件２６０℃雰囲気、６０ＳＥＣ） 実１１性ス 第８図に本発明の他の実施例の断面を示す。本実施例は
実施例１におけるシリコン系樹脂８の塗布にかえ、シリ
コンゴム８°をエポキシ系樹脂８”で接着したものであ
る。他の製造工程は実施例１と同様である。下金型のピ
ンでシリコンゴム８゛を押えて上金型に押し当て、モー
ルド樹脂を注入することによって、センサー面がモール
ドされていない素子が作製される。

去１１硼旦 第９図には、第６図に示されているようなペレットを用
いて製作されたＭＲセンサーの断面構造を載せた。製造
法は、実施例１と同様である。このペレットは、磁気検
知部と端子部との間に段差がある。そのため、第９図の
ごとく、磁気検知部形成面とモールド面がほぼ同一面に
なるようにモールドすることができる。このような断面
構造を持つ素子は、第１Ｏ図に示されているごとく、磁
気信号源（ＦＧマグネット）１３に対向させた場合に有
利な構造であるといえる。すなわち磁気信号源と磁気検
知部形成面とのギャップを任意に設定することができる
からである。

夫里Ｕ 第１１図には、第７図に示されているようなペレットの
磁気検知部形成面上にポリイミドからなる保護膜５”を
さらに塗布したＭＲセンサーペレットを用いて製作され
たＭＲセンサーの断面構造を載せた。製造法は、前記実
施例１あるいは３と同様の手順で行っているが、樹脂モ
ールドの際、材料として熱可塑性樹脂ＰＰ５（１２）を
用いた。

本実施例では、前実施例３と同様に、モールド時に磁気
検知形成面よりも端子電極上のモールド面が低い位置に
形成されるようにモールドを行っている。また、本実施
例ではリードアイランドの背面をエポキシ樹脂９°でモ
ールドしている。このように、リードアイランドの背面
をモールド補強することにより、リードアイランドが介
在した電気的なショートや水分の浸入等の不具合の発生
を防止することができる。

［発明の効果］ 以上のべたように本発明は、磁気検知部上面を上金型に
押し当てる際、センサーペレットの乗っているリードア
イランドの背面に接着または塗布された弾性を有する樹
脂側から、下金型内のピンにて押されるので、その樹脂
によりペレットの厚みむらが吸収され、安定して磁気検
知部が露出したＭＲセンサーを製作することができる。

さらには、ワイヤーボンディングしているので、耐熱性
の高いＭＲセンサーを製作することも可能である。また
、ワイヤーボンディング、樹脂成形モールドによる組立
なので、組立工程の自動化が容易であり、合理化が図れ
るので、組立コストの低減も図れる。

【図面の簡単な説明】 第１図（Ａ）　、　（Ｂ）はそれぞれ本発明ＭＲセンサ
ーの構造を示す正面図および断面図、 第２図（Ａ）、（Ｂ）　、第３図（Ａ）　、　（Ｂ）お
よび第４図（Ａ）、ＣＢ）は第１図のＭＲセンサーを製
作するための工程を示す正面図および断面図、 第５図は第１の実施例の断面図、 第６図（Ａ）、（Ｂ）および第７図（Ａ）、（Ｂ）は本
発明センサーに用いつる、センサー完成前のペレットの
正面図および断面図、 第８図は第２の実施例の断面図、 第９図は第３の実施例の断面図、 第１０図は第３の実施例ＭＲセンサーをモーターに対向
させた場合の概略の断面形態を示す図、第１１図は第４
の実施例の断面図、 第１２図は本発明ＭＲセンサーの適用しつるＶＴＲモー
ターに従来のセンサーを配置した状態を示す断面図、 第１３図および第１４図は第１２図の従来のＭＲセンサ
ーをモーターに対向させた場合の概略の断面形態、 第１５図（Ａ）および（Ｂ）は従来の素子の正面図ぶよ
び断面図、 第１６図は従来の他のＭＲセンサーの断面図である。 ｌ・・・ガラス基板、 ２・・・強磁性薄膜、 ２Ｓ・・・磁気検知部、 ３・・・配線部、 ４・・・端子部、 ５・・・無機材料からなる保護膜、 ６・・・ワイヤー ７・・・リード部、 ８・・・弾性を有する樹脂層、 ８°・・・シリコンゴム、 ９・・・モールド樹脂、 １０．１１・・・ガラスグレーズ層、 １２・・・熱可塑性樹脂、 １３・・・ＦＧマグネット、 １４・・・従来のＭＲセンサー １５・・・ロータヨーク、 １６・・・ロータマグネット、 １７・・・モーター駆動用のステータコイル、１８・・
・ケース。 （Ａ）　　　　　　　　　　　（Ｂ） ←造工程？示で正面図）３ＪＬ−断面間第２図 （Ａ）　　　　　　　　　　　　（Ｂ）本忙唱１：　Ｊ
、６　ＭＲ亡ガーの澗丘に水ゴ正面図りＷ酊面図（Ａ）
　　　　　　　　　　　（Ｂ） （直工ｆ！２示す正面図Ｌ１飢１図 （Ａ） （ａ） 釈長ユ程？示す正面図Ｊ−）Ｊｔ；腑血図（Ａ） （Ｂ） ベルレートの正面図おＪｖ’びり面図 第６ 図 累ｌの芙たｆ’ｌの断−面区 （Ａ） （日） べ・ｂトめ正型■凹およυｒ面図 第 ア 図 煽２め災ｔｆ′ｌ１１７）飢面目 第８図 １Ｂ月にＪるＭＲヒンづ〜と［−夕のｆＩハｂ示σ図第
１Ｑ図 ５ｉＡ３の災也９４の断面図 第 図 ’ＪＰ、４のγ把ゼリの断面図 第 図 ＶＴＲモーターと七を牙５八ＭＲじン“す′のロヒ１１
と示４図第 １２図 （む軟鎮ＭＲじン寸−の面こ直と示す図第７４図 イ芝釆めＭＲで−、万一のめ自ｌを示１図第１３図 （Ａ） ＣＢ） 従来のＭＲでン可−Ｉ１７１正面図りｊｐ比１面ｒＶ第
１５図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）強磁性薄膜からなる磁気検知部がモールド樹脂によ
   って覆われていない樹脂成形モールド型磁気抵抗センサ
   ーにおいて、表面に磁気検知部および端子電極部を有す
   る素子ペレットが、その背面の少なくとも一部において
   、リードアイランドの一方の面上に接着されており、前
   記端子電極とリードとの接続がワイヤーによりなされ、
   かつ前記リードアイランドの他方の面に弾性を有する樹
   脂薄層が形成されていることを特徴とする磁気抵抗セン
   サー。 ２）前記樹脂薄層の厚さが５０μｍ以上かつ３００μｍ
   以下であることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗
   センサー。 ３）前記弾性を有する樹脂薄層が、他の樹脂で埋設され
   ていることを特徴とする請求項１または２に記載の磁気
   抵抗センサー。 ４）前記磁気検知部が、前記端子電極上のモールドの上
   面と同一面上に、もしくは該上面より突出した面上に形
   成されていることを特徴とする請求項１ないし３のいず
   れか記載の磁気抵抗センサー。 ５）ＭＲセンサーペレットを該ペレットの背面の少なく
   とも一部においてリードアイランド上に接着する工程、
   前記ペレットとリードとの電気的接続をワイヤーボンデ
   ィングにより行う工程、前記リードアイランドの裏面の
   少なくとも一部に弾性を有する樹脂を塗布または接着す
   る工程、前記ペレットの磁気検知部形成面が上金型に密
   着するように、下金型に設けられたピンにより前記樹脂
   の表面を押圧して前記ペレットを上金型に押しあてる工
   程、および前記金型内に樹脂を注入し樹脂成形モールド
   する工程を含むことを特徴とする磁気抵抗センサーの製
   造法。 ６）少なくとも前記磁気検知部形成面が押しあてられる
   部位における前記金型表面の表面粗さが１μｍ以下であ
   ることを特徴とする請求項５に記載の磁気抵抗センサー
   の製造法。 ７）前記樹脂成形モールド工程後に、リードアイランド
   の前記ペレットが接着された反対面に、さらに樹脂を充
   填する工程を含むことを特徴とする請求項５または６に
   記載の磁気抵抗センサーの製造法。 （以下余白）