JPH0440799A - スピーカ用振動板の製造方法 - Google Patents
スピーカ用振動板の製造方法Info
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- JPH0440799A JPH0440799A JP14924390A JP14924390A JPH0440799A JP H0440799 A JPH0440799 A JP H0440799A JP 14924390 A JP14924390 A JP 14924390A JP 14924390 A JP14924390 A JP 14924390A JP H0440799 A JPH0440799 A JP H0440799A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、スピーカ用振動板の製造方法に間するもの
である。
である。
［従来の技術］
従来、スピーカ用振動板としては、比弾性率Ｅ／ρ（Ｅ
：ヤング率、ρ：密度）が大きいこと、すなわち剛性率
が大きく軽量であることが音響特性上望ましいことが知
られており、そのために、スピーカ用振動板の材料、形
状及び製造方法が種々検討されている。そして最近では
、アルミニウムやチタン等の金属と比較して比較的に大
きなＥ／ρ値を持つセラミックスがスピーカ用振動板に
適用されるようになった。
：ヤング率、ρ：密度）が大きいこと、すなわち剛性率
が大きく軽量であることが音響特性上望ましいことが知
られており、そのために、スピーカ用振動板の材料、形
状及び製造方法が種々検討されている。そして最近では
、アルミニウムやチタン等の金属と比較して比較的に大
きなＥ／ρ値を持つセラミックスがスピーカ用振動板に
適用されるようになった。
第５図は従来のセラミックスを適用したスピーカ用振動
板の製造方法の工程を説明するための概略図である。図
において、 （Ａ）はプラズマ溶射工程、 （Ｂ）は離
型工程（Ｄ）は焼成工程である。
板の製造方法の工程を説明するための概略図である。図
において、 （Ａ）はプラズマ溶射工程、 （Ｂ）は離
型工程（Ｄ）は焼成工程である。
この各工程（Ａ）、 （Ｂ）、 （Ｄ）において、
ｌは溶射ガン、２は粉末供給ノズル、３は溶射用粉末、
４はプラズマ炎、５はドーム形状等の所望形状を有する
金型、６は振動板となる皮膜、７は電気炉等の容器、８
は抵抗線等のヒータ、９はバルブ付きの排気口、１０は
不活性ガスを導入するバルブ付き導入口である。
ｌは溶射ガン、２は粉末供給ノズル、３は溶射用粉末、
４はプラズマ炎、５はドーム形状等の所望形状を有する
金型、６は振動板となる皮膜、７は電気炉等の容器、８
は抵抗線等のヒータ、９はバルブ付きの排気口、１０は
不活性ガスを導入するバルブ付き導入口である。
次に、上記従来のスピーカ用振動板の製造方法について
説明する。まず、プラズマ溶射工程（Ａ）において、ア
ルゴン（Ａｒ）と水素（Ｈ）あるいは窒素（Ｎ）と水素
（Ｈ）の混合ガスを溶射ガン１から放射することにより
発生した高温、高速のプラズマ炎４の中心に、粉末供給
ノズル２より炭化ホウ素（ＢａＣ） などのセラミッ
クスの粉末３を搬送用のアルゴン又は窒素に乗せて投入
する。
説明する。まず、プラズマ溶射工程（Ａ）において、ア
ルゴン（Ａｒ）と水素（Ｈ）あるいは窒素（Ｎ）と水素
（Ｈ）の混合ガスを溶射ガン１から放射することにより
発生した高温、高速のプラズマ炎４の中心に、粉末供給
ノズル２より炭化ホウ素（ＢａＣ） などのセラミッ
クスの粉末３を搬送用のアルゴン又は窒素に乗せて投入
する。
すると、投入された溶射用粉末３は溶融し、この溶融さ
れた溶射用粉末３はプラズマ炎４の前方に設置されたド
ーム形状等の所望形状を有する金型５の表面に被着し、
振動板となる皮膜６が形成される。続いて離型工程（Ｂ
）において、皮Ｍ６を金型５より離し、セラミックス単
体から成る皮膜６を作成する。続いて焼成工程（Ｄ）に
おいて、皮膜６を電気炉等の容器７内に入れ、真空中又
は不活性ガス中てヒータ８によって約２ｏｏｏ℃で焼成
を行う。これにより、Ｅ／ρ値が高い振動板が得られる
。
れた溶射用粉末３はプラズマ炎４の前方に設置されたド
ーム形状等の所望形状を有する金型５の表面に被着し、
振動板となる皮膜６が形成される。続いて離型工程（Ｂ
）において、皮Ｍ６を金型５より離し、セラミックス単
体から成る皮膜６を作成する。続いて焼成工程（Ｄ）に
おいて、皮膜６を電気炉等の容器７内に入れ、真空中又
は不活性ガス中てヒータ８によって約２ｏｏｏ℃で焼成
を行う。これにより、Ｅ／ρ値が高い振動板が得られる
。
［発明が解決しようとする課題］
上記した従来のスピーカ用振動は以上のような製造方法
によって作成されており、そのために、チタン・アルミ
ニウム（ＴＩ−Ａ１）等の金属で形成された振動板と比
較して、大幅に高いＥ／ρ値を有する振動板を得ていた
。しかるに、上記のような従来の製造方法によって作成
された振動板は、焼成工程（Ｄ）により振動板となる皮
膜６を焼成した後においても、作成された振動板には約
１７％に近い程度の空隙が存在している。この事実は、
本願発明の出願人による試験研究の実験結果によって実
証されている。従って、従来のスピーカ用振動板の製造
方法では、皮１１６から成る振動板中に上記のように約
１７％程度の空隙が存在している振動板が作成されるこ
とになり、空隙が少なく、かつより一層高いＥ／ρ値を
有する振動板を作成することは極めて困難であるという
問題点があった。
によって作成されており、そのために、チタン・アルミ
ニウム（ＴＩ−Ａ１）等の金属で形成された振動板と比
較して、大幅に高いＥ／ρ値を有する振動板を得ていた
。しかるに、上記のような従来の製造方法によって作成
された振動板は、焼成工程（Ｄ）により振動板となる皮
膜６を焼成した後においても、作成された振動板には約
１７％に近い程度の空隙が存在している。この事実は、
本願発明の出願人による試験研究の実験結果によって実
証されている。従って、従来のスピーカ用振動板の製造
方法では、皮１１６から成る振動板中に上記のように約
１７％程度の空隙が存在している振動板が作成されるこ
とになり、空隙が少なく、かつより一層高いＥ／ρ値を
有する振動板を作成することは極めて困難であるという
問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、Ｅ／ρ値がきわめて高く、より一層高性能な
スピーカ用として最適な振動板を作成することができる
スピーカ用振動板の製造方法を得ることを目的とする。
たもので、Ｅ／ρ値がきわめて高く、より一層高性能な
スピーカ用として最適な振動板を作成することができる
スピーカ用振動板の製造方法を得ることを目的とする。
［課題を解決するための手段］
この発明に係るスピーカ用振動板の製造方法は、所望形
状の金型上にプラズマ溶射によりセラミックスなどの皮
膜を形成し、この皮膜を金型から離型した後に、皮膜中
に存在する空隙内に、あるいは皮膜を真空中又は不活性
ガス中で焼成した後の皮膜中に存在する空隙内に、ＣＶ
Ｄ法によりセラミックスあるいは金属を充填させて振動
板を作成するようにしたものである。
状の金型上にプラズマ溶射によりセラミックスなどの皮
膜を形成し、この皮膜を金型から離型した後に、皮膜中
に存在する空隙内に、あるいは皮膜を真空中又は不活性
ガス中で焼成した後の皮膜中に存在する空隙内に、ＣＶ
Ｄ法によりセラミックスあるいは金属を充填させて振動
板を作成するようにしたものである。
［作用コ
この発明におけるスピーカ用振動板の製造方法は、プラ
ズマ溶射法により金型上に被着されたセラミックスなど
の皮膜を形成する第１の工程と、この第１の工程により
形成された皮膜を金型から離型する第２の工程と、この
第２の工程により形成された皮膜中に存在する空隙内に
、あるいは第２の工程により形成された皮膜を焼成する
第３の工程によって焼成した後の皮膜中に存在する空隙
内に、ＣＶＤ法によりセラミックスあるいは金属を充填
する第４の工程により振動板を作成するようにしている
ので、Ｅ／ρ値の極めて高い振動板を製造することがで
きる。
ズマ溶射法により金型上に被着されたセラミックスなど
の皮膜を形成する第１の工程と、この第１の工程により
形成された皮膜を金型から離型する第２の工程と、この
第２の工程により形成された皮膜中に存在する空隙内に
、あるいは第２の工程により形成された皮膜を焼成する
第３の工程によって焼成した後の皮膜中に存在する空隙
内に、ＣＶＤ法によりセラミックスあるいは金属を充填
する第４の工程により振動板を作成するようにしている
ので、Ｅ／ρ値の極めて高い振動板を製造することがで
きる。
［実施例］
第１図はこの発明の実施例であるスピーカ用振動板の製
造方法の工程を説明するための概略図である。図におい
て、 （Ａ）はプラズマ溶射工程、（Ｂ）は離型工程、
（Ｃ）はＣＶＤ （化学蒸着）工程、 （Ｄ）は焼成
工程である。この各工程（Ａ）（Ｂ）、 （Ｃ）、
（Ｄ）において、１は溶射ガン、２は粉末供給ノズル
、３は溶射用粉末、４はプラズマ炎、５はドーム形状等
の所望形状を有する金型、６は振動板となる皮膜、７は
電気炉等の容器、８は抵抗線等のヒータ、９はバルブ付
きの排気口、１０は不活性ガスを導入するバルブ付き導
入口、１１はＣＶＤ （化学蒸着）装置容器、１２はサ
セプタとなるカーボン、１３は誘導加熱用の高周波コイ
ル、１４はＣＶＤ原料ガス、１５はＣＶＤ原料ガス１４
のガス導入口、１６はＣＶＤ原料ガス１４のガス排気口
である。
造方法の工程を説明するための概略図である。図におい
て、 （Ａ）はプラズマ溶射工程、（Ｂ）は離型工程、
（Ｃ）はＣＶＤ （化学蒸着）工程、 （Ｄ）は焼成
工程である。この各工程（Ａ）（Ｂ）、 （Ｃ）、
（Ｄ）において、１は溶射ガン、２は粉末供給ノズル
、３は溶射用粉末、４はプラズマ炎、５はドーム形状等
の所望形状を有する金型、６は振動板となる皮膜、７は
電気炉等の容器、８は抵抗線等のヒータ、９はバルブ付
きの排気口、１０は不活性ガスを導入するバルブ付き導
入口、１１はＣＶＤ （化学蒸着）装置容器、１２はサ
セプタとなるカーボン、１３は誘導加熱用の高周波コイ
ル、１４はＣＶＤ原料ガス、１５はＣＶＤ原料ガス１４
のガス導入口、１６はＣＶＤ原料ガス１４のガス排気口
である。
次に、上記この発明の実施例であるスピーカ用振動板の
製造方法について説明する。上記第５図に示す従来の製
造方法と同様に、まず、プラズマ溶射工程（Ａ）におい
て、アルゴンと水素あるいは窒素と水素の混合ガスを溶
射ガン１から放射することにより発生した高温（〜２０
００℃）、高速プラズマ炎４の中心に、粉末供給ノズル
２より、例えば平均粒径２０μｍの炭化ホウ素などのセ
ラミックスの溶射用粉末３を搬送用のアルゴン又は窒素
に乗せて投入する。すると、投入された溶射用粉末３は
プラズマ炎４中で溶融あるいは半溶融し、プラズマ炎４
の前方に設置されたドーム形状等の所望形状を有する金
型５の表面に高速て被着し、冷却し、同化堆積して振動
板となる皮膜６が形成される。続いて離型工程（Ｂ）に
おいて、あらかじめ金型５の表面を平滑にし、その材質
を適当に選定することにより、上記のようにして形成さ
れた皮膜６を金型５より離すことができ、これにより炭
化ホウ素などのセラミックス単体から成る皮膜６を形成
する。このようにして形成された皮膜６は、炭化ホウ素
の粒子の大部分が機械的に堆積形成されている構成を有
するために、各粒子閏の結合は比較的に弱く、かつ約１
７％程度の空隙が存在しているので、Ｅ／ρ値は比較的
に小さいものである。
製造方法について説明する。上記第５図に示す従来の製
造方法と同様に、まず、プラズマ溶射工程（Ａ）におい
て、アルゴンと水素あるいは窒素と水素の混合ガスを溶
射ガン１から放射することにより発生した高温（〜２０
００℃）、高速プラズマ炎４の中心に、粉末供給ノズル
２より、例えば平均粒径２０μｍの炭化ホウ素などのセ
ラミックスの溶射用粉末３を搬送用のアルゴン又は窒素
に乗せて投入する。すると、投入された溶射用粉末３は
プラズマ炎４中で溶融あるいは半溶融し、プラズマ炎４
の前方に設置されたドーム形状等の所望形状を有する金
型５の表面に高速て被着し、冷却し、同化堆積して振動
板となる皮膜６が形成される。続いて離型工程（Ｂ）に
おいて、あらかじめ金型５の表面を平滑にし、その材質
を適当に選定することにより、上記のようにして形成さ
れた皮膜６を金型５より離すことができ、これにより炭
化ホウ素などのセラミックス単体から成る皮膜６を形成
する。このようにして形成された皮膜６は、炭化ホウ素
の粒子の大部分が機械的に堆積形成されている構成を有
するために、各粒子閏の結合は比較的に弱く、かつ約１
７％程度の空隙が存在しているので、Ｅ／ρ値は比較的
に小さいものである。
そこで、この発明では続いて行われるＣＶＤ工程（Ｃ）
において、皮膜６中に存在する上記の空隙内にＣＶＤ法
によりセラミックスを充填させる。
において、皮膜６中に存在する上記の空隙内にＣＶＤ法
によりセラミックスを充填させる。
ここでは、例えば炭化ホウ素を皮膜６の空隙内に充填す
る方法について説明する。まず、ＣＶＤ装置容器ｌｌ内
に皮膜６を入れ、真空ポンプにて約１０−’ｔｏｒｒ以
下に排気した後に、高周波コイル１３にて誘導加熱によ
りカーボン１２及び皮膜６を約８００℃〜１３００℃に
加熱する。次に、このようにして加熱された皮Ｍ６に対
し、ガス化させたＢＣｌ３とｃｏ及びＨをマスフロメー
タで調整しＣＶＤ原料ガス１４として皮膜６上に吹き付
ける。吹き付けられたＣＶＤ原料ガス１４は皮膜６の表
面上の粒子に付着すると共に、皮膜６の上記空隙内にも
侵入して堆積し、徐々に空隙（空孔）を充填することが
できる。ここで、ＣＶＤ装置容器１１内の排気はＣＶＤ
処理中続けられている。またＣＶＤ処理をする以前の皮
膜６の組織は、溶射皮膜の特徴として金型５に接してい
た部分付近は押しつぶされて空隙が少なくなっている。
る方法について説明する。まず、ＣＶＤ装置容器ｌｌ内
に皮膜６を入れ、真空ポンプにて約１０−’ｔｏｒｒ以
下に排気した後に、高周波コイル１３にて誘導加熱によ
りカーボン１２及び皮膜６を約８００℃〜１３００℃に
加熱する。次に、このようにして加熱された皮Ｍ６に対
し、ガス化させたＢＣｌ３とｃｏ及びＨをマスフロメー
タで調整しＣＶＤ原料ガス１４として皮膜６上に吹き付
ける。吹き付けられたＣＶＤ原料ガス１４は皮膜６の表
面上の粒子に付着すると共に、皮膜６の上記空隙内にも
侵入して堆積し、徐々に空隙（空孔）を充填することが
できる。ここで、ＣＶＤ装置容器１１内の排気はＣＶＤ
処理中続けられている。またＣＶＤ処理をする以前の皮
膜６の組織は、溶射皮膜の特徴として金型５に接してい
た部分付近は押しつぶされて空隙が少なくなっている。
そのために、ＣＶＤ原料ガス１４を皮膜６の空隙が多く
存在する方向、すなわち第１図のＣＶＤ工程（Ｃ）に示
す方向よりＣＶＤ原料ガス１４を皮膜６に吹き付ける方
が効率良く上記空隙を充填することができる。これとは
反対に、金型５に接していた部分の方向よりＣＶＤ原料
ガス１４を皮膜６に吹き付けると、皮膜６の空隙は早く
目詰まりし、皮膜６全体の空隙を埋めることが非常に困
難になる。この実施例では、皮膜６に存在している空隙
の約７０％を炭化ホウ素（Ｂ ａ Ｃ） で充填する
ことができた。
存在する方向、すなわち第１図のＣＶＤ工程（Ｃ）に示
す方向よりＣＶＤ原料ガス１４を皮膜６に吹き付ける方
が効率良く上記空隙を充填することができる。これとは
反対に、金型５に接していた部分の方向よりＣＶＤ原料
ガス１４を皮膜６に吹き付けると、皮膜６の空隙は早く
目詰まりし、皮膜６全体の空隙を埋めることが非常に困
難になる。この実施例では、皮膜６に存在している空隙
の約７０％を炭化ホウ素（Ｂ ａ Ｃ） で充填する
ことができた。
次に、皮膜６の空隙内に炭化ホウ素が充填された後に、
さらに皮膜６を焼成工程（Ｄ）により焼成する。この焼
成は、皮膜６を電気炉等の容器７の中に入れ、この容器
７内を排気した真空中あるいは真空排気後にアルゴン又
は窒素等の不活性ガスを入れた雰囲気中で皮膜６に対し
高温焼成を行う。この場合における皮膜６の焼結程度は
焼成温度によって変化し、また、Ｅ／ρ値は焼成温度が
約１０００℃より徐々に増加し、約２１００℃にてピー
ク値に達する。
さらに皮膜６を焼成工程（Ｄ）により焼成する。この焼
成は、皮膜６を電気炉等の容器７の中に入れ、この容器
７内を排気した真空中あるいは真空排気後にアルゴン又
は窒素等の不活性ガスを入れた雰囲気中で皮膜６に対し
高温焼成を行う。この場合における皮膜６の焼結程度は
焼成温度によって変化し、また、Ｅ／ρ値は焼成温度が
約１０００℃より徐々に増加し、約２１００℃にてピー
ク値に達する。
第２図及び第３図はこの発明の他の実施例であるスピー
カ用振動板の製造方法の工程を説明するための概略図で
、第１図と同一符号は同一 又は相当部分を表示してお
り、その詳細な説明は省略する。
カ用振動板の製造方法の工程を説明するための概略図で
、第１図と同一符号は同一 又は相当部分を表示してお
り、その詳細な説明は省略する。
第２図に示すこの発明の他の実施例の製造方法において
は、プラズマ溶射工程（Ａ）、５１型工程（Ｂ）までは
上記第１図に示す製造方法と同一の工程であるが、この
実施例の場合には、離型工程（Ｂ）による金型５から離
型後に焼成工程（Ｄ）を行う。すなわち、皮膜６を容器
７内に入れた状態において、焼成工程（Ｄ）により皮膜
６を真空中あるいはアルゴン又は窒素等の不活性ガス中
にて高温焼成を行い、皮膜６の炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）粒
子閏の結合力を増加させる。このように処理した後の皮
膜６は、焼成前の皮膜６と比較して粒子間の結合は増加
し、また開気孔が少しできる。しかるに、皮膜６にはい
まだに多くの開気孔である空隙が存在している。そこで
、続いて上述したようにＣＶＤ工程（Ｃ）により皮膜６
の空隙内に炭化ホウ素（Ｂ ａ Ｃ）を充填させる。そ
の結果、皮膜６における空隙の約６０％が炭化ホウ素（
８４Ｃ）によって充填され、Ｅ／ρ値も上記焼成工程（
Ｄ）によって焼成しただけのものよりも約１０％以上向
上できる。
は、プラズマ溶射工程（Ａ）、５１型工程（Ｂ）までは
上記第１図に示す製造方法と同一の工程であるが、この
実施例の場合には、離型工程（Ｂ）による金型５から離
型後に焼成工程（Ｄ）を行う。すなわち、皮膜６を容器
７内に入れた状態において、焼成工程（Ｄ）により皮膜
６を真空中あるいはアルゴン又は窒素等の不活性ガス中
にて高温焼成を行い、皮膜６の炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）粒
子閏の結合力を増加させる。このように処理した後の皮
膜６は、焼成前の皮膜６と比較して粒子間の結合は増加
し、また開気孔が少しできる。しかるに、皮膜６にはい
まだに多くの開気孔である空隙が存在している。そこで
、続いて上述したようにＣＶＤ工程（Ｃ）により皮膜６
の空隙内に炭化ホウ素（Ｂ ａ Ｃ）を充填させる。そ
の結果、皮膜６における空隙の約６０％が炭化ホウ素（
８４Ｃ）によって充填され、Ｅ／ρ値も上記焼成工程（
Ｄ）によって焼成しただけのものよりも約１０％以上向
上できる。
また、第３図に示すこの発明の他の実施例の製造方法に
おいては、上記第２図に示す実施例の各工程（Ａ）、
（Ｂ）、 （Ｄ）、 （Ｃ）による処理の後に、
さらに焼成工程（Ｄ）を付加した製造方法である。
おいては、上記第２図に示す実施例の各工程（Ａ）、
（Ｂ）、 （Ｄ）、 （Ｃ）による処理の後に、
さらに焼成工程（Ｄ）を付加した製造方法である。
第４図は従来例及びこの発明の各実施例であるスピーカ
用振動板の製造方法における皮膜のＥ／ρ値を比較して
示す図である。ここで、焼成工程（Ｄ）における皮膜６
の焼成は、アルゴンの雰囲気中で焼成温度約２０００℃
にて焼成した場合を示している。
用振動板の製造方法における皮膜のＥ／ρ値を比較して
示す図である。ここで、焼成工程（Ｄ）における皮膜６
の焼成は、アルゴンの雰囲気中で焼成温度約２０００℃
にて焼成した場合を示している。
なお、上記実施例では皮膜６の空隙内にＣＶＤ法によっ
て炭化ホウ素（８４Ｃ）を充填した場合について示して
いるが、充填する物質はＥ／ρ値の高い物質が望ましく
、セラミックスではＳｉＣ。
て炭化ホウ素（８４Ｃ）を充填した場合について示して
いるが、充填する物質はＥ／ρ値の高い物質が望ましく
、セラミックスではＳｉＣ。
Ｓ １３Ｎａ、 Ｔ ｉ Ｃ，Ｃ等が適しており、ま
た金属ではＢｅ、Ｔｉ等が適している。そして、５ｉＣ
ＯＣＶＤ法による原料としてはＳ ｉ ｃ １ｍ＋ｃ３
Ｈ６を用い、その基板の温度は約１０００℃〜１５００
℃が望ましい。また、ＢのＣＶＤ法による原料としては
ＢＣｌ３＋Ｈ２を用い、その基板の温度は約５００℃〜
１５００℃が望ましい。
た金属ではＢｅ、Ｔｉ等が適している。そして、５ｉＣ
ＯＣＶＤ法による原料としてはＳ ｉ ｃ １ｍ＋ｃ３
Ｈ６を用い、その基板の温度は約１０００℃〜１５００
℃が望ましい。また、ＢのＣＶＤ法による原料としては
ＢＣｌ３＋Ｈ２を用い、その基板の温度は約５００℃〜
１５００℃が望ましい。
［発明の効果］
以上のように、この発明のスピーカ用振動板の製造方法
によれは、所望形状の金型上にプラズマ溶射によりセラ
ミックスなとの皮膜を形成し、この皮膜を金型から離型
した後に、皮膜中に存在する空隙内に、あるいは皮膜を
真空中又は不活性ガス中で焼成した後の皮膜中に存在す
る空隙内に、ＣＶＤ法によりセラミックスあるいは金属
を充填させて振動板を作成するようにしたので、Ｅ／ρ
値が極めて高く、より一層高性能なスピーカ用として最
適な振動板を作成することができるという優れた効果を
奏する。
によれは、所望形状の金型上にプラズマ溶射によりセラ
ミックスなとの皮膜を形成し、この皮膜を金型から離型
した後に、皮膜中に存在する空隙内に、あるいは皮膜を
真空中又は不活性ガス中で焼成した後の皮膜中に存在す
る空隙内に、ＣＶＤ法によりセラミックスあるいは金属
を充填させて振動板を作成するようにしたので、Ｅ／ρ
値が極めて高く、より一層高性能なスピーカ用として最
適な振動板を作成することができるという優れた効果を
奏する。
第１図はこの発明の実施例であるスピーカ用振動板の製
造方法の工程を説明するための概略図、第２図及び第３
図はこの発明の他の実施例であるスピーカ用振動板の製
造方法の工程を説明するための概略図、第４図は従来例
及びこの発明の各実施例であるスピーカ用振動板の製造
方法における皮膜のＥ／ρ値を比較して示す図、第５図
は従来のセラミックスを適用したスピーカ用振動板の製
造方法の工程を説明するための概略図である。 図において、１・・・溶射ガン、２・・・粉末供給ノズ
ル、３・・・溶射用粉末、４−・・プラズマ炎、５・・
・金型、６・・・皮膜、７・・・容器、８・・・ヒータ
、９・−・排気口、ｌＯ・・・導入口、１１・・・ＣＶ
Ｄ （化学蒸着）装置容器、１２・・・カーボン、１３
・・・高周波コイル、１４・・・ＣＶＤ原料ガス、１５
・・−ガス導入口、１６・・・ガス排気口、 （Ａ）・
・・プラズマ溶射工程、 （Ｂ）・・−離型工程、 （
Ｃ）・・・ＣＶＤ （化学蒸着）工程、 （Ｄ）・・・
焼成工程 である。 なお、図中同一符号は同一 又は相当部分を示す。
造方法の工程を説明するための概略図、第２図及び第３
図はこの発明の他の実施例であるスピーカ用振動板の製
造方法の工程を説明するための概略図、第４図は従来例
及びこの発明の各実施例であるスピーカ用振動板の製造
方法における皮膜のＥ／ρ値を比較して示す図、第５図
は従来のセラミックスを適用したスピーカ用振動板の製
造方法の工程を説明するための概略図である。 図において、１・・・溶射ガン、２・・・粉末供給ノズ
ル、３・・・溶射用粉末、４−・・プラズマ炎、５・・
・金型、６・・・皮膜、７・・・容器、８・・・ヒータ
、９・−・排気口、ｌＯ・・・導入口、１１・・・ＣＶ
Ｄ （化学蒸着）装置容器、１２・・・カーボン、１３
・・・高周波コイル、１４・・・ＣＶＤ原料ガス、１５
・・−ガス導入口、１６・・・ガス排気口、 （Ａ）・
・・プラズマ溶射工程、 （Ｂ）・・−離型工程、 （
Ｃ）・・・ＣＶＤ （化学蒸着）工程、 （Ｄ）・・・
焼成工程 である。 なお、図中同一符号は同一 又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 所望形状を有する金型上にプラズマ溶射により炭化ホウ
素等の皮膜を形成し、この皮膜を金型から離型した後、
上記皮膜中に存在する空隙内に、あるいはこの皮膜を真
空又は不活性ガス中で焼成した後の皮膜中に存在する空
隙内に、ＣＶＤ（化学蒸着）法によりセラミックスある
いは金属を充填させて振動板を作成することを特徴とす
るスピーカ用振動板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14924390A JP2623922B2 (ja) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | スピーカ用振動板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP14924390A JP2623922B2 (ja) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | スピーカ用振動板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0440799A true JPH0440799A (ja) | 1992-02-12 |
| JP2623922B2 JP2623922B2 (ja) | 1997-06-25 |
Family
ID=15471012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14924390A Expired - Lifetime JP2623922B2 (ja) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | スピーカ用振動板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2623922B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012156940A (ja) * | 2011-01-28 | 2012-08-16 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 高性能スピーカー用振動板及びスピーカー用振動板の製造方法 |
-
1990
- 1990-06-07 JP JP14924390A patent/JP2623922B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2012156940A (ja) * | 2011-01-28 | 2012-08-16 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 高性能スピーカー用振動板及びスピーカー用振動板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2623922B2 (ja) | 1997-06-25 |
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