JPH0441496B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は半導体ウエハ製造工程における半導
体ウエハ測定装置、特に半導体ウエハプローバに
関するものである。

従来の半導体ウエハチツプは、通常１枚のウエ
ハ上に数百個同時に形成され、測定終了後に個々
に切り離される。分離されたチツプのうち、良品
のチツプのみ取り出しパツケージングして集積回
路（IC）製品が完成する。

これをもう少し詳しく述べると、ウエハ内のチ
ツプの電気的特性を測定する工程では、チツプの
良品と不良品を判断する通常テスターと称される
装置からチツプへ入力信号を送り、テスターはチ
ツプからの出力信号を受けてその出力信号を判断
し、チツプが良品であるか不良品であるかを判断
する。

通常上記の入出力信号は、チツプに設けられた
電極（以下パツドと称する）の位置に合うようプ
ローブカードに配置された触針（以下プローブカ
ード針と称する）によつてテスターから送出さ
れ、またはテスターへ送り込まれる。テスター
は、チツプからの信号を受けて良品であるか不良
品であるかを判断し、不良品の場合は半導体ウエ
ハプローバへ不良信号を発信する。半導体ウエハ
プローバは、上記の不良信号に従つてチツプ表面
にマークを付けるインカー（マーカー）と称する
装置を作動し、不良ウエハチツプの表面にマーク
を付加する。

従来このようなインカーは、半導体ウエハプロ
ーバの中央に１個もしくは複数個の針部が設けら
れたものである。その際、テスターが不良品と判
断したチツプ表面にマークを付加する動作は、第
１に、１個のチツプの測定をした時に直ちに行う
場合と、第２に、不良品と判断したチツプを地図
化（以下マツピングと称する）して記憶領域（以
下ウエハマツプと称する）に記憶しておき、すべ
てのチツプの測定が終了した時に改めて別の場所
で、不良品と判断されたチツプにまとめてマーキ
ングを行う場合とがある。

また上述のインカーの機構としては、針部に
よりインクをチツプ表面に付着させる型式と、
硬質の針でチツプ表面を叩打して損傷を与える型
式と、レーザー光をチツプ表面に照射してチツ
プ表面を溶解させる型式とがある。

以上の３種類のマークを付加するいずれの型式
においても、マーキングの際にインカーが針部を
チツプに向かつて打つときは、半導体ウエハプロ
ーパの機能の一つとして電流が通つて電磁石にな
るため、通電によるインカーの動作が把握でき
る。しかしマークを実際に付加したか否かまで確
認していないので、においてインクが切れた状
態でインカーが作動した場合には、マークが付加
されていないことがある。そのため不良品のチツ
プでも良品と判断してしまう結果となる。また
の硬質の針でチツプ表面を叩打して損傷させる型
式のものについても、先端の針が折れてウエハチ
ツプまで届くことができない時も、同様に不良品
のチツプでも良品と判断してしまう。のレーザ
ー光をチツプ表面に照射してチツプ表面を溶解さ
せる型式の場合も同様で、レーザー光の発射され
る先端部の破損により、レーザー光が発射されな
い場合も生ずるのである。よつてこれも不良品の
チツプでも良品と判断してしまうのである。

本発明の目的は、これらの問題点を解決するた
めにテスターにより不良ウエハチツプと判断され
た時、この不良ウエハチツプがインカーで不良マ
ークを付加してあるかを、自動的に認識して確認
することのできる半導体ウエハプローバを提供す
ることである。

以下本発明の一実施例を図面を用いて説明する
と、第１図はこの発明の半導体ウエハープローバ
の概要を示すブロツク図、第２図は半導体ウエハ
の表面を示す平面図、第３図はウエハマツプ図で
ある。

本発明における半導体ウエハプローバは、被測
定物である半導体ウエハを載置台に載置し真空吸
着して固定する。この載置台は水平のＸ実、Ｙ軸
方向と、上下のＺ軸方向に移動する駆動機構によ
り自動操作される。所定位置に位置決めされたウ
エハ上に、プローブカード針をチツプのパツド上
に接触させて測定する。このプローブカード針
は、テスターと接続してウエハの良、不良を測定
する測定機構を有している。このテスターは、半
導体ウエハプローバの位置決め等の機構を通して
個々のウエハチツプを測定するもので、得られた
ウエハチツプの電気的特性の測定の結果により
良、不良の判断をする判断機能を持つている。

このようにして判断されたテスターの測定の結
果は、テスターからの不良信号によつて不良マー
クを付加する、マーキング機構によりウエハ上に
表示される。その後、このウエハに付加した、ウ
エハ全体としての不良マーク形状を認識装置によ
り認識するとともに、このウエハ内のウエハチツ
プの測定結果をウエハマツプとして記憶する。こ
のような各機構は全体として制御機構により制御
される。勿論個々の各機構自体はそれぞれ公知の
ものを使用することができる。

この発明の半導体ウエハプローバにおいては、
駆動機構におけるＸ軸、Ｙ軸方向のアドレス信
号とテスターによるチツプの測定結果における
良、不良の信号とを、各チツプとアドレスとを対
応させた測定情報として、ウエハマツプと称する
制御機構の記憶領域に記憶させ、第２図のように
ウエハ１内にある不良チツプ８をテスターの不良
信号により表示して、Ｘ軸、Ｙ軸方向のアドレス
にマツピングする。上記ウエハマツプに記憶さ
れている情報をもとに、ウエハ内の不良ウエハち
ツプ表面にインカーを作動させて、マークを付加
する。この工程までは従来技術で行われる。

なお、付加された不良マークを認識装置で認識
させた場合、その認識による情報は埃と間違える
可能性があるので、先ずウエハプローバ自体が予
め不良マークの形状を記憶しておき、これを基本
不良マークと呼ぶ。この基本不良マークと付加さ
れた不良マークとを比較し、基本不良マークに沿
つた形状であればテスターによる測定結果に対応
する不良ウエハチツプであり、ウエハチツプの表
面に不良マークが付加されていることが明確にな
る。またこの不良マークは、半導体ウエハプロー
バによるウエハ内チツプの測定以後に自動的に認
識し、良品のウエハチツプのみ組立てる工程があ
るが、この場合も不良マークの大きさ（面積のこ
とをさす）により判定していることが多いので、
ウエハプロービングの工程において、不良マーク
の大きさをも自動的に認識することは極めて有用
である。

ここでウエハマツプの示す測定結果が不良ウエ
ハチツプであつて、認識装置で認識した結果が不
良マークで認識されない場合は、再び不良信号に
よつて不良ウエハチツプの表面に、不良マークが
付加される。その後再び不良マークを認識装置で
認識させて、その結果不良マークが認識されるこ
とになる。

また上記の認識をすることができない状態が数
回続くことになると、例えばオペレータに報知す
る機能を取り付けておけば、オペレータによるイ
ンク充填により常に不良ウエハチツプのみに不良
マークを付加したことを確認して、半導体ウエハ
プローバ全工程の仕事を終了する。

この発明は以上のように構成されているため、
半導体ウエハの良品ウエハチツプを除いてすべて
の不良品ウエハチツプに不良マークが付加されて
おり、ウエハチツプの選別時に不良マークを目印
として選別作業を行うので、半導体ウエハチツプ
として信頼性の高い品質の製品が得られる。また
自動化に際して非常に有効である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の半導体ウエハプローバの一
実施例を示す概略ブロツク図、第２図はウエハ表
面の不良ウエハチツプの例を示す平面図、第３図
はウエハマツプを説明するための概略図である。 １……半導体ウエハ、８……不良ウエハチツ
プ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 半導体ウエハに設けられたウエハチツプを
   夫々測定する手段と、測定結果をウエハマツプに
   記憶する手段と、上記測定の結果不良チツプにマ
   ーキングする手段と、上記マーキングによるマー
   クを認識する手段と、上記マーク認識結果と上記
   記憶された測定結果とを比較し、マーキングミス
   を検出する手段とを具備してなる半導体ウエハプ
   ローバ。 ２ マーキングミス検出手段により検出された結
   果により、打ちもれ検出チツプにマーキング手段
   により再度マーキングすることを特徴とする特許
   請求の範囲第１項記載の半導体ウエハプローバ。