JPH0439619B2 - - Google Patents
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- JPH0439619B2 JPH0439619B2 JP8775883A JP8775883A JPH0439619B2 JP H0439619 B2 JPH0439619 B2 JP H0439619B2 JP 8775883 A JP8775883 A JP 8775883A JP 8775883 A JP8775883 A JP 8775883A JP H0439619 B2 JPH0439619 B2 JP H0439619B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/28—Electrolytic cell components
- G01N27/30—Electrodes, e.g. test electrodes; Half-cells
- G01N27/301—Reference electrodes
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Description
[発明の技術分野]
本発明は、内部電解質を有しない照合電極に関
する。更に詳しくは、被測定液中の電解質濃度変
化にほとんど影響されずに一定電位を示し、しか
も、照合電極と併用するイオン選択性電極を劣化
させることがない改善された照合電極に関する。 [発明の技術的背景とその問題点] イオン選択性電極を用いてイオンの濃度を測定
する際、照合電極が基準の電極として用いられて
いる。 最も一般的な照合電極としては、飽和カロメル
電極、銀/塩化銀電極等が挙げられる。このう
ち、飽和カロメル電極は内部電解質溶液として飽
和KCl溶液を有する。また、銀/塩化銀電極も、
通常、一定濃度のKCl溶液その他の塩溶液に浸漬
して用いられている。 然しながら、内部電解質溶液を内蔵する照合電
極は構造が複雑であるため、製造工程が煩雑とな
り、しかも、該電極の取扱いおよび保守に特別の
注意を要するという問題があつた。 これらの問題を解消すべく、最近、より簡素な
構造の、電解質溶液を有しない照合電極、例え
ば、銀、塩化銀、粉末状のKCl等を含有する高分
子膜およびCl-イオンを一定濃度に保つための高
分子保護膜をこの順序で被覆した多層構造の銀−
塩化銀固体照合電極が開発され、実用に供されて
いる。 固体照合電極の上記高分子保護膜としては、経
験上、アミン硬化エポキシ樹脂被膜が優れている
ことが知られていた。 然しながら、アミン硬化エポキシ樹脂は、硬化
の際に発生するアンモニアもしくはアミン類を微
量含有するため、これを高分子保護膜とする固体
照合電極をイオン選択性電極と共に使用すると、
これらアンモニアもしくはアミン類によつて、イ
オン選択性電極が劣化してしまうという問題を有
していた。 この問題を解決するべく、アミン硬化エポキシ
樹脂に代えて、アジピン酸ジオクチルの如き可塑
剤を含有したポリ塩化ビニル膜を高分子保護膜と
して用いた固体照合電極が提案されている。 然しながら、この種の固体照合電極はCl-イオ
ンに僅かながらではあるが感応してしまうという
欠点があつた。例えば、被測定溶液中のCl-イオ
ン濃度が10倍に増えると照合電極の電位が負に約
10mVずれてしまう。このためポリ塩化ビニル膜
を高分子保護膜として用いた固体照合電極をイオ
ン濃度の測定に用いると測定誤差が大きくなつて
しまうという問題が残つた。 このためアミン硬化エポキシ樹脂に代る優れた
固体照合電極用高分子保護膜材の開発が望まれて
いた。 [発明の目的] 本発明は、イオン選択性電極を劣化させること
なく安定な電位を示す固体照合電極を提供するこ
とを目的とする。 [発明の概要] 本発明者らは上記目的を達成すべく、鋭意研究
を重ねた結果、照合電極の高分子保護膜としてシ
リコーン系ポリマー膜を用いると照合電極の電位
が長期間に亘り一定値を示す事実を見い出し、本
発明を完成した。 即ち、本発明の照合電極はリード線が接続され
た銀と;該銀表面上の少なくとも一部に形成され
たハロゲン化銀層と;該ハロゲン化銀層の表面を
被覆したアルカリ金属ハロゲン化物を含有するポ
リ塩化ビニル樹脂層と;該ポリ塩化ビニル樹脂層
の表面を被覆したシリコーン系ポリマー膜とから
なることを特徴とする。 本発明に於いて銀およびハロゲン化銀は単極電
池X-|AgX|Ag(式中、Xはハロゲン元素を表
す。)を形成するための必須の成分である。 銀は、通常、99.9重量%以上の高純度のものを
使用する。99.9重量%未満であると所定の基準電
位が得られなくなつてしまう。 銀の形状は、線材、棒材、板材のいずれでもよ
く何ら限定されるものではない。 銀材にはリード線の一端が接続され、その他端
は電極外部に設けられる電気信号表示装置に接続
される。 銀表面に固定されるハロゲン化銀としては、安
定な電位を与える塩化銀が好ましい。 ハロゲン化銀層の層厚は、通常、5〜100μm
とする。層厚が5μm未満では基準電位値が安定
せず、また、層厚が100μmを超えると電気抵抗
が過大となつてしまうからである。 用いるアルカリ金属ハロゲン化物を含有するポ
リ塩化ビニル樹脂層は、銀−ハロゲン化銀電極の
電極反応AgCl+e=Ag++Cl-の電極電位を決定
する役目をする。 アルカリ金属ハロゲン化物としては、特に、
KClが好ましい。なぜならば、K+とCl-の移動度
がほぼ等しいため、液間電位差が生じにくいから
である。 アルカリ金属ハロゲン化物は、通常、粒径
200μm以下の粉末としてポリ塩化ビニル樹脂中
に均一に分散されている。 ポリ塩化ビニル樹脂としては周知の成形用樹脂
を用いることが出来る。また、ポリ塩化ビニル樹
脂は、例えば、アジピン酸ジオクチル、フタール
酸ジオクチル、オルトニトロフエニルオクチルエ
ーテル等の周知の可塑剤を含むことが出来る。 ポリ塩化ビニル樹脂層中のアルカリ金属ハロゲ
ン化物の含有量は、通常、50〜80重量%とする。
含有量が上記範囲を逸脱すると、所定の安定電位
が得られなくなつてしまうからである。 また、ポリ塩化ビニル層の層厚は30〜800μm
であることが好ましい。層厚が30μm未満ではポ
リ塩化ビニル層の機械的強度が低いため、破損し
やすく、一方、層厚が800μmを超えると電気抵
抗が高くなりすぎてしまう。 本発明に於いてシリコーン系ポリマー膜は、ポ
リ塩化ビニル層中のCl-イオン濃度を一定に保つ
ための保護膜である。 用いるシリコーン系ポリマーとしては、シリコ
ーン系接着剤TSE−385RTV{東芝シリコーン(株)
製}およびKE471{信越化学工業(株)製}が好まし
い。 シリコーン系ポリマー膜の膜厚は、好ましくは
20〜600μmとする。膜厚が20μm未満ではポリ塩
化ビニル層の機械的強度が低いため、破損しやす
く、一方、膜厚が600μmを超えると電気抵抗が
高くなりすぎてしまう。 次に、本発明の照合電極を図面を参照しながら
説明する。 図は本発明の照合電極の好適態様を示す概念的
断面図である。 図において1は銀棒であり、その一端は銅線で
あるリード線2とハンダ付部3で接続されてい
る。5は該銀棒1の表面に形成された塩化銀層で
ある。この表面はKCl粉末が分散されたポリ塩化
ビニル層6によつて覆われている。このように形
成された銀−塩化銀電極の最外部は保護膜として
のシリコーン系ポリマー膜7によつて被覆され
る。また、上記リード線2、ハンダ付部3および
銀棒1の一部は電気絶縁性外装によつて覆われて
いる。 このような本発明の照合電極は、例えば、次の
ようにして得ることが出来る。 先ず、銀棒1を陽極として、塩化物イオンを含
む電解液中で電解処理を施すことによつて、銀棒
1の表面に塩化銀層を形成する。 次に、ポリ塩化ビニル樹脂、その可塑剤、塩化
カリウム粉末および溶剤のテトラヒドロフランの
所定量から成るポリ塩化ビニル層形成溶液を調製
した後、この溶液を上記塩化銀層の表面に塗布
し、乾燥し、ポリ塩化銀層を形成する。 次に、液状のシリコーン系ポリマーを上記ポリ
塩化ビニル層の表面に塗布し、乾燥し、シリコー
ン系ポリマー膜を形成し、本発明の照合電極を得
ることが出来る。 [発明の効果] 本発明の照合電極は、その最外部がシリコーン
系ポリマーの保護膜で被覆されているため、被測
定液中の電解質濃度変化にほとんど影響されずに
一定電位を示し、しかも、保護膜中にアンモニ
ア、アミン類を含まないので、照合電極と併用す
るイオン選択性電極を劣化させることがないとい
う効果を奏し、その工業的価値は極めて大であ
る。 [発明の実施例] 以下、本発明の照合電極を実施例に沿つて詳説
する。 実施例および比較例 先ず、リード線として銅線を接続した、直径1
mmφ、長さ100mm、純度99.9重量%の銀棒の先端
から10mmを次表に示す電解液に浸漬し、銀棒を陽
極として、電解処理を行ない、銀棒表面に塩化銀
層を形成した。
する。更に詳しくは、被測定液中の電解質濃度変
化にほとんど影響されずに一定電位を示し、しか
も、照合電極と併用するイオン選択性電極を劣化
させることがない改善された照合電極に関する。 [発明の技術的背景とその問題点] イオン選択性電極を用いてイオンの濃度を測定
する際、照合電極が基準の電極として用いられて
いる。 最も一般的な照合電極としては、飽和カロメル
電極、銀/塩化銀電極等が挙げられる。このう
ち、飽和カロメル電極は内部電解質溶液として飽
和KCl溶液を有する。また、銀/塩化銀電極も、
通常、一定濃度のKCl溶液その他の塩溶液に浸漬
して用いられている。 然しながら、内部電解質溶液を内蔵する照合電
極は構造が複雑であるため、製造工程が煩雑とな
り、しかも、該電極の取扱いおよび保守に特別の
注意を要するという問題があつた。 これらの問題を解消すべく、最近、より簡素な
構造の、電解質溶液を有しない照合電極、例え
ば、銀、塩化銀、粉末状のKCl等を含有する高分
子膜およびCl-イオンを一定濃度に保つための高
分子保護膜をこの順序で被覆した多層構造の銀−
塩化銀固体照合電極が開発され、実用に供されて
いる。 固体照合電極の上記高分子保護膜としては、経
験上、アミン硬化エポキシ樹脂被膜が優れている
ことが知られていた。 然しながら、アミン硬化エポキシ樹脂は、硬化
の際に発生するアンモニアもしくはアミン類を微
量含有するため、これを高分子保護膜とする固体
照合電極をイオン選択性電極と共に使用すると、
これらアンモニアもしくはアミン類によつて、イ
オン選択性電極が劣化してしまうという問題を有
していた。 この問題を解決するべく、アミン硬化エポキシ
樹脂に代えて、アジピン酸ジオクチルの如き可塑
剤を含有したポリ塩化ビニル膜を高分子保護膜と
して用いた固体照合電極が提案されている。 然しながら、この種の固体照合電極はCl-イオ
ンに僅かながらではあるが感応してしまうという
欠点があつた。例えば、被測定溶液中のCl-イオ
ン濃度が10倍に増えると照合電極の電位が負に約
10mVずれてしまう。このためポリ塩化ビニル膜
を高分子保護膜として用いた固体照合電極をイオ
ン濃度の測定に用いると測定誤差が大きくなつて
しまうという問題が残つた。 このためアミン硬化エポキシ樹脂に代る優れた
固体照合電極用高分子保護膜材の開発が望まれて
いた。 [発明の目的] 本発明は、イオン選択性電極を劣化させること
なく安定な電位を示す固体照合電極を提供するこ
とを目的とする。 [発明の概要] 本発明者らは上記目的を達成すべく、鋭意研究
を重ねた結果、照合電極の高分子保護膜としてシ
リコーン系ポリマー膜を用いると照合電極の電位
が長期間に亘り一定値を示す事実を見い出し、本
発明を完成した。 即ち、本発明の照合電極はリード線が接続され
た銀と;該銀表面上の少なくとも一部に形成され
たハロゲン化銀層と;該ハロゲン化銀層の表面を
被覆したアルカリ金属ハロゲン化物を含有するポ
リ塩化ビニル樹脂層と;該ポリ塩化ビニル樹脂層
の表面を被覆したシリコーン系ポリマー膜とから
なることを特徴とする。 本発明に於いて銀およびハロゲン化銀は単極電
池X-|AgX|Ag(式中、Xはハロゲン元素を表
す。)を形成するための必須の成分である。 銀は、通常、99.9重量%以上の高純度のものを
使用する。99.9重量%未満であると所定の基準電
位が得られなくなつてしまう。 銀の形状は、線材、棒材、板材のいずれでもよ
く何ら限定されるものではない。 銀材にはリード線の一端が接続され、その他端
は電極外部に設けられる電気信号表示装置に接続
される。 銀表面に固定されるハロゲン化銀としては、安
定な電位を与える塩化銀が好ましい。 ハロゲン化銀層の層厚は、通常、5〜100μm
とする。層厚が5μm未満では基準電位値が安定
せず、また、層厚が100μmを超えると電気抵抗
が過大となつてしまうからである。 用いるアルカリ金属ハロゲン化物を含有するポ
リ塩化ビニル樹脂層は、銀−ハロゲン化銀電極の
電極反応AgCl+e=Ag++Cl-の電極電位を決定
する役目をする。 アルカリ金属ハロゲン化物としては、特に、
KClが好ましい。なぜならば、K+とCl-の移動度
がほぼ等しいため、液間電位差が生じにくいから
である。 アルカリ金属ハロゲン化物は、通常、粒径
200μm以下の粉末としてポリ塩化ビニル樹脂中
に均一に分散されている。 ポリ塩化ビニル樹脂としては周知の成形用樹脂
を用いることが出来る。また、ポリ塩化ビニル樹
脂は、例えば、アジピン酸ジオクチル、フタール
酸ジオクチル、オルトニトロフエニルオクチルエ
ーテル等の周知の可塑剤を含むことが出来る。 ポリ塩化ビニル樹脂層中のアルカリ金属ハロゲ
ン化物の含有量は、通常、50〜80重量%とする。
含有量が上記範囲を逸脱すると、所定の安定電位
が得られなくなつてしまうからである。 また、ポリ塩化ビニル層の層厚は30〜800μm
であることが好ましい。層厚が30μm未満ではポ
リ塩化ビニル層の機械的強度が低いため、破損し
やすく、一方、層厚が800μmを超えると電気抵
抗が高くなりすぎてしまう。 本発明に於いてシリコーン系ポリマー膜は、ポ
リ塩化ビニル層中のCl-イオン濃度を一定に保つ
ための保護膜である。 用いるシリコーン系ポリマーとしては、シリコ
ーン系接着剤TSE−385RTV{東芝シリコーン(株)
製}およびKE471{信越化学工業(株)製}が好まし
い。 シリコーン系ポリマー膜の膜厚は、好ましくは
20〜600μmとする。膜厚が20μm未満ではポリ塩
化ビニル層の機械的強度が低いため、破損しやす
く、一方、膜厚が600μmを超えると電気抵抗が
高くなりすぎてしまう。 次に、本発明の照合電極を図面を参照しながら
説明する。 図は本発明の照合電極の好適態様を示す概念的
断面図である。 図において1は銀棒であり、その一端は銅線で
あるリード線2とハンダ付部3で接続されてい
る。5は該銀棒1の表面に形成された塩化銀層で
ある。この表面はKCl粉末が分散されたポリ塩化
ビニル層6によつて覆われている。このように形
成された銀−塩化銀電極の最外部は保護膜として
のシリコーン系ポリマー膜7によつて被覆され
る。また、上記リード線2、ハンダ付部3および
銀棒1の一部は電気絶縁性外装によつて覆われて
いる。 このような本発明の照合電極は、例えば、次の
ようにして得ることが出来る。 先ず、銀棒1を陽極として、塩化物イオンを含
む電解液中で電解処理を施すことによつて、銀棒
1の表面に塩化銀層を形成する。 次に、ポリ塩化ビニル樹脂、その可塑剤、塩化
カリウム粉末および溶剤のテトラヒドロフランの
所定量から成るポリ塩化ビニル層形成溶液を調製
した後、この溶液を上記塩化銀層の表面に塗布
し、乾燥し、ポリ塩化銀層を形成する。 次に、液状のシリコーン系ポリマーを上記ポリ
塩化ビニル層の表面に塗布し、乾燥し、シリコー
ン系ポリマー膜を形成し、本発明の照合電極を得
ることが出来る。 [発明の効果] 本発明の照合電極は、その最外部がシリコーン
系ポリマーの保護膜で被覆されているため、被測
定液中の電解質濃度変化にほとんど影響されずに
一定電位を示し、しかも、保護膜中にアンモニ
ア、アミン類を含まないので、照合電極と併用す
るイオン選択性電極を劣化させることがないとい
う効果を奏し、その工業的価値は極めて大であ
る。 [発明の実施例] 以下、本発明の照合電極を実施例に沿つて詳説
する。 実施例および比較例 先ず、リード線として銅線を接続した、直径1
mmφ、長さ100mm、純度99.9重量%の銀棒の先端
から10mmを次表に示す電解液に浸漬し、銀棒を陽
極として、電解処理を行ない、銀棒表面に塩化銀
層を形成した。
【表】
一方、これとは別に、ポリ塩化ビニル1gおよ
び平均粒径40μmのKCl粉末3gをテトラヒドロ
フラン20gに溶かしポリ塩化ビニル層形成液を調
製し、このポリ塩化ビニル層形成液を、上記銀棒
の塩化銀層表面に塗布し、層厚300μmのポリ塩
化ビニル層を形成した。 次に、このポリ塩化ビニル層の表面に、東芝シ
リコーン(株)製シリコーン系接着剤TSE385gを塗
布し、乾燥し、膜厚200μmの保護膜を形成せし
め、本発明の照合電極を得た。 一方、比較のため、ポリ塩化ビニル1gとアジ
ピン酸ジオクチル1.7gとから保護膜を形成した
以外は上記の方法と同様にして、比較用の照合電
極を作成した。 次に、本発明の照合電極と比較用の照合電極の
電位安定性を試験するため、これらの電極部を
10-1、10-2、10-3mol/のKCl溶液中に浸漬し、
飽和甘汞電極を基準として電位を測定した。 本発明の照合電極にあつては、KCl溶液の濃度
に影響されず、電位変化は±1mVの範囲に収ま
つた。一方、比較用の照合電極にあつては、溶液
のNaCl濃度が大きくなる程、指示電位が低く、
しばしばCl-濃度変化に対して−10mV/decade
の感度を示した。 また、これらの溶液について、カリウムイオン
選択性電極を用いて、カリウムイオン濃度を10時
間連続測定した。この測定に於いて本発明の照合
電極を基準とした場合、10時間連続測定後のイオ
ン濃度測定誤差は1%の範囲に収まつたが、比較
用の照合電極を基準とした場合には、イオン濃度
測定誤差は8%であつた。
び平均粒径40μmのKCl粉末3gをテトラヒドロ
フラン20gに溶かしポリ塩化ビニル層形成液を調
製し、このポリ塩化ビニル層形成液を、上記銀棒
の塩化銀層表面に塗布し、層厚300μmのポリ塩
化ビニル層を形成した。 次に、このポリ塩化ビニル層の表面に、東芝シ
リコーン(株)製シリコーン系接着剤TSE385gを塗
布し、乾燥し、膜厚200μmの保護膜を形成せし
め、本発明の照合電極を得た。 一方、比較のため、ポリ塩化ビニル1gとアジ
ピン酸ジオクチル1.7gとから保護膜を形成した
以外は上記の方法と同様にして、比較用の照合電
極を作成した。 次に、本発明の照合電極と比較用の照合電極の
電位安定性を試験するため、これらの電極部を
10-1、10-2、10-3mol/のKCl溶液中に浸漬し、
飽和甘汞電極を基準として電位を測定した。 本発明の照合電極にあつては、KCl溶液の濃度
に影響されず、電位変化は±1mVの範囲に収ま
つた。一方、比較用の照合電極にあつては、溶液
のNaCl濃度が大きくなる程、指示電位が低く、
しばしばCl-濃度変化に対して−10mV/decade
の感度を示した。 また、これらの溶液について、カリウムイオン
選択性電極を用いて、カリウムイオン濃度を10時
間連続測定した。この測定に於いて本発明の照合
電極を基準とした場合、10時間連続測定後のイオ
ン濃度測定誤差は1%の範囲に収まつたが、比較
用の照合電極を基準とした場合には、イオン濃度
測定誤差は8%であつた。
図は本発明の照合電極の好適態様を示す概念的
断面図である。 1……銀棒、2……リード線、3……ハンダ付
部、4……絶縁性外装、5……塩化銀層、6……
KClを分散させたポリ塩化ビニル層、7……シリ
コーン系ポリマー膜。
断面図である。 1……銀棒、2……リード線、3……ハンダ付
部、4……絶縁性外装、5……塩化銀層、6……
KClを分散させたポリ塩化ビニル層、7……シリ
コーン系ポリマー膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 リード線が接続された銀と;該銀表面上の少
なくとも一部に形成されたハロゲン化銀層と;該
ハロゲン化銀層の表面を被覆したアルカリ金属ハ
ロゲン化物を含有するポリ塩化ビニル樹脂層と;
該ポリ塩化ビニル樹脂層の表面を被覆したシリコ
ーン系ポリマー膜とからなることを特徴とする照
合電極。 2 該ハロゲン化銀が塩化銀であり、かつ、該ア
ルカリ金属ハロゲン化物が塩化カリウムである特
許請求の範囲第1項記載の照合電極。 3 該ポリ塩化ビニル樹脂層の膜厚が30〜800μ
mである特許請求の範囲第1項記載の照合電極。 4 該シリコーン系ポリマー膜の膜厚が20〜
600μmである特許請求の範囲第1項記載の照合
電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8775883A JPS59214751A (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | 照合電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8775883A JPS59214751A (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | 照合電極 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59214751A JPS59214751A (ja) | 1984-12-04 |
| JPH0439619B2 true JPH0439619B2 (ja) | 1992-06-30 |
Family
ID=13923842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8775883A Granted JPS59214751A (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | 照合電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59214751A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1989004959A1 (en) * | 1987-11-24 | 1989-06-01 | Terumo Kabushiki Kaisha | Reference electrode |
| JPH02193055A (ja) * | 1988-10-27 | 1990-07-30 | Terumo Corp | 基準電極 |
| JP2004045373A (ja) * | 2002-05-21 | 2004-02-12 | Tanita Corp | 電気化学式センサ |
-
1983
- 1983-05-20 JP JP8775883A patent/JPS59214751A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59214751A (ja) | 1984-12-04 |
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