JPH0439905A

JPH0439905A - 軟磁性合金膜

Info

Publication number: JPH0439905A
Application number: JP2146791A
Authority: JP
Inventors: Naoya Hasegawa; 直也長谷川; Masaji Saito; 正路斎藤
Original assignee: Alps Electric Co Ltd
Current assignee: Alps Alpine Co Ltd
Priority date: 1990-06-05
Filing date: 1990-06-05
Publication date: 1992-02-10
Anticipated expiration: 2012-11-12
Also published as: KR960012243B1; JP2675178B2; KR920001569A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］この発明は、磁気ヘッド等に適した軟磁性合金膜に関す
る。

（従来の技術〕磁気記録の分野においては、記録密度を高めるために磁
気テープ等の記録媒体の高保磁力化が推進されているが
、それに対応する磁気ヘッドの材料として飽和磁束密度
（Ｂ　ｓ）の高いものが要求されている。

従来の高飽和磁束密度の軟磁性材料（膜）として、Ｆ　
ｅ−５ｉ−Ａ　Ｉ合金（センダスト）が代表的なもので
あるが、近年、強磁性金属元素であるＣｏを主体とする
非晶質の合金膜が開発されている。

また最近の試みとして、Ｆｅを主成分とする微細結晶か
らなる合金膜（Ｆ　ｅ−Ｃ、Ｆ　ｅ−８ｉ等）により、
Ｆｅの結晶磁気異方性の影響（軟磁性に対する悪影響）
を結晶の微細化により軽減し、高飽和磁束密度でかつ軟
磁気特性の優れた膜を得た例がある。

［発明が解決しようとする課題］ところで、磁気ヘッドを組み込んだ装置は小型化、軽量
化する傾向にあり、移動に伴う振動にさらされたり、悪
環境のもとで使用されたりすることが多くなっている。

そこで、磁気ヘッドには、磁気特性が優秀であって磁気
テープに対する耐摩耗性が優れていることは勿論、高湿
度雰囲気などの腐食性の雰囲気中での耐用性、すなわち
耐環境性や、耐振動性等が高いことが要求されている。

そのため、ギャップ形成やケースへの組み込み等をガラ
ス溶着で行うことが必要となり、磁気ヘッドの素材はヘ
ッドの製造工程におけるガラス溶着工程の高温に耐え得
ることが必要である。

しかしながら、前記従来の軟磁性合金膜において、セン
ダストからなるものは、飽和磁束密度か約１００００Ｇ
（ガウス）程度であり、今後−層の高密度化の要求に対
しては不充分である。また、Ｃｏ系のアモルファス合金
膜では１３０００Ｇ以上の高い飽和磁束密度のものも得
られているが、従来のアモルファス合金の飽和磁束密度
を高くしようとすると、アモルファス形成元素であるＴ
Ｉ。

Ｚ　ｒ、Ｈｆ、Ｎ　ｂ、Ｔ　ａ、Ｍ　ｏ、Ｗ等の添加量
を少なくする必要がある。ところがこれらの添加量を少
なくすると、アモルファス構造の安定性が低下し、ガラ
ス溶着に必要な温度（約５０００Ｃ以上）には耐え得な
い問題がある。

更に、上述したＦｅを主成分とする微細結晶からなる合
金膜（Ｆ　ｔ−Ｃ、Ｆ　ｅ−５ｉ等）は、高温で結晶成
長を起こし、軟磁気特性が劣化する（Ｆ　ｅ−Ｃの場合
、４００°Ｃが最大）ために、やはりガラス溶着に適し
たものとは言い難い。

このような背景から本願発明者らは、特願平ｌ−２７８
２２０号などにおいて、前記の問題を解決した軟磁性合
金膜を特許出願している。

特願平１−２７８２２０号明細書において特許出願して
いる軟磁性合金膜の１つは、組成式が、ＦｅｘＭｅＣｄ
で示され、組成比１は原子％で５０〜９６、Ｃは２〜３
０．ｄは０．５〜２５、ａ＋ｃ十ｄ−１００なる関係を
満足するものであった。

また、他の１つは、組成式がＦｅｉＴｂＭｃＣｄで示さ
れ、組成比ａは原子％で５ｏ〜９６、ｂは０．１−１０
、Ｃは２−３０．ｄは０．５−２５、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ−
１００なる関係を満足するものであった。

この特許出願で提供した軟磁性合金膜は、一部組酸のも
のは１５０００Ｇ以上の高い飽和磁束密度を有し、従来
の各種材料に比較すると高い熱安定性を備え、通常の使
用環境下では十分な耐食性と耐環境性を有しているが、
Ｆｅを主成分とするために、悪環境下で使用された場合
は変色あるいは発　を招くおそれがあった。

そこで本願発明者らは、前記耐食性を向上させる目的で
研究を重ねた結果、先に特許出願した組成の軟磁性合金
膜に０．５〜２０原子％のＣｒを添加することで耐食性
を向上させ得ることを知見し、特願平２−６３８０８号
明細書において耐食性に優れた軟磁性合金膜について特
許出願した。

そして、更に本願発明者らは、この系の軟磁性合金膜の
耐食性を向上させるべく研究を進めた結果本願発明に至
った。

本願発明は上述の課題を解決し、保磁力が小さく透磁率
が高く、その特性が熱的に安定であるとともに、高い飽
和磁束密度を示し、良好な耐食性を有する軟磁性合金膜
を提供することを目的とするものである。

［課題を解決するための手段］請求項１に記載した発明は前記課題を解決するために、
組成式がＦｅａＸｄＭｅＣｌで示され、ＸはＹ　、Ｒｕ
、　Ｉ　ｒ、Ｒｈ、Ｎのうち少なくとも１種以上からな
る元素またはその混合物、ＭはＴｉ、Ｚｒ。

Ｈｆ、Ｖ　、Ｎ　ｂ、Ｔ　ａ、Ｍｏ、Ｗのうち少なくと
も１種以上からなる金属元素又はその混合物であり、組
成比ｓ、ｄ、ｅ、ｆは原子％で５０≦１≦９５．０．５
≦ｄ≦１Ｏ１２≦ｅ≦２５．０．５≦ｆ≦２５、ａ＋ｄ
十ｅ＋１−１００なる関係を満足させるとともに、その
組織が基本的に平均結晶粒径０．０８μｍ以下の微細な
結晶粒からなり、その一部に元素Ｍの炭化物の結晶相を
含むものである。

請求項２に記載した発明は前記課題を解決するタメニ、
組成式がＦｅ＊Ｔ　　ｂ　　Ｘ　　ｄＭ　ｅＣｆで示さ
れ、ＴはＣｏ、Ｎ　ｉのうち少なくとも１種からなる金
属元素又はその混合物、ＸはＹ　、Ｒｕ、　Ｉ　ｒ。

Ｒｈ、Ｎのうち少なくとも１種以上からなる元素又はそ
の混合物、ＭはＴ　ｉ、　Ｚ　ｒ、Ｈｆ、Ｖ　、Ｎ　ｂ
、Ｔ　！、Ｍ　ｏ。

Ｗのうち、少なくとも１種からなる金属元素又はその混
合物であり、組成比ｉ、ｂ、ｄ、ｅ、ｆは原子％で５０
≦ａ≦９５．０．１≦ｂ≦１０．０．５≦ｄ≦１Ｏ１２
≦ｅ≦２５．０．５≦ｆ≦２５．１＋ｂ十ｄ十ｅ＋１−
１００なる関係を満足させるとともに、その組織が基本
的に平均結晶粒径０．０８μｍ以下の微細な結晶粒から
なり、その一部に元素Ｍの炭化物の結晶相を含むもので
ある。

請求項３に記載した発明は前記課題を解決するために、
組成式Ｆｅ５ＣｒｃＸ　ｄＭ　ｅＣｆで示され、ＸはＹ
　、Ｒｕ、　Ｉ　ｒ、Ｒｈ、Ｎのうち少なくとも１種以
上からなる元素又はその混合物、ＭはＴＩ。

Ｚ　ｒ、ＨＩ、Ｖ　、Ｎ　ｂ、Ｔ　！、ＭＯ，Ｗのうち
、少なくとも１種からなる金属元素又はその混合物であ
り、組成比ｓ、ｃ、ｄ、＊、ｆは原子％で５０≦畠≦９
５．０．１≦ｅ≦２０．０．５≦ｄ≦１０．２≦ｅ≦２
５．０．５≦ｆ≦２５、ａ＋　ｃ＋　ｄ＋　ｅ＋　ｆ＝
　１００なる関係を満足させるとともに、その組織が基
本的に平均結晶粒径０．０８μ鳳以下の微細な結晶粒か
らなり、その一部に元素Ｍの炭化物の結晶相を含むもの
である。

請求項４Ｉこ記載した発明は前記課題を解決するために
、組成式Ｆｅ＊Ｔ　ｂｃｒｃＸ　ｄＭ　ｅＣｆで示され
、ＴはＣｏ、Ｎ　ｉのうち少なくとも１種からなる金属
元素又はその混合物、ＸはＹ、Ｒｕ、Ｉｒ。

Ｒｈ、Ｎのうち少なくとも１種以上からなる元素又ハソ
ノ混合物、ＭはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍ
ｏ。

Ｗのうち、少なくとも１種からなる金属元素又はその混
合物であり、組成比１　＋　ｂ　＋　Ｃ＋　ｄ　ｌ　ｅ
　＋　ｆは原子％で５０≦１≦９５．０．１≦ｂ≦１０
．０．１≦ｅ≦２０．０．５≦ｄ≦１０．２≦ｅ≦２５
．０．５≦１≦２５、ｉ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝　１０
０なる関係を満足させるとともに、その組織が基本的に
平均結晶粒径０．０８μ鳳以下の微細な結晶粒からなり
、その一部に元素Ｍの炭化物の結晶相を含むものである
。

請求項５に記載した発明は前記課題を解決するために、
請求項１，２．３又は４に記載の組織が平均結晶粒径０
．０８μ膳以下の微細な結晶粒と非晶質相との混在した
組織であり、その一部に元素Ｍの炭化物の結晶相を含む
ものである。

以下に本発明を更に詳細に説明する。

前記合金膜の生成方法としては、合金膜をス、（ツタ装
置、蒸着装置等の薄膜形成装置により作製する方法を採
用することかできる。スパッタ装置としては、ＲＦ２極
スパッタ、ＤＣスバ・ツタ、マグネトロンスパッタ、３
極スパツタ、イオンビームスパッタ、対向ターゲット式
スパッタ、等の既存のものを使用することができる。

まＩ；、Ｃを膜中に添加する方法としては、ターゲツト
板上にグラフフィトのペレットを配置して複合ターゲッ
トとし、これをスパッタする方法、あるいは、Ｃを含ま
ないターゲット（Ｆ　ｅ−Ｘ−Ｍ系あるいはＦ　ｅ−Ｔ
　−Ｘ−Ｍ系等）を用い、Ａｒ等の不活性ガス中にメタ
ン（ｃ　Ｈ４）等の炭化水素ガスを混合したガス雰囲気
でスパッタする反応性スパッタ法等を用いることができ
、特に反応性スパッタ法では膜中のＣ濃度の制御が容易
であるので所望のＣ濃度の優れた膜を得ることができる
。更に、窒素を膜中に添加する方法としては、（Ａｒ十
Ｎ、）ガス中でスパッタする方法を用いることができる
。

膜中の窒素濃度を調整するには、（Ａ　ｒ十Ｎ　２）ガ
ス中のＮ２濃度（Ｎ　ｚ／　Ａ　ｒ十Ｎ　２の値）を変
えることによって制御することができる。

このようにして作製したままの膜はアモルファス相をか
なりの割合で含んだものであり、不安定であるので、４
００〜７００℃程度に加熱する熱処理を施すことによっ
て微結晶を析出させる。そして、この熱処理を無磁場、
静磁場中あるいは回転磁場中で行うことにより、優れた
軟磁気特性が得られる。また、この熱処理は磁気ヘッド
の製造工程におけるガラス溶着工程と兼ねて行うことが
できる。

なお、前記微結晶の析出工程は、完全に行なわれる必要
はなく、微結晶が相当数（好ましくは５つ％以上）析出
していれば良いので、アモルファス成分が一部残留して
いても差し支えなく、残留したアモルファス成分が特性
向上の障害となることはない。

以下に前記のように成分を限定した理由について述べる
。

Ｆｅは主成分であり、磁性を担う元素であって、少なく
ともフェライト（Ｂｓ＝５０００　Ｇ）以上の飽和磁束
密度を得るためには、２２５０％が必要である。また、
良好な軟磁気特性を得るためには、ｎ≦９５％でなけれ
ばならない。

元素Ｔ（即ちＣｏ、Ｎ　ｉ）は、磁歪の調整の目的で添
加する元素である。Ｆｅ−Ｍ−Ｃ膜の場合、熱処理温度
か低いと磁歪が正になり、熱処理温度が高いと磁歪が負
になる。高い熱処理温度（ガラス溶着温度）を必要とす
る場合、磁歪を正にする効果のあるＮｉ、Ｃｏを適量添
加することにより、磁歪をほぼ零にすることができる。

なお、熱処理温度が適当な場合、元素Ｔの添加は特に必
要ないが、元素Ｔの添加は正の磁歪が＋１０−’今以上
まで大きくならないよう≦ｂ≦１０％としなくてはなら
ない。

元素Ｍ（Ｔｉ、Ｚ　ｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔｘ、Ｍｏ）
は軟磁気特性を良好にするために必要であり、またＣと
結合して炭化物の微細結晶を形成する。良好な軟磁気特
性を維持するためには、０２２％とする必要かめるが、
多すぎると飽和磁束密度が低下してしまうので、Ｃ≦２
５％とする必要がある。

Ｃは軟磁気特性を良好にするため、及び、耐熱性を向上
させるために必要であり、Ｃは元素Ｍと結合して炭化物
の微細結晶を形成する。良好な軟磁気特性、及び、熱的
安定性を維持するためには、ｆ≧０．５％とする必要が
あるが、多すぎると飽和磁束密度が低下してしまうので
、ｆ≦２５％とする必要がある。

元素Ｍの炭化物の微細結晶は磁壁のピンニングサイトと
して働き、透磁率の高周波特性を向上させる働きがある
とともに、膜中に均一に分散させることで、Ｆｅの微結
晶が熱処理により成長して軟磁性を損うことを防止する
働きがある。つまり、Ｆｅの結晶粒が成長して大きくな
ると結晶磁気異方性の悪影響が大きくなり、軟磁気特性
が悪化するが、元素Ｍの炭化物の微結晶がＦｅの粒成長
の障壁として働くことにより軟磁気特性の悪化を防止す
る。

以上説明のＦｅと元素Ｔと元素ＭとＣの成分限定理由は
特願平１−２７８２２０号の場合と同等である。

Ｃｒは耐食性を向上させるために添加する元素であるが
、Ｃ２０，１％としなければ耐食性の改善効果が現れな
い。また、Ｃ〉２０％とすると飽和磁束密度が低くなり
過ぎる（フェライト以下になる）ので好ましくない。

以上説明のＣｒの成分限定理由は特願平２−６３８０８
号の場合と同等である。

元素Ｘ　（Ｙ　、Ｒｕ、　Ｉ　ｔ、Ｒｈ、Ｎ　）は耐食
性を向上させるために添加する元素であるが、０．５％
以上添加しないと耐食性の改善効果は充分ではない。

また、添加量が１０％を越えると飽和磁束密度が低くな
り過ぎるとともに良好な軟磁気特性が得られなくなるの
で好ましくない。

そして、金属組織が基本的に０−ＯＳμｍ以下の微結晶
からなっているから、非晶質に比べて熱的安定性に優れ
ており、添加元素を少なくでき、飽和磁束密度を高くす
ることができる。

［作用〕上記軟磁性合金膜においては、その組織がＦｅに富む結
晶を主体とし、飽和磁束密度を低下させる成分の添加が
制限されているから、非晶質状態に比べ鉄原子１個あた
りの磁気モーメントおよびキュリー温度が高くなってお
り、高い飽和磁束密度か得られる。また、元素Ｍ及びＣ
か含まれているとともに、金属組織が微細な結晶粒から
なっており、結晶磁気異方性による軟磁性への悪影響が
軽減されるので、良好な軟磁気特性が得られる。

更に、元素Ｍの炭化物か析出してＦｅを主成分とする結
晶粒の成長を抑えるので、ガラス溶着工程において加熱
されても、結晶粒が粗大化することがない。更にまた、
Ｃｒを特定量添加し、更に必要に応じて元素Ｘを特定量
添加しているので耐食性が向上し、耐環境性に優れる。

そして、従来の非晶質合金とは異なり、無磁場アニール
によっても充分に高い初透磁率が得られ、熱処理工程を
簡略化することかできる。

［実施例］（１）成膜ＲＦ２極スパッタ装置を用いて、後記の第１表に示す組
成の合金膜を形成した。

使用したターゲットは、Ｆｅターゲット上にＴａ。

Ｃｒ、Ｙ　、Ｒｕ、　Ｉ　ｒ、Ｎ　ｉ、グラファイトの
各ペレットを適宜配置して構成した複合ターゲットを用
い、Ａｒガス雰囲気中あるいはＡ　ｒ＋　Ｎ　２ガス雰
囲気中でスパッタを行って膜厚５〜６μｍの薄膜を形成
した。なお、合金膜中の窒素濃度の制御は（Ａ　ｒ＋Ｎ
２）ガス中のＮ２ガス濃度を制御して行った。

（２）熱処理成膜後、５５０°Ｃで２０分間保持するアニールを行っ
た。このアニールは静磁場中で実施した。

（３）測定前記のように製造された合金膜と、スパッタにより成膜
した元素Ｘを含有しない合金膜について、静磁場アニー
ル後における飽和磁束密度（Ｂｓ）と、初透磁率（μ、
５ＭＨりおよび保磁力（Ｈｃ）の測定を行った。なお、
初透磁率と保磁力の測定は、薄膜の磁化困難軸方向で行
った。

以上の結果を次頁の第１表に示す。

第１表の比較例の試料１は、本発明者らが先に特許出願
しているもので、元素Ｘの添加のみを省略したものであ
るが、この組成に元素Ｘあるいは元素ＸとＣ「を特定量
添加しても初透磁率と保磁力などの軟磁気特性の劣化は
ほとんど問題にならないことが判明した。また、無磁場
アニールによっても良好な初透磁率が得られることも明
らかになった。

前記と同様な方法で作製した軟磁性合金膜を純水中に２
４０時間浸漬した後の変色状況を目視で判定した結果を
以下の第２表に示す。

（以下、余白）第　　２表Ｒｉ、Ｉ　ｒ、Ｒｈ、Ｎ）、あるいは、元素ＸとＣｒを
特定量添加することで、軟磁気特性を低下させることな
く耐食性に優れた軟磁性合金膜を得られることが明らか
になった。

［発明の効果］以上詳述したようにこの発明は、Ｆｅを主成分とする微
細な結晶粒から主になる軟磁性合金膜であり、飽和磁束
密度を低下させる成分の添加を制限しているから、高い
飽和磁束密度が得られる。

更に、従来のアモルファス合金膜とは異なり、無磁場中
で熱処理を行っても高い透磁率を発揮する膜を得ること
ができ、磁場をかけて熱処理する場合よりも工程の簡略
化をなしえる。

元素Ｍ（Ｔ　ｉ、Ｚ　ｒ、ＨＩ、Ｖ　、Ｎ　ｂ、Ｔ　ａ
、Ｍ　ｏ、Ｗ）及びＣという軟磁性を良好とする成分を
添加するとともに、金属組織を微細な結晶粒から構成し
、結晶磁気異方性による軟磁性への悪影響を軽減してい
るので、良好な軟磁気特性が得られる。

更に、微細な結晶粒からなるとともに、添加された元素
ＭがＣと炭化物を形成するから、ガラス溶着工程におい
て加熱されても、結晶粒が粗大化することがなく、上記
の特性を維持するので、高密度記録に要求される高い性
能を有する磁気ヘッドの素材として好適である。

更にまた、上記組成に加えて元素Ｔ（Ｃｏ、Ｎｉ）を添
加し、磁歪を調整することにより、磁気ヘッド製造工程
で生じる種々の歪による軟磁気特性の劣化を防ぐことが
できるものである。

そして、前記成分に元素Ｘ　（Ｙ　、Ｒｕ、　Ｉ　ｒ、
Ｒｈ、Ｎ）を特定量、あるいは、元素ＸとＣｒを特定量
添加しているので、Ｆｅ基の合金としては耐食性に優れ
、悪環境下の使用であっても変色や発　を生じない特徴
がある。

Claims

【特許請求の範囲】（１）組成式がＦｅａＸｄＭｅＣｌで示され、ＸはＹ，
Ｒｕ，ｌｒ，Ｒｈ，Ｎのうち少なくとも１種以上からな
る元素又はその混合物、ＭはＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎ
ｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗのうち少なくとも１種以上からなる
金属元素又はその混合物であり、組成比ａ，ｄ，ｅ，ｆ
は原子％で５０≦ａ≦９５０．５≦ｄ≦１０２≦ｅ≦２５０．５≦ｆ≦２５ａ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１００なる関係を満足させるとともに、その組織が基本的に平
均結晶粒径０．０８μｍ以下の微細な結晶粒からなり、
その一部に元素Ｍの炭化物の結晶相を含むことを特徴と
する軟磁性合金膜。（２）組成式がＦｅａＴｂＸｄＭｅＣｆで示され、Ｔは
Ｃｏ，Ｎｉのうち少なくとも１種からなる金属元素又は
その混合物、ＸはＹ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｎのうち少な
くとも１種以上からなる元素又はその混合物、ＭはＴｉ
，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗのうち、少な
くとも１種からなる金属元素又はその混合物であり、組
成比ａ，ｂ，ｄ，ｅ，ｆは原子％で５０≦ａ≦９５０．１≦ｂ≦１００．５≦ｄ≦１０２≦ｅ≦２５０．５≦ｆ≦２５ａ＋ｂ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１００なる関係を満足させるとともに、その組織が基本的に平
均結晶粒径０．０８μｍ以下の微細な結晶粒からなり、
その一部に元素Ｍの炭化物の結晶相を含むことを特徴と
する軟磁性合金膜。（３）組成式ＦｅａＣｒｃＸｄＭｅＣｆで示され、Ｘは
Ｙ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｎのうち少なくとも１種以上か
らなる元素又はその混合物、Ｍは、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，
Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗのうち、少なくとも１種から
なる金属元素又はその混合物であり、組成比ａ，ｃ，ｄ
，ｅ，ｆは原子％で５０≦ａ≦９５０．１≦ｃ≦２００．５≦ｄ≦１０２≦ｅ≦２５０．５≦ｆ≦２５ａ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１００なる関係を満足させるとともに、その組織が基本的に平
均結晶粒径０．０８μｍ以下の微細な結晶粒からなり、
その一部に元素Ｍの炭化物の結晶相を含むことを特徴と
する軟磁性合金膜。（４）組成式ＦｅａＴｂＣｒｃＸｄＭｅＣｆで示され、
ＴはＣｏ，Ｎｉのうち少なくとも１種からなる金属元素
又はその混合物、ＸはＹ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｎのうち
少なくとも１種以上からなる元素又はその混合物、Ｍは
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗのうち、
少なくとも１種からなる金属元素又はその混合物であり
、組成比ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆは原子％で５０≦ａ≦
９５０．１≦ｂ≦１００．１≦ｃ≦２００．５≦ｄ≦１０２≦ｅ≦２５０．５≦ｆ≦２５ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１００なる関係を満足させるとともに、その組織が基本的に平
均結晶粒径０．０８μｍ以下の微細な結晶粒からなり、
その一部に元素Ｍの炭化物の結晶相を含むことを特徴と
する軟磁性合金膜。（５）請求項１、２、３又は４に記載の組織が平均結晶
粒径０．０８μｍ以下の微細な結晶粒と非晶質相との混
在した組織であり、その一部に元素Ｍの炭化物の結晶相
を含むことを特徴とする軟磁性合金膜。