JPS6177350A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS6177350A JPS6177350A JP59198897A JP19889784A JPS6177350A JP S6177350 A JPS6177350 A JP S6177350A JP 59198897 A JP59198897 A JP 59198897A JP 19889784 A JP19889784 A JP 19889784A JP S6177350 A JPS6177350 A JP S6177350A
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- semiconductor element
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W40/70—Fillings or auxiliary members in containers or in encapsulations for thermal protection or control
- H10W40/77—Auxiliary members characterised by their shape
- H10W40/778—Auxiliary members characterised by their shape in encapsulations
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
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- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は、比較的熱放散の大きいパッケージを備えた
半導体装置に関する。
半導体装置に関する。
（ロ）従来技術
いわゆるパワーＩＣや発光ダイオード駆動用ＩＣ等では
、比較的熱放散の大きいパッケージが用いられる。その
ため、従来このようなパッケージは種々提案実施されて
いる。例えば、 ■ 半導体素子がダイボンディングされるヒートシンク
の一部をモールド部から外部・・、導出してメ：１シ放
散を図るもの、 ■ 半導体素子がダイボンディングされる金属Ｊ１（金
属薄板を打ら抜いてインナーリードと同りに形成される
、いわゆるアイランド）をインナーリードと連結し、前
記インナリードを介して熱放散を行うもの、 ■ 半導体素子を封止するモールド部に放ｊ′ハ板を接
着し、モール１゛樹脂を介してタハ放＋１（（を行うも
の等がある。
、比較的熱放散の大きいパッケージが用いられる。その
ため、従来このようなパッケージは種々提案実施されて
いる。例えば、 ■ 半導体素子がダイボンディングされるヒートシンク
の一部をモールド部から外部・・、導出してメ：１シ放
散を図るもの、 ■ 半導体素子がダイボンディングされる金属Ｊ１（金
属薄板を打ら抜いてインナーリードと同りに形成される
、いわゆるアイランド）をインナーリードと連結し、前
記インナリードを介して熱放散を行うもの、 ■ 半導体素子を封止するモールド部に放ｊ′ハ板を接
着し、モール１゛樹脂を介してタハ放＋１（（を行うも
の等がある。
しかしながら、■の半導体装置は、比較的大きいヒート
シンクがモールド部から導出される結果、熱放散は良好
であるが、モールド樹脂と導出しされたヒートシンクの
界面からモールド内への浮気の浸入が多く、耐湿性に劣
るという欠点がある。
シンクがモールド部から導出される結果、熱放散は良好
であるが、モールド樹脂と導出しされたヒートシンクの
界面からモールド内への浮気の浸入が多く、耐湿性に劣
るという欠点がある。
■の半導体装置にあっては、アイラユ／ドに接続される
リードが必然的に接地端子になる関係」−１余り多くの
リードをアイランドに接続することはできない。そのた
め、熱放散を充分上げることができないという欠点があ
る。
リードが必然的に接地端子になる関係」−１余り多くの
リードをアイランドに接続することはできない。そのた
め、熱放散を充分上げることができないという欠点があ
る。
■の半導体装置は、樹脂を介して熟成１１ｋを行う関係
上、熱放散が小さく、特に過渡熱抵抗が大きくなるとい
う欠点がある。
上、熱放散が小さく、特に過渡熱抵抗が大きくなるとい
う欠点がある。
（ハ）目的
この発明は、耐湿性を下げることがなく、比較的熱放散
の大きいパッケージを備えた半導体装置を提供すること
を目的としている。
の大きいパッケージを備えた半導体装置を提供すること
を目的としている。
（ニ）構成
この発明に係る半導体装置は、半導体素子がダイボンデ
ィングされるヒートシンクと、前記半導体素子との間で
ワイヤボンディングされるインナグー［゛とを絶縁性を
保持して接着し、両者をモールド樹脂で封止したことを
特徴としている。
ィングされるヒートシンクと、前記半導体素子との間で
ワイヤボンディングされるインナグー［゛とを絶縁性を
保持して接着し、両者をモールド樹脂で封止したことを
特徴としている。
（ホ）実施例
第１図はこの発明に係る半導体装置の一実施例の構成を
黙示した説明図であり、同図（ａ＋ばインナーリード及
びこれに接着されるヒートシンク等を平面視したもの、
同図（ｂｌは本装置の断面図である。
黙示した説明図であり、同図（ａ＋ばインナーリード及
びこれに接着されるヒートシンク等を平面視したもの、
同図（ｂｌは本装置の断面図である。
Ｉはエポキシ系樹脂あるいはシリコン系樹脂を所定の形
状に低圧トランスファー成型することにより形成される
モールド部である。
状に低圧トランスファー成型することにより形成される
モールド部である。
２は前記モールド部１内に埋設されるインナーリードで
ある。このインナーリード２は４２Ｎｉ合金、銅系合金
あるいはＦｅ系合金の薄板からなり、少なくともワイヤ
ボンディングされる先端部分は金属メンキされている。
ある。このインナーリード２は４２Ｎｉ合金、銅系合金
あるいはＦｅ系合金の薄板からなり、少なくともワイヤ
ボンディングされる先端部分は金属メンキされている。
３は接着剤４を介して前記インナーリード２の裏面側に
接着されるヒートシンクである。このヒートシンク３は
例えば、セラミック板が用いられている。また、前記接
着剤４としては、耐熱性のあるエポキシ系接着剤が用い
られる。同図（ａ）における斜線部分はヒートシンク３
の領域を示している。この実施例ではヒートシンク３が
絶縁板であるため、前記接着剤３は隣接リードと短絡し
ない限り、銀ペースト等の導電性接着剤を用いることが
できる。そして、このようにすることにより熱放散は絶
縁性樹脂を用いる場合に比較して一層高められる。
接着されるヒートシンクである。このヒートシンク３は
例えば、セラミック板が用いられている。また、前記接
着剤４としては、耐熱性のあるエポキシ系接着剤が用い
られる。同図（ａ）における斜線部分はヒートシンク３
の領域を示している。この実施例ではヒートシンク３が
絶縁板であるため、前記接着剤３は隣接リードと短絡し
ない限り、銀ペースト等の導電性接着剤を用いることが
できる。そして、このようにすることにより熱放散は絶
縁性樹脂を用いる場合に比較して一層高められる。
ヒートシンク３上面の中央部分に半導体素子５が、銀ペ
ースト６を介してダイボンディングされる。そして、該
半導体素子５と所定のリード２間は例えば、極細の金線
等でワイヤボンディングされている。
ースト６を介してダイボンディングされる。そして、該
半導体素子５と所定のリード２間は例えば、極細の金線
等でワイヤボンディングされている。
このような半導体装置において、半導体素子５に発生し
た熱はヒートシンク３に伝達され、さらにり−１゛２を
介してプリンｉ・基板に放出されるとともに、ヒートシ
ンク３がらモールド樹脂を介して外気に放出される。
た熱はヒートシンク３に伝達され、さらにり−１゛２を
介してプリンｉ・基板に放出されるとともに、ヒートシ
ンク３がらモールド樹脂を介して外気に放出される。
なお、］二ｉＪの実施例では、ヒートシンクはセラミッ
ク板を用いるとして説明した。しかし、この発明はこれ
に限られず例えば、アルミニウム板の少なくとも片面に
絶縁性のガラス・エポキシ樹脂を被着し、この樹脂を介
してアルミニウム板とインナーリードを絶縁性を保持し
て接着するものであってもよい。
ク板を用いるとして説明した。しかし、この発明はこれ
に限られず例えば、アルミニウム板の少なくとも片面に
絶縁性のガラス・エポキシ樹脂を被着し、この樹脂を介
してアルミニウム板とインナーリードを絶縁性を保持し
て接着するものであってもよい。
また、ヒートシンクとインナリードを接着するための絶
縁性の樹脂としては、前記したようなエポキシ樹脂の他
に、ポリイミド樹脂またはガラス等が用いられ得る。
縁性の樹脂としては、前記したようなエポキシ樹脂の他
に、ポリイミド樹脂またはガラス等が用いられ得る。
（へ）効果
この発明に係る半導体装置は、比較的大きいヒートシン
ク上に半導体素子をダイボンディングし、かつそのヒー
トシンクとインナーグー１−を接続したから、熱放散を
大きくすることができる。
ク上に半導体素子をダイボンディングし、かつそのヒー
トシンクとインナーグー１−を接続したから、熱放散を
大きくすることができる。
また、ヒートシンクがモールド部から外部へ露出しない
から、湿気の浸入が少なく、そのためヒートシンクを設
けたことによって半導体装置の耐湿性を低下させること
もない。
から、湿気の浸入が少なく、そのためヒートシンクを設
けたことによって半導体装置の耐湿性を低下させること
もない。
第１図はこの発明に係る半導体装置の一実施例の構成を
黙示した説明図であり、同図（８）はインナーリード及
びこれに接着されるヒートシンクを平面視したもの、同
図（ｂｌは断面図である。 １・・・モールド部、２・ ・ ・インナーグー］゛、
３・・・ヒートシンク、４・・・接着剤。
黙示した説明図であり、同図（８）はインナーリード及
びこれに接着されるヒートシンクを平面視したもの、同
図（ｂｌは断面図である。 １・・・モールド部、２・ ・ ・インナーグー］゛、
３・・・ヒートシンク、４・・・接着剤。
Claims (1)
- （１）半導体素子がダイボンディングされるヒートシン
クと、前記半導体素子との間でワイヤボンディングされ
るインナリードとを絶縁性を保持して接着し、両者をモ
ールド樹脂で封止したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59198897A JPS6177350A (ja) | 1984-09-22 | 1984-09-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59198897A JPS6177350A (ja) | 1984-09-22 | 1984-09-22 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6177350A true JPS6177350A (ja) | 1986-04-19 |
| JPH0439780B2 JPH0439780B2 (ja) | 1992-06-30 |
Family
ID=16398755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59198897A Granted JPS6177350A (ja) | 1984-09-22 | 1984-09-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6177350A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02173056A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-07-04 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 硬化性組成物とそれを用いた集積回路モジユール |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55162246A (en) * | 1979-06-04 | 1980-12-17 | Hitachi Ltd | Resin-sealed semiconductor device |
-
1984
- 1984-09-22 JP JP59198897A patent/JPS6177350A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55162246A (en) * | 1979-06-04 | 1980-12-17 | Hitachi Ltd | Resin-sealed semiconductor device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02173056A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-07-04 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 硬化性組成物とそれを用いた集積回路モジユール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0439780B2 (ja) | 1992-06-30 |
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