JPH0441616Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本考案は、マイクロ波帯の信号の増幅素子とし
て利用される高周波低雑音トランジスタの取付構
造に関するものである。

（従来の技術） マイクロ波帯の信号を増幅するために増幅素子
として、雑音指数（NF）が小さく利得の大きい
バイポーラー低雑音トランジスタやGaAs低雑音
FET等の高周波低雑音トランジスタが利用され
ている。第７図および第８図に、従来の高周波低
雑音トランジスタの取付構造の一例を示す。第７
図は、その取付構造の断面図であり、第８図は、
取付構造の平面図である。第７図および第８図に
おいて、高周波低雑音トランジスタ１は、ゲート
端子２とドレイン端子３および２個の接地端子で
あるソース端子４，４を有する。そして、この高
周波低雑音トランジスタ１が、下面に接地電極５
が設けられた誘電体基板６の上面に配置されてい
る。さらに、２個のソース端子４，４に対応させ
て、誘電体基板６を貫通させて設けられたスルー
ホール７，７を介して、２個のソース端子４，４
と接地電極５が半田付け８により電気的に接続さ
れている。

（考案が解決しようとする問題点） 上記の従来の高周波低雑音トランジスタの取付
構造の等価回路図を第９図に示す。第９図のごと
く、高周波低雑音トランジスタ１のゲート端子
２、ドレイン端子３、ソース端子４には、それぞ
れに端子の線状導体の有するインピーダンスによ
るインダクタンス値が存在している。そして、上
記の従来の高周波低雑音トランジスタの取付構造
にあつては、２個のソース端子４，４がスルーホ
ール７，７を介して近接して接地電極５に接続さ
れているので、ソース端子４，４のインダクタン
ス値は極めて小さい。また、２個のソース端子
４，４が接続されるスルーホール７，７の位置が
固定されているので、スルーホール７，７に大し
て高周波低雑音トランジスタ１の位置をずらして
配置しても、ソース端子４，４の端子長さが変更
されず、ソース端子４，４のインダクタンス値を
変更することもできない。

ところで、信号源からの信号電力を効率良く増
幅素子に入力させて、大きな利得で増幅するため
には、信号線の出力インダクタンスと増幅素子の
入力インダクタンスとを整合させて、電圧定在波
比（VSWR）が最小となるように調整されなけ
ればならない。また、信号源からの信号を低雑音
で増幅するためには、増幅素子の雑音指数
（NF）が小さくなければならない。ここで、高
周波低雑音トランジスタ１が低雑音であるには、
ゲート寄生抵抗およびソース寄生抵抗等が小さく
なければならない。そこで、高周波低雑音トラン
ジスタ１自体は、電圧定在波比が最小となるよう
な適当な入力インピーダンスを備えていない。こ
のために、従来の高周波低雑音トランジスタの取
付構造では、電圧定在波比と雑音指数がともに最
小となるように調整することができず、電圧定在
波比と雑音指数の双方を適当に満足するような調
整がされざるを得ない現状にある。

ここで、従来の高周波低雑音トランジスタの取
付構造にあつては、ソース端子４，４のインダク
タンス値が小さく、また、そのインダクタンス値
を調整できないので、高周波低雑音トランジスタ
１の入力インピーダンスを調整して電圧定在波比
を調整することができないという問題点があつ
た。さらに、ソース端子４，４のインダクタンス
値が小さいので、高周波低雑音トランジスタ１に
十分な負帰還を作用させて信号対雑音比を改善す
ることもできないという問題点があつた。

本考案の目的は、上記した従来の高周波低雑音
トランジスタの取付構造の問題点を解消すべくな
されたもので、２個の接地電極の一方を遊端状と
して、接地電極のインダクタンス値を大きくする
とともに容量を形成させて、負帰還量を大きくす
るとともに、負帰還量および入力インピーダンス
の調整ができるようにした高周波低雑音トランジ
スタの取付構造を提供することにある。

（問題を解決するための手段） かかる目的を達成するために、本考案の高周波
低雑音トランジスタの取付構造は、下面に接地電
極が設けられた誘電体基板の上面に、２個の接地
端子を有する高周波低雑音トランジスタを配設
し、この高周波低雑音トランジスタの一方の接地
端子を前記誘電体基板に設けられたスルーホール
により前記接地電極と電気的に接続し、他方の接
地端子を遊端状として、この他方の接地端子と前
記接地電極との間に前記誘電体基板を介在させた
容量が形成されるように構成されている。

（作用） ２個の接地端子の一方のみが接地電極と電気的
に接続されるので、接地端子のインダクタンス値
を大きくすることができ、また、接続されずに遊
端状の他方の接地端子と接地電極との間に容量が
形成される。したがつて、接地端子のインダクタ
ンス値の増大により負帰還量を大として信号対雑
音比改善することができる。また、容量の調整に
より負帰還量の調整と入力インピーダンスの調整
ができる。

（実施例の説明） 以下、本考案の高周波低雑音トランジスタの取
付構造の実施例を、第１図ないし第３図を参照し
て説明する。第１図は、本考案の高周波低雑音ト
ランジスタの取付構造の一実施例の断面図であ
り、第２図は、第１図の平面図であり、第３図
は、第１図の等価回路である。第１図ないし第３
図において、第７図ないし第９図と同一な部材お
よび回路に、同一の符号を付して、重複する説明
を省略する。

第１図および第２図において、第７図および第
８図と相違するところは、高周波低雑音トランジ
スタ１の２個のソース端子４，４の一方の端子に
対応するスルーホール７が設けられておらず、一
方のソース端子４が接地電極５に接続されること
なく遊端状に配置されている。そこで、第３図の
等価回路図のごとく、遊端状のこの一方のソース
端子４と接地電極５の間に誘電体基板６が介在し
た容量が形成されている。また、スルーホール７
で接続されるソース端子４が１個であるので、従
来の取付構造に比較してソース端子４のインピー
ダンスが倍になりインダクタンス値が倍となる。

したがつて、ソース端子４のインダクタンス値
の増加により、高周波低雑音トランジスタ１に作
用する負帰還量が増大し、信号対雑音比を改善す
ることができる。また、遊端状の一方のソース端
子４を曲げたり誘電体基板６との距離を近づけた
り遠ざけたりして、ソース端子４と接地電極５の
間の容量を調整することができ、この容量の調整
で負帰還量を適宜に調整することができる。さら
に、一方のソース端子４のみがスルーホール７に
より接続されるので、このスルーホール７に対し
て高周波低雑音トランジスタ１の位置をずらせて
配置することにより、ソース端子４の端子長さを
変更させてインダクタンス値を調整することもで
きる。そして、スルーホール７に対する高周波低
雑音トランジスタ１の位置の調整およびソース端
子４との間の容量の調整等で、高周波低雑音トラ
ンジスタ１の入力インピーダンスを調整して、信
号源の出力インピーダンスと整合させて電圧定在
波比を調整することもできる。

第４図ないし第６図は、本考案の高周波低雑音
トランジスタの取付構造の他の実施例を示す。第
４図は、本考案の高周波低雑音トランジスタの取
付構造の他の実施例の断面図であり、第５図は、
第４図の平面図であり、第６図は、第４図の等価
回路である。第４図ないし第６図において、第１
図ないし第３図と同一な部材および回路に、同一
の符号を付して、重複する説明を省略する。

第４図および第５図において、第１図および第
２図と相違するところは、接続電極５に接続され
ずに遊端状に配置されている一方のソース端子４
の先端に、塑成変形容易な銅箔等からなる調整片
９が連設されていることにある。そこで、第６図
の等価回路図のごとく、この調整片９と接地電極
５との間に誘電体基板６が介在した容量が形成さ
れ、ソース端子４と接地電極５の間の容量に並列
接続される。

したがつて、この調整片９を曲げたり誘電体基
板６からの距離を調整したりすることで、遊端状
に配置された一方のソース端子４の合成容量を大
きく調整でき、高周波低雑音トランジスタ１への
負帰還量を大きく調整することができるととも
に、入力インピーダンスを大きく調整することが
できる。

（考案の効果） 以上説明したように、本考案に係わる高周波低
雑音トランジスタの取付構造は、２個の接地端子
の一方のみが接地電極と電気的に接続されるの
で、接地端子のインダクタンス値を大きくするこ
とができ、また、接続されずに遊端状の他方の接
地端子と接地電極との間に容量が形成される。し
たがつて、接地端子のインダクタンス値の増大に
より負帰還量を大として信号対雑音比を改善する
ことができる。また、容量の調整により負帰還量
の調整と入力インピーダンスの調整ができるとい
う優れた効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本考案の高周波低雑音トランジスタ
の取付構造の一実施例の断面図であり、第２図
は、第１図の平面図であり、第３図は、第１図の
等価回路図であり、第４図は、本考案の高周波低
雑音トランジスタの取付構造の他の実施例の断面
図であり、第５図は、第４図の平面図であり、第
６図は、第４図の等価回路図であり、第７図は、
従来の高周波低雑音トランジスタの取付構造の一
例の断面図であり、第８図は、第７図の平面図で
あり、第９図は、第７図の等価回路図である。 １……高周波低雑音トランジスタ、４……ソー
ス端子、５……接地電極、６……誘電体基板、７
……スルーホール。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 下面に接地電極が設けられた誘電体基板の上面
   に、２個の接地端子を有する高周波低雑音トラン
   ジスタを配設し、この高周波低雑音トランジスタ
   の一方の接地端子を前記誘電体基板に設けられた
   スルーホールにより前記接地電極と電気的に接続
   し、他方の接地端子を遊端状として、この他方の
   接地端子と前記接地電極との間に前記誘電体基板
   を介在させた容量が形成されるように構成したこ
   とを特徴とする高周波低雑音トランジスタの取付
   構造。