JPH0440001A - Microwave device - Google Patents

Microwave device

Info

Publication number
JPH0440001A
JPH0440001A JP2148010A JP14801090A JPH0440001A JP H0440001 A JPH0440001 A JP H0440001A JP 2148010 A JP2148010 A JP 2148010A JP 14801090 A JP14801090 A JP 14801090A JP H0440001 A JPH0440001 A JP H0440001A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
filter circuit
present
mmic
microwave
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2148010A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshihiko Yoshimasu
敏彦 吉増
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2148010A priority Critical patent/JPH0440001A/en
Publication of JPH0440001A publication Critical patent/JPH0440001A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Waveguide Connection Structure (AREA)
  • Waveguides (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は周波数フィルタ回路を含んでなるマイクロ波装
置に関し、特にはMMICを利用したマイクロ波装置の
小型化、高信頼化を実現するものである。
[Detailed Description of the Invention] <Industrial Application Field> The present invention relates to a microwave device including a frequency filter circuit, and in particular to realizing miniaturization and high reliability of a microwave device using MMIC. be.

〈従来の技術〉 信号増幅、周波数変換(ミキシング)、フィルタリング
といった信号処理回路を含むマイクロ波回路の従来例と
して、マイクロ波受信機のフロントエンド部(ダウンコ
ンバータ)の構成例を第3図に示す。ここで、30はマ
イクロ波信号の入力端子、31は低雑音増幅器、32は
バンドパスフィルタ回路またはイメージ帯域除去フィル
り回路、33はミキサ、34は局部発振器、35は中間
周波増幅器、36は中間周波出力端子である。受信信号
は低雑音増幅器31で増幅された後、ミキサ33に入力
し、局発信号とミキシングされて中間周波数に変換され
る。このとき、32のフィルタ回路はミキシング時に問
題となるイメージ周波数を減衰する。従来、第3図の回
路は、トランジスタやダイオード等を誘電体基板上に配
置し、マイクロストリップ線路により接続したM I 
C(Mi c−r□wave IC)回路で形成されて
いた。また、フィルタ回路にはマイクロストリップ線路
による半波長側結合フィルタがよく用いられている。
<Prior art> As a conventional example of a microwave circuit including signal processing circuits such as signal amplification, frequency conversion (mixing), and filtering, an example of the configuration of a front end section (down converter) of a microwave receiver is shown in Fig. 3. . Here, 30 is a microwave signal input terminal, 31 is a low noise amplifier, 32 is a bandpass filter circuit or image band removal filter circuit, 33 is a mixer, 34 is a local oscillator, 35 is an intermediate frequency amplifier, and 36 is an intermediate frequency amplifier. This is a frequency output terminal. The received signal is amplified by a low-noise amplifier 31, and then input to a mixer 33, where it is mixed with a local oscillation signal and converted to an intermediate frequency. At this time, the filter circuit 32 attenuates the image frequency that becomes a problem during mixing. Conventionally, the circuit shown in FIG.
It was formed of a C (Micr□wave IC) circuit. Furthermore, a half-wavelength side coupling filter using a microstrip line is often used in the filter circuit.

これに対し、近年、GaAs糸やInP系材系材電子易
動度がSiに比べて5〜6倍も大きいことから、これら
を材料とする電界効果トランジスタや変調ドープ電界効
果トランジスタの開発が進み、更にはそれらのトランジ
スタと整合回路やバイアス回路等をモノシリツク化する
試みが各所で盛んにおこなわれている。このモノシリツ
クICはMMIC(Monolithic Micro
wave IC)と呼ばれ、従来のMIC回路に比べて
小型で信頼性に優れた特徴を有している。このため、S
HF帯直接衛星放送受信用を始めとする低雑音増幅器や
ミキサ等の機能ブロック別のMMICが報告されている
。
On the other hand, in recent years, the electronic mobility of GaAs threads and InP-based materials is 5 to 6 times higher than that of Si, so the development of field effect transistors and modulation doped field effect transistors using these materials has progressed. Furthermore, attempts are being made in various places to monolithically integrate these transistors, matching circuits, bias circuits, and the like. This monolithic IC is MMIC (Monolithic Micro
It is called a wave IC) and has the characteristics of being smaller and more reliable than conventional MIC circuits. For this reason, S
MMICs for different functional blocks such as low-noise amplifiers and mixers for HF band direct satellite broadcast reception have been reported.

〈発明が解決しようとする課題〉 しかしながら、フィルタ回路のMMIC化についての提
案は非常に少ない。これはフィルタ回路をMMICで構
成するには大面積を必要とするためである。例えば、上
記フロントエンド部をMMIC化しようとする場合には
、フィルり回路32が大きくなるためにこの部分を1つ
のMMICとして構成できず、フィルり回路32前後の
低雑音増幅器31とミキサ33から中間周波増幅器35
までを別々にチップ化しなければならないために、MM
ICによる小型化、高信頼化が阻まれている。
<Problems to be Solved by the Invention> However, there are very few proposals for converting a filter circuit into an MMIC. This is because configuring the filter circuit using MMIC requires a large area. For example, when attempting to convert the front end section into an MMIC, the fill circuit 32 becomes large, so this section cannot be configured as a single MMIC, and the low noise amplifier 31 and mixer 33 before and after the fill circuit 32 become large. Intermediate frequency amplifier 35
MM
The miniaturization and high reliability of ICs are being hindered.

本発明は以上に鑑み、周波数フィルり回路を間に有する
マイクロ波回路部を小型化、高信頼化し、このような回
路構成を含むマイクロ波装置を小型化、高信頼化するこ
とを目的とする。
In view of the above, it is an object of the present invention to downsize and increase the reliability of a microwave circuit section having a frequency filter circuit therebetween, and to downsize and increase the reliability of a microwave device including such a circuit configuration. .

〈課題を解決するための手段〉 そこで本発明は、周波数フィルタ回路の前後の回路を1
つの集積回路とし、周波数フィルタ回路は別に形成され
た回路とすることを特徴とする。
<Means for Solving the Problems> Therefore, the present invention combines circuits before and after the frequency filter circuit into one.
The present invention is characterized in that the frequency filter circuit is a separately formed circuit.

く作 用〉 本発明によれば、半導体基板上に形成するのが困難な周
波数フィルり回路は、例えば誘電体基板上にマイクロス
トリップ線路等で形成されて、その前後の回路が周波数
フィルタ回路に影響されずに半導体基板上にMMIC化
可能となるので、チップ数を減らすことが可能で、周波
数フィルタ回路を間に有するマイクロ波回路部の小型化
、高信頼化が可能となる。
According to the present invention, a frequency filter circuit that is difficult to form on a semiconductor substrate is formed using a microstrip line or the like on a dielectric substrate, and the circuits before and after the circuit are formed as a frequency filter circuit. Since MMIC can be formed on a semiconductor substrate without being affected, the number of chips can be reduced, and the microwave circuit section having a frequency filter circuit therebetween can be made smaller and more reliable.

〈実施例〉 以下に本発明を実施例を用いて説明する。<Example> The present invention will be explained below using examples.

本発明の一実施例を第1図に示す。第1図において、1
は第3図のフィルタ回路32を除いた全機能ブロックで
半導体基板上に形成された1チツプのMMIC,2はマ
イクロ波信号の入力端子、3はMMICIからフィルタ
回路32への出力端子、4はフィルタ回路の入力端子、
5はフィルタ回路の出力端子、6はフィルり回路32か
らMMICIへの信号の入力端子で、それ以外の番号は
第3図と同じである。このように、本発明は、フィルタ
回路とそれ以外の機能ブロックを分離し、かつ、フィル
タ回路32とMMICIの両方に信号の受は渡しを行う
ための入出力端子を設けたことを特徴としている。従っ
て、大面積を要するフィルり回路以外の機能ブロックを
半導体基板上に1チツプ化できるため、従来例に比べて
チップ数を大幅に少なくできる。また、機能ブロック間
の接続も大幅に少なくなり、第1図の本発明例ではフィ
ルタ回路32とMMICIの接続のみである。
An embodiment of the present invention is shown in FIG. In Figure 1, 1
3 is a one-chip MMIC formed on a semiconductor substrate with all functional blocks except the filter circuit 32 in FIG. 3, 2 is an input terminal for microwave signals, 3 is an output terminal from the MMICI to the filter circuit 32, and 4 is input terminal of the filter circuit,
5 is the output terminal of the filter circuit, 6 is the input terminal for the signal from the fill circuit 32 to MMICI, and the other numbers are the same as in FIG. 3. As described above, the present invention is characterized in that the filter circuit and other functional blocks are separated, and both the filter circuit 32 and the MMICI are provided with input/output terminals for receiving and passing signals. . Therefore, the functional blocks other than the fill circuit, which require a large area, can be integrated into one chip on the semiconductor substrate, so the number of chips can be significantly reduced compared to the conventional example. Furthermore, the number of connections between functional blocks is greatly reduced, and in the example of the present invention shown in FIG. 1, there is only a connection between the filter circuit 32 and the MMICI.

以上の結果、本発明例により受信機を小型化、高信頼化
することができる。
As a result of the above, according to the example of the present invention, the receiver can be made smaller and more reliable.

以上は、マイクロ波受信機を例にとったが、本発明はこ
れに限定されるわけではなく、周波数フィルり回路を含
むマイクロ波装置に広く適用できる。
Although a microwave receiver has been taken as an example above, the present invention is not limited thereto, and can be widely applied to microwave devices including a frequency filter circuit.

また、第1図ではフィルり回路32とMMIClが同一
面上で構成されたような図となっているが、フィルり回
路32とMMICIは同一面上で構成する必要はなく、
多層構造の誘電体基板にストリップ線路で周波数フィル
タ回路を形成し、この誘電体基板上にMMICを実装す
れば、さらにマイクロ波装置を小型化できる。第2図の
概略構成図に上記フィルタ回路32とMMIClを多層
構造の基板22を用いて接続一体化した例を示す。
In addition, although the fill circuit 32 and MMICI are configured on the same plane in FIG. 1, the fill circuit 32 and MMICI do not need to be configured on the same plane.
By forming a frequency filter circuit using strip lines on a multilayered dielectric substrate and mounting an MMIC on this dielectric substrate, the microwave device can be further miniaturized. The schematic configuration diagram in FIG. 2 shows an example in which the filter circuit 32 and MMIC1 are connected and integrated using a multilayer substrate 22.

第2図(a)は上面図であり、基板22上に実装された
MMICIはワイヤ25により外部回路と接続された伝
送線路24と接続され、バイアホール23を介してワイ
ヤ25により中間層26に形成されたフィルり回路32
(図面では省略)と接続されている。バイアホー)v2
3は出力端子3.入力端子6に対応して2ケ所に設けら
れている。第2図(′b)は同図(a)のA−A’断面
図であジ、3層の誘電体の基板22の中間層26に図示
はされていないがフィルタ回路32がストリップ線路に
より形成されている。
FIG. 2(a) is a top view, in which the MMICI mounted on the substrate 22 is connected to a transmission line 24 connected to an external circuit by a wire 25, and connected to an intermediate layer 26 by a wire 25 via a via hole 23. Formed fill circuit 32
(omitted in the drawing). Viaho) v2
3 is the output terminal 3. They are provided at two locations corresponding to the input terminals 6. FIG. 2('b) is a cross-sectional view taken along the line AA' in FIG. It is formed.

尚、本発明では、MMICが1個である必要はなく、例
えば第1図の発振器が別のチップになっており、2チツ
プ構成でも本発明は有効である。
In the present invention, the number of MMICs does not need to be one; for example, the oscillator in FIG. 1 is a separate chip, and the present invention is effective even in a two-chip configuration.

また、複数のフィルタ回路が含まれても良い。Further, a plurality of filter circuits may be included.

MMICやフィルり回路を形成する基板もまた、特に限
定されるわけではない。
The substrate forming the MMIC or fill circuit is also not particularly limited.

〈発明の効果〉 以上説明したように、本発明によれば、MMIC化が困
難な周波数フィルり回路を半導体チップの外部に接続し
、モノリシック化が容易な回路を半導体基板上にIC化
することにより、マイクロ波装置の小型化、高信頼化が
実現できる。
<Effects of the Invention> As explained above, according to the present invention, a frequency filter circuit that is difficult to make into an MMIC can be connected to the outside of a semiconductor chip, and a circuit that can be easily made into a monolith can be made into an IC on a semiconductor substrate. As a result, the microwave device can be made smaller and more reliable.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例を示すフロントエンド部の概
略構成図、 第2図は多層基板を用いた接続の概略構成図、第3図は
従来の受信機のフロントエンド部の回路構成図である。 l・・・MMIC3・・・出力端子  4・・・入力端
子  5・・・出力端子  6・・・入力端子  22
・・・基板  23・・・バイアホー/I/26・・・
中間層  32・・・フィルり回路 代理人 弁理士 梅 1) @(他2名)メ 第1図 第2図 石3図
Fig. 1 is a schematic diagram of a front end section showing an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a schematic diagram of a connection using a multilayer board, and Fig. 3 is a circuit diagram of a front end section of a conventional receiver. It is a diagram. l...MMIC3...Output terminal 4...Input terminal 5...Output terminal 6...Input terminal 22
... Board 23... Viaho/I/26...
Middle class 32...Fill circuit agent Patent attorney Ume 1) @ (2 others) Me Figure 1 Figure 2 Stone Figure 3

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1.周波数フィルタ回路の前段及び後段に他の種類の回
路が接続された回路構成を含み、上記前段及び後段の回
路が1つの集積回路とされ、該集積回路に別に形成され
てなる上記周波数フィルタ回路が接続された構造を有す
ることを特徴とするマイクロ波装置。
1. The frequency filter circuit includes a circuit configuration in which other types of circuits are connected to the front and rear stages of the frequency filter circuit, the front and rear circuits are one integrated circuit, and the frequency filter circuit is formed separately on the integrated circuit. A microwave device characterized in that it has a connected structure.
JP2148010A 1990-06-05 1990-06-05 Microwave device Pending JPH0440001A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2148010A JPH0440001A (en) 1990-06-05 1990-06-05 Microwave device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2148010A JPH0440001A (en) 1990-06-05 1990-06-05 Microwave device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0440001A true JPH0440001A (en) 1992-02-10

Family

ID=15443087

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2148010A Pending JPH0440001A (en) 1990-06-05 1990-06-05 Microwave device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0440001A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5697087A (en) Semiconductor device with a filter formed of 3-element series-and-parallel resonators
US5355524A (en) Integrated radio receiver/transmitter structure
JP2000299438A5 (en)
JPH0856113A (en) Millimeter wave detector
JP2002134636A (en) High-frequency circuit board, high-frequency module using the same, electronic device using the same, and method for manufacturing high-frequency circuit board
JP3813083B2 (en) Transceiver
JPS62171327A (en) Surface acoustic wave branching filter module
JP3231829B2 (en) Microwave band down converter
US8131246B2 (en) High-frequency circuit having filtering function and reception device
JP3020401B2 (en) Converter circuit
JP4015746B2 (en) Semiconductor device
JPH0548320A (en) Receiver
US4461040A (en) Integrated single balanced mixer/oscillator with slot and hybrid coupler
JPH0590801A (en) Microwave integrated circuit
JPH02202702A (en) Microwave circuit
JPS5847081B2 (en) Waveguide transistor amplifier
JPH08186450A (en) Microwave frequency conversion circuit
JP3185918B2 (en) Electronic equipment
KR100499788B1 (en) Integrated Circuit Chip
JP2960835B2 (en) Low noise converter circuit
JPS61145850A (en) Microwave integrated circuit
JPH0623335U (en) Monolithic microwave integrated circuit
JP2004281844A (en) Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and wireless communication device
JPH02108303A (en) Directional coupler
JP2003258661A (en) Satellite converter