JPH0440287Y2 - - Google Patents

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JPH0440287Y2
JPH0440287Y2 JP1984199101U JP19910184U JPH0440287Y2 JP H0440287 Y2 JPH0440287 Y2 JP H0440287Y2 JP 1984199101 U JP1984199101 U JP 1984199101U JP 19910184 U JP19910184 U JP 19910184U JP H0440287 Y2 JPH0440287 Y2 JP H0440287Y2
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light
filter
resin case
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semiconductor light
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Description

【考案の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 本考案は、可視光カツトフイルタの如きフイル
タを備えた半導体受光装置に関する。
(ロ) 従来の技術 近年、発光素子と受光素子との組合せにより、
スイツチング回路を動作させる光半導体装置が多
く用いられている。
そして、この種の半導体受光装置においては、
受光特性を改善するために、各種フイルタを受光
面に装着している(例えば、電子材料1973年11月
号第64頁乃至第68頁に詳しい)。
従来、例えば、赤外発光素子と受光素子の組合
せに於ける受光装置に装着されている可視光カツ
トフイルタは、受光素子を収納する樹脂ケースの
受光窓に、接着剤等を用いて装着していた。
(ハ) 考案が解決しようとする問題点 樹脂ケースにフイルタを接着剤等を用いて接着
するには、接着剤等が固化するまでの時間を要
し、生産性が悪いなどの問題があつた。
(ニ) 問題点を解決するための手段 本考案は、半導体受光素子を収納する赤外線透
過性の樹脂ケースと、該樹脂ケースを介して前記
半導体受光素子の受光面の前面に配されたフイル
タとが、該フイルタの前面に当該フイルタよりも
小さい受光窓を有する赤外線不透過性の熱収縮チ
ユーブで被覆され、固定されたことを特徴とす
る。
(ホ) 作 用 本考案によれば、熱収縮チユーブを被覆するこ
とにより、樹脂ケースの受光面にフイルタを装着
することができる。
(ヘ) 実施例 以下、本考案の一実施例を図面に従い説明す
る。
第1図は本考案による半導体受光装置の平面
図、第2図は第1図のA−A′線断面図である。
これらの図において、1はPN接合を具えたシ
リコン単結晶からなる半導体基板、2はこの半導
体基板1の一主面に酸化処理により形成された酸
化シリコンの反射防止膜、3はこの反射防止膜2
を貫通して半導体基板1の一導電型領域と結合し
たアルミニウム等の表面電極、4は上記半導体基
板1の他の一主面の逆導電型領域とオーミツク接
触した金等の裏面電極で、かかる半導体基板1な
いし裏面電極4にて、いわゆるフオトダイオード
の受光素子6が形成される。7,8はリードフレ
ームからなる第1、第2のリード体で、前記両電
極3、4に各々接続される。10は赤外線を透過
せしめるエポキシ樹脂からなる樹脂ケースで、樹
脂ケース10は均質な透過性を必要とするために
トランスフアモールドにより所定形状に形成され
ている。また樹脂には、可視光を遮断する材料を
用いる方が好ましい。
さて、本考案は、受光素子6を収納した樹脂ケ
ース10の受光面の前面に、可視光を遮断するカ
ツトフイルタ11を配置する。そして、樹脂ケー
ス10とフイルタ11とを一体にして、熱収縮チ
ユーブ12を被覆して、加熱することにより、樹
脂ケース10にフイルタ11が固定される。従つ
て、樹脂ケース10にフイルタ11が装着された
ことになる。
また本実施例では、熱収縮チユーブ12に赤外
線非透過型のチユーブを用いたので、熱収縮チユ
ーブ12の受光面に受光窓13を設けている。更
に、リード体7,8の端部に赤外線非透過性の樹
脂14を充填し、樹脂ケース10、フイルタ1
1、熱収縮チユーブ12およびリード体7,8を
一体に固定している。
(ト) 考案の効果 以上説明したように、本考案によれば、樹脂ケ
ースの受光面の前面にフイルタを配設し、樹脂ケ
ースとフイルタとを熱収縮チユーブで被覆するこ
とにより、極めて簡単にして、且つ短時間で樹脂
ケースにフイルタを装着することができるため、
生産性が向上するなどその実用的効果は大きい。
【図面の簡単な説明】
図面は本考案の一実施例を示し、第1図は平面
図、第2図は第1図A−A′線断面図である。 6……受光素子、10……樹脂ケース、11…
…フイルタ、12……熱収縮チユーブ。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体受光素子を収納する赤外線透過性の樹脂
    ケースと、該樹脂ケースを介して前記半導体受光
    素子の受光面の前面に配されたフイルタとが、該
    フイルタの前面に当該フイルタよりも小さい受光
    窓を有する赤外線不透過性の熱収縮チユーブで被
    覆され、固定されたことを特徴とする半導体受光
    装置。
JP1984199101U 1984-12-27 1984-12-27 Expired JPH0440287Y2 (ja)

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JPS61112659U JPS61112659U (ja) 1986-07-16
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JP2573087Y2 (ja) * 1989-12-28 1998-05-28 三菱マテリアル 株式会社 サージ吸収素子

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JPS61112659U (ja) 1986-07-16

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