JPH0440852B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0440852B2 JPH0440852B2 JP12974687A JP12974687A JPH0440852B2 JP H0440852 B2 JPH0440852 B2 JP H0440852B2 JP 12974687 A JP12974687 A JP 12974687A JP 12974687 A JP12974687 A JP 12974687A JP H0440852 B2 JPH0440852 B2 JP H0440852B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic substrate
- current
- electrode films
- films
- conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、放電灯の無接点始動器等に使用さ
れる高電圧発生用の非線形コンデンサに関する。
れる高電圧発生用の非線形コンデンサに関する。
従来、チタン酸バリウム等を主体とする強誘電
体セラミツクコンデンサは、電子部品として種々
の用途に用いられているが、その一つとして該コ
ンデンサの非線形電圧−電荷特性を利用して、金
属蒸気放電灯に内蔵する始動器の高電圧パルス発
生用素子等としても使用されている。
体セラミツクコンデンサは、電子部品として種々
の用途に用いられているが、その一つとして該コ
ンデンサの非線形電圧−電荷特性を利用して、金
属蒸気放電灯に内蔵する始動器の高電圧パルス発
生用素子等としても使用されている。
このような用途に使用される高電圧パルス発生
用コンデンサは、従来第２図に示すように構成さ
れている。すなわち強誘電体セラミツク基板１の
両面に電極膜２ａ，２ｂを形成し、それらの電極
膜２ａ，２ｂの表面を該電極膜２ａ，２ｂの中央
部を残して無機質ガラス３ａ，３ｂで被覆すると
共に、電極膜２ａ，２ｂの中央部に導電性接着剤
４ａ，４ｂでリード端子５ａ，５ｂを固定して構
成されている。
用コンデンサは、従来第２図に示すように構成さ
れている。すなわち強誘電体セラミツク基板１の
両面に電極膜２ａ，２ｂを形成し、それらの電極
膜２ａ，２ｂの表面を該電極膜２ａ，２ｂの中央
部を残して無機質ガラス３ａ，３ｂで被覆すると
共に、電極膜２ａ，２ｂの中央部に導電性接着剤
４ａ，４ｂでリード端子５ａ，５ｂを固定して構
成されている。
ところが、このような構成の高電圧パルス発生
用コンデンサにおいては、リード端子５ａ，５ｂ
を電極膜２ａ，２ｂに固定するための導電性接着
剤４ａ，４ｂが、電極膜２ａ，２ｂを通して強誘
電体セラミツク基板１の結晶粒界内部に拡散し、
コンデンサの諸特性に悪影響を及ぼして発生させ
る高電圧パルスの値を低下させ、更には高電圧パ
ルス発生時における電歪現象により、セラミツク
基板が導電性接着剤の入り込んだ結晶粒界部分か
ら破壊するという問題点があつた。
用コンデンサにおいては、リード端子５ａ，５ｂ
を電極膜２ａ，２ｂに固定するための導電性接着
剤４ａ，４ｂが、電極膜２ａ，２ｂを通して強誘
電体セラミツク基板１の結晶粒界内部に拡散し、
コンデンサの諸特性に悪影響を及ぼして発生させ
る高電圧パルスの値を低下させ、更には高電圧パ
ルス発生時における電歪現象により、セラミツク
基板が導電性接着剤の入り込んだ結晶粒界部分か
ら破壊するという問題点があつた。
この問題点を解消するため、本件発明者等は、
先に第３図Ａ，Ｂに示す構成のものを提案した
（特願昭61−281863号）。すなわち、強誘電体セラ
ミツク基板１の両面に電極膜２ａ，２ｂを形成
し、これらの電極膜２ａ，２ｂの表面を該電極膜
に対する通電部６ａ，６ｂを除いて無機質ガラス
３ａ，３ｂで被覆すると共に、その無機質ガラス
３ａ，３ｂの外表面に通電部６ａ，６ｂに接続し
た導電膜７ａ，７ｂを形成し、該導電膜７ａ，７
ｂ上に導電性接着剤４ａ，４ｂでリード端子５
ａ，５ｂを固着するものである。
先に第３図Ａ，Ｂに示す構成のものを提案した
（特願昭61−281863号）。すなわち、強誘電体セラ
ミツク基板１の両面に電極膜２ａ，２ｂを形成
し、これらの電極膜２ａ，２ｂの表面を該電極膜
に対する通電部６ａ，６ｂを除いて無機質ガラス
３ａ，３ｂで被覆すると共に、その無機質ガラス
３ａ，３ｂの外表面に通電部６ａ，６ｂに接続し
た導電膜７ａ，７ｂを形成し、該導電膜７ａ，７
ｂ上に導電性接着剤４ａ，４ｂでリード端子５
ａ，５ｂを固着するものである。
このように構成することにより、 リード端子
固定のための導電性接着剤は、無機質ガラス及び
電極膜を通してセラミツク基板へ拡散することは
なくなり、発生パルス電圧の低下やセラミツク基
板の破壊を効果的に防止できるものである。
固定のための導電性接着剤は、無機質ガラス及び
電極膜を通してセラミツク基板へ拡散することは
なくなり、発生パルス電圧の低下やセラミツク基
板の破壊を効果的に防止できるものである。
ところで、先に提案した高電圧パルス発生用コ
ンデンサにおいては、電極膜２ａ，２ｂとリード
端子５ａ，５ｂとを電気的に接続するため、無機
質ガラス３ａ，３ｂ上に設けた導電膜７ａ，７ｂ
は、通常中心部から離れた位置に形成されている
電極膜２ａ，２ｂの通電部６ａ，６ｂを覆うよう
に、所定位置に形成されなければならない。
ンデンサにおいては、電極膜２ａ，２ｂとリード
端子５ａ，５ｂとを電気的に接続するため、無機
質ガラス３ａ，３ｂ上に設けた導電膜７ａ，７ｂ
は、通常中心部から離れた位置に形成されている
電極膜２ａ，２ｂの通電部６ａ，６ｂを覆うよう
に、所定位置に形成されなければならない。
一方、この高電圧パルス発生用コンデンサにお
いては、一般にそのセラミツク基板は薄い円板状
に形成されているため、方向性がなくその位置決
めが極めて困難である。したがつて前記導電膜７
ａ，７ｂを所定位置へ印刷等の手段で形成するこ
とは難しく、特に複数個のセラミツク基板に対し
て、一度に印刷等の手段により導電膜をそれぞれ
所定位置に形成するには、通電部を一定方向に揃
えなければならず、その作業は極めて煩雑であ
り、時には電極膜とリード端子との接続不良を発
生させてしまうという問題点があつた。
いては、一般にそのセラミツク基板は薄い円板状
に形成されているため、方向性がなくその位置決
めが極めて困難である。したがつて前記導電膜７
ａ，７ｂを所定位置へ印刷等の手段で形成するこ
とは難しく、特に複数個のセラミツク基板に対し
て、一度に印刷等の手段により導電膜をそれぞれ
所定位置に形成するには、通電部を一定方向に揃
えなければならず、その作業は極めて煩雑であ
り、時には電極膜とリード端子との接続不良を発
生させてしまうという問題点があつた。
本発明は、先に提案した高電圧パルス発生用コ
ンデンサにおける上記問題点を解決するためにな
されたもので、セラミツク基板の位置決めを行わ
ずに通電部を覆う導電膜を極めて容易に形成でき
るようにした高電圧パルス発生用非線形コンデン
サを提供することを目的とする。
ンデンサにおける上記問題点を解決するためにな
されたもので、セラミツク基板の位置決めを行わ
ずに通電部を覆う導電膜を極めて容易に形成でき
るようにした高電圧パルス発生用非線形コンデン
サを提供することを目的とする。
上記問題点を解決するため、本発明は、円板状
の強誘電体セラミツク基体の両面に電極膜を形成
し、これらの電極膜の表面を該電極膜に対する通
電部を除いて無機質ガラスで被覆し、該ガラス被
覆の外表面に前記通電部を覆うようにして前記セ
ラミツク基体と同心状の円形導電膜を施し、前記
通電部との接続部を避けた前記導電膜上にリード
端子を接続して高電圧パルス発生用非線形コンデ
ンサを構成するものである。
の強誘電体セラミツク基体の両面に電極膜を形成
し、これらの電極膜の表面を該電極膜に対する通
電部を除いて無機質ガラスで被覆し、該ガラス被
覆の外表面に前記通電部を覆うようにして前記セ
ラミツク基体と同心状の円形導電膜を施し、前記
通電部との接続部を避けた前記導電膜上にリード
端子を接続して高電圧パルス発生用非線形コンデ
ンサを構成するものである。
このように構成することにより、セラミツク基
板の位置合わせをすることなく、通電部の配置位
置に関係なく容易に通電部を覆う導電膜を形成す
ることができ、接続不良の発生を有効に阻止する
ことが可能となる。
板の位置合わせをすることなく、通電部の配置位
置に関係なく容易に通電部を覆う導電膜を形成す
ることができ、接続不良の発生を有効に阻止する
ことが可能となる。
以下実施例について説明する。第１図Ａは、本
発明に係る高電圧パルス発生用非線形コンデンサ
の一実施例の断面図で、第１図Ｂはその上面図で
あり、従来例と同一部材については同一符号を付
して示している。図において、１はチタン酸バリ
ウムを主成分とした円板状の強誘電体セラミツク
基板であり、該セラミツク基板１の両面には銀ペ
ーストを塗布焼成して得られる電極膜２ａ，２ｂ
が形成されている。該電極膜２ａ，２ｂの表面に
は、該電極膜２ａ，２ｂへの通電部６ａ，６ｂを
除いて強誘電性結晶化ガラス膜３ａ，３ｂが被覆
形成されている。通電部６ａ，６ｂはリード端子
をセラミツク基板１の中心部から導出するため、
中心部からずれた位置に配設される。
発明に係る高電圧パルス発生用非線形コンデンサ
の一実施例の断面図で、第１図Ｂはその上面図で
あり、従来例と同一部材については同一符号を付
して示している。図において、１はチタン酸バリ
ウムを主成分とした円板状の強誘電体セラミツク
基板であり、該セラミツク基板１の両面には銀ペ
ーストを塗布焼成して得られる電極膜２ａ，２ｂ
が形成されている。該電極膜２ａ，２ｂの表面に
は、該電極膜２ａ，２ｂへの通電部６ａ，６ｂを
除いて強誘電性結晶化ガラス膜３ａ，３ｂが被覆
形成されている。通電部６ａ，６ｂはリード端子
をセラミツク基板１の中心部から導出するため、
中心部からずれた位置に配設される。
そして前記ガラス膜３ａ，３ｂの外表面には、
電極膜２ａ，２ｂの通電部６ａ，６ｂを覆うよう
に、例えば銀膜等からなる円形状導電膜８ａ，８
ｂが、セラミツク基板１と同心状に形成される。
そして該導電膜８ａ，８ｂ上には、前記通電部６
ａ，６ｂとの接続位置を避けた任意の位置、この
実施例ではセラミツク基板１の中心位置に、低融
点ガラス粉末と銀粉末とからなる導電性接着剤４
ａ，４ｂで、ニツケル等からなるリード端子５
ａ，５ｂを接着して、高電圧パルス発生用非線形
コンデンサを構成している。
電極膜２ａ，２ｂの通電部６ａ，６ｂを覆うよう
に、例えば銀膜等からなる円形状導電膜８ａ，８
ｂが、セラミツク基板１と同心状に形成される。
そして該導電膜８ａ，８ｂ上には、前記通電部６
ａ，６ｂとの接続位置を避けた任意の位置、この
実施例ではセラミツク基板１の中心位置に、低融
点ガラス粉末と銀粉末とからなる導電性接着剤４
ａ，４ｂで、ニツケル等からなるリード端子５
ａ，５ｂを接着して、高電圧パルス発生用非線形
コンデンサを構成している。
このように導電膜８ａ，８ｂをセラミツク基板
１と同心状の円形状に形成することにより、通電
部６ａ，６ｂの配置位置に応じてセラミツク基板
１の位置決めをする必要がなくなり、通電部６
ａ，６ｂの配置位置に拘らず、該通電部６ａ，６
ｂを覆うように導電膜８ａ，８ｂを容易に形成す
ることができ、接続不良等の発生は完全に防止す
ることができる。
１と同心状の円形状に形成することにより、通電
部６ａ，６ｂの配置位置に応じてセラミツク基板
１の位置決めをする必要がなくなり、通電部６
ａ，６ｂの配置位置に拘らず、該通電部６ａ，６
ｂを覆うように導電膜８ａ，８ｂを容易に形成す
ることができ、接続不良等の発生は完全に防止す
ることができる。
上記実施例では、リード端子はセラミツク基板
の中心部より導出したものを示したが、この非線
形コンデンサの取付個所等に対応させるため、リ
ード端子は、通電部の接続位置以外であれば導電
膜上の所望の任意の部分に固着することができ
る。
の中心部より導出したものを示したが、この非線
形コンデンサの取付個所等に対応させるため、リ
ード端子は、通電部の接続位置以外であれば導電
膜上の所望の任意の部分に固着することができ
る。
本発明によれば、電極膜の通電部とリード端子
とを接続するための導電膜を、セラミツク基板と
同心的に円形状に形成したので、通電部の位置合
わせを行うことなく、通電部を覆う導電膜を容易
に形成することができ、接続不良等の発生を確実
に防止することができる。
とを接続するための導電膜を、セラミツク基板と
同心的に円形状に形成したので、通電部の位置合
わせを行うことなく、通電部を覆う導電膜を容易
に形成することができ、接続不良等の発生を確実
に防止することができる。
第１図Ａは、本発明に係る高電圧パルス発生用
非線形コンデンサの断面図、第１図Ｂは、その上
面図、第２図は、従来の高電圧パルス発生用コン
デンサの断面図、第３図Ａは、先に提案した高電
圧パルス発生用コンデンサの断面図、第３図Ｂ
は、その上面図である。 図において、１は強誘電体セラミツク基板、２
ａ，２ｂは電極膜、３ａ，３ｂは強誘電性結晶化
ガラス膜、４ａ，４ｂは導電性接着剤、５ａ，５
ｂはリード端子、６ａ，６ｂは通電部、８ａ，８
ｂは導電膜を示す。
非線形コンデンサの断面図、第１図Ｂは、その上
面図、第２図は、従来の高電圧パルス発生用コン
デンサの断面図、第３図Ａは、先に提案した高電
圧パルス発生用コンデンサの断面図、第３図Ｂ
は、その上面図である。 図において、１は強誘電体セラミツク基板、２
ａ，２ｂは電極膜、３ａ，３ｂは強誘電性結晶化
ガラス膜、４ａ，４ｂは導電性接着剤、５ａ，５
ｂはリード端子、６ａ，６ｂは通電部、８ａ，８
ｂは導電膜を示す。
Claims (1)
- １ 円板状の強誘電体セラミツク基体の両面に電
極膜を形成し、これらの電極膜の表面を該電極膜
に対する通電部を除いて無機質ガラスで被覆し、
該ガラス被覆の外表面に前記通電部を覆うように
して前記セラミツク基体と同心状の円形導電膜を
施し、前記通電部との接続部を避けた前記導電膜
上にリード端子を接続してなる高電圧パルス発生
用非線形コンデンサ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12974687A JPS63296210A (ja) | 1987-05-28 | 1987-05-28 | 高電圧パルス発生用非線形コンデンサ |
| US07/196,391 US4807085A (en) | 1987-05-28 | 1988-05-20 | Nonlinear capacitor for generating high-voltage pulses |
| AU16710/88A AU608607B2 (en) | 1987-05-28 | 1988-05-27 | Nonlinear capacitor for generating high-voltage pulses |
| DE8888304808T DE3876498T2 (de) | 1987-05-28 | 1988-05-27 | Nichtlinearer kondensator zur erzeugung von hochspannungsimpulsen. |
| EP88304808A EP0293212B1 (en) | 1987-05-28 | 1988-05-27 | Nonlinear capacitor for generating high-voltage pulses |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12974687A JPS63296210A (ja) | 1987-05-28 | 1987-05-28 | 高電圧パルス発生用非線形コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63296210A JPS63296210A (ja) | 1988-12-02 |
| JPH0440852B2 true JPH0440852B2 (ja) | 1992-07-06 |
Family
ID=15017178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12974687A Granted JPS63296210A (ja) | 1987-05-28 | 1987-05-28 | 高電圧パルス発生用非線形コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63296210A (ja) |
-
1987
- 1987-05-28 JP JP12974687A patent/JPS63296210A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63296210A (ja) | 1988-12-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |