JPH0441496B2 - - Google Patents
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- JPH0441496B2 JPH0441496B2 JP58132180A JP13218083A JPH0441496B2 JP H0441496 B2 JPH0441496 B2 JP H0441496B2 JP 58132180 A JP58132180 A JP 58132180A JP 13218083 A JP13218083 A JP 13218083A JP H0441496 B2 JPH0441496 B2 JP H0441496B2
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- JP
- Japan
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- chip
- wafer
- defective
- mark
- semiconductor wafer
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体ウエハ製造工程における半導
体ウエハ測定装置、特に半導体ウエハプローバに
関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a semiconductor wafer measuring device used in a semiconductor wafer manufacturing process, and particularly to a semiconductor wafer prober.
従来の半導体ウエハチツプは、通常1枚のウエ
ハ上に数百個同時に形成され、測定終了後に個々
に切り離される。分離されたチツプのうち、良品
のチツプのみ取り出しパツケージングして集積回
路(IC)製品が完成する。 Conventional semiconductor wafer chips are usually formed in several hundred pieces on a single wafer at the same time, and are individually separated after measurement. From the separated chips, only good chips are taken out and packaged to complete the integrated circuit (IC) product.
これをもう少し詳しく述べると、ウエハ内のチ
ツプの電気的特性を測定する工程では、チツプの
良品と不良品を判断する通常テスターと称される
装置からチツプへ入力信号を送り、テスターはチ
ツプからの出力信号を受けてその出力信号を判断
し、チツプが良品であるか不良品であるかを判断
する。 To explain this in more detail, in the process of measuring the electrical characteristics of chips within a wafer, an input signal is sent to the chip from a device called a tester, which determines whether the chip is good or defective. It receives the output signal and judges the output signal to judge whether the chip is a good product or a defective product.
通常上記の入出力信号は、チツプに設けられた
電極(以下パツドと称する)の位置に合うようプ
ローブカードに配置された触針(以下プローブカ
ード針と称する)によつてテスターから送出さ
れ、またはテスターへ送り込まれる。テスター
は、チツプからの信号を受けて良品であるか不良
品であるかを判断し、不良品の場合は半導体ウエ
ハプローバへ不良信号を発信する。半導体ウエハ
プローバは、上記の不良信号に従つてチツプ表面
にマークを付けるインカー(マーカー)と称する
装置を作動し、不良ウエハチツプの表面にマーク
を付加する。 Usually, the above input/output signals are sent out from the tester by a stylus (hereinafter referred to as probe card needle) placed on the probe card to match the position of the electrode (hereinafter referred to as pad) provided on the chip, or sent to the tester. The tester receives a signal from the chip and determines whether it is a good product or a defective product, and if it is a defective product, it sends a defect signal to the semiconductor wafer prober. A semiconductor wafer prober operates a device called an inker (marker) that marks the surface of a chip in accordance with the above-mentioned defect signal, and adds a mark to the surface of a defective wafer chip.
従来このようなインカーは、半導体ウエハプロ
ーバの中央に1個もしくは複数個の針部が設けら
れたものである。その際、テスターが不良品と判
断したチツプ表面にマークを付加する動作は、第
1に、1個のチツプの測定をした時に直ちに行う
場合と、第2に、不良品と判断したチツプを地図
化(以下マツピングと称する)して記憶領域(以
下ウエハマツプと称する)に記憶しておき、すべ
てのチツプの測定が終了した時に改めて別の場所
で、不良品と判断されたチツプにまとめてマーキ
ングを行う場合とがある。 Conventionally, such an inker has one or more needles provided in the center of a semiconductor wafer prober. In this case, the tester adds a mark to the surface of the chip judged to be defective in two ways: firstly, it is done immediately after measuring one chip, and secondly, when the tester marks the surface of the chip judged to be defective, it is done immediately after measuring the chip. It is mapped (hereinafter referred to as mapping) and stored in a storage area (hereinafter referred to as wafer map), and when the measurement of all chips is completed, the chips judged to be defective are collectively marked at another location. There are cases where it is done.
また上述のインカーの機構としては、針部に
よりインクをチツプ表面に付着させる型式と、
硬質の針でチツプ表面を叩打して損傷を与える型
式と、レーザー光をチツプ表面に照射してチツ
プ表面を溶解させる型式とがある。 Furthermore, the mechanism of the above-mentioned inker is a type in which ink is attached to the chip surface using a needle,
There are two types: one type that damages the chip surface by striking it with a hard needle, and the other type that melts the chip surface by irradiating the chip surface with laser light.
以上の3種類のマークを付加するいずれの型式
においても、マーキングの際にインカーが針部を
チツプに向かつて打つときは、半導体ウエハプロ
ーパの機能の一つとして電流が通つて電磁石にな
るため、通電によるインカーの動作が把握でき
る。しかしマークを実際に付加したか否かまで確
認していないので、においてインクが切れた状
態でインカーが作動した場合には、マークが付加
されていないことがある。そのため不良品のチツ
プでも良品と判断してしまう結果となる。また
の硬質の針でチツプ表面を叩打して損傷させる型
式のものについても、先端の針が折れてウエハチ
ツプまで届くことができない時も、同様に不良品
のチツプでも良品と判断してしまう。のレーザ
ー光をチツプ表面に照射してチツプ表面を溶解さ
せる型式の場合も同様で、レーザー光の発射され
る先端部の破損により、レーザー光が発射されな
い場合も生ずるのである。よつてこれも不良品の
チツプでも良品と判断してしまうのである。 In any of the above three types of marks, when the inker strikes the needle toward the chip during marking, one of the functions of the semiconductor wafer properr is to conduct current and turn it into an electromagnet. The operation of the inker can be understood. However, since it is not confirmed whether the mark has actually been added or not, if the inker is operated when the ink is out, the mark may not have been added. As a result, even defective chips are judged to be good. Also, regarding the type of chip that damages the surface of the chip by striking it with a hard needle, even if the tip of the needle breaks and cannot reach the wafer chip, a defective chip is similarly judged to be a good product. The same goes for the type of laser that melts the chip surface by irradiating it with a laser beam, and there are cases where the laser beam is not emitted due to damage to the tip from which the laser beam is emitted. Therefore, even defective chips are judged to be good.
本発明の目的は、これらの問題点を解決するた
めにテスターにより不良ウエハチツプと判断され
た時、この不良ウエハチツプがインカーで不良マ
ークを付加してあるかを、自動的に認識して確認
することのできる半導体ウエハプローバを提供す
ることである。 The purpose of the present invention is to solve these problems by automatically recognizing and confirming whether a defective wafer chip has been marked with a defective mark by an inker when the tester determines that the defective wafer chip is a defective wafer chip. An object of the present invention is to provide a semiconductor wafer prober that can perform the following steps.
以下本発明の一実施例を図面を用いて説明する
と、第1図はこの発明の半導体ウエハープローバ
の概要を示すブロツク図、第2図は半導体ウエハ
の表面を示す平面図、第3図はウエハマツプ図で
ある。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. Fig. 1 is a block diagram showing an outline of the semiconductor wafer prober of the invention, Fig. 2 is a plan view showing the surface of a semiconductor wafer, and Fig. 3 is a wafer prober. It is a diagram.
本発明における半導体ウエハプローバは、被測
定物である半導体ウエハを載置台に載置し真空吸
着して固定する。この載置台は水平のX実、Y軸
方向と、上下のZ軸方向に移動する駆動機構によ
り自動操作される。所定位置に位置決めされたウ
エハ上に、プローブカード針をチツプのパツド上
に接触させて測定する。このプローブカード針
は、テスターと接続してウエハの良、不良を測定
する測定機構を有している。このテスターは、半
導体ウエハプローバの位置決め等の機構を通して
個々のウエハチツプを測定するもので、得られた
ウエハチツプの電気的特性の測定の結果により
良、不良の判断をする判断機能を持つている。 In the semiconductor wafer prober of the present invention, a semiconductor wafer, which is an object to be measured, is placed on a mounting table and fixed by vacuum suction. This mounting table is automatically operated by a drive mechanism that moves in the horizontal X-axis and Y-axis directions and in the vertical Z-axis direction. With the wafer positioned at a predetermined position, the probe card needle is brought into contact with the pad of the chip for measurement. This probe card needle has a measuring mechanism that is connected to a tester to measure whether the wafer is good or bad. This tester measures each wafer chip through a mechanism such as the positioning of a semiconductor wafer prober, and has a judgment function that determines whether the wafer chip is good or bad based on the results of measuring the electrical characteristics of the obtained wafer chip.
このようにして判断されたテスターの測定の結
果は、テスターからの不良信号によつて不良マー
クを付加する、マーキング機構によりウエハ上に
表示される。その後、このウエハに付加した、ウ
エハ全体としての不良マーク形状を認識装置によ
り認識するとともに、このウエハ内のウエハチツ
プの測定結果をウエハマツプとして記憶する。こ
のような各機構は全体として制御機構により制御
される。勿論個々の各機構自体はそれぞれ公知の
ものを使用することができる。 The measurement results of the tester determined in this manner are displayed on the wafer by a marking mechanism that adds a defect mark based on a defect signal from the tester. Thereafter, the recognition device recognizes the shape of the defect mark on the wafer as a whole, and the measurement result of the wafer chip within the wafer is stored as a wafer map. Each of these mechanisms is controlled as a whole by a control mechanism. Of course, each individual mechanism itself can be a known one.
この発明の半導体ウエハプローバにおいては、
駆動機構におけるX軸、Y軸方向のアドレス信
号とテスターによるチツプの測定結果における
良、不良の信号とを、各チツプとアドレスとを対
応させた測定情報として、ウエハマツプと称する
制御機構の記憶領域に記憶させ、第2図のように
ウエハ1内にある不良チツプ8をテスターの不良
信号により表示して、X軸、Y軸方向のアドレス
にマツピングする。上記ウエハマツプに記憶さ
れている情報をもとに、ウエハ内の不良ウエハち
ツプ表面にインカーを作動させて、マークを付加
する。この工程までは従来技術で行われる。 In the semiconductor wafer prober of this invention,
The address signals in the X-axis and Y-axis directions in the drive mechanism and the pass/fail signals in the chip measurement results by the tester are stored in a storage area of the control mechanism called a wafer hop as measurement information that associates each chip with an address. As shown in FIG. 2, a defective chip 8 in the wafer 1 is displayed by a defective signal from the tester and mapped to addresses in the X-axis and Y-axis directions. Based on the information stored in the wafer chip, an inker is operated to add a mark to the surface of the defective wafer chip within the wafer. Up to this step, conventional techniques are used.
なお、付加された不良マークを認識装置で認識
させた場合、その認識による情報は埃と間違える
可能性があるので、先ずウエハプローバ自体が予
め不良マークの形状を記憶しておき、これを基本
不良マークと呼ぶ。この基本不良マークと付加さ
れた不良マークとを比較し、基本不良マークに沿
つた形状であればテスターによる測定結果に対応
する不良ウエハチツプであり、ウエハチツプの表
面に不良マークが付加されていることが明確にな
る。またこの不良マークは、半導体ウエハプロー
バによるウエハ内チツプの測定以後に自動的に認
識し、良品のウエハチツプのみ組立てる工程があ
るが、この場合も不良マークの大きさ(面積のこ
とをさす)により判定していることが多いので、
ウエハプロービングの工程において、不良マーク
の大きさをも自動的に認識することは極めて有用
である。 Note that if the added defect mark is recognized by a recognition device, the information resulting from the recognition may be mistaken for dust, so first, the wafer prober itself memorizes the shape of the defect mark in advance and uses it as a basic defect mark. It's called Mark. Compare this basic defective mark with the added defective mark, and if the shape is along the basic defective mark, it is a defective wafer chip that corresponds to the measurement result by the tester, and it is confirmed that the defective mark has been added to the surface of the wafer chip. It becomes clear. In addition, this defective mark is automatically recognized after the chips in the wafer are measured using a semiconductor wafer prober, and there is a process in which only good wafer chips are assembled, but in this case as well, judgment is made based on the size (area) of the defective mark. Because I often do
In the wafer probing process, it is extremely useful to automatically recognize the size of defective marks.
ここでウエハマツプの示す測定結果が不良ウエ
ハチツプであつて、認識装置で認識した結果が不
良マークで認識されない場合は、再び不良信号に
よつて不良ウエハチツプの表面に、不良マークが
付加される。その後再び不良マークを認識装置で
認識させて、その結果不良マークが認識されるこ
とになる。 Here, if the measurement result indicated by the wafer chip is a defective wafer chip and the result recognized by the recognition device is not recognized as a defective mark, a defective mark is added to the surface of the defective wafer chip again by the defective signal. Thereafter, the recognition device recognizes the defective mark again, and as a result, the defective mark is recognized.
また上記の認識をすることができない状態が数
回続くことになると、例えばオペレータに報知す
る機能を取り付けておけば、オペレータによるイ
ンク充填により常に不良ウエハチツプのみに不良
マークを付加したことを確認して、半導体ウエハ
プローバ全工程の仕事を終了する。 In addition, if the above-mentioned inability to recognize continues several times, for example, if a function is installed to notify the operator, the operator can always check that only defective wafer chips have been marked with defective wafer chips by filling ink. , complete the entire process of semiconductor wafer prober.
この発明は以上のように構成されているため、
半導体ウエハの良品ウエハチツプを除いてすべて
の不良品ウエハチツプに不良マークが付加されて
おり、ウエハチツプの選別時に不良マークを目印
として選別作業を行うので、半導体ウエハチツプ
として信頼性の高い品質の製品が得られる。また
自動化に際して非常に有効である。 Since this invention is configured as described above,
A defective mark is added to all defective semiconductor wafer chips except for good semiconductor wafer chips, and since the defective mark is used as a guide when sorting wafer chips, highly reliable quality products can be obtained as semiconductor wafer chips. . It is also very effective in automation.
第1図は、本発明の半導体ウエハプローバの一
実施例を示す概略ブロツク図、第2図はウエハ表
面の不良ウエハチツプの例を示す平面図、第3図
はウエハマツプを説明するための概略図である。
1……半導体ウエハ、8……不良ウエハチツ
プ。
FIG. 1 is a schematic block diagram showing an embodiment of the semiconductor wafer prober of the present invention, FIG. 2 is a plan view showing an example of a defective wafer chip on the wafer surface, and FIG. 3 is a schematic diagram for explaining the wafer chip. be. 1... Semiconductor wafer, 8... Defective wafer chip.
Claims (1)
夫々測定する手段と、測定結果をウエハマツプに
記憶する手段と、上記測定の結果不良チツプにマ
ーキングする手段と、上記マーキングによるマー
クを認識する手段と、上記マーク認識結果と上記
記憶された測定結果とを比較し、マーキングミス
を検出する手段とを具備してなる半導体ウエハプ
ローバ。 2 マーキングミス検出手段により検出された結
果により、打ちもれ検出チツプにマーキング手段
により再度マーキングすることを特徴とする特許
請求の範囲第1項記載の半導体ウエハプローバ。[Scope of Claims] 1. Means for measuring each wafer chip provided on a semiconductor wafer, means for storing the measurement results in the wafer chip, means for marking defective chips as a result of the measurement, and recognition of the mark made by the marking. and means for comparing the mark recognition result and the stored measurement result to detect a marking error. 2. The semiconductor wafer prober according to claim 1, wherein the marking means remarks the chip for detecting a chip based on the result detected by the marking error detecting means.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58132180A JPS6024031A (en) | 1983-07-19 | 1983-07-19 | Semiconductor wafer prober |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58132180A JPS6024031A (en) | 1983-07-19 | 1983-07-19 | Semiconductor wafer prober |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13943393A Division JPH08274133A (en) | 1993-05-18 | 1993-05-18 | Semiconductor wafer prober |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6024031A JPS6024031A (en) | 1985-02-06 |
| JPH0441496B2 true JPH0441496B2 (en) | 1992-07-08 |
Family
ID=15075249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58132180A Granted JPS6024031A (en) | 1983-07-19 | 1983-07-19 | Semiconductor wafer prober |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6024031A (en) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0727930B2 (en) * | 1986-03-27 | 1995-03-29 | ロ−ム株式会社 | Wafer prober |
| US4965515A (en) * | 1986-10-15 | 1990-10-23 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method of testing a semiconductor wafer |
| JPH07111985B2 (en) * | 1986-11-17 | 1995-11-29 | 東京エレクトロン株式会社 | Probe device |
| JP2818551B2 (en) * | 1995-05-31 | 1998-10-30 | 山形日本電気株式会社 | Semiconductor wafer marking equipment |
| JP2726651B2 (en) * | 1996-04-22 | 1998-03-11 | 東京エレクトロン株式会社 | Marking method for defective element |
| JP2019091773A (en) * | 2017-11-14 | 2019-06-13 | 三菱電機株式会社 | Semiconductor device evaluation apparatus and semiconductor device evaluation method |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5717873A (en) * | 1980-07-04 | 1982-01-29 | Mitsubishi Electric Corp | Inspection method of semiconductor element |
| JPS5818936A (en) * | 1981-07-27 | 1983-02-03 | Toshiba Corp | Selecting system for semiconductor element |
-
1983
- 1983-07-19 JP JP58132180A patent/JPS6024031A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6024031A (en) | 1985-02-06 |
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