JPH04311838A - 光ディスクの製造方法 - Google Patents
光ディスクの製造方法Info
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- JPH04311838A JPH04311838A JP10481991A JP10481991A JPH04311838A JP H04311838 A JPH04311838 A JP H04311838A JP 10481991 A JP10481991 A JP 10481991A JP 10481991 A JP10481991 A JP 10481991A JP H04311838 A JPH04311838 A JP H04311838A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光学的に情報の記録、再
生あるいは消去を行うのに好適な光ディスクの製造方法
に関する。
生あるいは消去を行うのに好適な光ディスクの製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ディスクは情報記録層に入射された光
の反射強度あるいは反射角の変化を情報として読み取る
。このために、光ディスクの歪み、すなわち、ＴＩＬＴ
角の値が大きくなると、読取り時にフォーカス−エラー
およびトラッキングエラーを生じてしまう。ＴＩＬＴ角
は、通常、基板が吸湿するために生じる歪みと、基板上
にスパッタを用いて情報記録層などを形成するときに生
じる歪み等の和である。
の反射強度あるいは反射角の変化を情報として読み取る
。このために、光ディスクの歪み、すなわち、ＴＩＬＴ
角の値が大きくなると、読取り時にフォーカス−エラー
およびトラッキングエラーを生じてしまう。ＴＩＬＴ角
は、通常、基板が吸湿するために生じる歪みと、基板上
にスパッタを用いて情報記録層などを形成するときに生
じる歪み等の和である。
【０００３】ＴＩＬＴ角を小さくする方法としては、例
えば、基板を構成する材質の含水率を下げる、スパッタ
リングの条件をマイルドにする、貼り合わせディスクに
する等が挙げられる。
えば、基板を構成する材質の含水率を下げる、スパッタ
リングの条件をマイルドにする、貼り合わせディスクに
する等が挙げられる。
【０００４】さらに、アニール処理を行うことによりＴ
ＩＬＴ角を低減する方法として、特開平１−９４５５０
号公報には、２枚のディスク単板の片面にホットメルト
接着剤の塗布層を設け、ついでこの塗布層同志を密着さ
せて接合したのち、予備加熱処理することを特徴とする
情報記録媒体の製造法が開示されている。上記公報には
、特に、加熱温度はディスク単板を変形させない範囲で
できるだけ高い方が効果が大きく、また、湿度も多く加
えた方が効果が大きくなり、短時間の処理で接着時に生
じた変形を低減することができる、と記載されている。
ＩＬＴ角を低減する方法として、特開平１−９４５５０
号公報には、２枚のディスク単板の片面にホットメルト
接着剤の塗布層を設け、ついでこの塗布層同志を密着さ
せて接合したのち、予備加熱処理することを特徴とする
情報記録媒体の製造法が開示されている。上記公報には
、特に、加熱温度はディスク単板を変形させない範囲で
できるだけ高い方が効果が大きく、また、湿度も多く加
えた方が効果が大きくなり、短時間の処理で接着時に生
じた変形を低減することができる、と記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、スパッタリン
グの条件をマイルドにする、貼り合わせディスクにする
等の技術は必ずしも満足いくものではない。例えば、ス
パッタリングの条件をマイルドにすることは、成膜特性
を変化させることであり容易に条件を変えることは出来
ない。一方、単板に生じる歪みを貼り合わせディスクに
することにより解消する方法も、ディスクを張り合わせ
るために加圧を行うので、歪みが発生しやすい。
グの条件をマイルドにする、貼り合わせディスクにする
等の技術は必ずしも満足いくものではない。例えば、ス
パッタリングの条件をマイルドにすることは、成膜特性
を変化させることであり容易に条件を変えることは出来
ない。一方、単板に生じる歪みを貼り合わせディスクに
することにより解消する方法も、ディスクを張り合わせ
るために加圧を行うので、歪みが発生しやすい。
【０００６】上記特開平１−９４５５０号公報に開示さ
れた技術は前記二種類の方法より、ディスクに発生する
歪みを緩和するには優れた方法であるが、長期保存性能
を調べるために、高温高湿下にて強制劣化を行うと、Ｔ
ＩＬＴ角が大きくなってしまう。即ち、その効果は極め
て精巧な寸法安定性を要求される光ディスクには、いま
だ、満足いくものではない。さらに、上記公報に開示さ
れている技術は、２枚のディスク単板を接合する場合に
適用されるものであり、１枚のディスク単板からなる光
ディスクでは使用できない。
れた技術は前記二種類の方法より、ディスクに発生する
歪みを緩和するには優れた方法であるが、長期保存性能
を調べるために、高温高湿下にて強制劣化を行うと、Ｔ
ＩＬＴ角が大きくなってしまう。即ち、その効果は極め
て精巧な寸法安定性を要求される光ディスクには、いま
だ、満足いくものではない。さらに、上記公報に開示さ
れている技術は、２枚のディスク単板を接合する場合に
適用されるものであり、１枚のディスク単板からなる光
ディスクでは使用できない。
【０００７】また、製造工程等の異常により光ディスク
を滞留させる必要が生じた場合に、光ディスクは空気中
の水分を吸収してＴＩＬＴ角が増大する傾向にある。こ
のため不良品の発生率が高くなり、製造単価が上がって
しまう。
を滞留させる必要が生じた場合に、光ディスクは空気中
の水分を吸収してＴＩＬＴ角が増大する傾向にある。こ
のため不良品の発生率が高くなり、製造単価が上がって
しまう。
【０００８】本発明は光ディスクのＴＩＬＴ角の値が小
さくかつ高温高湿下においてもＴＩＬＴ角の変動の少な
い長期保存性能の優れた、安定した読取り性能を有する
光ディスクの製造方法を提供することにある。さらに、
製造工程等の異常により光ディスクを滞留させる必要が
生じた場合でも、ＴＩＬＴ角が増大しない光ディスクを
提供することにある。
さくかつ高温高湿下においてもＴＩＬＴ角の変動の少な
い長期保存性能の優れた、安定した読取り性能を有する
光ディスクの製造方法を提供することにある。さらに、
製造工程等の異常により光ディスクを滞留させる必要が
生じた場合でも、ＴＩＬＴ角が増大しない光ディスクを
提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、基板上
に、少なくとも、情報記録層と有機保護層とを備えた光
ディスクの製造方法において、前記有機保護層は第１の
有機保護層と第２の有機保護層とから成り、前記情報記
録層上に第１の有機保護層を設けた後、前記第１の有機
保護層に接して第２の有機保護層を設け、さらに、アニ
ール処理を施すことを特徴とする。
に、少なくとも、情報記録層と有機保護層とを備えた光
ディスクの製造方法において、前記有機保護層は第１の
有機保護層と第２の有機保護層とから成り、前記情報記
録層上に第１の有機保護層を設けた後、前記第１の有機
保護層に接して第２の有機保護層を設け、さらに、アニ
ール処理を施すことを特徴とする。
【００１０】前記第１の有機保護層の体積収縮率は前記
第２の有機保護層の体積収縮率よりも小さいかあるいは
等しいことが好ましい。さらに、前記アニール処理は、
温度および／または湿度を繰り返し変化することが好ま
しい。
第２の有機保護層の体積収縮率よりも小さいかあるいは
等しいことが好ましい。さらに、前記アニール処理は、
温度および／または湿度を繰り返し変化することが好ま
しい。
【００１１】本発明でいう体積収縮率とは、以下のよう
にして求める。有機保護層に用いる樹脂の硬化前の比重
をＪＩＳ Ｋ−６８３５で測定し、硬化後の比重をＪ
ＩＳＫ−６９１１で測定する。硬化前の比重をＭ、硬化
後の比重をＮとした時に、体積収縮率は（Ｎ−Ｍ）×１
００÷Ｎ（％）である。
にして求める。有機保護層に用いる樹脂の硬化前の比重
をＪＩＳ Ｋ−６８３５で測定し、硬化後の比重をＪ
ＩＳＫ−６９１１で測定する。硬化前の比重をＭ、硬化
後の比重をＮとした時に、体積収縮率は（Ｎ−Ｍ）×１
００÷Ｎ（％）である。
【００１２】第１の有機保護層として用いられる樹脂と
しては、ＸＮＲ−５４６１（長瀬チバ（株）製）、アロ
ニックスＵＶ−３３３３、同ＵＶ−３６０７（東亜合成
化学工業（株）製）、Ｌｉｇｈｔ−Ｗｅｌｄ１８３（東
洋インキ製造（株）製）等が挙げられる。第２の有機保
護層として用いられる樹脂としては、ＸＮＲ−５４６１
（長瀬チバ（株）製）、ダイヤビームＭＨ−７００５、
ダイヤビームＵＲ−４５５２（三菱レイヨン（株）製）
、ダイキュアクリアＳＤ−１７、同ＳＤ−１０１、同Ｓ
Ｄ−３０１（大日本インキ化学工業（株）製）等があげ
られる。
しては、ＸＮＲ−５４６１（長瀬チバ（株）製）、アロ
ニックスＵＶ−３３３３、同ＵＶ−３６０７（東亜合成
化学工業（株）製）、Ｌｉｇｈｔ−Ｗｅｌｄ１８３（東
洋インキ製造（株）製）等が挙げられる。第２の有機保
護層として用いられる樹脂としては、ＸＮＲ−５４６１
（長瀬チバ（株）製）、ダイヤビームＭＨ−７００５、
ダイヤビームＵＲ−４５５２（三菱レイヨン（株）製）
、ダイキュアクリアＳＤ−１７、同ＳＤ−１０１、同Ｓ
Ｄ−３０１（大日本インキ化学工業（株）製）等があげ
られる。
【００１３】本発明の光ディスクは、情報記録層が設け
られた基板面と反対面に防湿層を設けるとよい。さらに
、防湿層は、基板上に情報記録層側に設けられた各層の
端部にも設けるとよい。防湿層としては、透明な無機物
の酸化物、窒化物、酸窒化物、弗化物、弗素樹脂等を使
用することができる。防湿層は、スパッタ法や真空蒸着
法、スピンコート法、スプレーコート法、浸漬法等で形
成することができる。また、アニール処理の方法として
は、温湿度一定、温湿度サイクル、温度サイクル湿度一
定、温度一定湿度サイクル等がある。
られた基板面と反対面に防湿層を設けるとよい。さらに
、防湿層は、基板上に情報記録層側に設けられた各層の
端部にも設けるとよい。防湿層としては、透明な無機物
の酸化物、窒化物、酸窒化物、弗化物、弗素樹脂等を使
用することができる。防湿層は、スパッタ法や真空蒸着
法、スピンコート法、スプレーコート法、浸漬法等で形
成することができる。また、アニール処理の方法として
は、温湿度一定、温湿度サイクル、温度サイクル湿度一
定、温度一定湿度サイクル等がある。
【００１４】
【実施例】以下実施例について説明するが、本発明はこ
れに限定されることはない。図１は本発明の製造方法に
より得られる光ディスクの一実施例の断面図である。ポ
リカーボネートからなる基板１上に、ＳｉＯｘ ，Ｓｉ
Ｎｙなどからなる膜厚０．０７μｍの誘電体層２、Ｔｂ
ＦｅＣｏからなる膜厚０．０８μｍの情報記録層３、Ｓ
ｉＯｚ ，ＳｉＮ ｗなどからなる無機保護層４が順次
積層されている。なお、基板１は図示していないが、ス
パイラル溝が形成されている。
れに限定されることはない。図１は本発明の製造方法に
より得られる光ディスクの一実施例の断面図である。ポ
リカーボネートからなる基板１上に、ＳｉＯｘ ，Ｓｉ
Ｎｙなどからなる膜厚０．０７μｍの誘電体層２、Ｔｂ
ＦｅＣｏからなる膜厚０．０８μｍの情報記録層３、Ｓ
ｉＯｚ ，ＳｉＮ ｗなどからなる無機保護層４が順次
積層されている。なお、基板１は図示していないが、ス
パイラル溝が形成されている。
【００１５】無機保護膜４上には、第１の有機保護層５
と第２の有機保護層６とが積層されている。第１の有機
保護層５の膜厚は１８μｍとし、第２の有機保護膜６の
膜厚は１５μｍとした。さらに、上記各層が設けられた
面と異なる基板１の面および上記各層の端部は、ＳｉＯ
１．８ からなる膜厚０．０７μｍの防湿層７が設けら
れている。
と第２の有機保護層６とが積層されている。第１の有機
保護層５の膜厚は１８μｍとし、第２の有機保護膜６の
膜厚は１５μｍとした。さらに、上記各層が設けられた
面と異なる基板１の面および上記各層の端部は、ＳｉＯ
１．８ からなる膜厚０．０７μｍの防湿層７が設けら
れている。
【００１６】上記各層の製造方法について説明する。誘
電体層２と情報記録層３と無機保護層４とを基板上に、
順次、スパッタ法により積層した。第１の有機保護層５
および第２の有機保護層６はスピンコート法により積層
した。第１の有機保護層５の塗布条件は３５００ｒｐｍ
，２０ｓｅｃ、第２の有機保護層６の塗布条件は３００
０ｒｐｍ，２０ｓｅｃとした。防湿層７は真空蒸着法に
より積層した。蒸着源として、純度９９．９９９％以上
のＳｉＯを用い、蒸着装置の動作圧を約１×１０−５Ｔ
ｏｒｒとした。膜厚は蒸着時間を制御することにより設
定した。
電体層２と情報記録層３と無機保護層４とを基板上に、
順次、スパッタ法により積層した。第１の有機保護層５
および第２の有機保護層６はスピンコート法により積層
した。第１の有機保護層５の塗布条件は３５００ｒｐｍ
，２０ｓｅｃ、第２の有機保護層６の塗布条件は３００
０ｒｐｍ，２０ｓｅｃとした。防湿層７は真空蒸着法に
より積層した。蒸着源として、純度９９．９９９％以上
のＳｉＯを用い、蒸着装置の動作圧を約１×１０−５Ｔ
ｏｒｒとした。膜厚は蒸着時間を制御することにより設
定した。
【００１７】防湿層７はスパッタ法により積層した。タ
ーゲットとして純度９９．９９９％以上の単結晶シリコ
ンを用い、導入ガスとして純度９９．９９９％以上のア
ルゴンガスおよび酸素ガスを用い、スパッタ室内の動作
圧を５ｍＴｏｒｒとする。ＳｉＯのＳｉ対Ｏの含有比は
、アルゴンガスおよび酸素ガスの分圧を制御することに
よって設定する。
ーゲットとして純度９９．９９９％以上の単結晶シリコ
ンを用い、導入ガスとして純度９９．９９９％以上のア
ルゴンガスおよび酸素ガスを用い、スパッタ室内の動作
圧を５ｍＴｏｒｒとする。ＳｉＯのＳｉ対Ｏの含有比は
、アルゴンガスおよび酸素ガスの分圧を制御することに
よって設定する。
【００１８】さらに、このようにして作成した光ディス
クを図２に示す条件にてアニール処理を行った。図２で
は、縦軸は温度と相対湿度とを表す、横軸は時間を表す
。図中では、温度は実線、相対湿度は点線で示している
。
クを図２に示す条件にてアニール処理を行った。図２で
は、縦軸は温度と相対湿度とを表す、横軸は時間を表す
。図中では、温度は実線、相対湿度は点線で示している
。
【００１９】図２に示すアニール処理について説明する
。温度２５℃，湿度５０％Ｒ．Ｈ．の環境下で調湿され
た光ディスクを、温度２５℃，湿度５０％Ｒ．Ｈ．の環
境のアニーリング室に投入した後、図示の通り、相対湿
度を５０％Ｒ．Ｈ．から９０％Ｒ．Ｈ．に上昇した後、
温度を２５℃から６５℃の範囲で繰り返し変化した。
。温度２５℃，湿度５０％Ｒ．Ｈ．の環境下で調湿され
た光ディスクを、温度２５℃，湿度５０％Ｒ．Ｈ．の環
境のアニーリング室に投入した後、図示の通り、相対湿
度を５０％Ｒ．Ｈ．から９０％Ｒ．Ｈ．に上昇した後、
温度を２５℃から６５℃の範囲で繰り返し変化した。
【００２０】以上のようにして、実施例−１〜５の光デ
ィスクを製造した。尚、第１の有機保護層と第２の有機
保護層とに使用した樹脂および前記樹脂の体積収縮率を
後述する表１に示す。表１において有機保護層に用いる
ＲＡ−１とは、エポキシアクリレートを主成分とする体
積収縮率９．７％の樹脂である。
ィスクを製造した。尚、第１の有機保護層と第２の有機
保護層とに使用した樹脂および前記樹脂の体積収縮率を
後述する表１に示す。表１において有機保護層に用いる
ＲＡ−１とは、エポキシアクリレートを主成分とする体
積収縮率９．７％の樹脂である。
【００２１】実施例−１に対してアニール処理条件のみ
を変えた光ディスクとして実施例−６〜１２の光ディス
クを作製した。実施したアニール処理条件を表１に示し
、さらに、以下に詳細に説明する。
を変えた光ディスクとして実施例−６〜１２の光ディス
クを作製した。実施したアニール処理条件を表１に示し
、さらに、以下に詳細に説明する。
【００２２】図３に、実施例−６のアニール処理条件を
示す。実施例−６のアニール処理条件は温度を２５℃か
ら６５℃に上昇させた後、温度を保ちながら、湿度を５
０％Ｒ．Ｈ．から９０％Ｒ．Ｈ．の範囲で繰り返し変化
させる。
示す。実施例−６のアニール処理条件は温度を２５℃か
ら６５℃に上昇させた後、温度を保ちながら、湿度を５
０％Ｒ．Ｈ．から９０％Ｒ．Ｈ．の範囲で繰り返し変化
させる。
【００２３】図４に、実施例−７のアニール処理条件を
示す。実施例−７のアニール処理条件は温度を２５℃お
よび６５℃の範囲で、かつ、湿度を５０％Ｒ．Ｈ．から
９０％Ｒ．Ｈ．の範囲で繰り返し変化させる。
示す。実施例−７のアニール処理条件は温度を２５℃お
よび６５℃の範囲で、かつ、湿度を５０％Ｒ．Ｈ．から
９０％Ｒ．Ｈ．の範囲で繰り返し変化させる。
【００２４】図５に実施例−８のアニール処理条件を示
す。実施例−８のアニール処理条件は温度を２５℃に保
ちながら、湿度を５０％Ｒ．Ｈ．から９０％Ｒ．Ｈ．の
範囲で繰り返し変化させる。
す。実施例−８のアニール処理条件は温度を２５℃に保
ちながら、湿度を５０％Ｒ．Ｈ．から９０％Ｒ．Ｈ．の
範囲で繰り返し変化させる。
【００２５】図６に実施例−９のアニール処理条件を示
す。実施例−９のアニール処理条件は湿度を５０％Ｒ．
Ｈ．に保ちながら、温度を２５℃および６５℃の範囲で
繰り返し変化させる。
す。実施例−９のアニール処理条件は湿度を５０％Ｒ．
Ｈ．に保ちながら、温度を２５℃および６５℃の範囲で
繰り返し変化させる。
【００２６】図７に実施例−１０のアニール処理条件を
示す。実施例−１０のアニール処理条件は湿度５０％Ｒ
．Ｈ．かつ温度６５℃に保つ。
示す。実施例−１０のアニール処理条件は湿度５０％Ｒ
．Ｈ．かつ温度６５℃に保つ。
【００２７】図８は実施例−１１のアニール処理条件を
示す。実施例−１１のアニール処理条件は湿度を温度２
５℃かつ湿度９０％Ｒ．Ｈ．に保つ。
示す。実施例−１１のアニール処理条件は湿度を温度２
５℃かつ湿度９０％Ｒ．Ｈ．に保つ。
【００２８】図９に実施例−１２のアニール処理条件を
示す。実施例−１２のアニール処理条件は湿度を９０％
Ｒ．Ｈ．かつ温度６５℃に保つ。
示す。実施例−１２のアニール処理条件は湿度を９０％
Ｒ．Ｈ．かつ温度６５℃に保つ。
【００２９】また、有機保護層が一層かつその膜厚が３
３μｍである比較例−１，２の光ディスク、さらに、有
機保護層が二層かつアニール処理を行わない比較例−３
〜６の光ディスクを作成した。尚、比較例−１〜６に使
用した樹脂およびアニール処理を行った光ディスクはそ
の処理条件を後述する表２に示す。以上、実施例−１〜
１２および比較例−１〜６で得られる光ディスクのアニ
ール処理前のＴＩＬＴ角の値と、アニール処理後のＴＩ
ＬＴ角の値と、温度８０℃，湿度８５％ＲＨの環境下に
２０００時間放置して強制劣化した後の試料のＴＩＬＴ
角の値とをＩＳＯ規格ＣＤ−１００９０準拠した評価装
置を用いて測定した。なお、ＴＩＬＴ角の測定は、光デ
ィスク製造後１時間以内に、また、各処理後１時間以内
に行なっている。
３μｍである比較例−１，２の光ディスク、さらに、有
機保護層が二層かつアニール処理を行わない比較例−３
〜６の光ディスクを作成した。尚、比較例−１〜６に使
用した樹脂およびアニール処理を行った光ディスクはそ
の処理条件を後述する表２に示す。以上、実施例−１〜
１２および比較例−１〜６で得られる光ディスクのアニ
ール処理前のＴＩＬＴ角の値と、アニール処理後のＴＩ
ＬＴ角の値と、温度８０℃，湿度８５％ＲＨの環境下に
２０００時間放置して強制劣化した後の試料のＴＩＬＴ
角の値とをＩＳＯ規格ＣＤ−１００９０準拠した評価装
置を用いて測定した。なお、ＴＩＬＴ角の測定は、光デ
ィスク製造後１時間以内に、また、各処理後１時間以内
に行なっている。
【００３０】表１および表２に上記測定結果を示す。実
際上耐えることのできるＴＩＬＴ角の最大値は５ｍｒａ
ｄである。
際上耐えることのできるＴＩＬＴ角の最大値は５ｍｒａ
ｄである。
【表１】
【表２】
【００３１】表１および表２より明らかなように、第１
の有機保護層を設けた後、前記第１の有機保護層に接し
て第２の有機保護層を設け、さらに、アニール処理を施
した実施例−１〜１２は、有機保護層が一層あるいはア
ニール処理を施さない比較例−１〜６より、アニール処
理後のＴＩＬＴ角および強制劣化後のＴＩＬＴ角が小さ
い。
の有機保護層を設けた後、前記第１の有機保護層に接し
て第２の有機保護層を設け、さらに、アニール処理を施
した実施例−１〜１２は、有機保護層が一層あるいはア
ニール処理を施さない比較例−１〜６より、アニール処
理後のＴＩＬＴ角および強制劣化後のＴＩＬＴ角が小さ
い。
【００３２】また、第１の有機保護層の体積収縮率が第
２の有機保護層の体積収縮率よりも小さいかあるいは等
しい実施例−１〜４のアニール処理後のＴＩＬＴ角およ
び強制劣化後のＴＩＬＴ角は、第１の有機保護層の体積
収縮率が第２の有機保護層の体積収縮率よりも大きい実
施例−５のアニール処理後のＴＩＬＴ角および強制劣化
後のＴＩＬＴ角より小さい。温度および／または湿度を
繰り返し変化するアニール処理を施した実施例−１，６
〜９の強制劣化後のＴＩＬＴ角は、温度および湿度を一
定にするアニール処理を施した実施例−１０，１１，１
２の強制劣化後のＴＩＬＴ角より小さい。
２の有機保護層の体積収縮率よりも小さいかあるいは等
しい実施例−１〜４のアニール処理後のＴＩＬＴ角およ
び強制劣化後のＴＩＬＴ角は、第１の有機保護層の体積
収縮率が第２の有機保護層の体積収縮率よりも大きい実
施例−５のアニール処理後のＴＩＬＴ角および強制劣化
後のＴＩＬＴ角より小さい。温度および／または湿度を
繰り返し変化するアニール処理を施した実施例−１，６
〜９の強制劣化後のＴＩＬＴ角は、温度および湿度を一
定にするアニール処理を施した実施例−１０，１１，１
２の強制劣化後のＴＩＬＴ角より小さい。
【００３３】さらに、実施例−１，６，８，９の中でも
、高湿度下で温度を繰り返し変化させた実施例−１と高
温下で湿度を繰り返し変化させた実施例−６との強制劣
化後のＴＩＬＴ角は、常温下で湿度を繰り返し変化させ
た実施例−８と常湿下で温度を繰り返し変化させた実施
例−９との強制劣化下のＴＩＬＴ角より小さい。
、高湿度下で温度を繰り返し変化させた実施例−１と高
温下で湿度を繰り返し変化させた実施例−６との強制劣
化後のＴＩＬＴ角は、常温下で湿度を繰り返し変化させ
た実施例−８と常湿下で温度を繰り返し変化させた実施
例−９との強制劣化下のＴＩＬＴ角より小さい。
【００３４】実施例−１と同様の構成であってアニール
処理を施さない光ディスクを、温度２５℃，湿度５０％
Ｒ．Ｈ．の環境条件で表３に示すような時間、放置した
後のＴＩＬＴ角と、前記光ディスクを図２に示すアニー
ル処理を施した後のＴＩＬＴ角の値とを表３に示す。
処理を施さない光ディスクを、温度２５℃，湿度５０％
Ｒ．Ｈ．の環境条件で表３に示すような時間、放置した
後のＴＩＬＴ角と、前記光ディスクを図２に示すアニー
ル処理を施した後のＴＩＬＴ角の値とを表３に示す。
【表３】
【００３５】表３より、放置時間が長くなりＴＩＬＴ角
が大きくなった光ディスクも、アニール処理によりＴＩ
ＬＴ角が減少することがわかる。すなわち、製造工程等
の異常により光ディスクを滞留させる必要が生じた場合
に、アニール処理を施すことにより、増大したＴＩＬＴ
角を減少させることができる。なお、異なるアニール処
理条件でも、同様な結果が得られた。
が大きくなった光ディスクも、アニール処理によりＴＩ
ＬＴ角が減少することがわかる。すなわち、製造工程等
の異常により光ディスクを滞留させる必要が生じた場合
に、アニール処理を施すことにより、増大したＴＩＬＴ
角を減少させることができる。なお、異なるアニール処
理条件でも、同様な結果が得られた。
【００３６】上記実施例の基板としてポリカーボネート
を使用しているが、ポリカーボネート以外の材質、例え
ば、エポキシ，ポリメチルメタアクリレート，非晶性ポ
リオレフィン，ポリカーボネート／スチレン共重合体を
使用した光ディスクも同様に優れた効果があった。また
、本実施例は片面の光ディスクについて述べているが、
両面の貼り合せ型ディスクにも適応できる。
を使用しているが、ポリカーボネート以外の材質、例え
ば、エポキシ，ポリメチルメタアクリレート，非晶性ポ
リオレフィン，ポリカーボネート／スチレン共重合体を
使用した光ディスクも同様に優れた効果があった。また
、本実施例は片面の光ディスクについて述べているが、
両面の貼り合せ型ディスクにも適応できる。
【００３７】
【発明の効果】本発明の光ディスクの製造方法は、ＴＩ
ＬＴ角が小さくかつ高温高湿下においてもＴＩＬＴ角の
変動が少ない長期保存性能の優れた、安定した読取り性
能を有する光ディスクを提供することができ、また、製
造工程等の異常により光ディスクを滞留させる必要が生
じた場合でも、ＴＩＬＴ角が増大しない光ディスクを提
供することができる。
ＬＴ角が小さくかつ高温高湿下においてもＴＩＬＴ角の
変動が少ない長期保存性能の優れた、安定した読取り性
能を有する光ディスクを提供することができ、また、製
造工程等の異常により光ディスクを滞留させる必要が生
じた場合でも、ＴＩＬＴ角が増大しない光ディスクを提
供することができる。
【図１】本発明の製造方法により得られる光ディスクの
一実施例の断面図である。
一実施例の断面図である。
【図２】本発明の製造方法において行われる温度を変化
、相対湿度を途中一定とした場合のアニール処理条件の
一実施例を示す図である。
、相対湿度を途中一定とした場合のアニール処理条件の
一実施例を示す図である。
【図３】本発明の製造方法において行われる温度を途中
一定、相対湿度を変化させた場合のアニール処理条件の
一実施例を示す図である。
一定、相対湿度を変化させた場合のアニール処理条件の
一実施例を示す図である。
【図４】本発明の製造方法において行われる温度および
相対湿度の両方を変化させた場合のアニール処理条件の
一実施例を示す図である。
相対湿度の両方を変化させた場合のアニール処理条件の
一実施例を示す図である。
【図５】本発明の製造方法において行われる温度を一定
、相対湿度を変化させた場合のアニール処理条件の一実
施例を示す図である。
、相対湿度を変化させた場合のアニール処理条件の一実
施例を示す図である。
【図６】本発明の製造方法において行われる温度を変化
、相対湿度を一定にした場合のアニール処理条件の一実
施例を示す図である。
、相対湿度を一定にした場合のアニール処理条件の一実
施例を示す図である。
【図７】本発明の製造方法において行われる温度を途中
一定、相対湿度を一定にした場合のアニール処理条件の
一実施例を示す図である。
一定、相対湿度を一定にした場合のアニール処理条件の
一実施例を示す図である。
【図８】本発明の製造方法において行われる温度一定、
相対湿度を途中一定にした場合のアニール処理条件の一
実施例を示す図である。
相対湿度を途中一定にした場合のアニール処理条件の一
実施例を示す図である。
【図９】本発明の製造方法において行われる温度および
相対湿度を途中一定にした場合のアニール処理条件の一
実施例を示す図である。
相対湿度を途中一定にした場合のアニール処理条件の一
実施例を示す図である。
１ 基板
２ 誘電体層
３ 情報記録層
４ 無機保護層
５ 第１の有機保護層
６ 第２の有機保護層
７ 防湿層
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に、少なくとも、情報記録層と
有機保護層とを備えた光ディスクの製造方法において、
前記有機保護層は第１の有機保護層と第２の有機保護層
とから成り、前記情報記録層上に第１の有機保護層を設
けた後、前記第１の有機保護層に接して第２の有機保護
層を設け、さらに、アニール処理を施すことを特徴とす
る光ディスクの製造方法。 - 【請求項２】 前記第１の有機保護層の体積収縮率は
前記第２の有機保護層の体積収縮率よりも小さいかある
いは等しいことを特徴とする請求項１記載の光ディスク
の製造方法。 - 【請求項３】 前記アニール処理は、温度および／ま
たは湿度を繰り返し変化することを特徴とする請求項１
または２記載の光ディスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3104819A JP3071860B2 (ja) | 1991-04-10 | 1991-04-10 | 光ディスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3104819A JP3071860B2 (ja) | 1991-04-10 | 1991-04-10 | 光ディスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04311838A true JPH04311838A (ja) | 1992-11-04 |
| JP3071860B2 JP3071860B2 (ja) | 2000-07-31 |
Family
ID=14391013
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3104819A Expired - Fee Related JP3071860B2 (ja) | 1991-04-10 | 1991-04-10 | 光ディスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3071860B2 (ja) |
-
1991
- 1991-04-10 JP JP3104819A patent/JP3071860B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3071860B2 (ja) | 2000-07-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |