JPH0439780B2 - - Google Patents

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JPH0439780B2
JPH0439780B2 JP59198897A JP19889784A JPH0439780B2 JP H0439780 B2 JPH0439780 B2 JP H0439780B2 JP 59198897 A JP59198897 A JP 59198897A JP 19889784 A JP19889784 A JP 19889784A JP H0439780 B2 JPH0439780 B2 JP H0439780B2
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Description

【発明の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 この発明は、比較的熱放散の大きいパツケージ
を備えた半導体装置に関する。
(ロ) 従来技術 半導体素子からの発熱を外部に放散させる目的
で、ヒートシンク上に半導体素子およびインナリ
ードをボンデイングし、これらを樹脂でモールド
した半導体が提案されている（例えば特開昭55−
162246号公報）。
しかしながら、ヒートシンクを使用した場合、
一番問題となるのは、インナリードの下側（反半
導体素子側）に樹脂が充填されない場所、いわゆ
るボイドが発生することである。しかもこのボイ
ドはインナリードとヒートシンクの境界面近傍で
発生しやすい傾向がある。このボイドがあると、
ヒートシンクのモールド樹脂に対する接着強度の
低下を招くおそれがある。さらに重要なことは、
ボイド中の酸素等により半導体素子が劣化する可
能性があり、ひいては半導体装置の信頼性に悪い
影響を与えるものである。
(ハ) 目的 この発明は、ヒートシンクを使用した半導体装
置において、前記ボイドを回避できるようにした
半導体装置を提供することを目的としている。
(ニ) 構 成 この発明は、電気絶縁性を有するヒートシンク
と、ヒートシンク上にダイボンデイングされる半
導体素子と、ヒートシンク上に接着剤を介して接
着されるインナリードと、インナリード、ヒート
シンク、半導体素子を封止するモールド樹脂を備
えており、かつ前記インナリードは貫通孔を有す
るとともに、貫通孔の一部分がヒートシンクと重
なるように配置されていることを特徴としてい
る。
(ホ) 実施例 第１図はこの発明に係る半導体装置の一実施例
の構成を略示した説明図であり、同図ａはインナ
リード及びこれに接着されるヒートシンク等を平
面視したもの、同図ｂは本装置の断面図である。
１はエポキシ系樹脂あるいはシリコン系樹脂を
所定の形状に低圧トランスフアー成型することに
より形成されるモールド部である。
２は前記モールド部１内に埋設されるインナー
リードである。このインナーリード２は42Ni合
金、銅系合金あるいはFe系合金の薄板からなり、
少なくともワインヤボンデイングされる先端部分
は金属メツキされている。
前記インナリード２には貫通孔２１が開設され
ている。３は接着剤４を介して前記インナーリー
ド２の裏面側に接着されるヒートシンクである。
このヒートシンク３は例えば、セラミツク板が用
いられている。また、前記接着剤４としては、耐
熱性のあるエポキシ系接着剤が用いられる。同図
ａにおける斜線部分はヒートシンク３の領域を示
している。この実施例ではヒートシンク３が絶縁
板であるため、前記接着剤３は隣接リードと短絡
しない限り、銀ペースト等の導電性接着剤を用い
ることができる。そして、このようにすることに
より熱放散は絶縁性樹脂を用いる場合に比較して
一層高められる。
インナリード２をヒートシンク３に接着するに
際して、インナリード２の前記貫通孔２１の一部
分がヒートシンク３と重なるようにしている。
ヒートシンク３上面の中央部分に半導体素子５
が、銀ペースト６を介してダイボンデイングされ
る。そして、該半導体素子５と所定のリード２間
は例えば、極細の金線等でワイヤボンデイングさ
れている。
このような半導体装置において、半導体素子５
に発生した熱はヒートシンク３に伝達され、さら
にリード２を介してプリント基板に放出されると
ともに、ヒートシンク３からモールド樹脂を介し
て外気に放出される。
なお、上述の実施例では、ヒートシンクはセラ
ミツク板を用いるとして説明した。しかし、この
発明はこれに限られず例えば、アルミニウム板の
少なくとも片面に絶縁性のガラス・エポキシ樹脂
を被着し、この樹脂を介してアルミニウム板とイ
ンナーリードを絶縁性を保持して接着するもので
あつてもよい。
(ヘ) また、ヒートシンクとインナリードを接着
するための絶縁性の樹脂としては、前記したよう
なエポキシ樹脂の他に、ポリイミド樹脂またはガ
ラス等が用いられ得る。
(ヘ) 効 果 この発明に係る半導体装置は、インナリードは
貫通孔を有しており、この貫通孔の一部分がヒー
トシンクと重なるように配置されているものであ
るから、前記したヒートシンクとインナリードの
境界面近傍に発生しがちなボイドを回避できると
いう効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明に係る半導体装置の一実施例
の構成を略示した説明図であり、同図ａはインナ
ーリード及びこれに接着されるヒートシンクを平
面視したもの、同図ｂは断面図である。 １……モールド部、２……インナーリード、３
……ヒートシンク、４……接着剤。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 電気絶縁性を有するヒートシンクと、ヒート
    シンク上にダイボンデイングされる半導体素子
    と、ヒートシンク上に接着剤を介して接着される
    インナリードと、インナリード、ヒートシンク、
    半導体素子を封止するモールド樹脂を備えてお
    り、かつ前記インナリードは貫通孔を有するとと
    もに、貫通孔の一部分がヒートシンクと重なるよ
    うに配置されていることを特徴とする半導体装
    置。
JP59198897A 1984-09-22 1984-09-22 半導体装置 Granted JPS6177350A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59198897A JPS6177350A (ja) 1984-09-22 1984-09-22 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59198897A JPS6177350A (ja) 1984-09-22 1984-09-22 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6177350A JPS6177350A (ja) 1986-04-19
JPH0439780B2 true JPH0439780B2 (ja) 1992-06-30

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Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59198897A Granted JPS6177350A (ja) 1984-09-22 1984-09-22 半導体装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5028984A (en) * 1988-11-04 1991-07-02 International Business Machines Corporation Epoxy composition and use thereof

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55162246A (en) * 1979-06-04 1980-12-17 Hitachi Ltd Resin-sealed semiconductor device

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Publication number Publication date
JPS6177350A (ja) 1986-04-19

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