JPH0438807A - 残留磁束密度および保磁力の高いストロンチウムフェライト磁石の製造方法 - Google Patents
残留磁束密度および保磁力の高いストロンチウムフェライト磁石の製造方法Info
- Publication number
- JPH0438807A JPH0438807A JP2145344A JP14534490A JPH0438807A JP H0438807 A JPH0438807 A JP H0438807A JP 2145344 A JP2145344 A JP 2145344A JP 14534490 A JP14534490 A JP 14534490A JP H0438807 A JPH0438807 A JP H0438807A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明はストロンチウムフェライト磁石の製造方法に関
するものである。
するものである。
〈従来の技術〉
従来モータ等の回転機器の励磁は巻線型の［１石で行っ
ていたが省エネルギーの立場から永久磁石を使用するこ
とが多くなってきた０回転機器の励磁用永久磁石として
は電機子に流れる過大な電流によって大きな反磁界が磁
石に作用するので保磁力（ｉＨｃ）の高い材料が望まれ
、ストロンチウムフェライト磁石がよく用いられている
。
ていたが省エネルギーの立場から永久磁石を使用するこ
とが多くなってきた０回転機器の励磁用永久磁石として
は電機子に流れる過大な電流によって大きな反磁界が磁
石に作用するので保磁力（ｉＨｃ）の高い材料が望まれ
、ストロンチウムフェライト磁石がよく用いられている
。
しかしながらこの種のストロンチウムフェライト磁石の
磁気特性は残Ｗ［東密度（Ｂｒ）が４０００ Ｇ以上の
場合は保磁力（ｉＨｃ）が４００００ｅ未満であり、逆
に１ｌｌｃが４０００ Ｏｅ以上の場合は［ｌｒが４０
０００未満のものが多（、Ｂｒおよび１ｌｌｃ共に４０
００を趙えるものを得ることは掻めで困難であった。
磁気特性は残Ｗ［東密度（Ｂｒ）が４０００ Ｇ以上の
場合は保磁力（ｉＨｃ）が４００００ｅ未満であり、逆
に１ｌｌｃが４０００ Ｏｅ以上の場合は［ｌｒが４０
０００未満のものが多（、Ｂｒおよび１ｌｌｃ共に４０
００を趙えるものを得ることは掻めで困難であった。
保磁力を改善するには単磁区結晶粒子の存在率を高くす
ればよく、そのため本焼成の前段階である仮焼組織で結
晶粒度のバラツキを小さく、かつ微細粒子を構成してお
くことが重要と考えられる。
ればよく、そのため本焼成の前段階である仮焼組織で結
晶粒度のバラツキを小さく、かつ微細粒子を構成してお
くことが重要と考えられる。
ところが従来、仮焼温度は１３００℃程度としてできる
だけ結晶粒を粗大化し、単結晶に近いものを得るように
心がけられていたので、仮焼温度が高（、仮焼体の結晶
粒度のバラツキは異常に大きいものとなっていた。
だけ結晶粒を粗大化し、単結晶に近いものを得るように
心がけられていたので、仮焼温度が高（、仮焼体の結晶
粒度のバラツキは異常に大きいものとなっていた。
一方ストロンチウムフェライト磁石を製造する場合にＳ
ｒＯとＦｅオ０．のモル数の比ｎを、幾分ＳｒＯ過剰に
する（ｎ＜６）方がよいことが経験的に知られており、
特開昭４９−７２６９５号公報にも開示されている。
ｒＯとＦｅオ０．のモル数の比ｎを、幾分ＳｒＯ過剰に
する（ｎ＜６）方がよいことが経験的に知られており、
特開昭４９−７２６９５号公報にも開示されている。
しかし過剰ＳｒＯは結晶粒の成長を促進させるため、単
磁区結晶粒子の存在率を高めることができず、磁気特性
は満足いくものではなかった。
磁区結晶粒子の存在率を高めることができず、磁気特性
は満足いくものではなかった。
また、ストロンチウムフェライト磁石は焼成温度を高め
るにつれて焼成密度の向上と結晶粒の成長により残留磁
束密度は向上するが保磁力は著しく低下する。そこで粒
成長抑制添加物を多く含有させれば保磁力は４０００
Ｏｅ以上に高めることはできるが、この場合には非磁性
組成の増加、結晶配向度の低下等により、残留磁束密度
が低下する。
るにつれて焼成密度の向上と結晶粒の成長により残留磁
束密度は向上するが保磁力は著しく低下する。そこで粒
成長抑制添加物を多く含有させれば保磁力は４０００
Ｏｅ以上に高めることはできるが、この場合には非磁性
組成の増加、結晶配向度の低下等により、残留磁束密度
が低下する。
また、ストロンチウムフェライト磁石の焼結体の磁気特
性は仮焼組織に概ね依存する。従って仮焼組織で結晶粒
度のバラツキが小さく、かつ微細粒子を構成することに
よって焼成後の結晶組織を微細化し単磁区粒子の存在率
を高め、保磁力を改善できる。一方、仮焼ｍ繊で六角板
状の粗大結晶組織を発達させることによって、磁場成形
時の結晶配向性を高め、焼成後の残ｌｉ！７磁束密度を
改善できる。しかしながら保磁力の改善と磁束密度の改
善の両者を同時に満足させることは従来技術では困難で
あった。
性は仮焼組織に概ね依存する。従って仮焼組織で結晶粒
度のバラツキが小さく、かつ微細粒子を構成することに
よって焼成後の結晶組織を微細化し単磁区粒子の存在率
を高め、保磁力を改善できる。一方、仮焼ｍ繊で六角板
状の粗大結晶組織を発達させることによって、磁場成形
時の結晶配向性を高め、焼成後の残ｌｉ！７磁束密度を
改善できる。しかしながら保磁力の改善と磁束密度の改
善の両者を同時に満足させることは従来技術では困難で
あった。
〈発明が解決しようとする！１１３１＞また、本発明者
らは先に特願平１−３１５３４８号にて原料の酸化鉄と
炭酸ストロンチウムの組成比および仮焼前の５ｉＯｚ添
加量の規制、および仮焼温度、焼成温度の規制等により
Ｂｒ≧４０００（Ｇ）、１１１ｃ≧４０００ （Ｏｅ）
の磁電特性が得られることを示したが、本発明の目的は
更に優れた磁気特性、即ちＢｒ≧４１００（Ｃ；）、Ｉ
Ｈｃ≧４０００ （Ｏｅ）を有するストロンチウムフェ
ライト磁石の製造方法を提供することである。
らは先に特願平１−３１５３４８号にて原料の酸化鉄と
炭酸ストロンチウムの組成比および仮焼前の５ｉＯｚ添
加量の規制、および仮焼温度、焼成温度の規制等により
Ｂｒ≧４０００（Ｇ）、１１１ｃ≧４０００ （Ｏｅ）
の磁電特性が得られることを示したが、本発明の目的は
更に優れた磁気特性、即ちＢｒ≧４１００（Ｃ；）、Ｉ
Ｈｃ≧４０００ （Ｏｅ）を有するストロンチウムフェ
ライト磁石の製造方法を提供することである。
＜３１題を解決するための手段〉
即ち、本発明は、酸化鉄と炭酸ストロンチウムを混合し
、造粒・仮焼した後、該仮焼物を粉砕し、しかる後磁場
中成形して得られる成形体を焼成してストロンチウムフ
ェライト磁石を製造する方法において、炭酸ストロンチ
ウム１モルに対しＦｅｚｅｓを５．３〜５．９モルおよ
び５１０．をＸモ）Ｉ／、ただし、Ｐｅ、Ｏ，のモル数
と（１−ｘ）モルの比が６となる組成比で混合し、１０
００〜１２５０’Ｃの温度で仮焼した後、咳仮焼物を粉
砕して得る微粉末（以下Ａ粉末と呼ぶ）と、５ｉＯｔを
含まない上記組成比の原料を１２００〜１３００℃の温
度で仮焼した後、該仮焼物をむ）砕して得る微粉末（以
下Ｂ粉末と叶ぶ）をＢ粉末に対するＡ粉末の混合比率（
重量比）が５０〜７５％の範囲で混合し、次いで該混合
粉に更に重量比で最終的にＳｉｎｇが０．４０〜０．７
０％、ＣａＯが０．３５〜０．４９％かつＣａｂ／５ｉ
ｆｔ比が０．５〜１．２５となるように添加した後、磁
場中成形し、しかる後焼成することを特徴とする残留磁
束密度および保磁力の高いストロンチウムフェライト磁
石の製造方法である。
、造粒・仮焼した後、該仮焼物を粉砕し、しかる後磁場
中成形して得られる成形体を焼成してストロンチウムフ
ェライト磁石を製造する方法において、炭酸ストロンチ
ウム１モルに対しＦｅｚｅｓを５．３〜５．９モルおよ
び５１０．をＸモ）Ｉ／、ただし、Ｐｅ、Ｏ，のモル数
と（１−ｘ）モルの比が６となる組成比で混合し、１０
００〜１２５０’Ｃの温度で仮焼した後、咳仮焼物を粉
砕して得る微粉末（以下Ａ粉末と呼ぶ）と、５ｉＯｔを
含まない上記組成比の原料を１２００〜１３００℃の温
度で仮焼した後、該仮焼物をむ）砕して得る微粉末（以
下Ｂ粉末と叶ぶ）をＢ粉末に対するＡ粉末の混合比率（
重量比）が５０〜７５％の範囲で混合し、次いで該混合
粉に更に重量比で最終的にＳｉｎｇが０．４０〜０．７
０％、ＣａＯが０．３５〜０．４９％かつＣａｂ／５ｉ
ｆｔ比が０．５〜１．２５となるように添加した後、磁
場中成形し、しかる後焼成することを特徴とする残留磁
束密度および保磁力の高いストロンチウムフェライト磁
石の製造方法である。
く作 用〉
本発明では、上記の微粉砕したＡ粉末とＢ粉末とを混合
することによって、成形前の粒度分布を平均粒径が比較
的小さい（ｄ−０，２〜０．４ｎ）部分と大きな部分（
ｄ−０，９〜１．１ｍ）の“２山タイプの粒度分布を構
成する。このような粒度構成は成形時の金型内へのスラ
リーの最密充填が可能となり、その結果、成形密度の高
い成形体が得られる。加えて磁場成形で粗大粒子の磁化
容５軸への配向性が改善される。これら成形体は以後の
焼成工程の結晶粒成長の段階で微粒子は周囲の粒子に蚕
食され、比較的均一な結晶＆１１織が得られ焼結密度の
向上と結晶配向度も高くなる。
することによって、成形前の粒度分布を平均粒径が比較
的小さい（ｄ−０，２〜０．４ｎ）部分と大きな部分（
ｄ−０，９〜１．１ｍ）の“２山タイプの粒度分布を構
成する。このような粒度構成は成形時の金型内へのスラ
リーの最密充填が可能となり、その結果、成形密度の高
い成形体が得られる。加えて磁場成形で粗大粒子の磁化
容５軸への配向性が改善される。これら成形体は以後の
焼成工程の結晶粒成長の段階で微粒子は周囲の粒子に蚕
食され、比較的均一な結晶＆１１織が得られ焼結密度の
向上と結晶配向度も高くなる。
従って、当然Ａ粉末のみを原料とした場合には［１ｒが
低く、一方Ｂ粉末のみを原料とした場合には１ｆ−１ｃ
が低い材料しか得られないが、本発明のようにＡおよび
Ｂ粉末を混合することによって高８ｒ、高ｉＨｃの材料
を得ることができる。
低く、一方Ｂ粉末のみを原料とした場合には１ｆ−１ｃ
が低い材料しか得られないが、本発明のようにＡおよび
Ｂ粉末を混合することによって高８ｒ、高ｉＨｃの材料
を得ることができる。
次に本発明の限定理由を個々に述べる。ｎ値が５．３未
満ではＳｒＯが過剰になりすぎるためＡ粉末としてはＳ
ｉ島の仮焼前添加量が多くなり、仮焼組織が微細になり
すぎる。一方、Ｓｉｎｇを添加しないＢ粉末としては、
ｎ値が５．３未満ではフェライト化反応が促進され仮焼
後の結晶粒が粗大化し、粒度のバラツキも大きくなりＡ
粉末との混合において幅広い粒度分布となり目標とする
磁気特性が得られないので好ましくない、ｎ値が５．９
を超えるとＡ粉末においては、５ｉＯ１の仮焼前添加量
が少なくなるため仮焼組織が比較的大きくなりＢ粉末と
の混合において所期の粒度分布（２山タイプ）を達成し
得ないので好ましくない、ＢＦＡ末としてはｎ（ｌが５
９を趙えるとＡ粉末と粒度分布がほとんど変わらないた
め、所期の粒度分布を構成し得ないので好ましくない、
従って本発明におけるΔ粉末およびＢ粉末としては、炭
酸ストロンチウム１モルに対してＦｅｚＯｘを５．３〜
５．９モルの組成比にし、かつＡ粉末としては５ｉ０．
をＸモル、ただしＦｅ１Ｏ＝のモル数と（１−ｘ）モル
の比が６となる組成比に限定した。
満ではＳｒＯが過剰になりすぎるためＡ粉末としてはＳ
ｉ島の仮焼前添加量が多くなり、仮焼組織が微細になり
すぎる。一方、Ｓｉｎｇを添加しないＢ粉末としては、
ｎ値が５．３未満ではフェライト化反応が促進され仮焼
後の結晶粒が粗大化し、粒度のバラツキも大きくなりＡ
粉末との混合において幅広い粒度分布となり目標とする
磁気特性が得られないので好ましくない、ｎ値が５．９
を超えるとＡ粉末においては、５ｉＯ１の仮焼前添加量
が少なくなるため仮焼組織が比較的大きくなりＢ粉末と
の混合において所期の粒度分布（２山タイプ）を達成し
得ないので好ましくない、ＢＦＡ末としてはｎ（ｌが５
９を趙えるとＡ粉末と粒度分布がほとんど変わらないた
め、所期の粒度分布を構成し得ないので好ましくない、
従って本発明におけるΔ粉末およびＢ粉末としては、炭
酸ストロンチウム１モルに対してＦｅｚＯｘを５．３〜
５．９モルの組成比にし、かつＡ粉末としては５ｉ０．
をＸモル、ただしＦｅ１Ｏ＝のモル数と（１−ｘ）モル
の比が６となる組成比に限定した。
仮焼温度に関しては、Ａ粉末においては１０００’Ｃ未
満ではストロンチウムフェライトの反応が十分でな（，
１２５０℃を超えると仮焼組織が比較的大きく粒度のバ
ラツキも大きくなり、５ｉＪＯ前添加効果が小さくなる
ためＡ粉末の仮焼塩度は１０００〜１２５０℃とした。
満ではストロンチウムフェライトの反応が十分でな（，
１２５０℃を超えると仮焼組織が比較的大きく粒度のバ
ラツキも大きくなり、５ｉＪＯ前添加効果が小さくなる
ためＡ粉末の仮焼塩度は１０００〜１２５０℃とした。
一方Ｂ粉末において１２００”Ｃ未満では所期の粒度分
布（２山タイプ）を達成し得ないので好ましくない、
１３００℃を趙えると仮焼後の結晶粒の粗大化が起こり
、ＡおよびＢ粉末の混合により好ましい粒度分布が得ら
れない、従ってＢ粉末の仮焼塩度は１２００〜１３００
℃とした。
布（２山タイプ）を達成し得ないので好ましくない、
１３００℃を趙えると仮焼後の結晶粒の粗大化が起こり
、ＡおよびＢ粉末の混合により好ましい粒度分布が得ら
れない、従ってＢ粉末の仮焼塩度は１２００〜１３００
℃とした。
次に添加物に関して述べる。
従来からＳｉｎ、の添加効果としては結晶粒の粗大化を
抑制し、保磁力の高い磁石が得られることが知られてい
るが、本発明によると最終的添加量が０．４０％未満で
は保磁力が低くなり、０．７０％を趙えると残留磁束密
度が低くなり好ましくないので、０、４０〜０．７０％
とした。
抑制し、保磁力の高い磁石が得られることが知られてい
るが、本発明によると最終的添加量が０．４０％未満で
は保磁力が低くなり、０．７０％を趙えると残留磁束密
度が低くなり好ましくないので、０、４０〜０．７０％
とした。
一方ＣａＯはフェライト化反応を促進し、結晶粒の粗大
化および高密度化する作用のあることが知られているが
、本発明においては０．３５％未満では保磁力は高くな
るが残留磁束密度は低い、一方、０．４９％を趙えると
焼結性が促進され、結晶粒の粗大化が起こり保磁力が低
下するので好ましくない。
化および高密度化する作用のあることが知られているが
、本発明においては０．３５％未満では保磁力は高くな
るが残留磁束密度は低い、一方、０．４９％を趙えると
焼結性が促進され、結晶粒の粗大化が起こり保磁力が低
下するので好ましくない。
従ってＣａＯは０．３５〜０．４９％とした。
次にＣａｂ／５ｉｆｔ比は０．５未満では保磁力は高く
なるが残Ｖｌｊｍ束密度が低くなり好ましくない。
なるが残Ｖｌｊｍ束密度が低くなり好ましくない。
方、１．２５を趙えると結晶粒の粗大化が起こり、保磁
力が著しく低下するので好ましくない、従ってＣａｂ／
５ｉｆｔ比は０．５〜１．２５とした。
力が著しく低下するので好ましくない、従ってＣａｂ／
５ｉｆｔ比は０．５〜１．２５とした。
次に上記したＢ粉末と混合するＡ粉末の混合比率は重量
比で５０％未満では保磁力（ｉＨｃ）が４０００ （Ｏ
ｅ）未満となり７５％を超えると残留磁束密度（Ｂｒ）
が４１００（Ｇ）未満となる。従ってＢ粉末と混合する
Ａ粉末の比率を重量で５０〜７５％の範囲に限定した。
比で５０％未満では保磁力（ｉＨｃ）が４０００ （Ｏ
ｅ）未満となり７５％を超えると残留磁束密度（Ｂｒ）
が４１００（Ｇ）未満となる。従ってＢ粉末と混合する
Ａ粉末の比率を重量で５０〜７５％の範囲に限定した。
なお仮焼物の粉砕は粗粉砕、微粉砕と行われるが粗粉砕
はアトマイザ−などで１〜３ｎ程虞に粉砕し、微粉砕で
はアトライター、振動ボールミルなどでｄ＝０．７〜０
．９１程度に粉砕することが望ましい。
はアトマイザ−などで１〜３ｎ程虞に粉砕し、微粉砕で
はアトライター、振動ボールミルなどでｄ＝０．７〜０
．９１程度に粉砕することが望ましい。
また磁場中成形は磁場が強い程良く、５ｋＯｅ以上が好
適であり、成形圧力は５００〜１５００ｋｇ、／ｃ４程
度が好適である。
適であり、成形圧力は５００〜１５００ｋｇ、／ｃ４程
度が好適である。
焼成温度に関しては］２４０〜＋２６０’ｃが好適であ
る。
る。
以下、実施例によって本発明の詳細な説明する。
〈実施例〉
実施例１
炭酸ストロンチウム１モルに対してＰｅ２Ｏ３を５６５
モルの割合で秤量した暮木紹成の原ｔ１にＳｉＯ２を０
．０５８モルの割合で添加後、ヘノノニルミキサーで混
合した。混合粉をペレント状にして１０５０℃の温度で
仮焼した。また、Ｓｉｎｇを含まない上記基本組成比の
原事］の混合粉をペレット状にして１２２０゛Ｃの温度
で仮焼した。これら仮焼ベレットをそれぞれアトマイザ
−を用いて粗、中粉砕した（この時前者をＡ粉末、後者
をＢ粉末と呼ぶことにするン、中粉砕したＢＦＡ末中に
混合するＡ粉末を重量比で０％（Ｂ粉末のみ）、２５％
、３３％、５０％、６７％、７５％および１００％（Ａ
粉末のみ）の割合で混合し、次いでアトライターにて第
１表に示す添加物を添加し４０％スラリー状で混合、微
粉砕を施した。微粉砕後の平均（ｄ）を０．８ｎとした
後、スラリーを遠心分Ｈ機にかけ（４０％→６０％スラ
リー）７ｋＯｅの磁界中でＩｔ／ｃｄの圧力下で成形し
た。
モルの割合で秤量した暮木紹成の原ｔ１にＳｉＯ２を０
．０５８モルの割合で添加後、ヘノノニルミキサーで混
合した。混合粉をペレント状にして１０５０℃の温度で
仮焼した。また、Ｓｉｎｇを含まない上記基本組成比の
原事］の混合粉をペレット状にして１２２０゛Ｃの温度
で仮焼した。これら仮焼ベレットをそれぞれアトマイザ
−を用いて粗、中粉砕した（この時前者をＡ粉末、後者
をＢ粉末と呼ぶことにするン、中粉砕したＢＦＡ末中に
混合するＡ粉末を重量比で０％（Ｂ粉末のみ）、２５％
、３３％、５０％、６７％、７５％および１００％（Ａ
粉末のみ）の割合で混合し、次いでアトライターにて第
１表に示す添加物を添加し４０％スラリー状で混合、微
粉砕を施した。微粉砕後の平均（ｄ）を０．８ｎとした
後、スラリーを遠心分Ｈ機にかけ（４０％→６０％スラ
リー）７ｋＯｅの磁界中でＩｔ／ｃｄの圧力下で成形し
た。
成形体は自然乾燥した後、１２５２℃１１２６０’Ｃの
温度で１時間の焼成を施した。得られた焼結体の磁気特
性を第１表に示した。
温度で１時間の焼成を施した。得られた焼結体の磁気特
性を第１表に示した。
第１表からＢ粉末に混合するＡ粉末の割合と磁気特性（
Ｂｒ、 １ｌｌｃ）の関係を求め第１図に示した。
Ｂｒ、 １ｌｌｃ）の関係を求め第１図に示した。
Ｂ「はＡＦＩＪ末の混合比率が増すにつれて僅かに減少
し、７５％を超えると著しく減少する。一方ｔ）ｌｃは
Ａ粉末の混合比率が２５％を超えると著しく増加し、５
０％以上になると緩やかに増加する。第１図から明らか
なようにＢ粉末と混合するＡ粉末の比率を重曹比で５０
〜７５％の時Ｂ「≧４１００（Ｇ）、 １１１Ｃ≧４０
００ （Ｏｅ）を同時に満足する。
し、７５％を超えると著しく減少する。一方ｔ）ｌｃは
Ａ粉末の混合比率が２５％を超えると著しく増加し、５
０％以上になると緩やかに増加する。第１図から明らか
なようにＢ粉末と混合するＡ粉末の比率を重曹比で５０
〜７５％の時Ｂ「≧４１００（Ｇ）、 １１１Ｃ≧４０
００ （Ｏｅ）を同時に満足する。
実施例２
実施例１で用いたＡ粉末とＢ粉末を重量比でそれぞれ５
０％ずつ混合し、次いでアトライターにて第２表に示す
添加物を添加し、微粉砕後は実施例１と同様に処理して
焼成後の磁気特性を調べた。
０％ずつ混合し、次いでアトライターにて第２表に示す
添加物を添加し、微粉砕後は実施例１と同様に処理して
焼成後の磁気特性を調べた。
その結果を第２表に示す。
第２表から明らかなようにＢ粉末中に混合するＡ粉末の
割合が本発明の範囲においてもＣａｂ／５ｉｆｔ比が０
．５未満、或いは１．２５を超えると目標特性は得られ
ない。
割合が本発明の範囲においてもＣａｂ／５ｉｆｔ比が０
．５未満、或いは１．２５を超えると目標特性は得られ
ない。
実施例３
炭酸ストロンチウム１モルに対しＦｅｒｎｓを５．２０
．５．３０．５．４０．５．５０．５．６５．５．８０
．５．９０および５９５モルの割合で秤量した基本組成
の原料に５ｉＯｚをＸモル、ただしＦｅｚｅｓのモル数
と（１−χ）モルの比が６となるようにＳｉｎ、を添加
した。即ちｎ値の小さい順に５ｉｆｔを０．１３３モル
、Ｏ，］ １１７モル０．１００モル、０．０８３モル
、０．０５８モル、０．０３３モル、０．０１７モルお
よび０．００８モル添加し、ヘンシェルミキサで混合し
た。
．５．３０．５．４０．５．５０．５．６５．５．８０
．５．９０および５９５モルの割合で秤量した基本組成
の原料に５ｉＯｚをＸモル、ただしＦｅｚｅｓのモル数
と（１−χ）モルの比が６となるようにＳｉｎ、を添加
した。即ちｎ値の小さい順に５ｉｆｔを０．１３３モル
、Ｏ，］ １１７モル０．１００モル、０．０８３モル
、０．０５８モル、０．０３３モル、０．０１７モルお
よび０．００８モル添加し、ヘンシェルミキサで混合し
た。
これらのｒ昆合粉をペレット状にして１０５０℃の温度
で仮焼した。この時ＳｉＪを添加しない基本組成の原＃
−１混合む）をペレット状にして１２２０’Ｃの温度で
仮焼した。これらの仮焼ベレットをそれぞれアトライタ
ーを用いて粗、中粉砕した。この時５ｉＯ１添加材をＡ
粉末、５ｉＯＨを添加しない材料をＢｔｊｌ末と呼ぶこ
とにする。
で仮焼した。この時ＳｉＪを添加しない基本組成の原＃
−１混合む）をペレット状にして１２２０’Ｃの温度で
仮焼した。これらの仮焼ベレットをそれぞれアトライタ
ーを用いて粗、中粉砕した。この時５ｉＯ１添加材をＡ
粉末、５ｉＯＨを添加しない材料をＢｔｊｌ末と呼ぶこ
とにする。
中粉砕した同し組成のＢ粉末中にＡ粉末を重量比でそれ
ぞれ５０％の割合で混合し、次いでアトライターで第３
表に示す添加物を添加し、＠粉砕後は実施例１と同様に
処理して焼成後の磁気特性を洲べた。その結果を第３表
に示す。
ぞれ５０％の割合で混合し、次いでアトライターで第３
表に示す添加物を添加し、＠粉砕後は実施例１と同様に
処理して焼成後の磁気特性を洲べた。その結果を第３表
に示す。
第３表に示したようにｎ値が５．３０未満でも、或いは
ｎ値が５．９を趙えてもＢｒ≧４１００ ・（Ｇ ）、
１）Ｉｃ≧４０００ （Ｏｅ）を同時に満足する条件は
得られない。
ｎ値が５．９を趙えてもＢｒ≧４１００ ・（Ｇ ）、
１）Ｉｃ≧４０００ （Ｏｅ）を同時に満足する条件は
得られない。
実施例４
炭酸ストロンチウム１モルに対してＦｅ、０１を５．７
０モルの割合で秤量した基本組成の原料にＳｉｎ。
０モルの割合で秤量した基本組成の原料にＳｉｎ。
４０．０５０モルの割合で添加した後、ヘンシェルミキ
サーで混合した。混合粉をペレット状にして９７０℃１
１０００°ｃ、１１５０℃、１２００℃および１２５３
℃の各々の温度で仮焼した。この時Ｓｉｎｇを含まない
上記組成比の原料の混合粉をペレット状にして１■７０
’Ｃ，１２００℃１１２５０℃，，１３００℃および１
３２０’Ｃの各々の温度で仮焼した。これら仮焼粉をア
トマイザ−を用いて粗、中粉砕した。この時Ｓ１０．を
添加した仮焼粉の粉砕品をＡ粉末と吋び、Ｓ１０！を含
まない仮焼粉の粉砕品をＢ粉末と呼ぶことにする。５ｍ
類のＡ粉末と５ｆｌ類のＢ粉末を組み合わせ、それぞれ
重量比で５０％ずつ混合し、次いでアトライターにて第
４表に示す添加物を添加し、微粉砕後は実施例１と同様
に処理して焼成後の磁気特性を洲べた。その結果を第４
表に示す、いずれも最終添加量のＳｉｎ、は０．５８８
％、ＣＢＯ／Ｓ：Ｏｅ比は０．７である−る− 第４表に示したように仮焼温度がｔｏｏｏ℃未満、或い
は１２５０℃を趙えるＡ粉末と１２００℃未満、或いは
ｌ３００℃を趙えるＢ粉末を混合した混合粉では目標特
性を得ることができないことが判る。
サーで混合した。混合粉をペレット状にして９７０℃１
１０００°ｃ、１１５０℃、１２００℃および１２５３
℃の各々の温度で仮焼した。この時Ｓｉｎｇを含まない
上記組成比の原料の混合粉をペレット状にして１■７０
’Ｃ，１２００℃１１２５０℃，，１３００℃および１
３２０’Ｃの各々の温度で仮焼した。これら仮焼粉をア
トマイザ−を用いて粗、中粉砕した。この時Ｓ１０．を
添加した仮焼粉の粉砕品をＡ粉末と吋び、Ｓ１０！を含
まない仮焼粉の粉砕品をＢ粉末と呼ぶことにする。５ｍ
類のＡ粉末と５ｆｌ類のＢ粉末を組み合わせ、それぞれ
重量比で５０％ずつ混合し、次いでアトライターにて第
４表に示す添加物を添加し、微粉砕後は実施例１と同様
に処理して焼成後の磁気特性を洲べた。その結果を第４
表に示す、いずれも最終添加量のＳｉｎ、は０．５８８
％、ＣＢＯ／Ｓ：Ｏｅ比は０．７である−る− 第４表に示したように仮焼温度がｔｏｏｏ℃未満、或い
は１２５０℃を趙えるＡ粉末と１２００℃未満、或いは
ｌ３００℃を趙えるＢ粉末を混合した混合粉では目標特
性を得ることができないことが判る。
〈発明の効果〉
本発明によって、Ｂｒが４１００（Ｇ）以上で、かつ１
１ｃが４０００ （Ｏｅ）以上を兼ね備えた、特にカー
モーター用磁石として好適な高Ｂｒ、高１１１ｃのスト
ロンチウムフェライト磁石を容品に得ることができ、省
エネルギー等の点でその及ぼす効果は大きい。
１ｃが４０００ （Ｏｅ）以上を兼ね備えた、特にカー
モーター用磁石として好適な高Ｂｒ、高１１１ｃのスト
ロンチウムフェライト磁石を容品に得ることができ、省
エネルギー等の点でその及ぼす効果は大きい。
第１図は仮焼条件の異なる仮焼粉の混合比率と焼成後の
磁気特性（Ｂｒ、 １Ｈｃ）の関係を示した図である
磁気特性（Ｂｒ、 １Ｈｃ）の関係を示した図である
Claims (1)
- 酸化鉄と炭酸ストロンチウムを混合し、造粒・仮焼し
た後、該仮焼物を粉砕し、しかる後磁場中成形して得ら
れる成形体を焼成してストロンチウムフェライト磁石を
製造する方法において、炭酸ストロンチウム１モルに対
しＦｅ＿２Ｏ＿３を５．３〜５．９モルおよびＳｉＯ＿
２をｘモル、ただし、Ｆｅ＿２Ｏ＿３のモル数と（１−
ｘ）モルの比が６となる組成比で混合し、１０００〜１
２５０℃の温度で仮焼した後、該仮焼物を粉砕して得る
微粉末（以下Ａ粉末と呼ぶ）と、ＳｉＯ＿２を含まない
上記組成比の原料を１２００〜１３００℃の温度で仮焼
した後、該仮焼物を粉砕して得る微粉末（以下Ｂ粉末と
呼ぶ）をＢ粉末に対するＡ粉末の混合比率（重量比）が
５０〜７５％の範囲で混合し、次いで該混合粉に更に重
量比で最終的にＳｉＯ＿２が０．４０〜０．７０％、Ｃ
ａＯが０．３５〜０．４９％かつＣａＯ／ＳｉＯ＿２比
が０．５〜１．２５となるように添加した後、磁場中成
形し、しかる後焼成することを特徴とする残留磁束密度
および保磁力の高いストロンチウムフェライト磁石の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2145344A JPH0438807A (ja) | 1990-06-05 | 1990-06-05 | 残留磁束密度および保磁力の高いストロンチウムフェライト磁石の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2145344A JPH0438807A (ja) | 1990-06-05 | 1990-06-05 | 残留磁束密度および保磁力の高いストロンチウムフェライト磁石の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0438807A true JPH0438807A (ja) | 1992-02-10 |
Family
ID=15383014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2145344A Pending JPH0438807A (ja) | 1990-06-05 | 1990-06-05 | 残留磁束密度および保磁力の高いストロンチウムフェライト磁石の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0438807A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07249510A (ja) * | 1994-03-09 | 1995-09-26 | Tdk Corp | 酸化物永久磁石およびその製造方法 |
| KR20020016254A (ko) * | 2000-08-25 | 2002-03-04 | 신현준 | 페라이트 영구자석의 제조방법 |
-
1990
- 1990-06-05 JP JP2145344A patent/JPH0438807A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07249510A (ja) * | 1994-03-09 | 1995-09-26 | Tdk Corp | 酸化物永久磁石およびその製造方法 |
| KR20020016254A (ko) * | 2000-08-25 | 2002-03-04 | 신현준 | 페라이트 영구자석의 제조방법 |
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